「"active-region"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The active layer comprises a main active region aligned with the current-confining aperture and an auxiliary active region surrounding the main active region.例文帳に追加

活性層は、電流閉じ込め開口に整列した主活性領域と、主活性領域を取り囲む補助活性領域とを具備する。 - 特許庁

A trench of the outermost periphery of the actual active region is formed more deeply than the trench of the actual active region.例文帳に追加

実動作領域最外周のトレンチを実動作領域のトレンチよりも深く形成する。 - 特許庁

The PD 15A is set in a high active region, and the APD 15B is set in a low active region.例文帳に追加

ＰＤ１５Ａの能動領域は高く、ＡＰＤ１５Ｂの能動領域は低く設定している。 - 特許庁

LIGHT EMITTING DEVICE HAVING COMPACT ACTIVE REGION例文帳に追加

コンパクトな活性領域を有する発光装置 - 特許庁

An anomalously warm and geologically active region例文帳に追加

異常に暖かく、地質学的に活発な地域が - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

AUTOMATIC ALIGNMENT METHOD FOR ACTIVE REGION AND DEEP TRENCH例文帳に追加

活性領域と深トレンチの自動アライメント方法 - 特許庁

The evaluation pattern has an active region, a dummy active region, an STI film, an insulating film and an electrode.例文帳に追加

上記評価パターンは、アクティブ領域と、ダミーアクティブ領域、ＳＴＩ膜、絶縁膜及び電極を有する。 - 特許庁

A gate electrode 3 is formed on the n^+-type active region 1 and the p^+-type active region 2.例文帳に追加

Ｎ＋活性領域１及びＰ＋活性領域２上には、ゲート電極３が形成されている。 - 特許庁

LIGHT-EMITTING DIODE HAVING GRADED ACTIVE REGION例文帳に追加

勾配組成活性領域を有する発光ダイオード - 特許庁

Thus, a capacity coupling efficiency of the floating gate is improved by applying a programming voltage to the control active region and erase active region to ground the reading active region, or by applying the programming voltage to the control active region and reading active region to ground the erase active region.例文帳に追加

これにより、制御活性領域及び消去活性領域にプログラミング電圧を印加し、読み取り活性領域を接地するか、または制御活性領域及び読み取り活性領域にプログラミング電圧を印加し、消去活性領域を接地して、浮遊ゲートの容量結合効率を向上させる。 - 特許庁

The EEPROM has a control active region, an erase active region and a reading active region which are mutually separated on a semiconductor substrate, and is furnished with a common floating gate traversing upper parts of the active region.例文帳に追加

半導体基板に相互分離された制御活性領域、消去活性領域及び読み取り活性領域を有し、活性領域の上部を横切る共通の浮遊ゲートを備えたＥＥＰＲＯＭである。 - 特許庁

The trench MOS device is formed in the active region.例文帳に追加

トレンチＭＯＳ素子は、活性領域に形成される。 - 特許庁

The active region comprises a plurality of quantum wells.例文帳に追加

能動領域は複数の量子井戸層を備えている。 - 特許庁

This device is provided with a semiconductor substrate which has a peripheral active region, a cell active region, and an element isolation film.例文帳に追加

周辺活性領域、セル活性領域及び素子分離膜を有する半導体基板が備えられる。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit includes a first active region in which a MOS transistor is formed, a second active region for a first voltage, and at least one third active region to directly and electrically connect the first active region to the second active region.例文帳に追加

半導体集積回路は、ＭＯＳトランジスタが形成される第１アクチブ領域と、第１電圧のための第２アクチブ領域と、前記第１アクチブ領域と前記第２アクチブ領域とを電気的に直接接続するための少なくとも一つの第３アクチブ領域とを備える。 - 特許庁

The n-type layer is in contact with the active region in a first contact region substantially perpendicular to the active region so as to inject electrons into the active region in a lateral direction.例文帳に追加

