「ブレークダウン」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ダイオードはトレンチ近傍のドレイン−ボディ接合よりも小さなブレークダウン電圧を有する。例文帳に追加

The diode has brake down voltage smaller than a drain/ body junction near a trench. - 特許庁

したがって陰極は、ブレークダウンの危険なしに、より高い残留空気圧で機能することができる。例文帳に追加

The cathode 1 can function at a higher residual air pressure without the danger of breakdown. - 特許庁

半導体ウエハの誘電層のソフトブレークダウンを検出する装置及び方法例文帳に追加

APPARATUS AND METHOD FOR DETECTING SOFT BREAKDOWN OF DIELECTRIC LAYER OF SEMICONDUCTOR WAFER - 特許庁

駆動シーケンスは、電源投入、ブレークダウン、ＤＣ期間、ランナップ、定常点灯をこの順に含む。例文帳に追加

The driving sequence includes power-on, breakdown, the DC period, run-up and steady lighting in this order. - 特許庁

複数の点火ギャップを有する多点点火プラグにおいて、ブレークダウン電圧を下げる。例文帳に追加

To reduce a breakdown voltage in a multi-point ignition plug having a plurality of ignition gaps. - 特許庁

超薄膜誘電体のブレークダウン現象を利用した半導体メモリセルセル及びメモリアレイ例文帳に追加

SEMICONDUCTOR MEMORY CELL AND MEMORY ARRAY USING BREAKDOWN PHENOMENA IN ULTRA-THIN DIELECTRIC - 特許庁

スタータ回路２０は、放電灯４をブレークダウンさせるために高電圧パルスを発生する。例文帳に追加

A starter circuit 20 generates a high-voltage pulse to break down the discharge lamp 4. - 特許庁

中間チューブは、ラン・オン状態が生じたときに、ブレークダウンすることが期待される。例文帳に追加

The meso-tube is expected to break down when the run-on condition occurs. - 特許庁

高いブレークダウン電圧を有する導電性高分子コンデンサが得られる製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a conductive polymer capacitor having a high breakdown voltage. - 特許庁

より高いブレークダウン電圧に適した半導体素子構造およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor element structure suitable for a higher breakdown voltage, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

レーザー誘導ブレークダウン分光分析法を利用した元素の定量方法及び定量装置例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR QUANTITATIVELY MEASURING ELEMENT USING LASER GUIDING BREAKDOWN SPECTRAL ANALYZING METHOD - 特許庁

起動電流補正部３５は放電灯５のブレークダウンを検出する機能を有する。例文帳に追加

The starting current correcting part 35 has a function to detect breakdown of the discharge lamp 5. - 特許庁

この構造により、リーク電流が低減され、ブレークダウン電圧が向上する。例文帳に追加

With the structure, a leak current is reduced, thus improving a breakdown voltage. - 特許庁

トランジスタの面積を変更することなく、真性耐圧及びソフトブレークダウン耐圧を変更する。例文帳に追加

To vary an intrinsic breakdown voltage and a soft breakdown voltage without varying the area of a transistor. - 特許庁

ブレークダウン電圧を高くすること、及びオン抵抗を小さくすることの両方を実現する。例文帳に追加

To achieve both increase of a breakdown voltage and decrease of on-resistance. - 特許庁

保護回路部１００はツェナーダイオード８を有するので、寄生ダイオード３８がアバランシェブレークダウンする前に、ツェナーダイオード８をツェナーブレークダウンさせることができる。例文帳に追加

As a protective circuit part 100 has a Zener diode 8, the diode 8 can be made to break out a Zener breakdown before a parasitic diode 38 breaks out an avalanche breakdown. - 特許庁

したがって、ブレークダウン電圧が最大逆バイアス電圧である１１．５Ｖより大きいので、ブレークダウン現象が発生しなくて太陽電池の効率と寿命が向上する。例文帳に追加

Therefore, the breakdown voltage is greater than 11.5 V, which is the maximum reverse bias voltage, and therefore the efficiency of the solar cell and the operation life thereof are improved with the absence of the breakdown phenomenon. - 特許庁

