「しぞふぃらん」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

集積回路ＩＣＤにおいて、入力バッファＤＢＦ２，ＤＢＦ３の入力端子とグランドラインとの間には静電保護ダイオードＤＤ２，ＤＤ４を接続するが、入力端子と電源ラインとの間には静電保護ダイオードは接続しない。例文帳に追加

In the integrated circuit ICD, electrostatic protection diodes DD2, DD4 are connected between input terminals and a ground line of input buffers DBF2, DBF3, but no electrostatic protection diode is connected between the input terminals and a power line. - 特許庁

アンバランス入力−バランス出力の構造のＳＡＷフィルタにおいてもアンバランス入力−アンバランス出力の構造のものと同等程度の帯域外減衰量が得られるＳＡＷフィルタを提供する。例文帳に追加

To provide a SAW filter of unbalance input/balance output structure, where the quantity of attenuation outside a band of the equivalent level as the one of unbalance input/unbalance output structure can be obtained. - 特許庁

連続擬似ランダムビットストリームをアナログフィルタに通すことによって、ディザがＡＤＣへの入力信号と加算される。例文帳に追加

A dither is summed with an input signal to an ADC by passing a serial pseudo-random bitstream through an analog filter. - 特許庁

イオンバランスの調整に際して、正負のデューティ比Ｄ１，Ｄ２を交互に１段階ずつ増減させる。例文帳に追加

In adjustment of the ionic balance, positive and negative duty ratios D1, D2 are alternately increased or decreased by one step. - 特許庁

ＡＣ−ＤＣコンバータ１０は、トランスＴｒ１０の一次側と二次側とが絶縁され、二次側がフローティング構造からなる。例文帳に追加

The AC-DC converter 10 has a transformer Tr10 with its primary side insulated from the secondary side, and the secondary side is composed of a floating structure. - 特許庁

ＮＡＮＤセルは、複数個直列接続されたメモリセルＭＣ０〜ＭＣ３１と選択トランジスタＳＳＴ，ＧＳＴにより構成される。例文帳に追加

A NAND cell of this non-volatile semiconductor memory is constituted of memory cells MC0-MC31 and selection transistors SST, GST connected with each other in series. - 特許庁

界面抵抗Ｒｃが小さいＳｃｈｏｔｔｋｙ−Ｓ／Ｄ構造を含むＭＯＳトランジスタを提供すること。例文帳に追加

To provide a MOS transistor including a Schottky-S/D structure having small interface resistance Rc. - 特許庁

多値ＲＯＭセルは、ＲＯＭセルトランジスタＴｒと、複数のビット線ＢＴ１〜ＢＴ３と、第１金属配線３１〜４４とを具備している。例文帳に追加

The multi-valued ROM includes a ROM cell transistor Tr, a plurality of bit lines BT1-BT3, and first metal lines 31-44. - 特許庁

また、差動増幅器の第２のトランジスタＴＲ３のベースをコンデンサＣ７を介して接地すると共に、抵抗Ｒ１３を介してバッファトランジスタＴＲ５のエミッタに接続され、その端子が正転出力（ＯＵＴ）となる。例文帳に追加

Besides, a base of a second transistor TR3 of the differential amplifier is grounded via a capacitor C7 and connected to an emitter of a buffer transistor TR5 via a resistor R13, and its terminal becomes a forward output (OUT). - 特許庁

フランジ付きセラミックチューブフィルタ４のフランジ部４ａをセラミック製のフィルタ保持板７によって保持すると共に、該フィルタ保持板７を金属製の支持板８により支持する。例文帳に追加

The flanged sections 4a of the flanged ceramic tube filters are held by the filter holding plate 7 made of the ceramics and the filter holding plate 7 is supported by a metallic supporting plate 8. - 特許庁

また、構造複屈折体９はＴＦＴ素子（トランジスタ素子）３０の半導体層１ａよりも液晶層５０側に設けることが好ましい。例文帳に追加

Also the birefringent structural body 9 is preferably disposed on the liquid crystal layer 50 side of the TFT element (transistor element) 30 rather than on its semiconductor layer 1a. - 特許庁

無線中継装置は、サーバ装置から受信したフィルタ情報を設定し、このフィルタ情報により無線ＬＡＮ端末の接続可否を制御する。例文帳に追加

The radio repeater sets the filter information received from the server device and controls the acceptance/rejection of connecting the wireless LAN terminals according to the filter information. - 特許庁

