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unbondingとは 意味・読み方・使い方

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Weblio例文辞書での「unbonding」に類似した例文

unbonding

1

汚すさま

例文

defiling

例文

nagging

例文

sapping

4

くて息苦しいさま

例文

stifling

例文

snuff

7

アマオブネ

例文

neritids

例文

stinking

9

乱雑なさま

例文

turbulent

10

例文

spawn

例文

tottering

例文

quibbling

例文

wandering

例文

wadding

例文

cramming

例文

lustrelessdulldimmat

例文

a defaulter

例文

an absentee

例文

a nonattendant

例文

光景なら)a lifeless scene―(談話なら)―dull talk―(文体なら)―a dull style

例文

shortage

例文

vile

例文

bounder

Weblio例文辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「unbonding」を含む例文一覧

該当件数 : 11



例文

PARTIALLY UNBONDING PRESTRESSING STEEL STRANDED WIRE例文帳に追加

部分アンボンド用PC鋼撚線 - 特許庁

This glass plate can be bonded without occurrence of unbonding along grooves in heat-fusing.例文帳に追加

このガラス基板は熱融着で溝に沿って未融着を発生させることなく接合することができる。 - 特許庁

To provide a partially unbonding prestreassing steel stranded wire for preventing a greasy lubricant from entering a space around a central conductor in a strand and eliminating lack of fixing in the partially unbonding prestressing steel stranded wire.例文帳に追加

グリース状の潤滑剤がストランド内の中心の心線周りの空間に入り込むことを防止し、部分アンボンド用PC鋼撚線における定着不足を解消しうる部分アンボンド用PC鋼撚線を提供する。 - 特許庁

The uniformizing device is formed of an unbonding PC steel material 21 having anchoring parts 22, 23 and 24 in the respective divided slab boards by communicating the inside of the respective divided slab boards.例文帳に追加

均等化装置は、分割された各スラブ版内を連通して、各分割されたスラブ版内に定着部22、23、24を備えたアンボンドPC鋼材21とした。 - 特許庁

To enhance characteristics by compensating the unbonding hand of the polysilicon thin film of a thin film transistor constituting a thin film transistor array, and to enhance productivity by shortening a manufacturing.例文帳に追加

薄膜トランジスタアレイを構成する薄膜トランジスタの多結晶シリコン薄膜の未結合手を補償して特性の向上を図るとともに製造時間を短縮し生産性を向上する。 - 特許庁

When annealing is performed subsequently in a hydrogen atmosphere, hydrogen in the gate electrode 15 and the gate insulation film 14 is diffused into the polysilicon thin film 13, thus compensating the unbonding hand.例文帳に追加

その後、水素雰囲気にてアニール処理を行うことにより、ゲート電極15とゲート絶縁膜14中の水素が多結晶シリコン薄膜13へ拡散し未結合手を補償する。 - 特許庁

例文

In a method for polishing a group III-V nitride semiconductor substrate by using slurry, the slurry contains a substance having chemical potential sufficient for unbonding an ionic bond of a molecule composing the group III-V nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

スラリーを用いてIII−V族窒化物半導体基板を研磨する研磨方法であって、前記スラリーは、前記III−V族窒化物半導体基板を構成する分子のイオン性結合を切断するために十分な化学ポテンシャルを有する物質を含む。 - 特許庁

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「unbonding」を含む例文一覧

該当件数 : 11



例文

The electrostatic charge image developing toner comprises: toner particles including a binder resin, carbon black and an isocyanate compound having a plurality of isocyanate groups, in which at least one isocyanate group bonds to the carbon black and at least one isocyanate group is an unbonding group; and an external additive.例文帳に追加

結着樹脂、カーボンブラック、及び、複数のイソシアネート基を有し、少なくとも1つのイソシアネート基が前記カーボンブラックと結合し、かつ少なくとも1つのイソシアネート基が未結合基であるイソシアネート化合物を含有するトナー粒子と、外添剤と、を含む静電荷像現像用トナー。 - 特許庁

In the photovoltaic device having pin junction using a-SiGe: H where an unbonding hand is terminated by hydrogen for (i) layer, the amount of hydrogen in a film decreases from a P-layer side to an n-layer side in the (i) layer, and at the same time the amount of Ge decreases in linkage.例文帳に追加

この発明は、未結合手を水素により終端したa−SiGe:Hをi層に用いたpin接合を備えた光起電力装置において、i層でp層側からn層側へ向かって膜中の水素量が減少するとともにGe量が連動して減少する。 - 特許庁

To provide an electrostatic charge image developing toner which suppresses the occurrence of uneven image density and background fog due to reduction in transfer rate, as compared with a toner not containing a compound having a plurality of isocyanate groups, in which at least one isocyanate group bonds to carbon black and at least one isocyanate group is an unbonding group.例文帳に追加

少なくとも1つのイソシアネート基がカーボンブラックと結合し、少なくとも1つのイソシアネート基が未結合基である複数のイソシアネート基を有する化合物を含有しない場合に比べて、転写率の低下による画像濃度、画像濃度むら、背景部かぶりを抑制する静電荷像現像用トナーを提供する。 - 特許庁

例文

In a semiconductor device 1 having a conductive region (source electrode 14, drain electrode 15) in at least a part of a thin film 15, the thin film 15 where metal nano particles 14 are bonded through insulating molecules is irradiated with an energy beam E in the conductive region thus unbonding the insulating molecules and fusing and bonding the metal nano particles 14.例文帳に追加

薄膜15の少なくとも一部に導電性領域(ソース電極14、ドレイン電極15)を備えた半導体装置1であって、前記導電性領域は、金属ナノ粒子14が絶縁性分子を介して結合した前記薄膜15に、エネルギー線Eが照射されることで、前記絶縁性分子の結合が解かれたものであり、前記金属ナノ粒子14を融解させて結合させたものである。 - 特許庁

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