「しぞふぃらん」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ＲＦＩＤトランスポンダ、ＲＦＩＤトランスポンダを含むＲＦＩＤ通信システム、ＲＦＩＤトランスポンダの製造方法、ならびにそれらの使用例文帳に追加

RFID TRANSPONDER, RFID COMMUNICATING SYSTEM INCLUDING THE SAME, RFID TRANSPONDER MANUFACTURING METHOD, AND USAGE THEREOF - 特許庁

こうして、バラントランスＴＲ１，ＴＲ２を内蔵した積層型複合バラントランス１が得られる。例文帳に追加

Thus this laminated composite balum transformer 1 containing the balum transformers TR1 and TR2 is obtained. - 特許庁

シラン変性オレフィン系樹脂および架橋ポリオレフィン管の製造方法例文帳に追加

PREPARATION OF SILANE-MODIFIED OLEFIN RESIN AND CROSSLINKED POLYOLEFIN TUBE - 特許庁

β-1,3-グルカンとしてシゾフィランが効果的に使用される。例文帳に追加

Schizophyllan is effectively used as the β-1,3-glucan. - 特許庁

β-1,3-グルカンの好ましい例は、シゾフィランである。例文帳に追加

A preferable example of β-1,3-glucan is sizofiran. - 特許庁

樹脂組成物、バリア性シーラントフィルム及びバリア性シーラントフィルムの製造方法例文帳に追加

RESIN COMPOSITION, BARRIER SEALANT FILM AND MANUFACTURING PROCESS OF BARRIER SEALANT FILM - 特許庁

ＬＤＤ／オフセット構造を具備している薄膜トランジスター例文帳に追加

THIN-FILM TRANSISTOR HAVING LDD/OFFSET STRUCTURE - 特許庁

撮像素子の撮像面の画素はＰＤ、ＦＤ、転送トランジスタ、リセットトランジスタ、増幅トランジスタ、及び行選択トランジスタを備える。例文帳に追加

Each pixel of an imaging face of an imaging element includes: the PD; the FD; a transfer transistor; a reset transistor; an amplification transistor; and a row selection transistor. - 特許庁

統合ＨＦＣトランス−１２３４ＺＥ製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING INTEGRATED HFC TRANS-1234ZE - 特許庁

トランス−３−イソカンフィルシクロヘキサノールの製造方法例文帳に追加

PRODUCTION OF TRANS-3-ISOCAMPHYLCYCLOHEXANOL - 特許庁

発泡シラン架橋ポリオレフィンの製造方法例文帳に追加

PRODUCTION OF FOAMED SILANE-CROSSLINKED POLYOLEFIN - 特許庁

ラミネート用シーラントフィルム及びその製造方法例文帳に追加

SEALANT FILM FOR LAMINATE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

異方性散乱フィルム及び投射型画像表示装置例文帳に追加

ANISOTROPIC SCATTERING FILM AND PROJECTION TYPE PICTURE DISPLAY DEVICE - 特許庁

包装用シーラントフィルム及びその製造方法例文帳に追加

SEALANT FILM FOR PACKAGING AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

トランスミッション流体用フィルタ及びその製造方法例文帳に追加

TRANSMISSION FLUID FILTER AND METHOD OF MANUFACTURE - 特許庁

ランダムｃＤＮＡ増幅のための改善された方法例文帳に追加

IMPROVED METHOD FOR AMPLIFYING RANDOM cDNA - 特許庁

ポルフィランの抽出方法および製造方法例文帳に追加

EXTRACTION METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF PORPHYRAN - 特許庁

電力増幅器は、増幅用トランジスタＲＦＴｒ１，ＲＦＴｒ２と、増幅用トランジスタＲＦＴｒ１，ＲＦＴｒ２にバイアス電流を供給するバイアス回路１０と、増幅用トランジスタＲＦＴｒ１，ＲＦＴｒ２のコレクタに接続されたコレクタ電圧端子Ｖｃとを備える。例文帳に追加

The power amplifier comprises: amplifying transistors RFTr1 and RFTr2; a bias circuit 10 supplying a bias current to the amplifying transistors RFTr1 and RFTr2; and a collector voltage terminal Vc connected to collectors of the amplifying transistors RFTr1 and RFTr2. - 特許庁

散乱フィルム、偏光板、液晶表示装置および散乱フィルムの製造方法例文帳に追加

SCATTERING FILM, POLARIZING PLATE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND PRODUCTION METHOD OF SCATTERING FILM - 特許庁

