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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > "閾値電流"に関連した英語例文

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"閾値電流"を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 188



例文

閾値電流源11は、バイアス電流源12が流れているので、その電流を引いた電流(閾値電流—バイアス電流)であってもよい。例文帳に追加

Since the bias current source 12 flows, the threshold current source 11 may be a current where the current value is subtracted (a threshold current-a bias current). - 特許庁

本方法はさらに閾値電流信号を再較正するステップを含み、このステップは、閾値電流信号の新と記憶との差分を閾値電流信号の他の記憶に対するオフセットとして記憶するステップを含む。例文帳に追加

The method further comprises a step for recalibrating the threshold current signal wherein that step includes a step for storing the difference between a new value of the threshold current signal and the stored value as an offset for other stored values of the threshold current signal. - 特許庁

発振閾値電流密度が低く、かつ作製歩留まりの高い窒化物半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor laser element having a low oscillation threshold current density and a high manufacturing yield. - 特許庁

閾値電流源11は、半導体レーザ10が発光する電流源である。例文帳に追加

The threshold current source 11 is the current source of a threshold where the semiconductor laser 10 emits light. - 特許庁

例文

発振閾値電流の変動を抑えた埋め込み型の半導体発光装置を実現できるようにする。例文帳に追加

To provide an embedded type nitride semiconductor light-emitting device suppressed in the variations of the oscillation threshold current. - 特許庁


例文

簡単な構造で、閾値電流を低くすることができる半導体レーザダイオードを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser diode which has a simple structure and whose threshold current can be decreased. - 特許庁

より強いモード安定性及び低閾値電流動作を有するレーザダイオードの提供。例文帳に追加

To provide a laser diode having a stronger mode stability and a low threshold current operation. - 特許庁

放熱性が良く、閾値電流が低く、静電容量が小さい半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser device of a well heat dissipation, low threshold current, and small electrostatic capacity. - 特許庁

780nm帯InGaAsP井戸層半導体レーザ素子の低閾値電流化を図る。例文帳に追加

To reduce the threshold current of a semiconductor laser device having a 780 nm band InGaAsP well layer. - 特許庁

例文

閾値電流の変動に対して出射光強度の緩和振動波形を安定化させる。例文帳に追加

To stabilize the relaxation oscillation waveform of emission light intensity, with respect to the variations of the threshold current. - 特許庁

例文

共振電流(ILX、ILY)が閾値電流を超えるとき、回収インダクタ(LpX、LpY)のインダクタンスが低下する。例文帳に追加

When the amounts of the resonance currents (ILX, ILY) exceed a threshold value, the inductances of the recovery inductors (LpX, LpY) are reduced. - 特許庁

閾値電流特性を備えた半導体レーザ素子及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element having low threshold current characteristics and its manufacturing method. - 特許庁

結晶欠陥を発生させずに、閾値電流を低減することの可能な半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor light-emitting element which can reduce the threshold current, without causing crystal defects. - 特許庁

閾値電流が低い650nm帯の赤色半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a red semiconductor laser of the 650 nm band, which has a low threshold current. - 特許庁

本発明の別の形態では、電源レギュレータが、制御閾値電流を有する制御回路を具備する。例文帳に追加

In this embodiment, the power source regulator is provided with a control circuit having a control threshold current. - 特許庁

閾値電流を低減させ、光出射効率を高めた光半導体装置を得る。例文帳に追加

To provide an optical semiconductor device that is reduced in threshold current value and increased in light emission efficiency. - 特許庁

導波モードを最適化し、閾値電流を低減した半導体レーザを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser the guided mode of which is optimized and has a reduced threshold current. - 特許庁

閾値電流であって信頼性が高い面発光レーザ素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a surface-emitting laser element having low threshold current and high reliability. - 特許庁

本画像形成装置は、発光手段の閾値電流及びバイアス電流を導出する。例文帳に追加

The image forming apparatus leads out threshold current and bias current. - 特許庁

ノンドープ層を薄くすることで素子抵抗を小さくし、発熱を抑え、閾値電流の上昇を防ぐ。例文帳に追加

Element resistance is decreased by making the nondoped layer thin and threshold current is prevented from increasing by suppressing heat generation. - 特許庁

閾値電流が低く、スロープ効率の高い面発光レーザ素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a surface light emitting laser element which has a low threshold current and high slope efficiency. - 特許庁

面発光素子VCSEL1の閾値電流Ithは、A×(Tk−To)^2+Bで表される。例文帳に追加

The threshold current Ith of the surface emitting element VCSEL1 is represented as A×(Tk-To)^2+B. - 特許庁

閾値電流が小さく、温度特性に優れた半導体レーザ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser apparatus in which a threshold current is small and which is excellent in temperature characteristics. - 特許庁

ビットデータ変換器313は、LD361,362に閾値電流以下の駆動電流が与えられて投影される第1の画素と、閾値電流を超える駆動電流が与えられて投影される第2の画素と、に特定する。例文帳に追加

A bit data converter 313 specifies a first pixel, where an image is projected by applying a drive current which is not higher than the threshold current to LDs (laser diodes) 361, 362, and a second pixel where an image is projected by applying a drive current over the threshold current. - 特許庁

LD101の特性検出としては例えば閾値電流の検出が行われ、閾値電流はLD101の微分量子効率の検出を行うことにより検出される。例文帳に追加

As characteristic detection of the LD 101, for example, detection of a threshold current is performed, and the threshold current is detected by performing detection of differential quantum efficiency of the LD 101. - 特許庁

