「ブレークダウン」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

コンピュータを用いた医事会計システムにおいて、財務会計のみならず管理会計を効率良く実行し、しかも診療科、診療行為等にブレークダウンしての収益・損益分析を行えるようにする。例文帳に追加

To efficiently carry out not only financial accounting, but also management accounting by a medical affair accounting system which uses a computer and to take gain/loss analysis by breaking down the accounting into clinical departments, actions, etc. - 特許庁

低出力容量、高ブレークダウン電圧、および改善された熱性能のような改善された特徴を有する電力ＭＯＳＦＥＴデバイスが、所望される。例文帳に追加

To provide a power MOSFET device having improved characteristics such as low output capacitance, high breakdown voltage, and improved heat performance. - 特許庁

コンピュータを用いた医事会計システムにおいて、財務会計のみならず管理会計を効率良く実行し、しかも診療科、診療行為等にブレークダウンしての収益・損益分析を行えるようにする。例文帳に追加

To efficiently carry out managerial accounting in addition to financial accounting and carry out profit and loss analysis by breaking them down into medical fees, medical acts or the like in a medical accounting system using a computer. - 特許庁

高速スイッチング動作を行う場合でも、アバランシェブレークダウンを抑制でき、スイッチング損失低減や素子破壊を抑制することが可能な構成とする。例文帳に追加

To provide a configuration capable of suppressing reduction in switching loss and element breakage by suppressing avalanche breakdown even in the case of high-speed switching operation. - 特許庁

集光レンズ17によるレーザ光Ｌの集光点Ａ付近での雰囲気ガスの電離によるエアーブレークダウンの発生を抑制する光ファイバ用レーザ光入射光学装置11を提供する。例文帳に追加

To provide a laser beam incident optical device 11 for an optical fiber, which suppresses the occurrence of air breakdown due to ionization of atmospheric gas near the converging point A of a laser beam L by a condenser lens 17. - 特許庁

これにより、高速スイッチング動作を行う場合でもアバランシェブレークダウンを抑制でき、横型ＦＷＤ７のスイッチング損失低減や素子破壊を抑制することが可能となる。例文帳に追加

Consequently, avalanche breakdown can be suppressed even at the time of high speed switching operation, thereby reduction in switching loss of the lateral FWD7 and element breakage can be suppressed. - 特許庁

このような対向領域が設けられていない場合と比べ、受光部１３とｐ＋層１１またはｎ＋層１２との間に生ずる電界が緩和され、ブレークダウン現象が発生しにくくなる。例文帳に追加

An electric field generated between the light receiving section 13 and a p+ layer 11 or an n+ layer 12 is released compared with the case where such the opposite region is not provided, and breakdown phenomenon hardly occurs. - 特許庁

ある電圧に固定されたＶＤＤ端子と、プログラム電圧端子と、セカンドブレークダウンによってソース−ドレイン間を短絡するＮ型ＭＯＳトランジスタと、そのＮ型ＭＯＳトランジスタに直列に接続したヒューズ素子と、Ｎ型ＭＯＳトランジスタをセカンドブレークダウンさせるために必要なゲート電圧を発生させるためのインバータ回路を有する半導体不揮発性記憶装置と、２段階の書き込み方法により製造工程数とチップ占有面積の増大によるコストアップの問題を解決することが可能である。例文帳に追加

Thereby, the problem of cost-increase caused by increasing the number of manufacturing processes and chip occupancy area can be solved by a write-in method of two steps. - 特許庁

レーザブレークダウンプラズマ２６により絶縁破壊が生じることで、中心電極１６及び接地電極１８間の距離を長くしても、中心電極１６及び接地電極１８間に火花放電３２を生じさせることができる。例文帳に追加

Since the breakdown is caused by the laser breakdown plasma 26, the spark discharge 32 can be generated between the center electrode 16 and the ground electrode 18 even if the distance between the center electrode 16 and the ground electrode 18 is set long. - 特許庁

６質量％でのアミログラフィー分析においてピーク粘度が８００ＢＵ以上であり且つ該ピーク粘度からボトム粘度を差し引いたブレークダウンが１５０〜５００ＢＵであるエステル化タピオカ澱粉を用いて澱粉せんべいを得る。例文帳に追加