ｎ型層は、活性領域に横方向で電子を注入するために、活性領域に実質的に垂直な第１の接触領域で活性領域と接している。 - 特許庁

The semiconductor device includes an active region and peripheral voltage withstanding structure 20b surrounding the active region.例文帳に追加

半導体装置は、活性領域と、活性領域の周辺を囲む周辺耐圧構造部２０ｂとを有する。 - 特許庁

The reflective layer is optically coupled to the active region.例文帳に追加

反射層は、アクティブ領域に光学的に結合される。 - 特許庁

A method of manufacturing a printed circuit board includes: preparing a substrate on which an active region and a non-active region are formed, the non-active region being formed on edges of the active region; printing a resist on a dummy portion corresponding to the non-active region of the substrate by using an inkjet printing system; curing the resist; and performing plating on the active region of the substrate.例文帳に追加

本発明による印刷回路基板の製造方法は、活性領域と縁部に形成された非活性領域とが形成された基板を準備する段階と、基板の非活性領域であるダミー部分にインクジェット印刷方式でレジストを印刷する段階と、レジストを硬化させる段階と、基板の活性領域にメッキを行う段階と、を含む。 - 特許庁

This semiconductor device comprises a silicon substrate 31 having a planar active region 201 and an active region consisting of a prominent active region 202B on the planar active region 201, a gate insulating film 39 formed on the active region, and a gate 400 located on the gate insulating film 39 and including a gate wiring films 40, 41 covering the prominent active region 202B.例文帳に追加

プレーナ活性領域２０１及びプレーナ活性領域２０１上のプロミネンス活性領域２０２Ｂで構成された活性領域を有するシリコン基板３１、活性領域上に形成されたゲート絶縁膜３９と、ゲート絶縁膜３９上に位置し、プロミネンス活性領域２０２Ｂを覆うゲート配線膜４０、４１を含むゲート４００を備えている。 - 特許庁

A floating-gate pattern is formed on an active region.例文帳に追加

前記活性領域上に浮遊ゲートパターンが形成される。 - 特許庁

The active region (32)surrounds the inactive region (33).例文帳に追加

作用領域（３２）は非作用領域（３３）を包囲している。 - 特許庁

As viewed from above, the length of the active region 1b along the gate width is not greater than the length of the active region 1c along the gate width.例文帳に追加

上面視上において、活性領域１ｂのゲート幅方向の長さは活性領域１ｃのそれ以下である。 - 特許庁

On a semiconductor substrate (not shown in Figure), a p-type active region 1 and an n-type active region 2 are formed.例文帳に追加

半導体基板上（図示せず。）に、ｐ型の活性領域１とｎ型の活性領域２とが形成されている。 - 特許庁

An upper gate trench crossing the active region is formed.例文帳に追加

その活性領域を横切る上部ゲートトレンチを形成する。 - 特許庁

LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING INHOMOGENEOUS QUANTUM WELL ACTIVE REGION例文帳に追加

不均質量子井戸活性領域を有する発光デバイス - 特許庁

Also, a covering gate and the mask ROM gate cross over the resistive active region and the channel active region, and the memory gate and a select gate cross over the cell active region.例文帳に追加

又、抵抗体活性領域、チャンネル接合領域及びセル活性領域の上部にはカバーリングゲート、マスクＲＯＭゲート及びメモリゲートと選択ゲートが横切って配置される。 - 特許庁

Under an active region 230, a strain-balancing layer 220 having an adjustable lattice constant is arranged as a lattice base for the active region, and thereby balanced strain within the active region is secured.例文帳に追加

活性領域２３０の下に、格子定数が調整可能な歪平衡層２２０をこの活性領域の格子基底として配置し、これによって活性領域の歪平衡を確保する。 - 特許庁

An active region is divided into unit active regions 2 and the unit active regions 2 are divided into a group constituting a large active region 7 and a group constituting a small active region 8.例文帳に追加

