「しぞふぃらん」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

２次側の端子対のうち、他方の端子Ｔ４は、それぞれＭＯＳトランジスタＦＥＴ１、ＦＥＴ２に接続される。例文帳に追加

The other terminals T4 of the secondary side terminal pairs are connected respectively to MOS transistors(TRs) FET1, FET2. - 特許庁

緩衝増幅器Ｂｕｆによって遮光フォトトランジスタＴ０のゲート電圧とフォトトランジスタＴ１のゲート電圧が等しくなっている。例文帳に追加

The gate voltage of the light shielding phototransistor T0 becomes equal to that of the phototransistor T1 by the buffer amplifier Buf. - 特許庁

半導体チップ上のレイアウトにおいては、トランジスタＴ１，Ｔ２を構成する４つのトランジスタＴ１ａ〜Ｔ１ｄ，Ｔ２ａ〜Ｔ２ｄをそれぞれ２つに分割し、それらがクロスするようにたすきがけ状にレイアウトする。例文帳に追加

In the layout of the transistors T1 to T4, the four transistors T1a to T1d and T2a to T2d respectively configuring the transistors T1, T2 are respectively separated into two, and they are laid out so as to be in crossing with each other through latch connection. - 特許庁

ＴＤＤ（時分割複信）／符号分割多元接続（ＣＤＭＡ）通信システムのランダムアクセスチャネル（ＲＡＣＨ）にサブチャネルを設ける。例文帳に追加

To provide sub-channels in a random access channel (RACH) of a time division duplex (TDD)/code division multiple access (CDMA) communication system. - 特許庁

この増幅回路は、光電流信号Ｉｄを電圧に変換するトランジスタＴｒ２と、電圧増幅を行うトランジスタＴｒ３、Ｔｒ４と電流増幅を行うトランジスタＴｒ５とを有し、何れもａ−Ｓｉ ＴＦＴから構成されている。例文帳に追加

The amplifying circuit has a transistor Tr 2 for converting the photocurrent signal Id into a voltage, transistors Tr 3, Tr 4 for voltage amplification, and a transistor Tr 5 for current amplification, all of which are formed of a-Si TFTs. - 特許庁

入力されたオーディオ信号は、増幅器１１，１２によって増幅され、オーディオ増幅信号として、出力トランス３へ送出される。例文帳に追加

An input audio signal is amplified by amplifiers 11 and 12 and sent out as an audio amplified signal to an output transformer 3. - 特許庁

各クランプ段を、共通結合点ＰＣＣ１〜ＰＣＣ８のそれぞれ一つと、第１および第２の副ｄｃラインＤＣ３、ＤＣ４との間に接続する。例文帳に追加

Each clamping stage is connected between each of the common coupling points PCC1 to PCC8 and first and second auxiliary dc lines DC3, DC4. - 特許庁

薄膜半導体装置は、基板１に集積形成された薄膜トランジスタＴＦＴと、各ＴＦＴを接続する配線を含む。例文帳に追加

The thin-film semiconductor device comprises a thin-film transistor TFT integrated on a substrate 1 and a wiring connecting the TFTs. - 特許庁

符号分割多元接続（ＣＤＭＡ）を用いた無線時分割複信（ＴＤＤ）通信システムの物理ランダムアクセスチャネルにサブチャネルを画定する。例文帳に追加

The sub-channels are defined for a physical random access channel of a wireless TDD communication system using CDMA. - 特許庁

一実施形態では、このＦＥＴは、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）である。例文帳に追加

According to one embodiment, the FET is a metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET). - 特許庁

防眩性フィルム及びその製造方法及び偏光素子及び表示装置並びに内部散乱フィルム例文帳に追加

ANTIGLARE FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD, POLARIZER ELEMENT, DISPLAY, AND INTERNALLY SCATTERING FILM - 特許庁

配線ＦＬ１とトランスファゲートＴ５のドレインＤとの間と、インバータのＰチャネルトランジスタＴ３のドレインＤと配線ＦＬ２とトランスファゲートＴ６のドレインＤとの間とは、２層目の配線層として敷設された配線ＳＬ１、ＳＬ２を介してそれぞれ接続されている。例文帳に追加

The line FL1 and the drain D of the transfer gate T5; the drain D of a P channel transistor T3 of the inverter, the line FL2, and the drain D of a transfer gate T6, are individually connected via lines SL1, SL2 laid as a second layer of line layer. - 特許庁

アシディチオバチルス属の細菌をトランスフォームするためのプラスミド、及びトランスフォーメーション法例文帳に追加

PLASMID FOR TRANSFORMING BACTERIUM OF GENUS ACIDITHIOBACILLUS AND TRANSFORMATION METHOD THEREFOR - 特許庁

ダミーメモリセルトランジスタ（ＭＣＴ）およびフローティングゲートとコントロールゲートが短絡された参照フローティングゲートトランジスタ（ＤＴ）のゲートを充放電して、直流電流をそれぞれ検出して、これらのトランジスタ（ＭＣＴ，ＤＴ）のゲート容量を算出する。例文帳に追加