薄膜トランジスタ液晶表示装置（ＴＦＴＬＣＤ）用基板のアルミニウム配線形成方法とこれにより製造されたＴＦＴＬＣＤ基板例文帳に追加

ALUMINUM WIRING FORMING METHOD FOR SUBSTRATE FOR THIN FILM TRANSISTOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE (TFT LCD), AND TFT LCD SUBSTRATE MANUFACTURED THEREBY - 特許庁

固体撮像装置の各画素は、フォトダイオードＰＤ、ＦＤ部、転送トランジスタ（転送ゲート）Ｔｒ１、リセットトランジスタＴｒ２、増幅トランジスタＴｒ３、選択トランジスタＴｒ４を有して構成されている。例文帳に追加

Each of pixels of the solid-state image pickup device includes a photodiode PD, a FD part, a transfer transistor (transfer gate) Tr1, a reset transistor Tr2, an amplification transistor Tr3 and a select transistor Tr4. - 特許庁

画像セルＣａは、フォト・ダイオードＰＤと２つのトランジスタＴ１，Ｔ２とから構成される。例文帳に追加

An image cell Ca is constituted of a photodiode PD and two transistors T1 and T2. - 特許庁

画像データ圧縮に２Ｄランレングス符号化を使用するリソグラフィ装置及びデバイス製造方法例文帳に追加

LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD UTILIZING 2D RUN LENGTH ENCODING FOR IMAGE DATA COMPRESSION - 特許庁

光ファイバ、スラント型光ファイバグレーティング、帯域阻止光フィルタ、光増幅器用利得等化光フィルタおよび光増幅器モジュール例文帳に追加

OPTICAL FIBER, SLANTED OPTICAL FIBER GRATING, BAND REJECTION OPTICAL FIBER, GAIN EQUALIZING OPTICAL FILTER FOR OPTICAL AMPLIFIER, AND OPTICAL AMPLIFIER MODULE - 特許庁

このグランド配線層３６は、異なる周波数帯域を増幅するトランジスタＴ１，Ｔ２とトランジスタＴ３，Ｔ４との境界に形成されている。例文帳に追加

The ground wire layer 36 is formed on the border of transistors T1, T2 and transistors T3, T4 for amplifying different frequency bands. - 特許庁

フィラメントの支持構造および該支持構造を備えたランプ例文帳に追加

FILAMENT SUPPORTING STRUCTURE AND LAMP WITH THE SUPPORTING STRUCTURE - 特許庁

β-1,3-グルカンとしてシゾフィランが、カルボランとしてm-カルボランが好適に使用できる。例文帳に追加

Schizophyllan as the β-1,3-glucan and m-carborane as the carborane are preferably used. - 特許庁

フォトダイオードＰＤと、読み出し選択トランジスタＴｔｘ、読み出しトランジスタＴｔｙ、増幅トランジスタＴａ、リセットトランジスタＴｒ、水平選択トランジスタＴｘで各単位画素を構成し、点順次読み出し５Ｔｒ方式のＭＯＳイメージセンサを構成する。例文帳に追加

A photo diode PD, a read selection transistor Ttx, a read transistor Tty, an amplifier transistor Ta, a reset transistor Tr, and a horizontal selection transistor Tx form a unit pixel, thereby forming a point sequential read 5Tr system MOS image sensor. - 特許庁

薄膜トランジスタ、ＴＦＴ基板、液晶表示装置、及び、薄膜トランジスタの製造方法例文帳に追加

THIN FILM TRANSISTOR, TFT SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY, AND METHOD FOR MANUFACTURING TFT - 特許庁

負圧センサ１のグランド接続端子ＴＳ３とグランドとの間にＦＥＴ２４を設ける。例文帳に追加

FET24 is provided between a ground connection terminal TS3 of a negative pressure sensor 1 and the ground. - 特許庁

フィルム・トランジスタ液晶表示器の構造及び製造方法例文帳に追加

STRUCTURE OF FILM TRANSISTOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY UNIT AND MANUFACTURING METHOD - 特許庁

総状花序の黄色い花とふくらんださやを持っているフィサリア属のいくつかの植物の総称例文帳に追加

any of several plants of the genus Physaria having racemose yellow flowers and inflated pods  - 日本語WordNet

ライナー層は、内部シーラント層と外部シーラント層の間に配置された金属被覆フィルムを含む。例文帳に追加

The liner ply comprises a metallized film disposed between inner and outer sealant layers. - 特許庁