The starch cracker is obtained by using esterified tapioca starch having a peak viscosity of not less than 800 BU in amylograph analysis at 6 mass%, and a breakdown of 150-500 BU when subtracting a bottom viscosity from the peak viscosity. - 特許庁

このためＰＮダイオードが上記第１層および第３層の間で形成され、ＰＮダイオードは横型ＨＥＭＴより低いブレークダウン電圧を有することにより、ＨＥＭＴを高い電界から保護することができ、ＨＥＭＴの劣化を防止できる。例文帳に追加

A PN diode is therefore formed between the first layer and the third layer, and the PN diode has a lower breakdown voltage than the horizontal HEMT, so that the HEMT is protected from a high electric field and prevented from being degraded. - 特許庁

少なくとも１つの金属酸化物トランジスタを有する電子的回路装置の低温における耐圧を高めるべく、金属酸化物トランジスタのブレークダウン電圧に近い電圧の印加前に、金属酸化物トランジスタを適切な措置によって予め定めた温度に加熱する。例文帳に追加

In order to increase the breakdown voltage at low temperature of an electronic circuit device having at least one metal oxide transistor, the metal oxide transistor is heated to a predetermined temperature by appropriate measures before applying a voltage close to the breakdown voltage of the metal oxide transistor. - 特許庁

各ブランチは少なくとも１つのダイオードを含み、所望のクランプ電圧に応じてゲート−ソース間電圧が所定のレベルに達する際にブレークダウンするか或いは順方向に導通するように接続された一連のダイオードを含む。例文帳に追加

Each branch includes at least one diode and a series of diodes is included, which is connected so as to break down or conduct in a forward direction depending on a desired clamping voltage when the gate-source voltage reaches a predetermined level. - 特許庁

竜田揚げ用まぶし粉に、６質量％でのアミログラフィー分析においてピーク粘度が８００ＢＵ以上であり且つ該ピーク粘度からボトム粘度を差し引いたブレークダウンが１５０〜５００ＢＵであるエステル化タピオカ澱粉を含有せしめる。例文帳に追加

The dredging flour for Tatsuta fry includes esterified tapioca starch having a peak viscosity of ≥800 BU, and breakdown of 150-500 BU obtained by subtracting bottom viscosity from the peak viscosity in amylography analysis on the basis of 6 mass%. - 特許庁

過電流が流れずバッテリ電圧が低下しない状態では、接続点ＰはツエナダイオードＺＤのブレークダウン電圧に保持され、ＦＥＴ２のソース電圧との差がとくに大きくなるので、ノイズが入り込んでもコンパレータが誤って過電流検知信号を出力することがない。例文帳に追加

Since the node P is held at a breakdown voltage of the Zener diode ZD to widen a voltage difference from a source voltage of the FET 2 when no overcurrent flows and no battery voltage drops either, the comparator does not incorrectly output an overcurrent detection signal even if noise has intruded. - 特許庁

ＥＳＤ現象が生じた場合、抵抗率のより高いこの領域は寄生横方向ｎｐｎバイポーラトランジスタの電流利得を大きくし、よって破壊的な局部的加熱による熱ブレークダウンを開始する電流Ｉｔ２を上昇させる。例文帳に追加

When an ESD phenomenon occurs, the region having the higher resistivity increases the current It2 which starts a thermal breakdown by destructive local heating by increasing the current gain of a parasitic lateral npn bipolar transistor. - 特許庁

本発明の方法および装置は、レーザガス放電チャンバ内のガス混合体の直流ブレイクダウン電圧をブレークダウン電圧検出ユニット１０で測定し、その直流ブレイクダウン電圧の情報を放電ガス混合体の組成を調整することに使用することに基づくものである。例文帳に追加

This method and apparatus are provided for adjusting the composition of a discharge gas mixture within a laser gas discharge chamber, by using the information on the DC-breakdown voltage of the gas mixture measured by means of a breakdown voltage detecting unit 10. - 特許庁

ツェナーダイオード２８に印加される電圧が該ツェナーダイオード２８のブレークダウン電圧以下である場合には、該ツェナーダイオード２８がオフ状態となるので、増幅回路２０の増幅率Ａ１（第１の増幅率）は第１の帰還抵抗２４の抵抗値Ｒ１によって決定される。例文帳に追加