磁気フリー層1は、一軸磁気異方性を有し、それに発振閾値電流よりも大きな電流が流れることにより磁化振動を行う。例文帳に追加

The magnetic free layer 1 has uniaxial magnetic anisotropy, and causes magnetization oscillation when a current larger than an oscillation threshold value current flows. - 特許庁

発振波長に影響を与えることなく、より低い閾値電流密度で発振する量子カスケードレーザを提供する。例文帳に追加

To provide a quantum cascade laser that oscillates at lower threshold current density without giving any influence on oscillation wavelength. - 特許庁

発振効率を高め、閾値電流を低減することが可能な窒化物半導体レーザダイオードを提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor laser diode which can raise oscillation efficiency and reduce threshold current. - 特許庁

レーザ発振効率を高め、閾値電流を低減することが可能な半導体レーザダイオードを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser diode that can improve laser oscillation efficiency and reduce a threshold current. - 特許庁

高いスロープ効率を有し、低消費電力(低閾値電流)動作が可能な半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element having a higher slope efficiency for enabling low power consumption (low threshold current) operation. - 特許庁

電磁クラッチ12に流れる負荷電流を検出し、この検出電流と所定の閾値電流とを比較する。例文帳に追加

A load current flowing to the electromagnetic clutch 12 is detected, and this detecting current is compared with a predetermined threshold value current. - 特許庁

動作電圧の増加を抑制しつつ閾値電流を低減することが可能な窒化ガリウム系半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a gallium nitride-based semiconductor light-emitting device capable of reducing threshold current while suppressing an increase in an operating voltage. - 特許庁

レーザ発振の閾値電流が低く、発光効率の大きいリッジ型分布帰還半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a ridge-type distribution feedback semiconductor laser with low threshold current of laser oscillation and large light emission efficiency. - 特許庁

発光効率を向上させるとともに、閾値電流密度の低い窒化物半導体発光素子を提供することである。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor light-emitting element improving light-emitting efficiency and having low threshold current density. - 特許庁

低い閾値電流を有し、信頼性が高く、単一横モード発振が可能な面発光レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a highly reliable surface emission optical laser element having a low threshold current in which single transverse mode oscillation can be realized. - 特許庁

また、井戸層の歪を1%よりも小さく且つ0.25%よりも大きい0.65%の圧縮歪として、閾値電流を低減する。例文帳に追加

The compressive strain of the well layer is set smaller than 1% but larger than 0.25% and equal to 0.65% so as to reduce a threshold current. - 特許庁

この処理を繰返していくと、レーザダイオードのバイアス電流はいずれ閾値電流を越える消光不良を生ずることになる。例文帳に追加

The laser diode may soon cause defective extinction because the bias current exceeds a threshold current as a result of repeating this processing. - 特許庁

高出力のシングルモード発振を簡易な構成かつ低閾値電流で実現することの可能な半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser capable of achieving a high-output single-mode oscillation at a low-threshold current with a simple configuration. - 特許庁

ジャンクションダウン方式でマウントを行なっても閾値電流I_thが大きくならない半導体発光装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor light emitting device in which a threshold current I_th does not increase even if mounting is performed by junction down system. - 特許庁

狭い遠視野像を得ることができると共に、閾値電流を十分に小さくできる半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser capable of obtaining a narrow far-field pattern and also sufficiently reducing a threshold current. - 特許庁

不純物の拡散温度を低減できて、発光効率の低下や閾値電流の増加を防止できる半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element that can lower diffusion temperature of impurities and prevent a decrease in light emission efficiency and an increase in threshold current. - 特許庁

長波長領域で発振し、閾値電流が小さく高効率な半導体レーザ装置及びそれを用いた光通信装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser device which oscillates in the long wavelength region and provides a small threshold current with high efficiency, and also to provide an optical communication device using the laser device. - 特許庁

閾値電流を小さくするとともに、発光効率を向上することが可能な半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element capable of reducing a threshold current and also improving luminous efficiency, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

そのため、伝導帯の不連続性が大きくなり、レーザ構造(100)の閾値電流を増大させることなく、高温性能を向上させることができる。例文帳に追加

Therefore, discontinuity of the conduction band becomes large, and high-temperature performance is improved, without increasing the threshold current of the laser structure (100). - 特許庁

制御回路CTR,TDは閾値電流の変動に対して所定の比率を維持するようにバイアス電流を変更する。例文帳に追加

The control circuits CTR and TD change the bias current so as to maintain a prescribed ratio to the variation of the threshold current. - 特許庁

素子寿命を延ばすことが出来、且つ、発振閾値電流を低減出来る信頼性に優れた酸化物半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a highly reliable oxide semiconductor light emitting element that can be lengthened in life and can be reduced in oscillation threshold current. - 特許庁

リッジ形状のばらつきに起因するFFPや閾値電流のばらつきを低減することの可能な半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor light emitting device capable of reducing dispersion of FFP and a threshold current caused by dispersion of a ridge shape. - 特許庁

横方向に光閉じ込め増加により、発振閾値電流が小さい、放射光のアスベクト比は低い半導体レーザアレイを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser array, small in the threshold current of oscillation and low in the aspect ratio of radiation light by the increase of optical confinement in longitudinal direction. - 特許庁

活性層におけるInの偏析及びInの組成むらを抑制し、閾値電流密度が低い窒化物半導体発光装置を実現できるようにする。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor light-emitting device which suppresses segregation of In and composition unevenness of In in an active layer and has a low threshold current density. - 特許庁

例文

そして、被選択酸化層の厚さは30nmから40nmの範囲内であり、発振の閾値電流が最小となるときの温度は60℃以下である。例文帳に追加

The thickness of a selection object oxide layer is 30-40 nm, and the temperature when an oscillation threshold current is minimized is60°C. - 特許庁

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