「"ferromagnetic film"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A second nonmagnetic film 1c is formed on the first ferromagnetic film 1d.例文帳に追加

第２非磁性膜１ｃは第１強磁性膜１ｄ上に設けられている。 - 特許庁

Also, the anti-ferromagnetic film is made of MnIr or MnFe based alloy.例文帳に追加

また、反強磁性膜をＭｎＩｒまたはＭｎＦｅ系合金で形成する。 - 特許庁

An antiferromagnetic film 1a is formed on the second ferromagnetic film 1b.例文帳に追加

反強磁性膜１ａは第２強磁性膜１ｂ上に設けられている。 - 特許庁

The free layer F includes the first ferromagnetic film 24 formed to sandwich the spacer layer between itself and the fixed layer; an exchange bonding film 23; and the second ferromagnetic film 22 thicker than the first ferromagnetic film, to be subjected to exchange bonding with the first ferromagnetic film by the exchange bonding film.例文帳に追加

フリー層Ｆは、固定層との間にスペーサ層を挟むように形成された第１強磁性膜２４と、交換結合膜２３と、交換結合膜により第１強磁性膜と交換結合する第１強磁性膜より厚膜の第２強磁性膜２２と、を含む。 - 特許庁

An inclined crystal grain structure reverse ferromagnetic film 23 made by an oblique incidence method is used to obtain a strong switched connection magnetic field between the reverse ferromagnetic film 23 and a ferromagnetic film 24.例文帳に追加

斜め入射法により作製した傾斜結晶粒構造反強磁性膜２３を用いることにより、強磁性膜２４との高い交換結合磁界が得られる。 - 特許庁

The surface of the substrate 1 and that of the first perpendicular ferromagnetic film 2 are leveled into the same plane, and a second perpendicular ferromagnetic film 3 is formed on the surface of the substrate 1 and that of the first perpendicular ferromagnetic film 2 which are leveled into the same plane.例文帳に追加

基板１の表面および第１垂直強磁性体膜２の表面は同一平面状に平坦化され、平坦化された基板１の表面と第１垂直強磁性体膜２の表面の上に、第２垂直強磁性体膜３が成膜、形成されるものとする。 - 特許庁

Further, the ferromagnetic film 4 is constituted while using the materials of saturation magnetization greater than the information recording film 3.例文帳に追加

また強磁性膜４を情報記録膜３よりも飽和磁化の大きな材料を用いて構成する。 - 特許庁

Further, the ferromagnetic film 4 is constituted while using the materials of saturation magnetization greater than the information recording film 3.例文帳に追加

更に強磁性膜４を情報記録膜３よりも飽和磁化の大きな材料を用いて構成する。 - 特許庁

Leaked magnetic flux from the ferromagnetic film 4 becomes greater than that of the information recording film 3.例文帳に追加

強磁性膜４からの漏れ磁束は情報記録膜３よりも大きくなる。 - 特許庁

A magnetic recording medium 100 is provided with an information recording film 3 and a ferromagnetic film 4 on a substrate 1.例文帳に追加

磁気記録媒体１００は基板１上に情報記録膜３と強磁性膜４を備える。 - 特許庁

The magnetizing direction of the ferromagnetic film 118 is fixed by a hard biasing film 115.例文帳に追加

強磁性膜１１８の磁化方向は、ハードバイアス膜１１５によって固定されている。 - 特許庁

Magnetostriction constant λ2 of the relatively thicker ferromagnetic film 21 out of two ferromagnetic films is set larger than the magnetostriction constant λ1 of the thinner ferromagnetic film 25.例文帳に追加

二つの強磁性膜のうち、相対的に膜厚が厚い強磁性膜２１の磁歪定数λ２が、膜厚の薄い強磁性膜２５の磁歪定数λ１よりも大きくなるように設定されている。 - 特許庁

A second ferromagnetic film 1b is formed on the second nonmagnetic film 1c, and antiparallelly coupled with the first ferromagnetic film 1d, and has second magnetization M1b and second film thickness t1b.例文帳に追加

第２強磁性膜１ｂは、第２非磁性膜１ｃ上に設けられ、かつ第１強磁性膜１ｄと反平行結合し、かつ第２の磁化Ｍ１ｂおよび第２の膜厚ｔ１ｂを有する。 - 特許庁

In the magnetoresistive effect type head, a fixed layer is constituted of a ferromagnetic film 12/an oxide film 13/a ferromagnetic film 14 and oxygen diffusion is suppressed by incorporating an element (Mg, Al, Si, Ca, Ti, Zr, etc.), having strong bonding force to oxygen into the oxide film 13.例文帳に追加

