「"もふぉろじー"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ＳＢＴ強誘電体薄膜の結晶化温度を低下させると共に、モフォロジーを改善する。例文帳に追加

To lower a crystallization temperature of a SBT(Sr, Bi, Ta) ferroelectric thin film and further improve morphology. - 特許庁

ＢＬＴ強誘電体薄膜の結晶化温度を低下させると共に、モフォロジーを改善する。例文帳に追加

To lower a crystallization temperature of a BLT(Bi, La, Ti) ferroelectric thin film and further improve morphology. - 特許庁

ピットの少ない表面モフォロジーの良好な窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a gallium nitride-based compound semiconductor having a good surface morphology nearly free of pits. - 特許庁

効率よくＡｌＮ結晶にモフォロジーの良好な表面を形成するＡｌＮ結晶の表面処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a surface processing method of AlN crystal for efficiently forming a surface of proper morphology in an AlN crystal. - 特許庁

本願の目的は、Ｓｉ基板上に結晶性と表面モフォロジーの良い単結晶ＳｉＣ層を形成することにある。例文帳に追加

To provide a method of forming a single crystal SiC layer with excellent crystallity and surface morphology on an Si substrate. - 特許庁

効率よくＡｌＮ結晶にモフォロジーの良好な表面を形成するＡｌＮ結晶の表面処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a surface treatment method of an AIN crystal for efficiently forming a surface of excellent morphology in an AlN crystal. - 特許庁

溶液法による結晶成長層表面のモフォロジーの向上を実現する炭化珪素単結晶の成長法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a silicon carbide single crystal, which is based on a solution method and by which morphology of the surface of a crystal growth layer can be improved. - 特許庁

すなわち、ＡｌＧａＮ層自体の表面モフォロジーは低い方が、発光強度が高くなるという特異な現象が観察された。例文帳に追加

That is, a unique phenomenon is observed in which the luminance intensity is raised when the surface morphology of the AlGaN layer itself is low. - 特許庁

モフォロジーフィルタによる処理およびラプラシアンフィルタによる処理の欠点を相補に補って、正確に異常陰影候補を検出する。例文帳に追加

To accurately detect abnormal tissue pattern candidates by mutually compensating for disadvantage of the processing with a morphology filter and the disadvantage of the processing with a Laplacian filter. - 特許庁

光−電力変換効率の大きい、表面モフォロジーの優れた太陽電池のバッファー層作成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a buffer layer of a solar cell that is high in light-electric power conversion efficiency and is superior in surface morphology. - 特許庁

また、Ｃｌドープは気相で行うので、検出層９における結晶粒が均一化される（モフォロジーの改善）。例文帳に追加

Also, the Cl dope is carried out by a gas phase so that crystal grains in the detection layer 9 can be made uniform (morphology is improved). - 特許庁

モフォロジー演算処理手段10が、画像信号Ｒin，Ｇin，Ｂinの入力を受けて、これらのＲＧＢ画像信号に対して各別に、点線構造要素を利用したモフォロジー演算によるオープニング処理およびクロージング処理をそれぞれ施し、オープニング処理画像信号Ｒopn ，Ｇopn ，Ｂopn およびクロージング処理画像信号Ｒcls ，Ｇcls ，Ｂcls を抽出する。例文帳に追加

A morphological arithmetic processing means 10 receives image signals Rin, Gin, Bin and performs opening processing and closing processing by morphological operation using a dotted line structure element independently to the RGB image signals to extract opening processing image signals Ropn, Gopn, Bopn and closing processing image signals Rcls, Gcls, Bcls. - 特許庁

結晶欠陥が少なく、表面モフォロジーが良好な、ＧａＮ系化合物半導体単結晶薄膜エピタキシャル成長用の基板を、効率よく、且つ簡単に得る。例文帳に追加

To efficiently and easily obtain a substrate for epitaxial growth of a GaN compound semiconductor monocrystal membrane which has little crystal defect and favorable surface morphology. - 特許庁

ベース抵抗を低減するために非選択エピタキシャル成長を行うに当たり、十分な膜厚と良好なモフォロジーを有するベース引き出し電極を形成する手法を提供すること。例文帳に追加

To form a base extraction electrode which has sufficient film thickness and good morphology, in performing unselection epitaxial growth, in order to reduce base resistance. - 特許庁

本発明は、半導体デバイスに用いることができるＡｌＮ結晶基板を効率的に得るため、効率よくＡｌＮ結晶にモフォロジーの良好な表面を形成するＡｌＮ結晶の表面処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a surface processing method of AlN crystal for forming a surface of proper morphology efficiently in AlN crystal, in order to efficiently obtain an AlN crystal substrate for use in a semiconductor device. - 特許庁

半導体装置の製造に使用されるシリコン酸化膜の下地依存性を改善することによって、シリコン酸化膜の狭スペースへの埋め込み性やモフォロジーを向上させる。例文帳に追加

To improve embedding property of a silicon oxide film into a narrow space and morphology by improving base dependency of the silicon oxide film used to manufacture a semiconductor device. - 特許庁