メディア受付端末Ａとフィルム受付端末Ｂを備え、これらと複数の写真プリント装置ＣとをＬＡＮを介して接続する。例文帳に追加

This image processing system is provided with a medium acceptance terminal A and a film acceptance terminal B, to connect them with a plurality of photograph print devices C via a LAN. - 特許庁

Ｔｈ１／Ｔｈ２バランス不全疾患、特にＴｈ２細胞数の増加に起因する免疫疾患の予防剤又は治療剤として用いることができるＴｈ１／Ｔｈ２バランス調節剤を提供する。例文帳に追加

To provide a Th1/Th2 balance regulator which can be used as a prophylactic or therapeutic agent for Th1/Th2 balance deficiency, especially immunological diseases caused by increased number of Th2 cells. - 特許庁

そして、ＮＰＮ型トランジスタＴ１、Ｔ２のエミッタと定電流源１０の間にコレクタが接続され、ＰＮＰ型トランジスタＴ３のｈＦＥの変動を補償するためのＰＮＰ型トランジスタＴ４が設けられる。例文帳に追加

Then, a pnp transistor T4 is provided, where its collector is connected between the emitters of the npn transistors T1, T2 and the constant current source 10, and the pnp transistor T4 compensates variations in hFE in the pnp transistor T3. - 特許庁

各画素が撮像動作を行う際、ＭＯＳトランジスタＴ１，Ｔ５をＯＮにするとともにＭＯＳトランジスタＴ６をＯＦＦにして、ＭＯＳトランジスタＴ２をサブスレッショルド領域で動作させる。例文帳に追加

In the case of allowing each pixel to execute image pickup operation, MOS transistors(TRs) T1, T5 are turned on, a MOS TR T6 is turned off and a MOS TR T2 is driven in a subthreshold area. - 特許庁

単結晶シリコン層の製造方法、及びこれを利用した薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a single-crystal silicon layer, having high crystallinity, and to provide a method of manufacturing a thin-film transistor (TFT) that uses the same. - 特許庁

レベル変換増幅部３０の２つの増幅回路３１，３２は、セレクタ回路部２０のトランジスタＴ３，Ｔ４に対して並列に接続されており、差動回路部１０の出力に応じてトランジスタＴ３，Ｔ４の一方をオンし同時に他方をオフすることでバイアス電流Ｉｂを切り換える。例文帳に追加

Two amplification circuits 31, 32 of the level converting amplification section 30 are connected in parallel with respect to the transistors T3, T4 of the selector circuit section 20, and turn on one of the transistors T3, T4 and turn off the other simultaneously in response to an output of the differential circuit section 10 to switch the bias current Ib. - 特許庁

ＦＦＴ（高速フーリエ変換）手段の数が増大することを抑制しつつ、複数のブランチでダイバーシティ受信した放送データに対し、２区間ＦＦＴを行うことができる放送受信装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a broadcast receiving device which suppresses an increase of the number of FFT (fast-Fourier transformation) means, while carrying out a two-section FFT, with respect to broadcasting data which has been diversity received in a plurality of branches. - 特許庁

これらの複数の被写体画像データのサムネイル画像は、各々にランキングと名前が付記されてディスプレイ４２に一覧表示される。例文帳に追加

The thumbnail images of the plurality of subject image data to which ranks and names are respectively added are displayed on a display 42 as a list. - 特許庁

電源１と負荷２とパワートランジスタＴ１とが直列に接続され、パワートランジスタＴ１に対し、電流検出用トランジスタＴ３と電流検出用抵抗９との直列回路が並列に接続されている。例文帳に追加

A power supply 1, a load 2 and a power transistor T1 are connected in series, and a series circuit of a transistor T3 for current detection and a resistor 9 for current detection is connected in parallel to the power transistor T1. - 特許庁

メディアコンバータモジュール４０がキャビネット３０に挿入されると、フィジカルグランドパターン６０等はガイドレール溝３５ａ、３６ａを介してフィジカルグランドＦＧと電気的に接続された状態とされる。例文帳に追加

When the media converter module 40 is inserted into the cabinet 30, the physical ground pattern 60 is brought into a state of being connected electrically with the physical ground FG through the guide rail grooves 35a and 36a. - 特許庁

１０回、２０回、...、８０回と繰り返し回数を変えて手ブレ補正処理を予め実行しておき、それぞれの補正結果（一覧表示用画像データＶＧＳ）が、［手ブレ補正］ウィンドウＷＤ２の候補一覧表示フィールドＦＤ１３に一覧表示される構成とする。例文帳に追加