固定層を強磁性膜１２／酸化物膜１３／強磁性膜１４で構成し、酸化物膜１３に酸素との結合力の強い元素（Mg、Al、Si、Ca、Ti、Zrなど）を含ませることによって酸素拡散を抑止した磁気抵抗効果型ヘッドとする。 - 特許庁

A ferromagnetic film such as FeCo, Fe, Co, Ni is provided in a region at the external periphery or in a region at the internal periphery apart from an information recording region, and the flexible optical disk is made movable by sucking the ferromagnetic film to an electromagnet or the like.例文帳に追加

情報記録領域より外周の領域又は内周の領域にＦｅＣｏ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁性体膜を設け、強磁性体膜を電磁石などに吸着させることにより移動できるようにした。 - 特許庁

The direction of magnetization of the first ferromagnetic film 24 for determining a resistance value of the first huge magnetoresistance effect element is antiparallel with respect to the direction of magnetization of the second ferromagnetic film 22 rotating by an external magnetic field.例文帳に追加

第１巨大磁気抵抗効果素子の抵抗値を決定する第１強磁性膜２４の磁化の向きは、外部磁界により回転する第２強磁性膜２２の磁化の向きと反平行である。 - 特許庁

The ferromagnetic tunnel junction part 21 is formed by laminating a first ferromagnetic film 211 and a second ferromagnetic film 212 via an insulating film 210 and is arranged between the first magnetic shielding film 51 and the second magnetic shielding film 52.例文帳に追加

強磁性トンネル接合部２１は、第１の強磁性膜２１１と第２の強磁性膜２１２とが絶縁膜２１０を介して積層され、第１の磁気シールド膜５１及び第２の磁気シールド膜５２の間に配置されている。 - 特許庁

The tunnel magnetoresistive effect element 1 has a structure such that a ferromagnetic film 304 having a body-centered cubic structure containing Co, Fe and B, an MgO insulating film 305 having a rock-salt structure oriented in (100) and a ferromagnetic film 306 are stacked.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子１は、ＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の強磁性膜３０４と、（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ絶縁膜３０５と、強磁性膜３０６とを積層した構造を有する。 - 特許庁

A first ferromagnetic film 1d is formed on the first nonmagnetic film 2, and has first magnetization M1d and first film thickness t1d.例文帳に追加

第１強磁性膜１ｄは、第１非磁性膜２上に設けられ、かつ第１の磁化Ｍ１ｄおよび第１の膜厚ｔ１ｄを有する。 - 特許庁

To provide a ferromagnetic film comprising a nitride based III-V compound semiconductor, and an optical isolator using the same.例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る強磁性体膜およびそれを用いる光アイソレータを提供する。 - 特許庁

By this setup, the cleaning solution is capable of keeping a cleaning power constant for a long term and selectively removing the damaged layer of a ferromagnetic film.例文帳に追加

これにより、長時間一定の清浄力を維持でき、強誘電体膜の損傷層を選択的に除去することができる。 - 特許庁

The state of memory in an individual memory cell corresponds to one of two stable orientations of magnetization within a plane of the switching layer of the ferromagnetic film.例文帳に追加

個々のセル内のメモリー状態は強磁性膜スイッチング層の面内における磁化の２つの安定した配向の１つに対応している。 - 特許庁

At this time, the anti-ferromagnetic film is reflected by the crystal structure of the lower shield film 4, its surface also becomes a (111) plane or a (100) plane.例文帳に追加

この時、反強磁性膜は、下部シールド層４の結晶構造を反映し、その表面も（１１１）面又は（１００）面となる。 - 特許庁

A magnetoresistive effect element is provided with the above-mentioned film and electrodes which make an electric current to flow to at least the ferromagnetic film.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、上記した交換結合膜と、この交換結合膜のうち少なくとも強磁性膜に電流を流す電極とを具備する。 - 特許庁

When forming the GMR film 5, an anti-ferromagnetic film is epitaxially grown on the lower shield layer 4 first.例文帳に追加

ＧＭＲ膜５の形成に当たっては、先ず、下部シールド層４上に反強磁性膜をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To provide a technique of forming a memory cell in a magnetic random access memory (MRAM) while suppressing oxidation of a ferromagnetic film in the memory cell.例文帳に追加