これに応じて、この基板表面上にエピタキシャル成長される窒化物系化合物半導体層の結晶状態および表面モフォロジーが改善される。例文帳に追加

Thus, the crystal state and surface morphology of the nitride-based compound semiconductor layer that is subjected to epitaxial growth on the substrate surface is improved. - 特許庁

密着層上に、白金族等の金属からなる導電膜を形成する時に、カバレッジやモフォロジーの低下を抑制することができる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device wherein when forming a conductive film of such a metal as a platinum group element on its adhesive layer, the reductions of the coverage and morphology thereof can be suppressed. - 特許庁

ソース電極およびドレイン電極の表面モフォロジーおよび延性を向上させて耐圧を向上させ、オン抵抗の増加を抑制した化合物半導体装置、その製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor device with surface morphology of a source electrode and a drain electrode, and ductility improved to improve the withstand voltage, and with an increase in on resistance suppressed, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

当該成長用炭化珪素単結晶基板を用いることによって、積層欠陥が非常に少なく、表面モフォロジーの優れたＳｉＣ単結晶エピタキシャル基板が得られる。例文帳に追加

An SiC single crystal epitaxial substrate containing a very small amount of stacking faults and having excellent surface morphology can be obtained by using such a silicon carbide single crystal substrate for growing the thin film. - 特許庁

画像Ｐが入力されることにより、第１の候補検出手段１２Ａが、モフォロジーフィルタを用いたフィルタリング処理を行うことにより、第１の異常陰影候補Ｃｍｃを検出する。例文帳に追加

When an image P is inputted, a first candidate detection section 12A detects first abnormal tissue pattern candidates Cmc by performing filtering using a morphology filter. - 特許庁

ＥＬ発光パターンおよび表面モフォロジー（平坦性）を改善することにより、発光効率および歩留まりを向上させることが可能な窒化物半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor element capable of improving luminous efficiency and a yield by improving an EL emission pattern and surface morphology (flatness). - 特許庁

ＧａＮ結晶基板上に成長させる半導体層のモフォロジーを低下させることなく、基板の結晶方位を識別することができるＧａＮ結晶基板を提供する。例文帳に追加

To provide a GaN crystal substrate capable of recognizing the crystal orientation of the substrate without impairing the morphology of a semiconductor layer grown on the GaN crystal substrate. - 特許庁

ＡｌＧａＮ層の表面には、深さ７〜１５ｎｍの溝が形成されているので、この上に成長するＩｎＧａＮ層の表面モフォロジーが改善された。例文帳に追加

In the light emitting diode, a groove with a depth of 7-15 nm is formed on the surface of an AlGaN layer, and hence a surface morphology of the InGaN layer grown on the AlGaN layer is improved. - 特許庁

マイクロ波プラズマＣＶＤ法によってダイヤモンド基板上にダイヤモンド単結晶を成長させる際に、ダイヤモンドの成長面の形状（モフォロジー）を簡単に制御できる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method by which the shape (morphology) of the growth surface of a diamond can be easily controlled when a diamond single crystal is grown on a diamond substrate by a microwave plasma CVD process. - 特許庁

電極／誘電体界面の酸化によるモフォロジーの悪化、電極材料によるキャパシタ特性の低下、電極材料自体の特性低下などを防止した薄膜キャパシタを有する半導体装置が求められている。例文帳に追加

To provide a semiconductor having a thin film capacitor where the worsening of the morphology caused by the oxidation of an electrode/dielectric interface, the deterioration of the capacitor characteristics caused by the electrode material and the deterioration of the characteristics of the electrode material per se are prevented. - 特許庁

各種膜特性（特に膜表面モフォロジー）に優れる透明導電膜、かかる透明導電膜を形成し得る透明導電膜の形成方法、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。例文帳に追加

To provide a transparent conductive film excellent in various kinds of film properties (particularly in the morphology of a film surface), a forming method of such a transparent conductive film, and an electronic device and an electronic apparatus with high reliability. - 特許庁

成膜装置の構成を複雑化させることなく、モフォロジーの良好な膜を形成可能で、かつ成膜装置の稼働効率を向上可能な成膜方法及び成膜装置を提供する。例文帳に追加

To provide a film forming method and a film forming device capable of forming a film of satisfactory morphology, without complicating constitution of a film forming device, and capable of enhancing an operation efficiency of the film forming device. - 特許庁

二種類以上の有機金属化合物原料ガスおよび酸素ガスを使用して有機金属化学的気相成長法によって酸化物被膜を成膜するのに際して、良好な表面モフォロジーと結晶品質とを有する酸化物被膜を形成する。例文帳に追加

To provide an oxide coating film having a good surface morphology and crystal quality, in forming an oxide coating film by organo-metallo-chemical vapor phase growth method using at least two organometallic compound feed gases and oxygen gas. - 特許庁

半導体の構成原子の脱離による欠陥（Ｖ族原子空格子）の誘起または表面モフォロジーの劣化を生じさせずに、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of fabricating a semiconductor element capable of processing shapes with different etching depths in a same plane easily while suppressing unevenness of a surface without generating induction of defects (group-V atom vacant lattices) nor deterioration in surface morphology caused by desorption of constituent atoms of a semiconductor. - 特許庁