Since a Zener diode 28 is nonconductive when a voltage applied to the Zener diode 28 is a breakdown voltage of the Zener diode 28 or below, an amplification factor A1 (first amplification factor) of the amplifier circuit 20 is decided depending on a resistance R1 of a first feedback resistor 24. - 特許庁

電極８１へ印加されたＥＳＤサージ電流は、ドレイン層４１へ流れ、ドリフト層１１とＥＳＤサージ回収層２０とが成す上記ＰＮ接合でのアバランシェブレークダウンによってＥＳＤサージ回収層２０へ導かれ、トップコンタクト層３０を介して電極８３へ回収される。例文帳に追加

An ESD surge current applied to an electrode 81 flows in the layer 41, is introduced to the layer 20 by avalanche breakdown at the pn junctions constituted by the layer 11 and the layer 20, and is recovered to an electrode 83 through the layer 30. - 特許庁

また、バッファ層を有するＩＧＢＴにおいて、順方向にブレークダウン電圧が印加されたときに電界がかからない領域では、順方向導電時の少数キャリア濃度が当該領域の不純物濃度よりも高くなる構成とする。例文帳に追加

The IGBT having a buffer layer is constructed so that a small-carriers concentration in forward conduction is higher than an impurity concentration in the region unaffected by an electric field when a break-down voltage is applied forward. - 特許庁

電圧分配器は、高電圧が放電される期間中高電圧が比較器の低電圧トランジスタに印加されることを防止する高電圧防止手段を含み、これは、高いブレークダウン電圧を有する空乏型又は増加型ＮＭＯＳトランジスタから構成される。例文帳に追加

The voltage distributor includes a high-voltage preventing means for preventing the high voltage from being applied to the lower voltage transistor of the comparator, while the high voltage is discharged, and is constituted of a depletion type or an increasing type NMOS transistor, having a high breakdown voltage. - 特許庁

光源１０１から発せられた光を物質Ｐに集光させこの物質Ｐにブレークダウン閾値以上のエネルギーを与え、光の集光位置に向けて電磁波発振器１０５により電磁波を放射し、光照射により生成されたプラズマにエネルギーを供給する。例文帳に追加

Light emitted from a light source 101 is condensed on a material P to which energy more than a breakdown threshold value is given, and electromagnetic waves are emitted by an electromagnetic wave oscillator 105 toward a light condensed position, and energy is supplied to the plasma generated by the light irradiation. - 特許庁

半導体集積回路１０の試験装置１は、半導体集積回路１０の半導体素子に電圧を印加することによって半導体集積回路１０を試験するものであり、電圧印加部２、ブレークダウン検出部３及び試験電圧決定部４を備えている。例文帳に追加

The test device 1 of the semiconductor integrated circuit 10 testing the semiconductor integrated circuit 10 by applying a voltage to a semiconductor element of the semiconductor integrated circuit 10 includes a voltage application part 2, a breakdown detection part 3, and a test voltage determination part 4. - 特許庁

これにより、入射面５１ａ直近でのレーザ光４の収差が拡大してレーザ光４の強度Ｐが減少し、石英基板５１の熱変形および入射面５１ａでのブレークダウンの発生などを抑制しつつ改質層６１を形成可能である。例文帳に追加

In this way, the aberration of the laser light 4 at the nearest part of the incident plane 51a is expanded, the intensity P of the laser light 4 is reduced, and the modified layer 61 can be formed while suppressing the thermal deformation of the quartz substrate 51, the generation of breakdown at the incident plane 51a or the like. - 特許庁

単一のDSBARに基づく電気的な絶縁性を有する音響カプラは、物理的に小さく、製造が安価で、しかも100Mbpsを超えるデータレートを有する情報信号を音響的に結合させることができ、その入力と出力との間に大きなブレークダウン電圧を有するものである。例文帳に追加

An electrically-isolating acoustic coupler based on a single DSBAR is physically small and is inexpensive to fabricate yet is capable of acoustically coupling information signals having data rates in excess of 100 Mbit/s and has a substantial breakdown voltage between its inputs and its outputs. - 特許庁