メモリセルに含まれる強磁性体膜の酸化を抑制しながら、磁性メモリのメモリセルを形成する技術を提供する。 - 特許庁

The second ferromagnetic film 24 existing on the side far from the free layer 21 of the first and second ferromagnetic films 22, 24 consists of a permanent magnet material.例文帳に追加

第１および第２の強磁性膜２２、２４のうち、自由層２１から遠い側に位置する第２の強磁性膜２４は、永久磁石材料からなる。 - 特許庁

A ferromagnetic film (soft magnetic film), having a coercive force weaker than the material of this magnet has is vapor-deposited on an arbitrary face of this magnet having an arbitrary shape.例文帳に追加

任意形状の磁石の任意の面に、磁石材料よりも保持力の小さい強磁性膜（軟磁性膜）を蒸着した。 - 特許庁

An amorphous ferromagnetic film is used as the third ferromagnetic layer 12 laminated on an anti-ferromagnetic layer 11.例文帳に追加

反強磁性層１１の上に積層されている第３の強磁性層１２として、非晶質強磁性膜を用いる。 - 特許庁

The magnetization of the first ferromagnetic film 23 is antifereromagnetically bonded to the magnetization of the second ferromagnetic films 24.例文帳に追加

第１の強磁性膜２３の磁化は、第２の強磁性体膜２４の磁化と反強磁性的に結合している。 - 特許庁

Thus, the entire film thickness of spin valve film 1 can be thinner while the switched connection magnetic field at the anti-ferromagnetic film 7 is held.例文帳に追加

このことにより、反強磁性膜７における交換結合磁界を保持したまま、スピンバルブ膜１全体の膜厚を薄くすることが可能となる。 - 特許庁

The ferromagnetic tunnel magnetoresistive element comprises a base film (non-magnetic or antiferromagnetic metal film) 1, an ultra-thin ferromagnetic film 2 formed on the base film 1, an insulation film 3 formed on the ultra-thin ferromagnetic film 2, and a ferromagnetic electrode 4 formed on the insulation film 3.例文帳に追加

強磁性トンネル磁気抵抗素子において、下地膜（非磁性又は反強磁性金属膜）１と、この下地膜１上に形成される極薄強磁性膜２と、この極薄強磁性膜２上に形成される絶縁膜３と、この絶縁膜３上に形成される強磁性電極４を有する。 - 特許庁

A perpendicular magnetic recording disk 300 may include a hard magnetic pinning layer 320 arranged on substrate 310, a spacer layer 330 arranged on the hard magnetic pinning layer, a soft ferromagnetic film 340 arranged on the spacer layer, and a magnetic recording layer 350 arranged on the soft ferromagnetic film.例文帳に追加

垂直磁気記録ディスク３００は、基板３１０の上に配置された硬磁性ピンニング層３２０、硬磁性ピンニング層の上に配置されたスペーサ層３３０、スペーサ層の上に配置された軟強磁性膜３４０、および軟強磁性膜の上に配置された磁気記録層３５０を備えることができる。 - 特許庁

The magnetoresistive effect device comprises: a magnetization-fixed layer containing a first ferromagnetic film whose direction of magnetization is substantially fixed in a certain direction; a non-magnetic layer deposited on the magnetization-fixed layer; a magnetization free layer containing a second ferromagnetic film whose direction of magnetization varies corresponding to an external magnetic field; and an amorphous conductive layer formed on the magnetization free layer.例文帳に追加

磁化方向が実質的に一方向に固着された第１の強磁性体膜を含む磁化固着層と、前記磁化固着層の上に設けられた非磁性層と、前記非磁性層の上に設けられ、磁化方向が外部磁界に対応して変化する第２の強磁性体膜を含む磁化自由層と、前記磁化自由層の上に設けられた非結晶質の導電層と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a spin tunnel type magnetoresistance effect head which can output higher output than that of conventional structure by applying a bcc ferromagnetic film having high spin polarizability to a free layer and a fixed layer.例文帳に追加

スピン分極率の大きなｂｃｃ強磁性膜を、自由層、固定層に適用し、従来構造よりも高出力とできる、スピントンネル型磁気抵抗効果ヘッドを提供する。 - 特許庁

FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION RANDOM ACCESS MEMORY, SPIN VALVE RANDOM-ACCESS MEMORY, SINGLE FERROMAGNETIC FILM RANDOM-ACCESS MEMORY AND MEMORY CELL ARRAY USING THEM例文帳に追加