半導体の構成原子の脱離による欠陥（Ｖ族原子空格子）の誘起または表面モフォロジーの劣化を生じさせずに、同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, capable of easily processing shapes different in etching depth on a same surface without inducing a defect (group V atomic vacancy) by desorption of a constituent atom of a semiconductor and causing degradation of a surface morphology. - 特許庁

取得された経時サブトラクション画像に対して、経時サブトラクション画像の基になった２つの画像の実質的な差異よりもアーティファクトを相対的に抑制するモフォロジー演算処理を施す画像処理手段１１を備える。例文帳に追加

This device is equipped with an image processing means 11 which performs a morphology arithmetic processing for relatively suppressing artifacts rather than the substantial difference between two images that an obtained temporal subtraction image is based on. - 特許庁

抵抗値や透明性が劣化するといったトレードオフが無く、また、表面のモフォロジーが滑らかな非晶質透明導電酸化膜で電荷収集電極１１を形成し、その上にａ−Ｓｅに代表される非晶質状態の半導体膜６を形成する。例文帳に追加

The electrode 11 is formed of the amorphous transparent conductive oxide film which is free from such trade off that the resistance value or transparency of the film deteriorates and has smooth surface morphology and an amorphous semiconductor film 6 composed of a-Se, etc., is formed on the electrode 11. - 特許庁

研磨工程における不良を低減し、研磨時間を短縮して、表面モフォロジーが良好な半導体層が得られる成長用基板である単結晶ＧａＮ基板又は半導体基板として好適に用いることができる単結晶ＧａＮ基板を効率よく製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing sufficiently a monocrystal GaN substrate which is a growing substrate capable of obtaining a semiconductor layer of a good surface morphology or a monocrystal GaN substrate which can be suitably used as a semiconductor substrate, by reducing a defect in a polishing process and shortening a polishing time. - 特許庁

任意の異常陰影候補を通る互いに異なる複数の断面画像データＰ０，Ｐａ，Ｐｂを３次元画像データから生成し、各断面画像データに対してアイリスフィルタやモフォロジーフィルタ等による異常陰影候補検出処理９０を行う。例文帳に追加

A plurality of cross-sectional image data PO, Pa and Pb, different from one another, passing an arbitrary abnormal shadow candidate are prepared from three-dimensional image data, and an abnormal shadow candidate detection process 90 is executed for each cross-sectional image data through an iris filter or a morphology filter, etc. - 特許庁

画像間演算手段１１において作成された経時サブトラクション画像Ｐsuに対して、画像処理手段１２において、経時サブトラクション画像Ｐsuの基になった２つの画像の実質的な差異よりもアーティファクトを相対的に抑制するモフォロジー演算処理を施す。例文帳に追加

To an aging subtraction picture Psu prepared in an inter-picture arithmetic means 11, a picture processing means 12 performs a morphology arithmetic processing for relatively suppressing not the substantial difference between the two pictures which become the base of the aging subtraction picture Psu but the artifact. - 特許庁

異なる種類のIII族元素を含むIII-Ｖ族化合物半導体の２元化合物の混晶からなる半導体層の表面にエッチング処理を施す際に、そのエッチング処理後の表面モフォロジーを良好なものとすることが可能な半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, able to obtain an excellent surface morphology after etching the surface of a semiconductor layer composed of a binary compound mix crystal of a Group III-V compound semiconductor including different kinds of Group III elements. - 特許庁

モフォロジー演算処理部１０は、マスク画像のオープニング間隙を算出し、このオープニング間隙を埋めるために必要な最小の膨張繰返回数Ｎを算出し、Ｎ回の膨張処理の後、Ｎ回の収縮処理を実行してメッシュ状のパターンを除去する。例文帳に追加

The morphology calculation processing portion 10 calculates an opening gap of the mask image, calculates a minimum dilation repeating number of times necessary to fill the opening gap, and removes the mesh-shaped pattern by executing an erosion process of N times after a dilation process of N times. - 特許庁

こうして、ＡＸとＢＸのエッチングレートを実効的に等しくして、両者のエッチングレートの差に起因するエッチング表面の荒れや格子不整合を抑制し、良好なモフォロジーをもつＡＢＸ層１２表面を得る。例文帳に追加

In this manner, the etching rate of the AX is made effectively equal to that of the BX, the roughness and lattice inconformity on the etched surface caused by the difference between their etching rates can be suppressed, and the ABX layer 12 surface can be obtained with an excellent morphology. - 特許庁

超臨界成膜法を用いて基板上にアモルファス膜を形成するにあたり、形成したアモルファス膜のモフォロジーを悪化させることなく、膜中の不純物量を低減し、膜密度を向上させることによって、膜の電気特性を改善させることができる方法および装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for improving electrical characteristics of a film by reducing an amount of impurities in the film and improving film density without deteriorating the morphology of an amorphous film that is formed when forming the amorphous film on a substrate by using the supercritical deposition method. - 特許庁