This device/method is constituted to execute preliminarily camera shake correction processing while changing repetition frequencies as 10 times, 20 times, 80 time, and is constituted to list-display respective correction results (image data VGS for list display) in a candidate list display field FD13 of a (camera shake correction) window WD2. - 特許庁

ａ−Ｓｉ ＴＦＴから構成されるトランジスタＴｒ１に光が照射されることによって出力される光電流信号Ｉｄを増幅回路によって増幅する。例文帳に追加

A photocurrent signal Id, which is provided by irradiating a transistor Tr1 formed of an a-Si TFT with a light, is amplified with an amplifying circuit. - 特許庁

履歴処理部２において、ディレクトリ構造における閲覧遷移方向と閲覧時間とに基づいてディレクトリごとにスコアを付与する。例文帳に追加

In a history processing part 2, scores are applied to each directory on the basis of the browsing transition direction and browsing time in the directory structure. - 特許庁

軸外し異方性光散乱フィルム及びその製造に用いる偏向用光重合性組成物例文帳に追加

OFF-AXIS ANISOTORPIC LIGHT SCATTERING FILM AND BIASING PHOTO POLYMERIZABLE COMPOSITION USED FOR ITS MANUFACTURING - 特許庁

アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）の増倍率を所望値に正しく設定できるようにする。例文帳に追加

To rightly set the multiplication factor of an avalanche photodiode (APD) at a required value. - 特許庁

このとき、信号φＶを与えてＭＯＳトランジスタＴ４をＯＮとして画像データを出力する。例文帳に追加

At this time, image data is outputted by making a MOS transistor T4 to be on by giving a signal ϕV. - 特許庁

端子部４と通信インタフェース部５とは絶縁トランスＴを介して接続される。例文帳に追加

The terminal portion 4 is connected to the communications interface portion 5 via an insulation transformer T. - 特許庁

端子部４と通信インタフェース部５とは絶縁トランスＴを介して接続される。例文帳に追加

The terminal portion 4 is connected to the communication interface portion 5 via an insulation transformer T. - 特許庁

消費電力仕様を満足した後は、ＳＴ２３で電源配線・フロアプランを行う。例文帳に追加

After the power consumption specifications are fulfilled, power source wiring and floor plan is performed in an ST23. - 特許庁

各ｅコネクタＣ１〜Ｃ５に内蔵された制御装置は、複数のグランド端子ＴＧ１〜ＴＧ２のうち外部グランドラインＬＧ１が接続されているグランド端子ＴＧ１〜ＴＧ５を検出し、その検出結果に対応したＩＤを設定する。例文帳に追加

A control device built in the each e connector C1-C5 detects a ground terminal TG1-TG5 to which an external ground line LG1 is connected out of the plurality of ground terminals TG1-TG5 and establishes an ID corresponding to its detection result. - 特許庁

オートゼロ動作時に、ＴＦＴ１１３とともにＴＦＴ１１５をオンさせて、画素のドライブトランジスタＴＦＴ１１１に第１のノードＮＤ１１１を通して基準電流線ＩＳＬを接続して、しきい値Ｖｔｈのバラツキの補正を行う。例文帳に追加

In automatic-zero operation, a TFT 115 is turned on together with a TFT 113 to connect a reference current line ISL to a driving transistor TFT 111 of a pixel through a 1st node ND 111, and variance in threshold Vth is corrected. - 特許庁

ノーマリーオフのＴＦＴ特性を示す酸化物半導体膜を含む薄膜トランジスタ、及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film transistor, along with its manufacturing method which includes an oxide semiconductor film, indicating a normally-off TFT characteristic. - 特許庁

ＰＤＡよりＭＰＦへ、ＰＤＡのスクリーンのサイズ、閲覧したい文書画像、該文書画像の表示サイズ及び表示位置、１のバックグランド画像を少なくとも指定するスクリーン画像生成情報をＭＦＰへ送信する。例文帳に追加

Screen image generation information specifying at least the size of the screen of the PDA, the document image to browse, the display size and display position of the document image and one background image is transmitted from the PDA to the MFP. - 特許庁

本電子カメラ１には、現像済みネガフィルム６が装填可能なフィルムアダプタ装置２を装着して現像済みネガフィルム６の撮影を行うことができ、そのフィルム撮影時でのホワイトバランス調整において、ＣＣＤ１２の全撮像有効エリアのうち、より小さいフィルム画枠内の撮像信号のみを対象にして処理するようにして、ホワイトバランス調整の精度を向上を図っている。例文帳に追加