さらに、ダイオードはブレークダウン電圧を有するように設計され、ブレークダウン電圧がゲート酸化物層を横切る電界の強さを制限することができる。例文帳に追加

Further, the diode is designed so as to have a breakdown voltage and the breakdown voltage restricts the strength of an electric field across the gate oxide layer. - 特許庁

ブレークダウン検出部３は、耐圧測定回路素子１１のブレークダウンを検出し、試験電圧決定部４は当該電圧を試験電圧として決定する。例文帳に追加

The breakdown detection part 3 detects the breakdown of the breakdown measurement circuit element 11 and the test voltage determination part 4 determines the voltage as the test voltage. - 特許庁

当該他方のＭＯＳトランジスタをオン動作させるときＶｄｓがブレークダウン最小電圧を超えても貫通電流経路が既に断たれているので高電圧出力ドライバにはブレークダウンを生じない。例文帳に追加

Even if Vds exceeds breakdown minimum voltage when the other side MOS transistor is conducted, as a path of a through current is already cur off, break down is not caused in the high voltage output driver. - 特許庁

従って、ブレークダウンは活性領域で起こり、ブレークダウン電流は大面積の活性領域内を流れるので、電流集中が生じず、素子の破壊耐量が高くなっている。例文帳に追加

Therefore, since breakdown occurs in an active region, causing an breakdown current to flow through the active region having a large area, current concentration does not occur, and a breakdown resistance of an element is increased. - 特許庁

そして、制御部８は、設定したランプ電力の初期値に基づいてブレークダウン後のウォームアップ制御を開始して、ブレークダウン後のランプ電力を経時的に減少制御する。例文帳に追加

Then, the control part 8 starts warming-up control after the break-down based on the initial value of the lamp power established, and controls the lamp power after the break-down so as to reduce it with the passage of time. - 特許庁

検出部７は、高圧放電灯５のランプ電圧を検出し、制御部８は、ブレークダウン後のランプ電力の初期値を、検出部７によるブレークダウン直後のランプ電圧に応じた連続値で設定する。例文帳に追加

The detection part 7 detects the lamp voltage of the high pressure discharge lamp 5, and the control part 8 establishes the initial value of the lamp power after the break-down by continuous values according to the lamp voltage immediately after the break-down by the detection part 7. - 特許庁

ダイオードＤ３はフライバック電圧Ｖfbを阻止し、抵抗Ｒ８はダイオードＤ３がブレークダウンしたときの電流を制限する。例文帳に追加

A diode D3 obstructs the flyback voltage Vfb, and a resistor R8 limits a current when the diode D3 is broken down. - 特許庁

ツェナーダイオードＺＤ１１，ＺＤ１２はブレークダウン電圧が異なり、これらには制御電圧入力端子５から調整用電圧が印加される。例文帳に追加

The Zener diodes ZD11 and ZD12 have different breakdown voltages and are applied with regulation voltages from a control voltage input terminal 5. - 特許庁

熱間圧延に先立ってブレークダウン材の幅方向端部を普通鋼又はオーステナイト系ステンレス鋼で覆うことが好ましい。例文帳に追加

Prior to the hot rolling, the edge parts in the width direction of the breakdown material are preferably covered with plain steel or austenitic stainless steel. - 特許庁

前記第１のダイオードは、前記第１のスイッチ素子の両端にかかる過電圧によりブレークダウンする。例文帳に追加

The first diode breaks down by the overvoltage applied to both ends of the first switch element. - 特許庁

これにより、コレクタ拡散層とコレクタバッファ層で形成されるダイオードのブレークダウン電圧を高くすることができる。例文帳に追加

Consequently, the breakdown voltage of the diode formed of the collector diffusion layer and collector buffer layer can be made high. - 特許庁

ブレークダウン電圧の特性が向上されて、インパクトイオン化現象の発生を抑えた半導体素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device improved in the breakdown voltage characteristics and suppressed in the generation of the impact ionization phenomenon, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