複数の画素回路１１１の各々は、信号電荷を蓄積するフォトダイオードＰＤ１と、フローティングディフュージョンＦＤ１と、フォトダイオードＰＤ１とフローティングディフュージョンＦＤ１との間に接続された転送トランジスタＮＭ１と、増幅トランジスタＮＭ３とを備える。例文帳に追加

Each of the pixel circuits 111 has a photodiode PD1 for storing a signal charge, floating diffusion FD1, a transfer transistor NM1 connected between the photodiode PD1 and the floating diffusion FD1, and an amplification transistor NM3. - 特許庁

そして、この候補セットにおける各ＴＦＣは、ＴＦＣセット（ＴＦＣＳ）に属し、トランスポートチャネル（ＴｒＣＨ）のトランスポートフォーマット（ＴＦ）がＴｒＣＨのＴＴＩの途中で変わりえない特定のＴＴＩと互換性をもち、ＲＬＣ層の構成と互換性をもつ。例文帳に追加

Each TFC in the candidate set belongs to a TFC set (TFCS), has compatibility with a specific transmission time interval (TTI) during which a transport format (TF) of a transport channel (TrCH) can not vary in the middle of TTI of the TrCH, and has compatibility with the configuration of a radio link control (RLC) layer. - 特許庁

マルチフィンガ型バイポーラトランジスタおよびアナログ信号増幅器例文帳に追加

MULTIFINGERED BIPOLAR TRANSISTOR AND ANALOG SIGNAL AMPLIFIER - 特許庁

クランプフィルタ用フェライト焼結体およびその製造方法例文帳に追加

SINTERED FERRITE COMPACT FOR CLAMP FILTER, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

輪郭強調と画像符号化のプレフィルタ処理をバランスさせる。例文帳に追加

To make contour enhancement and prefilter processing of image encoding balanced. - 特許庁

各画素２は、サンプリングトランジスタＴｒ１と、画素容量Ｃｓと、ドライブトランジスタＴｒｄと、これに接続する発光素子ＥＬと、ドライブトランジスタＴｒｄを電源に接続するスイッチングトランジスタＴｒ４を含む。例文帳に追加

Each pixel 2 includes a sampling transistor Tr1, a pixel capacitor Cs, a driving transistor Trd, a light emitting element EL connected thereto, and a switching transistor Tr4 connecting the driving transistor Trd to a power source. - 特許庁

各アンプＡＰは、電流源用ＭＯＳトランジスタＴ１と、画像信号を増幅する増幅ＭＯＳトランジスタＴ２と、電流源用ＭＯＳトランジスタと前記増幅ＭＯＳトランジスタとの間に、増幅ＭＯＳトランジスタＴ２とカスコード接続し、電流源用ＭＯＳトランジスタＴ１との間から増幅された画像信号を出力させるカスコードＭＯＳトランジスタＴ３とを有している。例文帳に追加

The amplifiers AP each have a MOS transistor T for a current source, an amplifying MOS transistor T2 amplifying an image signal, and a cascode MOS transistor T3 which is cascoded between the MOS transistor for the current source and the amplifying MOS transistor and outputs the amplified image signal with the MOS transistor T1 for the current source. - 特許庁

これによって、両トランジスタＴＦＴ３，４をそれぞれに適した電圧で駆動することができる。例文帳に追加

Consequently, both the transistors TFTs 3 and 4 can be driven with the suitable voltages respectively. - 特許庁

スイッチングトランジスタは、ＬＤＤ構造またはオフセット構造とし、カレントトランジスタは、セルフアライン構造とする。例文帳に追加

The switching transistor has a lightly doped drain (LDD) structure or an offset structure and the current transistor has a self-aryne structure. - 特許庁

スイッチングトランジスタは、ＬＤＤ構造またはオフセット構造とし、カレントトランジスタは、セルフアライン構造とする。例文帳に追加

The switching transistor is made to have an LDD(lightly-doped drain) structure or an offset structure, and the current transistor is made to have a self-aligned structure. - 特許庁

スイッチングトランジスタは、ＬＤＤ構造またはオフセット構造とし、カレントトランジスタは、セルフアライン構造とする。例文帳に追加

The switching transistor has a lightly doped drain (LDD) structure or an offset structure and the current transistor has a self-alignment structure. - 特許庁

増幅器１１は、増幅素子としての電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を有する。例文帳に追加

The amplifier 11 includes a field effect transistor (FET) as an amplifying element. - 特許庁