The electronic camera 1 can photograph a developed negative film 6 by loading a film adaptor 2 to which the developed negative film 6 is loaded to the electronic camera 1, and only a photographing signal within a film image frame smaller among all photographing valid areas of a charge coupled device CCD 12 is processed as an object in the white balance adjustment for the film photographing state to enhance the accuracy of white balance adjustment. - 特許庁

（Ａ）不飽和カルボン酸又はその誘導体並びにシラン化合物が共重合されたポリオレフィン系樹脂、（Ｂ）シラン化合物が共重合された非晶性ポリオレフィン系樹脂、（Ｃ）ポリオレフィン系樹脂、（Ｄ）金属水酸化物を含有し、（Ａ）及び（Ｂ）がシラン架橋されてなるものである。例文帳に追加

This non-halogen flame retardant thermoplastic elastomer composition is provided by including (A) a polyolefin-based resin copolymerized with an unsaturated carboxylic acid or its derivative and a silane compound, (B) an amorphous polyolefin-based resin copolymerized with the silane compound, (C) a polyolefin-based resin and (D) a metal hydroxide, and silane-crosslinking the (A) and (B). - 特許庁

このパルス信号Ｃ、Ｄによって、トランジスタＴｒ_2 、Ｔｒ_3 及びトランジスタＴｒ_4 、……、Ｔｒ_7 がオン／オフされ、ジャック２に接続される電極に高い周波数治療用の高圧パルスが印加する。例文帳に追加

Transistors Tr2, Tr3 and Tr4,..., Tr7 are turned on/off by the pulse signals C and D and a high voltage pulse for a high frequency treatment is impressed on an electrode which is connected to a jack 2. - 特許庁

集積回路装置は、走査線を駆動するための制御信号を生成する走査ドライバブロックＳＢと、走査線と電気的に接続するためのパッドＰＤｔと、その接続ノードＤＮＤｔがＰＤｔパッドと電気的に接続され、高電位側電源及び低電位側電源の間にプッシュプル接続されるトランジスタｐＤＴｒｔ、ｎＤＴｒｔとを含む。例文帳に追加

The integrated circuit device includes a scanning driver block SB for generating a control signal for driving a scanning line; a pad PDt electrically connected with the scanning line; and transistors pDTrt and nDTrt of which a connection node DNDt is electrically connected with the pad PDt and which are push-pull connected between a high-potential-side power source and a low-potential-side power source. - 特許庁

そして、第１のバッファ回路部３０の第２のトランジスタＴｒ２のドレインと、第２のバッファ回路部４０の第４のトランジスタＴｒ４ドレインとを第１のトランジスタＴｒ１に接続した。例文帳に追加

Then, the second transistor Tr2 drain of the first buffer circuit 30 and the fourth transistor Tr4 drain of the second buffer circuit 40 are connected to the first transistor Tr1. - 特許庁

そして、埋込型フォトダイオードＰＤで線形的又は自然対数的に変化したポテンシャルをＮ型浮遊拡散層ＦＤに転送し、ＭＯＳトランジスタＴ３，Ｔ４を通じて映像信号として出力する。例文帳に追加

And a potential varied linearly or natural logarithmically by the embedded type photo diode PD is transmitted to a N type suspended diffusion layer FD and outputted as an image signal through MOS transistors T3, T4. - 特許庁

フィラー表面が（Ａ）塩基性物質（シラザン類を除く）又は塩基性混合物と、（Ｂ）シランカップリング剤で処理された微塩基性フィラー。例文帳に追加

This slightly basic filler is obtained by treating the surface of the filler with (A) a basic substance (except for silazanes) or a basic mixture and (B) a silane-coupling agent. - 特許庁

トランスフォーミング増殖因子β−９と称され、以後Ｚｔｇｆβ−９と言及する、新規の抗ウイルスポリペプチド、並びに関連組成物。例文帳に追加

There are provided a new antiviral polypeptide called as transforming proliferation factor β-9 and referred as Ztgf β-9 hereafter, and associated compositions. - 特許庁

ストランド２が、コアと１層のシースとからなるより構造を有し、コアのフィラメント３の径がシースのフィラメント４の径より大きい。例文帳に追加

The strand 2 has a twist structure composed of a core and one layer of sheath, and the diameter of a filament 3 of the core is larger than the diameter of a filament 4 of the sheath. - 特許庁

出力トランジスタ２としてＦＥＴを用い、該ＦＥＴのソース端子とアース間に抵抗９０を接続する。例文帳に追加

A resistor 90 is connected between a source terminal of an FET used for an output TR 2 and a ground. - 特許庁