「"programming voltage"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, AND CONTROL METHOD FOR PROGRAMMING VOLTAGE OF NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

不揮発性半導体メモリおよび不揮発性半導体メモリのプログラム電圧制御方法 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR PROGRAMMING ANTI-FUSE USING INTERNALLY GENERATED PROGRAMMING VOLTAGE例文帳に追加

内部発生されたプログラミング電圧を用いてアンチヒューズをプログラムする方法及び装置 - 特許庁

In the stabilization step, a stabilization voltage having an electric field opposite to electric fields formed by the first and second programming voltages is applied to the memory cell after the programming step corresponding to the programming voltage of higher level out of the first programming voltage and second programming voltage.例文帳に追加

安定化ステップは、第１プログラミング電圧と第２プログラミング電圧のうち、高いレベルのプログラミング電圧に対応するプログラミングステップ以後に、第１及び第２プログラミング電圧による電界と反対の電界を持つ安定化電圧をメモリセルに印加する。 - 特許庁

To provide a memory system monitoring programming voltage and having capability preventing trouble of write-in operation.例文帳に追加

プログラミング電圧をモニタし、書き込み動作の不首尾を回避する能力を有するメモリ・システムを提供する。 - 特許庁

The electric fuse formed in this way increases the reliability and further set the programming voltage required to be lower.例文帳に追加

このように形成した電気ヒューズはより信頼性が増し、使われるプログラミング電圧をより低くできる。 - 特許庁

To provide a flash memory that variably controls the programming voltage, and to provide a method of programming the same.例文帳に追加

プログラム電圧を可変的に制御できるフラッシュメモリ装置及びそのプログラミング方法を提供する。 - 特許庁

These different thermal stabilities cause the second region 12 to tend to break, when a programming voltage is applied.例文帳に追加

異なる熱安定性のため、第２の領域１２は、プログラミング電圧が印加されるときに破断しやすい。 - 特許庁

After that, increment of the programming voltage is set to second voltage until the threshold voltage reaches a target value.例文帳に追加

その後、閾値電圧が目標値に達するまで、プログラム電圧の増分は第２電圧に設定される。 - 特許庁

To provide a two-transistor PMOS memory cell which has a low programming voltage and a superior tolerance with respect to punch through.例文帳に追加

プログラミング電圧が低く、パンチスルーに対して優れた耐性を有する２トランジスタＰＭＯＳメモリセルを提供すること。 - 特許庁

To provide the structure and the method of forming an integrated circuit including a low programming voltage anti-fuse on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上の低プログラミング電圧アンチヒューズを含む集積回路の構造および形成方法を提供する。 - 特許庁

According to the selection of the selected module, a programming voltage for passing a programming current to the predetermined fuses is impressed.例文帳に追加

選択モジュールの選択に応じて、プログラミング電流を所定のヒューズに流すためのプログラミング電圧が印加される。 - 特許庁

METHOD, SYSTEM, AND DEVICE FOR DECIDING PROGRAMMING VOLTAGE LEVEL SO AS TO BE SUFFICIENT FOR SURE WRITE-IN FOR EEPROM例文帳に追加

プログラミング電圧レベルがＥＥＰＲＯＭの確実な書き込みに十分であるよう決定するための方法、システム、および装置 - 特許庁

In addition, using the method, programming voltage, erasing voltage, and read voltage of the transistor are decreased with critical voltage being maintained within a predetermined range.例文帳に追加

また、限界電圧は所望の範囲を維持しつつ、トランジスタのプログラミング電圧、消去電圧、及び読出し電圧を下げる。 - 特許庁

Since a pumping circuit is unnecessary due to the decreased programming voltage, a high voltage region is substantially unnecessary in a circuit.例文帳に追加

低くなったプログラミング電圧でポンピング回路が不要になるので、回路における高電圧領域の必要性が低下する。 - 特許庁

Non-local self-boosting and local self-boosting are selectively applied in response to the programming voltage applied to the selected word line.例文帳に追加

ノンローカルセルフブーストとローカルセルフブーストは、選択されたワードラインに印加されるプログラミング電圧に応答して選択的に適用される。 - 特許庁

At that time, increment of programming voltage is set to first voltage until threshold voltage of the all memory cells to be programmed reach the initial value.例文帳に追加

この際、プログラムする全てのメモリセルの閾値電圧が初期値に達するまで、プログラム電圧の増分は第１電圧に設定される。 - 特許庁

In the first programming step, a first bit of the 2-bit data is programmed in the memory cell by applying a first programming voltage to the memory cell.例文帳に追加

