silicifyingとは 意味・読み方・使い方

To provide a charge transfer element which is kept free from a breakdown voltage failure at a narrow gap between the electrodes or a short circuit between the electrodes even when rising occurs in a silicifying process, and to provide a method of manufacturing a solid-state imaging device which is easily manufactured and very reliable.例文帳に追加

シリサイド化プロセスにおいて“せりあがり”現象がおきても、狭い電極の間で耐圧不良や電極間のショートが起こることのない電荷転送素子を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a natural oxide film left on the diffusion layer is removed through a reverse sputtering method by the use of helium plasma before a silicifying process is carried out, by which the surface of a diffusion layer can be flattened, and a junction leakage current can be also restrained.例文帳に追加

さらに、シリサイド化工程の前に拡散層の上に残存する自然酸化膜をヘリウムプラズマによる逆スパッタによって除去することにより、拡散層の表面を平坦にでき、接合リークを抑制することができる。 - 特許庁

A step is provided, where a dielectric film 6 is formed so as to cover all regions which require a silicification treatment before a silicifying step is carried out, and a polysilicon part 5 is not covered with the dielectric film 6.例文帳に追加

シリサイド化ステップの前に、シリサイド化処理が重要となり得る全領域を覆うように誘電膜６を形成し、ポリシリコン部分５のみを被覆しない状態に残すステップを有する。 - 特許庁

To prevent an increase of a diffusion layer resistance and an increase of a silicide fine wire resistance when silicifying the diffusion layer, and to prevent a decrease of a positioning margin of a contact.例文帳に追加

メモリ部における拡散層抵抗の増大、さらに拡散層をシリサイド化する場合にはシリサイド細線抵抗の増大を防止し、且つコンタクトの合わせマージンの低下を防止できるようにする。 - 特許庁

The method of producing the porous silica comprises a step of: mixing a surfactant F127, an acid, water, a silicon source and the metallic element selected from a group comprising Al, Fe, Ti, Co and Ga; a step of: heating the raw material mixture obtained in the mixing step and silicifying it; and a step of: firing the silicide obtained by the silicifying step.例文帳に追加

所定の空間群からなる多孔構造をもつ多孔体シリカであって、Ａｌ、Ｆｅ、Ｔｉ、ＣｏおよびＧａからなる群から選択される金属元素が添加されてなることを特徴とする、多孔体シリカとその製造方法として、界面活性剤Ｆ１２７と、酸と、水と、ケイ素源並びにＡｌ、Ｆｅ、Ｔｉ、ＣｏおよびＧａからなる群から選択される金属元素を含む金属源とを混合する工程と、 前記混合する工程によって得られた原料混合物を加熱して、ケイ化する工程と、 前記ケイ化する工程によって得られたケイ化物を焼成する工程とからなることを特徴とする、方法を提供する。 - 特許庁

Carburizing treatment, silicifying treatment, nitriding treatment for intruding carbon, silicon and nitrogen into a metal grid while placing the clad layer 24 in the atmosphere of the high temperature compound gas of carbon, silicon or nitrogen so as to form a surface layer or the whole layer into ceramic.例文帳に追加

そして、このクラッド層２４に高温の炭素やケイ素あるいは窒息の化合物ガスの雰囲気に置くことにより炭素やケイ素や窒素を金属格子に侵入させる侵炭処理や侵ケイ処理，窒化処理を行なってその表層部あるいは全層をセラミック化する。 - 特許庁

After the substrate W, carrying the SiO2 pattern layer, is set in a first deposition unit 12 via a transporting device 10, a Ti layer is formed on the pattern layer and a contact layer is formed, by silicifying the Ti layer through irradiating of the Ti layer with a laser beam.例文帳に追加

次に、ＳｉＯ_2パターン層を形成した基板Ｗを、搬送装置１０を介して第１成膜ユニット１２中にセットし、基板ＷのＳｉＯ_2パターン層上に、Ｔｉ層を形成し、レーザ照射によってシリサイド化してコンタクト層とする。 - 特許庁

The gate electrode 6 is composed of silicide formed by removing one portion of a mask layer formed on polysilicon up to a position, where the polysilicon is not exposed by a CMP method, then, by removing the mask layer for exposing the polysilicon layer, and by silicifying the polysilicon layer.例文帳に追加

ゲート電極６は、ＣＭＰ法によりポリシリコンが露出しない位置まで、ポリシリコン上に形成されたマスク層の一部を除去し、その後、マスク層を除去してポリシリコン層を露出し、ポリシリコン層をシリサイド化して形成したシリサイドで構成されている。 - 特許庁