| 例文 (510件) |
ボイド形成の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 510件
モールド部１２ａには、ボイド１４が形成され、このボイド１４にて部分放電（ＰＤ）が発生する。例文帳に追加
The mold section 12a is formed with a void 14, where a partial discharge (PD) occurs. - 特許庁
コンフォーマルな窒化ケイ素層を、基板の上に、またボイド中に形成する。例文帳に追加
A conformal silicon nitride layer is formed on the substrate and in the voids. - 特許庁
ボイドとヒロックの発生の双方を抑制してＣｕ配線を形成する。例文帳に追加
To form Cu wiring while suppressing generation of both voids and hillocks. - 特許庁
それで、層間絶縁膜の形成時にボイドの発生を防止する。例文帳に追加
Generation of voids is prevented in formation of the layer insulating film in this way. - 特許庁
ボイド窒化物半導体層の上に素子形成用窒化物半導体層を形成する。例文帳に追加
On the void nitride semiconductor layer, a nitride semiconductor layer for forming an element is formed. - 特許庁
ボイド管１７は、長さ方向で、ボイド管の外径と同程度の間隔で、縮径部１９を形成し、両端をキャップ２０で塞いである。例文帳に追加
The void pipe 17 forms the contracting diameter sections 19 at an interval having the same distance as that of an outside diameter of the void pipe in the longitudinal direction, and both ends are closed with a cap 20. - 特許庁
半導体ペレットと液状樹脂の接触界面に形成されるボイドを分断し微細化する。例文帳に追加
The void formed at the contact boundary of the semiconductor pellet and the liquid resin is parted and refined. - 特許庁
ボイド形成を抑制する半導体チップ及びこれを備えた半導体パッケージ例文帳に追加
SEMICONDUCTOR CHIP SUPPRESSING VOID FORMATION, AND SEMICONDUCTOR PACKAGE EQUIPPED WITH THE SEMICONDUCTOR CHIP - 特許庁
ルテニウムから成る下部電極１１は例えば形成時のボイドに起因する開口を有している。例文帳に追加
The lower electrode 11 made of ruthenium has an opening caused by voids that are generated during formation of the electrode for example. - 特許庁
犠牲膜を含んだ出発基板上にボイド窒化物半導体層を形成する。例文帳に追加
On the starting substrate including the sacrificial film, a void nitride semiconductor layer is formed. - 特許庁
ボイドが無く表面平坦性に優れたＳｉＧｅ膜を高誘電体膜上に形成する。例文帳に追加
To form an SiGe film having no void and excellent in surface flatness on a high dielectric film. - 特許庁
基板上に多孔性のボイド窒化物半導体層を少なくとも１層形成する。例文帳に追加
The method for manufacturing a nitride semiconductor light emitting element forms at least a porous void nitride semiconductor layer 4 on a substrate. - 特許庁
ボイド等の欠陥発生を防止可能な樹脂を用いたレンズ形成方法を提供する。例文帳に追加
To provide a lens forming method using resin that prevents the occurrence of defects such as a void. - 特許庁
これによって、はんだ層に形成されるボイドを積極的に低減させることができる。例文帳に追加
In this way, the void formed in the solder layer can positively be reduced. - 特許庁
融液で、基板１のイオン注入面を加圧しながら、基板１を加熱して、ボイド１５を形成する。例文帳に追加
The substrate 1 is heated to form the voids 15 while an ion implantation surface is pressurized by the aqueous solution. - 特許庁
注入された接着剤に、基板内部に残留するガスによるボイドが形成されることを防止する。例文帳に追加
To prevent voids caused by gas remaining inside a substrate from being formed in an injected adhesive. - 特許庁
このＮ^+型基板１に形成したボイド３をアライメントマークとして利用することが可能となる。例文帳に追加
The void 3 formed in the n^+-type substrate 1 can be used as the alignment mark. - 特許庁
半導体装置に形成されるはんだバンプ内のボイドの発生を低減する方法の提供。例文帳に追加
To provide a method for reducing the occurrence of a void in a solder bump formed in a semiconductor device. - 特許庁
バルクＦｉｎＦＥＴを形成するＳＴＩ領域中のボイドを提供すること。例文帳に追加
To provide voids in an STI region for forming a bulk FinFET. - 特許庁
それにより、ダイ１１とダイパッド１２との間にボイドが形成されるのは回避される。例文帳に追加
Thereby, void formation between the die 11 and the die pad 12 is avoided. - 特許庁
ＢＰＴＥＯＳ膜１６によって埋込まれた開口部３ａ内にボイド２１が形成されている。例文帳に追加
Voids 21 are formed in the openings 3a embedded with the BPTEOS film 16. - 特許庁
又、ボイド本体１を熱膨張性部材で形成することにより防火措置具兼用となる。例文帳に追加
The void body 1 is formed of a thermally expansive member, and can also be used in common as a fireproof measure tool. - 特許庁
ピンホールやボイドのない均一なＴｉ-Ｎｉ合金膜を形成する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for forming a uniform Ti-Ni alloy film having no pinholes and voids. - 特許庁
接続体と電気伝導線路間の境界性面にボイドが形成される可能性を減らす。例文帳に追加
To decrease possibility that voids are formed in an interface between a connector and an electric line. - 特許庁
