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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > "E-H"に関連した英語例文

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"E-H"を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 25



例文

German physicist and brother of E. H. Weber 例文帳に追加

ドイツの物理学者で、E.H.ウェーバーの弟で - 日本語WordNet

of the `%c' directive described below). 例文帳に追加

(表示形式は `%a %b %e %H:%M:%S %Z %Y' となる。 以下を参照のこと)。 - JM

Note that h indicates the value scaled in 4 bits, hh the value scaled in 8 bits, hhh the value scaled in 12 bits, and hhhh the value scaled in16 bits, respectively.例文帳に追加

e h は4ビットの値、hh は8ビットの値、hhh は12ビットの値、hhhh は16ビットの値をそれぞれ示す。 - XFree86

A support board 22 is arranged with cuts having positioning sides e-h, respectively.例文帳に追加

支持基板22に位置決め辺e〜hをそれぞれ有する切り欠き部が配設されている。 - 特許庁

例文

When performing 1+1 protection between an originating node A and a plurality of incoming nodes B, C, E, H, J, active and reserve point-to-multipoint path routes are calculated.例文帳に追加

発ノードAと複数の着ノードB,C,E,H,J間で1+1プロテクションを行う場合の現用および予備ポイントツーマルチポイントパス用経路を計算で求める。 - 特許庁


例文

Besides, the plates 59, 83, 85, 87 are communicated with one another in portions E-H, thereby forming one sheet metal area.例文帳に追加

また、各プレート59,83,85,87間はE〜H部において互いに導通され、これにより一の金属板領域が形成される。 - 特許庁

The positioning sides e-h are aligned, with respective sides i-l of a semiconductor chip 5 to be mounted on the support board 22.例文帳に追加

この位置決め辺e〜hは支持基板22にマウントされる半導体チップ5の各辺i〜lのそれぞれに一致されている。 - 特許庁

A verifying section in the verifying apparatus verifies whether X_1×y^c=g^σ and X_2×e(s', t)^c=e(h(m), t)^σ are held.例文帳に追加

検証装置の検証部は、X_1・y^c=g^σと、X_2・e(s’,t)^c=e(h(m),t)^σが成り立つかを検証する。 - 特許庁

When it is assumed that the width of the solution layer 16 and the height of the solution layer 16 are D and H, respectively, D and H are so set as to satisfy D≥0.0005×log^e×H+0.0037.例文帳に追加

不凍液層16の幅Dは、不凍液層16の高さをHとすると、D=0.0005・log^e・H+0.0037以上にした。 - 特許庁

例文

A second calculating section in the certifying apparatus calculates X_2=e(h(m)^r, t) and transmits X_2 to the verifying apparatus.例文帳に追加

証明装置の第2計算部は、X_2=e(h(m)^r,t)を計算し、X_2を検証装置に送信する。 - 特許庁

例文

When the adjacent second picture group E-H is selectively designated according to the operation of a right shift switch SR in a state that the first picture group A-D is displayed (upper left), the second table set E-H corresponding to the designated picture group is displayed (lower left).例文帳に追加

第1画面グループA〜Dを表示している状態〔左上〕で、右シフトスイッチSRの操作により隣接する第2画面グループE〜Hが選択的に指定されると、指定された画面グループに対応する第2タブセットE〜Hが表示される〔左下〕。 - 特許庁

The reference voltage VRF1 is supplied to sense amplifiers SAA0-SAD1 corresponding to page A-D, and the reference voltage VRF2 is supplied to sense amplifiers SAD0-SAH1 corresponding to page E-H.例文帳に追加

基準電圧VRF1をページA〜Dに対応するセンスアンプSAA0〜SAD1に供給し、基準電圧VRF2をページE〜Hに対応するセンスアンプSAD0〜SAH1に供給する。 - 特許庁

The hole transfer layer 4 has a valence electron band 4a which has an energy band width narrower than that of the valence electron band 2d of the light-absorbing layer 2 and passes positive holes at a given energy level E_h selectively.例文帳に追加

正孔移動層4は、光吸収層2における価電子帯2dのエネルギー幅より狭いエネルギー幅を有しており所定のエネルギー準位E_hの正孔を選択的に通過させる価電子帯4aを有する。 - 特許庁

When the tag F is selected by a tab switch F2 from the second tab set E-H which is being displayed, the sixth display picture F corresponding to the tab operation is displayed (lower right).例文帳に追加

表示中の第2タブセットE〜Hから、タブスイッチF2でタブFを選択すると、タブ操作に対応する第6表示画面Fが表示される〔右下〕。 - 特許庁

When the silicon wafer to the surface of which a metal adheres is dipped in the HF-based solution and kept in the illuminated state, paired electron-holes (e^--h^+) are generated.例文帳に追加

表面に金属が付着するシリコンウェーハがHF系溶液に浸漬され、シリコンウェーハが明状態下にある場合は、電子正孔対(e^−−h^+)が生成される。 - 特許庁

In this purification method, the turbid water A in coal storage yard is subjected to treatment under the non-existence of drug, the gained purification treated water G is reused as water resource, the sludge is subjected to dewatering treatment and the dewatered sludge E, H is reused as a coal resource.例文帳に追加