第１の電極２６ａに高い電圧が印加されてもブレークダウンしないように、第１の電極２６ａは、不純物濃度の高いＮ拡散層２６からなり、その周囲にＮ拡散層よりも不純物濃度が低いＮウエル２５が形成されている。例文帳に追加

The first electrode 26a is constituted of an N-type diffusion layer 26, having a high impurity concentration so as to prevent breakdown, even when a high voltage is applied to the first electrode 26a; and an N-type well 25, having impurity concentration lower than that of the N-type diffusion layer is formed around the first electrode 26a. - 特許庁

ランプ点灯時のブレークダウンからグロー放電、アーク放電への移行を改善、最適化し、点灯プロセスの往復動作が最小化し、スパッタによるランプの黒化を少なくし、ライフに対して光束維持率の良好な点灯装置を提供する。例文帳に追加

To provide a lighting device with a good light flux maintenance rate to a life by improving and optimizing transition from breakdown to glow discharge and arc discharge during lighting a lamp, minimizing the reciprocating operation of a lighting process and lessening the blackening of the lamp with spattering. - 特許庁

レーザー誘起ブレークダウンの衝撃によって発生するパルス状音波の音響導波管の内周面における反射波が、液体表面に対向する音響導波管の開口部方向に向けられ、進行する各方向の前記反射波の開口部に達する時間差を少なくしたこと。例文帳に追加

A reflected wave of the pulsed sound wave generated by impact caused by laser-induced breakdown on an inner circumference face of the acoustic waveguide is directed to an opening part of the acoustic waveguide opposed to the liquid surface, and differences in time in which the reflected wave in each traveling direction arrives at the opening part are reduced. - 特許庁

半導体メモリ素子に用いられる、ゲート酸化膜及び接合部のブレークダウンと関連する信頼性を向上させることができる高電圧発生器およびその主要な構成部である高電圧チャージポンプ回路を提供する。例文帳に追加

To provide a high voltage generator in which reliability relating to the breakdown of a gate oxide film and a junction part used for a semiconductor memory element can be improved and to provide a high voltage charge pump circuit being a main constitution component of the high voltage generator. - 特許庁

本発明に係る分析装置は、レーザ装置１と、レーザ光３を排煙６に案内する手段２と、排煙６のレーザブレークダウンプラズマ７から発光するプラズマ放射光８を分光器１１に案内する手段９と、分光器１１を制御する制御装置１２とを備えたものである。例文帳に追加

The analyzer is provided with a laser device 1, a means 2 which guides a laser beam 3 to a fume gas 6, a means 9 by which plasma radiation light 8 emitted from a laser breakdown plasma 7 in a flue gas 6 is guided to a spectroscope 11 and a controller 12, which controls the spectroscope 11. - 特許庁

これにより、チャネルとなる低濃度ｐ型領域の不純物濃度を低くすることができるとともに、エピタキシャル層１３、高濃度ｐ型領域１５およびｎ型ソース領域１９で形成される寄生トランジスタのブレークダウン電圧を高くすることができる。例文帳に追加

Thus, the concentration of the impurity in the low concentration (p)-type region being a channel can be reduced, and the breakdown voltage of the parasitic transistor formed of an epitaxial layer 13, high concentration (p)-type region 15, and (n) type source region 19. - 特許庁

ＳＩサイリスタ１０のゲート−カソード間電圧ＶGKをモニタして、ＳＩサイリスタ１０内を流れる逆電流ＩRとゲート−カソード間電圧ＶGKが、略一次の単調増加の関係から飽和して平坦になるブレークダウンポイントＶBRを越えないようにする。例文帳に追加

A voltage VGK between the gate and cathode of the SI thyristor 10 is monitored for preventing the reverse current IR flowing in the SI thyristor 10 and the voltage VGK between the gate, so that the cathode is prevented from exceeding a breakdown point VBR, where the voltage is saturated and becomes flat according to the relationship of nearly first-order monotonous increase. - 特許庁