スルーホール等の凹部において、ボイドフリーな膜を形成することを目的とする。例文帳に追加
To form a void-free film in a recess such as a through-hole. - 特許庁
ボイド形成半結晶性ポリマー集積光学ディフューザフィルムは、表面ビーズを有する。例文帳に追加
A voided semi-crystalline polymeric integrated optical diffuser film is provided with surface beads. - 特許庁
ＢＰＴＥＯＳ膜１６によって埋込まれた開口部３ａ内にボイド２０が形成されている。例文帳に追加
A void 20 is formed in the inside of the opening 3a which is embedded by the film 16. - 特許庁
封止層中のボイドの形成を防止できる半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device which is prevented from the formation of a void in a sealing layer. - 特許庁
はんだの凝固後、はんだ中で気泡すなわちボイドの形成は抑制されることができる。例文帳に追加
After the solder is solidified, the air bubbles, i.e., voids can be restricted in the solder. - 特許庁
ＳＯＤ法によって形成するシリコン酸化膜に、ボイドが発生することを抑制する。例文帳に追加
To suppress a void from occurring in a silicon oxide film formed in a spin on dielectric (SOD) method. - 特許庁
微小なスペースをボイド無く埋め込むことができるシリカ系被膜形成用塗布液を提供する。例文帳に追加
To provide a silica base film-forming coating liquid which can fill a micro space with no generated void. - 特許庁
埋込配線形成時においてプラグと配線溝との接続部で微小なボイドの発生を抑制する。例文帳に追加
To suppress minute voids produced in the connection parts between plugs and wiring grooves. - 特許庁
ボイド化ポリエステル重合体の少なくとも１つの層及び非ボイド化ポリエステル重合体を含む少なくとも１つの層を有する重合体シートを含んでなる画像形成部材であって、前記画像形成部材は、透過率が４０〜６０％であり、さらに色味剤を含有し、そして前記非ボイド化層の厚みが前記ボイド化層の少なくとも２倍の厚みである画像形成部材。例文帳に追加
The image forming material includes at least one layer of voided polyester polymer and at least one layer containing non-voided polyester polymer, and the image forming material has a permeability of 40-60%, furthermore, it contains a coloring agent, so that the image forming material is formed having a thickness of the non-voided layer being at least twice as thick as the voided layer. - 特許庁
スライダー胴体層４３にパッドを形成するためのボイドを有するフォトレジスト層４１を形成し、ボイドの部分に接着層４４を垂直方向に蒸着する。例文帳に追加
A photoresist layer 41 having void for forming a pad is formed on a slider body layer 43, and an adhesive layer 44 is deposited at a void part vertically. - 特許庁
はんだ１３内に形成されたボイド１４がはんだ１３外に放出されるので、ボイド１４が残ったまま電子部品実装品が形成されることがなくなる。例文帳に追加
Since a void 14 formed in a solder 13 is discharged outside the solder 13, no article with any electronic components mounted thereon is formed while the void 14 is left behind. - 特許庁
第１の層１１に形成されたボイドＳを有し、ウェットエッチングにより形成されてなり前記基板側を向くように傾斜した第１の層の端面１１ａが、ボイドＳ内に露出している。例文帳に追加
It includes a void S formed in the first layer 11, and an end surface 11a in the first layer 11 formed with wet-etching and slanted so as to direct to the substrate side is exposed inside the void S. - 特許庁
ボイドの発生を防止したトレンチ分離膜が形成でき、ボイドが要因とされる絶縁分離特性、特に絶縁分離耐圧が高く、かつその一方でトレンチ開口幅が小さいトレンチ分離膜が形成できる。例文帳に追加
A trench isolation film where voids are prevented from being generated can be formed and enhanced in insulation isolation characteristics, especially in insulation isolation withstand voltage, and on the other hand, a trench isolation film where a trench opening is small in width can be formed. - 特許庁
このボイド窒化物半導体層の上に少なくとも１層の発光素子形成用窒化物半導体層を形成する。例文帳に追加
On this void nitride semiconductor layer 4, at least a light emitting element forming nitride semiconductor layer. - 特許庁
これらのボイドは、誘電体材料をトレンチ内に形成した後、ウエット洗浄プロセス中に形成されることがある。例文帳に追加
In the method for forming the shallow trench separating structure 84, those voids are formed in a wet cleaning process after forming the dielectric material 56 in the trench. - 特許庁
画像形成層と、真珠光沢顔料と、ボイドを含む少なくとも１つの層とを含んで成る画像形成要素。例文帳に追加
The imaging element comprises an imaging layer, a nacreous pigment and at least one layer comprising voids. - 特許庁
突条部１６の形成は、ボイドの形成を助長することはなく、低コストのプレス加工などで行うことができる。例文帳に追加
The formation of the rib 16 will not accelerate the formation of voids, and it can be performed by press work at a low cost. - 特許庁
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