DC currents are detected respectively by charging and discharging gates of a dummy memory cell transistor (MCT) and a reference floating gate transistor (DT) in which a floating gate and a control gate are short-circuited, and gate capacity of these transistors (MCT, DT) is calculated. - 特許庁

そして、それぞれの接続における複数のトランザクションを一まとめにしてＣＯＭＭＩＴを実行する。例文帳に追加

Then, COMMIT is executed by gathering a plurality of transactions in the respective connections. - 特許庁

これで、固体撮像素子３内の増幅トランジスタは増幅率やリニアリティが良好になる。例文帳に追加

Thus, the amplification factor and the linearity of an amplification transistor in a solid-state image pickup device 3 are improved. - 特許庁

増幅用トランジスタＴ１は、入力された受信信号を増幅して出力する。例文帳に追加

A transistor T1 for amplification amplifies and outputs an inputted received signal. - 特許庁

ＣＣＤイメージセンサ３０の出力アンプ４６を構成するソースフォロア増幅回路に制御トランジスタＴ_S1、Ｔ_S2、Ｔ_S3を設ける。例文帳に追加

Control transistors TS1, TS2 and TS3 are arranged in a source follower amplifier circuit which constitutes the output amplifier 46 of a CCD image sensor 30. - 特許庁

差動増幅回路部Ａは、トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２を用いた初段の差動増幅回路と、トランジスタＴｒ３、Ｔｒ４を用いた次段の差動増幅回路との２段増幅回路である。例文帳に追加

The differential amplifier circuit section A is a two-stage amplifier circuit constituted of a differential amplifier circuit of the first stage using transistors Tr1, Tr2 and a differential amplifier circuit of the next stage using transistors Tr3, Tr4. - 特許庁

差動遅延セルＤＤＣ１乃至ＤＤＣ４には、負荷制御部１、バイアス源２、Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴ１１、Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴ１２、Ｐｃｈ ＭＯＳトランジスタＰＭＴ１１、及びＰｃｈ ＭＯＳトランジスタＰＭＴ１２がそれぞれ設けられる。例文帳に追加

Differential delay cells DDC 1 to DDC 4, respectively include: load control parts 1; bias sources 2; Nch MOS transistors NMT 11; Nch MOS transistors NMT 12; Pch MOS transistor PMT 11; and a Pch MOS transistor PMT 12. - 特許庁

液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）における薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製造法及びその構造を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a thin film transistor (TFT) in a liquid crystal display (LCD) and its structure. - 特許庁

各画素において、第１及び第２のフォトダイオードＰＤＡ，ＰＤＢのそれぞれに対応して転送トランジスタＴＸＡ，ＴＸＢが設けられる。例文帳に追加

In each pixel, transfer transistors TXA and TXB are provided, for each of the first and second photodiodes PDA and PDB. - 特許庁

トランジスタＴｒ１は、外部から入力された高周波信号を増幅する。例文帳に追加

A transistor Tr1 amplifies an externally input high frequency signal. - 特許庁

多結晶フィルムトランジスタ液晶表示パネルの製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF POLYCRYSTAL FILM TRANSISTOR LIQUID-CRYSTAL DISPLAY PANEL - 特許庁

マイクロフィルムと電子媒体による文書・図面の保存・閲覧方法例文帳に追加

METHOD OF STORING AND READING DOCUMENT AND DRAWING BY MICROFILM AND ELECTRONIC MEDIUM - 特許庁

アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）の増倍率検出回路例文帳に追加

CIRCUIT FOR DETECTING MAGNIFYING FACTOR OF AVALANCHE PHOTODIODE (APD) - 特許庁

散乱媒体の動的性質のトモグラフィ画像化システム及び方法例文帳に追加

SYSTEM AND METHOD FOR TOMOGRAPHIC IMAGING OF DYNAMIC PROPERTY OF SCATTERING MEDIUM - 特許庁

ゲート配線ＧＬ上に、データ信号配線ＤＬと画素電極ＰＸに接続されている通常のトランジスタＣＴＦＴと、フローティング状態の予備のトランジスタＦＴＦＴを形成する。例文帳に追加

An ordinary transistor CTFT connected to data signal wiring DL and pixel electrode PX and a spare transistor FIFT in a floating state are formed on gate wiring GL. - 特許庁

あるいは、スイッチングトランジスタおよびカレントトランジスタは、ＬＤＤ構造またはオフセット構造とし、スイッチングトランジスタの、ＬＤＤ長またはオフセット長を、カレントトランジスタよりも、長くする。例文帳に追加

Alternatively, the switching transistor and the current transistor have the LDD structure or the offset structure and the LDD length or the offset length of the switching transistor is made longer than that of the current transistor. - 特許庁

