「バルク多結晶」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

一方向成長を利用したキャスト成長法で作製されるＳｉバルク多結晶インゴットにおいて、インゴット上部でも結晶品質の良い、高品質かつ高均質なＳｉバルク多結晶インゴットを得ることができる。例文帳に追加

To obtain a high-quality and high-homogeneity Si bulk polycrystalline ingot having good crystal quality even in an upper part of the ingot, with respect to an Si bulk polycrystalline ingot produced by a cast growth method using unidirectional growth. - 特許庁

熱電材料からなる多結晶体で形成されているバルク体を準備する。例文帳に追加

A bulk body is prepared which is formed of a polycrystal made of a thermoelectric material. - 特許庁

本発明は、キャスト成長法において、Ｓｉバルク多結晶の方位を｛１１０｝面のみに揃えることができる、簡便なＳｉバルク多結晶の作製方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a simple method for producing a Si bulk polycrystal, by which the orientations of crystal grains in the Si bulk polycrystal can be made to be only {110} plane in a cast growth method. - 特許庁

結晶多形および結晶欠陥の少ない高品質なＳｉＣのバルク単結晶を実効的な速度で安定して製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for stably manufacturing a high quality bulk single crystal of SiC that has a reduced amount of polymorhs and crystal defects at a practical speed. - 特許庁

マイクロパイプ欠陥や結晶欠陥等の発生が少ないとともに、Ｓｉ塊の封じ込みによる多結晶化もなく、非常に高品質高性能で、かつ、バルク状の単結晶ＳｉＣを効率よく育成できるようにする。例文帳に追加

To efficiently grow a bulk single crystal SiC which is almost free from the occurrence of micro-pipe defects or crystal defects or the like, in which polycrystallization by enclosing Si-lumps does not occur and which has high quality and high performance. - 特許庁

利得領域は、２４バルク半導体結晶によって構成され、及び、可飽和吸収領域２６は、多重量子井戸構造によって構成される。例文帳に追加

The gain region is constituted of 24 bulk semiconductor crystals, and the saturable absorption region 26 is constituted of a multiple-quantum-well structure. - 特許庁

これにより、バルク中のクロム、鉄、ニッケル、銅、コバルトの合計濃度が１５０ｐｐｔａ以上の多結晶シリコン部分を除去することができる。例文帳に追加

Thus, the polycrystalline silicon parts in which the total concentration of chromium, iron, nickel, copper and cobalt in a bulk is 150 ppta or higher can be removed. - 特許庁

高性能バルク磁気構成部品は、一体に接着結合されて多面体形状部を形成する、複数の結晶性強磁性金属帯板層を含む。例文帳に追加

A high performance bulk magnetic component includes a plurality of layers of crystalline, ferromagnetic metal strip layers adhesively bonded together to form a polyhedrally shaped part. - 特許庁

高品質の酸化物超電導バルク材を安価に多量に製造するための種結晶およびこれを用いた製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a seed crystal for producing a high quality oxide superconductive bulk material in a large amount at a low cost, and to provide a method for producing the oxide superconductive bulk material using the seed crystal. - 特許庁

上記ナノ結晶銅又は銅合金の粉末の多数個が固結されてなる高硬度・高強度で高導電性を有する強靱なナノ結晶銅又は銅合金のバルク材。例文帳に追加

This bulk material of a nano crystal copper or a copper alloy having high hardness, high strength and high electric conductivity, is composed of a great number of nano crystal copper or copper alloy grains being firmly bound with one another. - 特許庁

バルク単結晶に匹敵するスイッチング特性を多結晶薄膜で得られる、電荷軌道整列ペロブスカイトマンガン酸化物薄膜及び該薄膜を備えてなるスイッチング素子、並びに該薄膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a charge-orbital alignment perovskite manganese oxide thin film with which switching characteristic equal to that of a bulk single crystal can be obtained by a polycrystalline thin film; and to provide a switching element having the same and a method for producing the thin film. - 特許庁

キャスト成長法を用いたＳｉバルク多結晶のインゴットの成長初期の段階に形成されるインゴット底部近傍のランダム粒界の割合が、全ての結晶粒界の30％以下になるよう作製される。例文帳に追加

By the invention, even in an upper part of the ingot where solar cell properties deteriorate usually, solar cell properties do not deteriorate and the utilization yield of the Si bulk polycrystalline ingot can be increased. - 特許庁