活性領域を単位活性領域２に分割し、これらの単位活性領域を大きい活性領域７を構成するグループと小さい活性領域８を構成するグループに分ける。 - 特許庁

A first active region is formed on the surface of the semiconductor substrate, a second active region on the bottom surface of the first trench, and a third active region on the bottom surface of the second trench, respectively.例文帳に追加

そして、半導体基板の表面に第１活性領域を、第１トレンチの底面に第２活性領域を、第２トレンチの底面に第３活性領域を、それぞれ形成する。 - 特許庁

The model parameter is expressed by a formula including a term on the width of an active region of the transistor, a term on the width of an element separation region between the active region of the transistor and an active region arranged at the periphery of the active region of the transistor and a term on the width of the active region disposed at the periphery.例文帳に追加

モデルパラメータは、トランジスタの活性領域の幅に関する項と、トランジスタの活性領域とトランジスタの活性領域の周辺に設けられた活性領域との間の素子分離領域の幅に関する項と、周辺に設けられた活性領域の幅に関する項とを含む式により表される。 - 特許庁

METHOD FOR RELAXING LEVEL DIFFERENCE IN ACTIVE REGION IN SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体装置におけるアクティブ領域の段差緩和方法 - 特許庁

By opening the side on the active region 51, a conductive particle 25a with an insulating film does not exist in the active region 51.例文帳に追加

能動領域５１上を開口することで、絶縁被膜付き導電粒子２５ａは能動領域５１に存在しなくなる。 - 特許庁

The Formula 1 is expressed as: (gate electrode height [nm] - active region height [nm]) / (active region height [nm]) = 3.5e^-5 × (gate length [nm])^2 - 0.002 × (gate length [nm]) + 0.16.例文帳に追加

［数１］ (ゲート電極高さ[nm]−活性領域高さ[nm])／活性領域高さ[nm] ＝3.5ｅ^−５×(ゲート長[nm])^２−0.002×(ゲート長[nm])＋0.16 - 特許庁

The well contact 12 has a well contact active region 34 having a plane pattern width wider than that of the memory cell active region 20.例文帳に追加

ウェルコンタクト部１２は、メモリセル活性領域２０よりも平面パターン幅の広いウェルコンタクト活性領域３４を有する。 - 特許庁

The transfer switch 2 projects to the active region 9.例文帳に追加

転送スイッチ２はアクティブ領域９に対して突き出している。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR SEARCHING ACTIVE REGION OF SUPERCRITICAL FLUID例文帳に追加

超臨界流体の活性領域探索方法および装置 - 特許庁

To provide a memory array having a small active region pitch.例文帳に追加

小型のアクティブ領域ピッチを有するメモリアレイを提供する。 - 特許庁

The active region 17 is extended along a specified axis Ax.例文帳に追加

活性領域１７は、所定の軸Ａｘに沿って伸びている。 - 特許庁

Two interdigital gate electrodes are arranged in one active region.例文帳に追加

櫛状のゲート電極を１つの動作領域に２つ配置する。 - 特許庁

To suppress variation in ion concentration in an active region.例文帳に追加

活性領域におけるイオン濃度のばらつきを抑制すること。 - 特許庁

The piezoelectric element 2 consists of: an active region layer 5; and a displacement transmission layer 6 arranged on the underside of the active region layer 5.例文帳に追加

圧電素子２は、活性領域層５と、活性領域層５の下側に配置された変位伝達層６とからなっている。 - 特許庁

To provide a memory array having a small active region pitch.例文帳に追加

小型のアクティブ領域ピッチを有するメモリアレイを提供する。 - 特許庁

Light emitting devices include an active region comprising a plurality of layers and a pit opening region on which the active region is disposed.例文帳に追加

発光デバイスは、複数の層を備える能動領域と、能動領域が配置されるピット開き領域とを含んでいる。 - 特許庁

The smooth layer includes an indium composition less than the active region and is typically deposited at higher temperatures than the active region.例文帳に追加

平滑層は、活性領域より低いインジウム組成を含み、典型的には、活性領域より高い温度で沈積される。 - 特許庁