サーバはランドマークＤＢを参照して「ＨＡＮＡやしき」のランドマークＩＤを確認し、画像ＤＢからランドマークＩＤに属する全画像ファイルを読み出して配信する。例文帳に追加

The server confirms the landmark ID of "HANAYASHIKI" by referring to a landmark DB, and reads all image files belonging to the landmark ID from the image DB, and distributes them (st13). - 特許庁

第１の物質および第２の物質は、ｐＦＥＴ領域およびｎＦＥＴ領域に、それぞれ第１のアイランドおよび第２のアイランドを形成する。例文帳に追加

The first material and the second material form a first island and a second island at an pFET region and a nFET region, respectively. - 特許庁

陽極管、これを備えたフィールドエミッションランプ、陽極管の製造方法、フィールドエミッションランプの製造方法例文帳に追加

ANODE TUBE, FIELD EMISSION LAMP EQUIPPED WITH THE SAME, MANUFACTURING METHOD OF ANODE, AND MANUFACTURING METHOD OF THE FIELD EMISSION LAMP - 特許庁

リソグラフィーマスクブランクの製造方法及びリソグラフィーマスク並びにハーフトーン型位相シフトマスクブランク例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING LITHOGRAPHY MASK BLANK, LITHOGRAPHY MASK AND HALFTONE PHASE SHIFTING MASK BLANK - 特許庁

真空デバイスの製造方法およびこの製造方法により製造したフィールドエミッションランプ例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF VACUUM DEVICE AND FIELD EMISSION LAMP MANUFACTURE BY THIS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

昇圧トランスＴ１，Ｔ２は、昇圧トランスＴ１，Ｔ２の二次側および放電管ランプＦＬ１，ＦＬ２を含む２系統の共振回路に２系統の駆動電流をそれぞれ導通させる。例文帳に追加

Set-up transformers T1, T2 let two-system driving current respectively conduct to a secondary side of the step-up transformers T1, T2 and two-system resonant circuits including the discharge tube lamps FL1 and FL2. - 特許庁

各エアチューブ２９ａ〜２９ｄをそれぞれ一箇所で各伸縮ユニット２８ａ〜２８ｄ（各フランジ３３ａ〜３３ｄ）に接続固定する。例文帳に追加

Each of the respective air tubes 29a-29d is fixed by connection to each of the respective expansion/contraction units 28a-28d (the respective flanges 33a-33d) respectively at one place. - 特許庁

有機ＥＬ素子ＥＬの上側端とマイナス電源ＶＥＥを接続する放電用トランジスタＴＦＴ３と、保持容量ＳＣの上側端を電源ＰＶＤＤに接続する制御トランジスタＴＦＴ４を設ける。例文帳に追加

The organic EL pixel circuit is provided with a discharge transistor TFT 3 for connecting the upper end of an organic EL element EL with a negative power source VEE, and a control transistor TFT 4 for connecting the upper end of a storage capacitor SC with a power source PVDD. - 特許庁

炭水化物欠失トランスフェリン（ＣＤＴ）特異的抗体、その製造および使用例文帳に追加

ANTI-CARBOHYDRATE DEFICIENT TRANSFERRIN (CDT) SPECIFIC ANTIBODY, ITS PRODUCTION AND USE - 特許庁

位相差フィルムの製造に用いられる加熱収縮フィルムであって、縦方向（ＭＤ）の配向と横方向（ＴＤ）の配向とのバランスが良好な位相差フィルムを得ることができる加熱収縮フィルムを提供する。例文帳に追加

To provide a heat shrinkable film which is used for forming a retardation film and from which the retardation film having excellent balance between the orientation in the machine direction (MD) and that in the transverse direction (TD) can be obtained. - 特許庁

東ロシアに住んでいるフィンランドのある地域の民族体例文帳に追加

a member of a rural Finnish people living in eastern Russia  - 日本語WordNet

静電誘導トランジスタによるオーディオ電力増幅回路例文帳に追加

AUDIO POWER AMPLIFIER CIRCUIT BY STATIC INDUCTION TRANSISTOR - 特許庁

統合ＨＦＣトランス−１２３４ＺＥ製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing integrated HFC trans-1234ZE. - 特許庁

カーボンナノチューブフィールドエミッショントランジスタの製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF CARBON NANOTUBE FIELD EMISSION TRANSISTOR - 特許庁

生分解性を有する透明な多層シーラントフィルム及びその製造方法例文帳に追加

BIODEGRADABLE TRANSPARENT MULTI-LAYER SEALANT FILM AND ITS PRODUCTION METHOD - 特許庁

ノンハロゲン難燃シラン架橋ポリオレフィン組成物の製造方法例文帳に追加

PREPARATION OF NONHALOGEN FLAME-RETARDANT SILANE- CROSSLINKED POLYOLEFIN COMPOSITION - 特許庁