第１プログラミングステップは、メモリセルに第１プログラミング電圧を印加することによって、メモリセルにデータの２ビットのうち第１ビットをプログラミングする。 - 特許庁

In the second programming step, a second bit of the 2-bit data is programmed in the memory cell by applying a second programming voltage to the memory cell.例文帳に追加

第２プログラミングステップは、メモリセルに第２プログラミング電圧を印加することによって、メモリセルにデータの２ビットのうち第２ビットをプログラミングする。 - 特許庁

In the programming mode, a programming voltage Vpp is supplied across a main electric path such as a source-drain channel S-D.例文帳に追加

プログラミングモード中に、プログラミング電圧Ｖｐｐが、トランジスタ４の主導電路を挟んで、例えばソース−ドレイン・チャネルＳ−Ｄを挟んで、供給される。 - 特許庁

FN erasure is achieved by taking the potential of the n-well to the programming voltage, while keeping the potential of the control capacitor at a low voltage.例文帳に追加

ＦＮ消去は、制御キャパシタの電位を低電圧に保ちながらｎウエルの電位をプログラミング電圧に取ることによって達成される。 - 特許庁

To reduce programming voltage and cell area of a floating gate type semiconductor storage device capable of writing and deleting electrically.例文帳に追加

フローティングゲートタイプの電気的に書込消去プログラムが可能な半導体記憶装置において、プログラム電圧の低減化と、セル面積の縮小を可能にすること。 - 特許庁

Programming voltage is applied to a DRAM memory cell consisting of word lines, bit lines, transistors, and capacitive storing devices to fully employ the functions of a non-volatile memory.例文帳に追加

不揮発性メモリの機能を発揮させるために、プログラミング電圧をワード線、ビット線、トランジスタ、および容量記憶デバイスからなるＤＲＡＭメモリ・セルに印加する。 - 特許庁

Threshold voltage of the memory cell can be approximated to the target value with less number of times of programming by boosting the programming voltage without changing the increment.例文帳に追加

プログラム電圧をその増分を変えることなく上昇させることで、少ないプログラム回数で、メモリセルの閾値電圧を目標値に近づけることができる。 - 特許庁

Thus, a capacity coupling efficiency of the floating gate is improved by applying a programming voltage to the control active region and erase active region to ground the reading active region, or by applying the programming voltage to the control active region and reading active region to ground the erase active region.例文帳に追加

これにより、制御活性領域及び消去活性領域にプログラミング電圧を印加し、読み取り活性領域を接地するか、または制御活性領域及び読み取り活性領域にプログラミング電圧を印加し、消去活性領域を接地して、浮遊ゲートの容量結合効率を向上させる。 - 特許庁

Also, after the threshold voltage exceeds the initial value, an error for the target value of the threshold voltage can be minimized by setting the increment of the programming voltage to the second voltage.例文帳に追加

また、閾値電圧が初期値を超えた後、プログラム電圧の増分を第２電圧に設定することで、閾値電圧の目標値に対する誤差を最小限にできる。 - 特許庁

The PMC memory cell is programmed to change to a programmed state by applying programming voltage, and is erased to change to an erased state by applying erase voltage.例文帳に追加

ＰＭＣメモリセルは、プログラム電圧を印加することによりプログラムされてプログラム状態に変化し、消去電圧を印加することにより消去されて消去状態に変化する。 - 特許庁

For example, the non-local self-boosting and the local self-boosting are selectively applied in response to the first string of serially connected cells in response to the programming voltage during an incremental step pulse programming operation.例文帳に追加

例えば、ノンローカルセルフブーストとローカル−セルフブーストは、増加形ステップパルスプログラミング動作間のプログラミング電圧に応答して、直列接続したセルの第１ストリングに選択的に適用される。 - 特許庁

When a write-in operation is performed, high programming voltage is applied to a selective word line, path voltage is applied to other work line, a power source voltage VCC is applied to the gate of the selective transistor 21.例文帳に追加

書き込みのとき、選択ワード線に高電圧のプログラミング電圧Ｖ_pgm を印加し、他のワード線にパス電圧Ｖ_passを印加し、選択トランジスタ２１のゲートに電源電圧Ｖ_CCを印加する。 - 特許庁

To apply selectively different self-boosting techniques to a string of serially connected memory cells in response to a programming voltage applied to the selected word line, in a flash memory device.例文帳に追加

フラッシュメモリ装置において、相異するセルフブースト技術が選択されたワードラインに印加されるプログラミング電圧に応答して、選択的に直列接続したメモリセルのストリングに適用される。 - 特許庁