高電圧が印加される接合構造を形成する過程で格子欠陥が発生することを最小化し、ブレークダウン電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ ｖｏｌｔａｇｅ）及び面抵抗の低い接合構造を浅く形成することが可能な半導体素子の高電圧接合領域方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of forming a high-voltage junction for a semiconductor device, capable of forming a junction structure of a high breakdown voltage and low surface resistance in a shallow position by minimizing the occurrence of lattice defects in a process of forming a junction to which a high voltage is applied. - 特許庁

金属不純物成分が極めて低減されることにより、充分な機械強度とともに、絶縁膜のリーク電流やブレークダウン電圧に優れており、なおかつその経時安定性に優れた塗布型層間絶縁膜形成用組成物の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for producing a coating type interlaminar insulation film-forming composition which has sufficient mechanical strength, excels in the leak current and the breakdown voltage of an insulation film, by extreme reduction of the amount of a metallic impurity component, and simultaneously excels in stability with time. - 特許庁

ブートストラップ回路を用いたＤＣ／ＤＣコンバータの半導体集積回路であって、前記ブートストラップ回路のキャパシタＣ１が接続される第１端子ＢＳと第２端子ＳＷ間を前記キャパシタＣ１に印加される最大電圧より大きい電圧でブレークダウンする標準耐圧とする保護素子３０を設けた。例文帳に追加

The semiconductor integrated circuit of a DC/DC converter using a bootstrap circuit includes a protective element 30 with standard withstand voltage that breaks down if larger voltage than the maximum voltage impressed on the capacitor C1 is impressed between a first terminal BS to which the capacitor C1 of the boot strap circuit is connected and second terminals SW. - 特許庁

凹構造１７の底面のみならず側面にもボディコンタクト層１８を形成することにより、ボディコンタクト層１８とウェル層１２との接触面積が増加し、ボディコンタクト層１８へ注入する不純物の注入量を抑制することができるため、容易にソース電極２０の接続不良を抑制しながら、ブレークダウン耐圧を向上させることができる。例文帳に追加

Since a contact area between a body contact layer 18 and a well layer 12 can be increased to suppress the amount of impurities implanted into the body contact layer 18 by forming the body contact layer 18 not only on a bottom surface but also on side surfaces of a recessed structure 17, the breakdown withstand voltage can be increased while readily suppressing the connection failure of the source electrode 20. - 特許庁

このブレークダウンにより発生するキャリアはｎ^+型ソース領域６、７の下方を流れないようにできるため、サージ発生時にｎ^+型ソース領域６、７とｐ型ベース領域３およびｎ型ドリフト層２とにより構成される寄生トランジスタが動作せず、耐量を向上させることが可能となる。例文帳に追加

Carriers generated by the breakdown can be made not to flow below n^+-type source regions 6 and 7, so when a surge is generated, a parasitic transistor comprising the n^+-type source regions 6 and 7, the p-type base region 3, and the n-type drift layer 2 does not operate, so that the resistance can be improved. - 特許庁

弾性層を有するため表面層を薄くせざるをえない中間転写ベルトを持つ画像形成装置において、中間転写ベルトの高圧による抵抗低下現象（ブレークダウン）がある時にも、高温高湿環境下でのサラシ紙の通紙で発生する大きな転写不良や部分的な転写ムラを防止することを可能とする。例文帳に追加

To prevent the occurrences of large defective transfer and partial transfer unevenness at the time of feeding bleached paper under the environments of high temperature and high humidity even when the phenomenon of deteriorated resistance (break-down) due to the high pressure of an intermediate transfer belt is caused in an image forming apparatus having the intermediate transfer belt whose surface layer must be thin so as to possess an elastic layer. - 特許庁

３００Ｖのブレークダウン電圧定格を有するデバイスに対し、ダイは、１０ｍオームｃｍ未満の基板抵抗率、厚さが約８μｍで、０.０５〜０.１オームｃｍの範囲の抵抗率を有するバッファ層と、３１〜３７μｍの厚さ、および１４〜１８オームｃｍの範囲の抵抗率を有する、接合部パターンおよびトレンチを支持するためのエピタキシャル層とを有する。例文帳に追加