強磁性トンネル接合ランダムアクセスメモリ、スピンバルブランダムアクセスメモリ、単一強磁性膜ランダムアクセスメモリ、およびこれらをつかったメモリセルアレイ - 特許庁

There is an in-stack bias interlayer 216 between the in-stack ferromagnetic film 217 and the free layers 215 to control the exchange coupling force between them.例文帳に追加

インスタック強磁性膜２１７と自由層２１５との間には、インスタック強磁性膜２１７と自由層２１５との間の交換結合力を制御するインスタック・バイアス中間膜２１６がある。 - 特許庁

The gap layer 17 includes an anti-ferromagnetic film causing an interchange coupling magnetic field directing magnetization to the direction being parallel to the medium opposing plane in the magnetic pole layer 15 and the recording shield layer 20.例文帳に追加

ギャップ層１７は、磁極層１５と記録シールド層２０に、それぞれにおける磁化を媒体対向面に平行な方向に向ける交換結合磁界を生じさせる反強磁性膜を含んでいる。 - 特許庁

The ferromagnetic film comprising Ga_0.94Gd_0.06N is ferromagnetic even at a room temperature, and its magnetization is continuously reduced from 7 K to 400 K in accordance with a temperature rise and is not changed discontinuously.例文帳に追加

Ｇａ_０．９４Ｇｄ_０．０６Ｎから成る強磁性体膜は、室温においても強磁性であり、その磁化は７Ｋから４００Ｋまで温度の上昇と共に連続的に減少し、不連続な変化は見られない。 - 特許庁

A magnetoresistive laminated film 10 is formed by laminating a substrate film 14, an anti-ferromagnetic film 11, a ferromagnetic fixed layer 15, a non-magnetic intermediate layer 12, a soft magnetic free layer 13, a long distance anti-parallel coupling laminated film 17, and a differential soft magnetic free layer 16.例文帳に追加

磁気抵抗効果積層膜10は、下地膜14、反強磁性膜11、強磁性固定層15、非磁性中間層12、軟磁性自由層13、長距離反平行結合積層膜17、差動軟磁性自由層16を積層してなる。 - 特許庁

To provide a master information carrier which has no shock applied directly to a ferromagnetic film even when loaded with pressure for contacting during magnetic transfer and is not influenced by oxidation even when exposed to the atmosphere for a long period.例文帳に追加

磁気転写時の密着のための圧力が負荷された場合でも、強磁性膜には直接衝撃が伝わらず、かつ長期間大気に晒されても酸化の影響を受けることがないマスター情報担体を提供する。 - 特許庁

Control magnetic field in the direction for resetting or sustaining magnetization is applied to such a pinned layer so that magnetization direction of the ferromagnetic film is not reset nor reversed to the original antiparallel direction even if it has been reversed.例文帳に追加

かかるピンド層に、磁化リセット方向又は磁化維持方向の制御磁界を与えることで、強磁性膜の磁化方向が反転していても本来の反平行な方向にリセットされ又は反転しないように維持される。 - 特許庁

By such film constitution, the soft magnetic backing film capable of suppressing spike noise without using steps for film-depositing an anti-ferromagnetic film and performing thermal treatment in a magnetic field can be formed by the plating method.例文帳に追加

このような膜構成により、反強磁性膜の成膜や磁場中熱処理といった工程によることなくスパイクノイズを抑制可能な軟磁性裏打ち膜がメッキ法により成膜可能となる。 - 特許庁

The pinned layer 160 contains the high-resistance ferromagnetic film 141 comprising Fe and N, and the film 141 is formed between the metallic film 142 and the film 130.例文帳に追加

ピンド層１６０は、Ｆｅ及びＮを含有する高抵抗強磁性膜１４１を含んでおり、高抵抗強磁性膜１４１は、非磁性金属膜１４２と反強磁性膜１３０との間に設けられる。 - 特許庁

To decrease the film thickness without decreasing the thermal stability of an exchange coupling layer by forming a first antiferromagnetic film having high exchange coupling energy per unit area with a second ferromagnetic film to produce a strong exchange bias magnetic field and forming the second antiferromagnetic film having a large anisotropic const. to thermally stabilize the magnetic moment.例文帳に追加

交換結合層を有するスピンバルブ型磁気抵抗センサにおいて、固定層のピニング磁界を低下することなくその熱安定性を向上でき、結果として反強磁性膜厚を薄膜化すること。 - 特許庁