A second power supply VDD 2 outputs a programming voltage Vpp to a node Nvs, an output terminal RCB goes to a level Vpp, and the insulation of a transistor 5 with a thin-gate insulation film is destroyed.例文帳に追加

節点Ｎｖｓには第２の電源ＶＤＤ２からプログラミング電圧Ｖｐｐが出力され、出力端子ＲＣＢがＶｐｐのレベルになり、薄いゲート絶縁膜を有するトランジスタ５が絶縁破壊される。 - 特許庁

This data storage device 410 comprises a group 412 of programmable resistance memory elements 110, and a circuit 418 that supplies programming voltage to the selected memory elements of the group and that protects over-writing of the selected memory elements during programming by disconnecting programming voltage when the selected memory elements with the measured parameters of the memory elements being selected are shown to be already programmed.例文帳に追加

プログラム可能な抵抗メモリ素子１１０のグループ４１２と、前記グループの選択されたメモリ素子にプログラミング電力を供給し、前記選択されたメモリ素子の実測パラメータが前記選択されたメモリ素子が既にプログラミングされていることを示すときに、前記プログラミング電力を断つことにより前記選択されたメモリ素子のプログラミング中において上書きを保護する回路４１８とを備えるデータ記憶装置４１０を提供する。 - 特許庁

The memory device (100) includes: at least one array (102) of nonvolatile memory cells (201); and a voltage supply component (122) configured to generate a programming voltage for simultaneously programming the plurality of memory cells (201).例文帳に追加

メモリデバイス（１００）は、不揮発性メモリセル（２０１）の少なくとも１つのアレイ（１０２）と、複数のメモリセル（２０１）を同時にプログラムするためのプログラミング電圧を発生させるよう構成された電圧供給コンポーネント（１２２）とを備える。 - 特許庁

This system detects a bit failing in programming verifying operation, programs the bit again utilizing adjusted programming voltage, obtains desired Vt, reduces stress for the bit, and achieves narrow Vt distribution.例文帳に追加

本システムは、プログラミング検証動作に失敗したビットを検出し、調整されたプログラミング電圧を利用してそれらのビットを再プログラムし、所望のＶｔを取得するようにしつつ、ビットへのストレスを減少させ、狭いＶｔ分布を達成する。 - 特許庁

Meanwhile, the programming voltage is applied to the control active region and reading active region, and a minus voltage is applied to the erase active region, and by improving an electric field between the capacity coupled floating gate and the erase active region, an F-N tunneling is furthermore often generated.例文帳に追加

一方、制御活性領域及び読み取り活性領域にプログラミング電圧を印加し、消去活性領域にマイナス電圧を印加して、容量結合された浮遊ゲートと消去活性領域との間の電界を高めることによって、Ｆ−Ｎトンネリングをさらによく起こす。 - 特許庁

The programming voltage Vpp is sufficiently large to melt down the main electric path when the controlling electrode of a transistor 4 floats and not sufficient to melt down the main electric path when the controlling electrode is connected to a proper prescribed voltage instead of floating.例文帳に追加

プログラミング電圧Ｖｐｐは、トランジスタ４の制御電極が浮遊している場合には主導電路を溶断するのに十分なほど大きく、制御電極が浮遊せず適切な規定電圧に接続されている場合には主導電路を溶断するのには不十分である。 - 特許庁

To provide a split gate flash EEPROM by composing a control gate and a floating gate in a vertical position, and by downsizing a cell to realize a high coupling ratio and to decrease a programming voltage with its demagnetizing property improved with a part of the control and floating gate overlapped, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

コントロールゲートとフローティングゲートを垂直形態で構成し、セルを小さくし、高カップリング比を実現し、プログラミング時電圧を低減したスプリットゲートフラッシュEEPROMとその製造方法を提供し、コントロール及びフローティングゲートを一部オーバーラップして消去特性を向上する。 - 特許庁

A method for minimizing the current consumption includes: programming a cell without having a direct current flowing from a positive supply to the ground through the array, programming a plurality of cells without discharging a global bit line carrying a programming voltage between programming pulses, and programming a cell with transient currents.例文帳に追加

電流消費量を最小にする方法は、正の電源からアレイ経由で接地電源へ直流を流すことなくセルのプログラムを行う方法、各プログラムパルス間のプログラム電圧を伝えるグローバルビット線を放電することなく複数のセルのプログラムを行う方法、及び過渡電流を用いてセルのプログラムを行う方法を含む。 - 特許庁