For a device having 300 V breakdown voltage rating, the die has a buffer layer with substrate specific resistance of less than 10 mΩ cm, thickness of about 8 μm, and specific resistance of 0.05 to 0.1 Ω cm; and epitaxial layer to support a joint pattern and trench, with thickness of 31 to 37 μm and specific resistance of 14 to 18 Ω cm. - 特許庁

入出力パッドＩ／Ｏに接地端子ＧＮＤに対して正極性の静電サージが印加されると、入出力パッドＩ／ＯからＰ^＋拡散層ＰＤ１−ＮウェルＮＷ１の順方向ダイオードを経由してＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭＯＳのブレークダウン電流Ｉｔｒｉｇが流れる。例文帳に追加

When an electrostatic surge with a positive polarity based upon a ground terminal GND is applied to an input/output pad I/O, a breakdown current Itrig of an n channel MOS transistor NMOS flows from the input/output pad I/O through a p^+ diffusion layer PD1 and a forward diode of an n-well NW1. - 特許庁

ツェナーダイオード２８に印加される電圧がブレークダウン電圧を超えた場合には、該ツェナーダイオード２８がオン状態となるので、増幅回路２０の増幅率Ａ２（第２の増幅率）は第１、第２の帰還抵抗２２、２４の抵抗値Ｒ１、Ｒ２の合成抵抗値Ｒ１２によって決定される。例文帳に追加

Since the Zener diode 28 is conductive when a voltage applied to the Zener diode 28 exceeds a breakdown voltage of the Zener diode 28, an amplification factor A2 (second amplification factor) of the amplifier circuit 20 is decided depending on a combined resistance R12 of a resistance value R1 of the first feedback resistor 24 and the resistance value R2 of a second feedback resistor 26. - 特許庁

ユーザ処理要求入力手段５がユーザからの処理要求を受付け、この処理要求を満足するサービスをサービス検索手段６がネットワーク上から検索し、ワークプロセス実行制御手段７が処理要求に対してサービス検索手段６を用いて順次ブレークダウンしながらサービスを受けて行く。例文帳に追加

A user processing request inputting means 5 accepts a processing request from a user, and a service retrieving means 6 retrieves the services fulfilling the processing request from the network, and a work process execution controlling means 7 receives the services while successively breaking them down by using the service retrieving means 6 in response to the processing request. - 特許庁

電源端子にコレクタとエミッタが接続された静電保護回路では、過大な電源電圧が印加されると、ブレークダウンによるベース電流の増加とコレクタ電流の増加が正帰還を起こし、コレクタ電流が大幅に増加してトランジスタを焼損してしまうという課題を解決する。例文帳に追加

To solve a problem that in an electrostatic protective circuit in which a collector and an emitter are connected to a power supply terminal, if an excessive power supply voltage is applied, the increase of a base current and the increase of a collector current because of breakdown cause positive feedback, resulting in the burnout of a transistor by the large extent increase of the collector current. - 特許庁

有機性廃棄物を炭化炉２２にて処理して炭化物を得る工程と、レーザ誘起ブレークダウン法による分析装置４で、該炭化物の炭素含有量をオンサイトで分析する工程と、該分析工程における炭素含有量に応じて該炭化物を分類する工程とを含んでなる炭化物の品質管理方法を提供する。例文帳に追加

The quality control method of the carbonized product comprises a step to treat an organic waste in a carbonization furnace 22 to obtain the carbonized product, a step to analyze the carbon content of the carbonized product on site by an analyzer 4 by a laser-induced break-down method and a step to classify the carbonized product by the carbon content measured by the analyzing step. - 特許庁

半導体基板上に接合領域を有するトランジスタを形成し、接合領域上にコンタクトプラグを形成する前にプラグイオン注入工程で熱に対する拡散性(diffusivity)が小さな砒素(As)を接合領域に注入し、オーミックコンタクトを形成することにより、浅い接合(Shallowjunction)を形成すると共に高いブレークダウン電圧の特性、低い漏洩電流特性及び優れたオーミックコンタクト特性を得ることができる。例文帳に追加

A transistor having a junction region is formed on a semiconductor substrate, and before forming a contact plug on the junction region, arsenic (As) with the small diffusivity of heat is implanted into the junction region in a plug ion implantation process and ohmic contact is formed to form a shallow junction. - 特許庁