本発明の流動性チップは、化学的気相成長法で製造されかつ０．０３ｐｐｍａを超えないレベルのバルク不純物と１５ｐｐｂａを超えないレベルの表面不純物とを有する多結晶シリコン片で構成される多結晶シリコン片群であって、しかも制御された粒度分布を有しかつ概して非球状モルフォロジィを有する多結晶シリコン片群から成る。例文帳に追加

Flowable chips are a polycrystalline silicon piece group which comprises polycrystalline silicon pieces prepared by a chemical vapor deposition process and having bulk impurities at a level not exceeding 0.03 ppma and surface impurities at a level not exceeding 15 ppba, and which moreover has a controlled particle size distribution and generally has nonspherical morphology. - 特許庁

誘電体による光起電力材料の多結晶焼成体、単結晶のバルク薄片又は薄膜若しくは厚膜による膜構造体２６を用いた光起電力部と、この光起電力部を挟んで設けられた一対の電極とを設ける。例文帳に追加

The sensor comprises a photoelectromotive force generator using a film structure object 26 formed of a polycrystal calcination object of a photo voltage material by dielectrics, the bulk flake of a single crystal, a thin film or a thick film, and a pair of electrodes sandwiching the photoelectromotive force generator. - 特許庁

活性層からバルク層に達した孔部で堆積中のアモルファスもしくは多結晶シリコンを単結晶化させる際に埋め込み酸化膜の領域での欠陥発生を抑制させる部分ＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a partial SOI wafer that suppresses occurrence of a defect in a region of an embedded oxide film when converting amorphous or polycrystalline silicon under deposition in a hole part reaching a bulk layer from an active layer to a single crystal. - 特許庁

これにより、通常は太陽電池特性が低下するインゴット上部においても太陽電池特性の劣化がなく、Ｓｉバルク多結晶インゴットの利用歩留まりを大幅に向上させることができる。例文帳に追加

An Si bulk polycrystalline ingot is produced by the cast growth method so that the proportion of random grain boundaries near the bottom of the ingot formed in the early stage of growth is made ≤30% of all grain boundaries. - 特許庁

約３００〜６００℃の中温で高い性能指数が期待できる熱電変換材料や光センサ、光学素子などとして有効利用できる安価なＧａあるいはＳｎでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体の提供および短時間でしかも安全に容易に製造できる製造方法の提供。例文帳に追加

To provide an inexpensive bulk type manganese silicide single crystal or polycrystal doped with Ga or Sn that is effectively used as a thermoelectric conversion material, an optical sensor, an optical element, etc., expected to have a high performance index at an intermediate temperature of approximately 300 to 600°C, and to provide a method of manufacturing the same in which the manufacture is easily and safely achieved in a short time. - 特許庁

インバータ５８，６０の各々の負荷抵抗は、多結晶ポリシリコンで形成され、バルクのトランジスタであるＮチャネルＭＯＳトランジスタ５８４，６０４の上層に形成可能なＰチャネル薄膜トランジスタ５８２，６０２によってそれぞれ構成される。例文帳に追加

Load resistors of inverters 58 and 60 are made of polycrystal polysilicon, and composed of P-channel thin film transistors 582 and 602 which can be formed on the upper layers of N-channel MOS transistors 584 and 604 as bulk transistors, respectively. - 特許庁

インバータ５８，６０の各々の負荷抵抗は、多結晶ポリシリコンで形成され、バルクのトランジスタであるＮチャネルＭＯＳトランジスタ５８４，６０４の上層に形成可能なＰチャネル薄膜トランジスタ５８２，６０２によってそれぞれ構成される。例文帳に追加

Load resistances of invertors 58 and 60 are formed with polycrystal polysilicon, and composed of P-channel thin film transistor 582 and 602 which can be formed on upper layers of N-channel MOS transistor 584 and 604 that are bulk transistors, respectively. - 特許庁

液晶パネルなどの電気光学装置に用いるアクティブマトリクス基板の製造方法において、基板３０上に形成した６５ｎｍから８０ｎｍ程度の非晶質の半導体膜１００をレーザーアニールによって多結晶化した後、エッチングによりその表面層を取り除き、６０ｎｍ以下のバルク層からなる半導体膜を使用する。例文帳に追加

The method for manufacturing the active matrix board used for the electro-optic device such as a liquid crystal panel or the like comprises the steps of making the noncrystalline semiconductor film 100 of about 65 to 80 nm formed on the board 30 polycrystalline by laser annealing, and then removing its surface layer by etching by using the semiconductor film made of a bulk layer of 60 nm or less. - 特許庁