貯炭場濁水Aを薬剤不存在下で浄化処理し、得られる浄化処理水Gを水資源に、汚濁分を脱水処理し、脱水汚濁分E、Hを石炭源として再利用する浄化方法。 - 特許庁

The bases 10-18 are arranged through butting sections T_4 between a line of small mats A-D and a line of small mats E-H in a state of being butted at one minor side 20.例文帳に追加

小マットA〜Dの列と小マットE〜Hの列との間では、これらの突き合わせ部T_4を挟んで基板10〜18同士が各々の一短手辺20を突き合わせるようにして配列されている。 - 特許庁

When a three-dimensional model of a magcup 1 is configured, faces e-h are measured at first and a three-dimensional model is configured based on a shape data thus obtained (A).例文帳に追加

マグカップ1の3次元モデルを構築する際に、最初に、面e〜hを計測し、得られた形状データに基づき3次元モデルを構築する(図1A)。 - 特許庁

A first push-pull signal containing the wobble component obtained by detection signals A-D from a main detector 51 is generated, and second and third push-pull signals are generated by detection signals E-H from side detectors 52, 53.例文帳に追加

メインディテクタ51からの検出信号A〜Dにより得られるウォブル成分を含んだ第1のプッシュプル信号を生成し、サイドディテクタ52,53からの検出信号E〜Hにより第2及び第3のプッシュプル信号を生成する。 - 特許庁

When integrally forming a cylindrical part 3 on one side of a base part 2 by reciprocating knitting, a first area (knitting needles E-H and Q-T) where a drop off preventing part 32 is formed for preventing a member that is later inserted into the cylindrical part 3 from dropping off from the cylindrical part 3 is defined.例文帳に追加

ベース部2の一面側に一体に筒状部3を往復編成により形成するにあたり、筒状部3の内部に後から挿入する後入れ部材が筒状部3から脱落することを抑制する脱落抑制部32を形成する第一領域(編針E〜H,Q〜T)を規定する。 - 特許庁

The computed wave functions ψ_e and ψ_h for the electron and hole and the envelop functions ϕ_e-h showing a relative movement of the electron and the hole are used to compute the exciton's wave function Ψ by a variation method, thus finding the exciton's energy (S102).例文帳に追加

そして、求められた電子及び正孔の波動関数ψ_e、ψ_h、及び電子及び正孔の相対運動を表すエンベロープ関数φ_e−hを用いて、励起子の波動関数Ψを変分法により演算し、励起子のエネルギーを求める(S102)。 - 特許庁

In the expressions, E_h is the Young's modulus of the front edge area of the head body, E_f is the Young's modulus of the peripheral edge of the face, t_h is the average thickness of the head body front edge area, and t_f is the average thickness of the face peripheral edge.例文帳に追加

R_h =E_h ・t_h ^3 /12 …▲1▼、R_f =E_f ・t_f ^3 /12 …▲2▼ただし、E_h はヘッド本体前縁領域のヤング率、E_h はフェース周縁部のヤング率、t_h はヘッド本体前縁領域の平均厚さ、t_f はフェース周縁部の平均厚さである。 - 特許庁

At the time of arbitrarily realizing the transition of a picture selectively displayed from a plurality of display pictures A, B, and C, and so on by a tab operation in a picture transition tab switch controller, the whole display pictures A, B, C, and so on are preliminarily divided into a plurality of picture groups A-D, E-H, and so on.例文帳に追加

この発明による画面移行タブスイッチ制御装置では、複数枚の表示画面A,B,C,…から選択的に表示される画面をタブ操作により任意に移行させるに際し、予め、全表示画面A,B,C,…を複数の画面グループA〜D,E〜H,…に分けておく。 - 特許庁

The heat-shrinkable polyester multilayered film is obtained by at least uniaxially stretching a multilayered polyester resin raw sheet of which the storage elastic modulus (E') and loss elastic modulus (E") measured under such a condition that frequency is 10 Hz and a temperature rising speed is 1°C/min by a dynamic viscoelasticity measuring method have values satisfying (E'1)/(E'/h)≤7.0,例文帳に追加

動的粘弾性測定により周波数10Hz、昇温速度1℃/分で測定した、貯蔵弾性率(E')及び損失弾性率(E")の測定値が下記の関係を満足する多層ポリエステル系樹脂原シートを用いて、少なくとも一軸方向に延伸してなる熱収縮性ポリエステル系多層フイルム。 - 特許庁

例文

In computing a quantum level of an exciton made up of an electron and a hole confined within a semiconductor microstructure such as a quantum well, respective wave functions ψ_e and ψ_h for an electron and hole about which a many-body mutual effect among charged-particles is taken into consideration, and their energy E_e and E_h are computed (Step S101).例文帳に追加

量子井戸などの半導体微細構造内に閉じ込められた電子及び正孔からなる励起子の量子準位の演算において、荷電粒子間の多体相互作用効果が考慮された電子及び正孔のそれぞれの波動関数ψ_e、ψ_h、及びそのエネルギーE_e、E_hを演算する(ステップS101)。 - 特許庁

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