電圧入力端子に入力する電圧が過大に上昇する場合には、抵抗値が増大してブレークダウン電圧が低下する。例文帳に追加

When the voltage inputted to the voltage inputting terminal rises excessively, the resistance value of the resistor increases and the breakdown voltage drops. - 特許庁

ツェナーダイオードは、定常状態ではブレークダウン動作を起こさないため、ノイズの影響のない受信を行うことができる。例文帳に追加

The Zener diode does not incur a break-down operation in an ordinary state, so that reception not affected by noise can be performed. - 特許庁

電圧入力端子に入力する電圧が適正電圧である場合には、抵抗値が減少してブレークダウン電圧が上昇する。例文帳に追加

When the voltage inputted to the voltage input terminal is an appropriate voltage, the resistance value drops and the breakdown voltage rises. - 特許庁

キャパシタに電圧印加し、ブレークダウンさせて、キャパシタの抵抗成分は抵抗変化素子の低抵抗状態と同じ程度の値とする。例文帳に追加

By applying a voltage to the capacitor to break it down, the resistance component of the capacitor is made almost the same as the lowered resistance of the variable resistance element. - 特許庁

微粒子をレーザスポットＰに高精度に導き、ブレークダウンのヒット率及び発光強度を向上させた微粒子成分分析装置を提供する。例文帳に追加

To precisely guide fine particulates to a laser spot P to enhance the hit rate of breakdown and luminous intensity. - 特許庁

この構造により、ブレークダウン電流が、ＰＮ接合領域１９に集中することを防止し、過電圧から半導体素子を保護することができる。例文帳に追加

With such a structure, breakdown current is prevented from concentrating on the PN junction region 19 and a semiconductor element can be protected against overvoltage. - 特許庁

ブレークダウン電圧特性が向上されて、インパクトイオン化現象の発生を抑えた半導体素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor element which has its breakdown voltage characteristics improved to suppress an impact ionization phenomenon, and a method of fabricating the same. - 特許庁

電圧クランプは所定の電圧でブレークダウンするように設計され、過大なソース−ゲート電圧によるゲート酸化層の損傷を防ぐ。例文帳に追加

The voltage clamp is designed so as to break down at a predetermined voltage and thereby prevent its gate oxide layer from being damaged by an excessive source-gate voltage. - 特許庁

この構造により、ブレークダウン電流の集中を防止し、過電圧から半導体装置を保護することができる。例文帳に追加

With such a structure, breakdown current is prevented from concentrating and a semiconductor device can be protected against overvoltage. - 特許庁

超薄膜誘電体のブレークダウン現象を利用した半導体メモリセルセル及びメモリアレイを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory cell utilizing the breakdown phenomenon of an ultrathin-film dielectric and a memory array. - 特許庁

逆回復特性の改善とリーク電流の低減とブレークダウンの抑制の間に存在するトレードオフ関係を打破すること。例文帳に追加

To overthrow a tradeoff relation that exists between the improvement of a reverse recovery characteristics and the control of leakage current reduction and breakdown. - 特許庁

そして、電源端子１の電位ＶＤＤが上昇すると、保護素子のＮＭＯＳ９が先にブレークダウンする。例文帳に追加

If the potential VDD of the power supply terminal 1 rises, the NMOS 9 of the protection element is first broken down. - 特許庁

高いブレークダウン電圧と低い漏洩電流特性を得ることができる高電圧素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a high voltage device capable of obtaining a high breakdown voltage and a low leak current characteristic. - 特許庁

高いブレークダウン電圧を有する電界効果トランジスタ及びこれを形成する方法が開示されている。例文帳に追加

To provide a field-effect transistor having a high breakdown voltage and a method of forming the same. - 特許庁

逆バイアス時のブレークダウンの発生を抑制しながら半導体装置の逆回復特性を改善する技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology for improving the reverse recovery characteristics of a semiconductor device while suppressing occurrence of breakdown during reverse bias. - 特許庁

ブレークダウンによりダイオード素子に逆方向電流が流れる際に発生するスナップバックを低減する。例文帳に追加

To reduce snapback which occurs during reverse current flow in a diode element caused by breakdown. - 特許庁