「劈開表面」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ウエハ表面を保護しつつ、脆く割れ易いウエハであっても、正確に劈開できるように、ウエハ劈開用のけがき線を形成する装置を提供する。例文帳に追加

To provide a device for forming a marking-off line for cleaving a wafer so as to accurately cleaving even a brittle wafer while protecting the wafer front surface. - 特許庁

劈開に寄与することなく、脆化領域から半導体基板の表面側に拡散する水素に着眼した。例文帳に追加

Hydrogen is focused which diffuses from an embrittled region to a surface side of a semiconductor substrate without contributing to cleavage. - 特許庁

半導体素子２は、側面に劈開面３を有しており、表面には２次元コード６が形成されている。例文帳に追加

The semiconductor element 2 has a cleavage surface 3 on a side surface, and also has the two-dimensional code 6 formed on the surface. - 特許庁

別の実施形態において、注入されたレイヤと組み合わされる表面加熱源は、劈開進行を通して破断伝搬を導くようにはたらく。例文帳に追加

According to other embodiments, a surface heating source in combination with an implanted layer serves to guide fracture propagation through the cleave sequence. - 特許庁

ＳＯＩなどのウェハ材料の層を劈開する方法において、剥離の際のすり傷を抑制するとともに、その層の表面粗さを均質にする。例文帳に追加

To suppress scratches at the time of peeling and to uniformize the surface roughness of a layer in a method of cleaving the layer of a wafer material such as SOI. - 特許庁

本発明は、最も劈開しやすい面が振動膜表面に現れてなす直線の方向と、キャビティパターンを構成する直線の方向とを一致させないように接合することで、振動膜の劈開の発生を低減する変換素子を提案する。例文帳に追加

This invention provides the conversion element reducing occurrence of the cleavage of the vibration film by jointing the vibration film to prevent the direction of a straight line formed by making a surface most readily cloven appear on a surface of the vibration film from coinciding with the direction of a straight line constituting a cavity pattern. - 特許庁

材料膜は、表面領域と表面領域の下の所定の深さに配置される劈開領域とを有する半導体基板を用意することにより形成されうる。例文帳に追加

A film of material can be formed by providing a semiconductor substrate having a surface region and a cleave region located at a predetermined depth beneath the surface region. - 特許庁

半導体素子１２が形成されたウェーハ１１の表面１１Ａに劈開の起点となる切り欠き１５を入れ、前記ウェーハの素子形成面側に表面保護テープ１７を貼り付ける。例文帳に追加

A notch 15 as the starting point of a cleavage is formed on the surface 11A of a wafer 11 formed with a semiconductor element 12, and a surface protecting tape 17 is stuck to the element-forming face side of the wafer. - 特許庁

劈開領域内に複数のゲッタリングサイト領域を形成するために線形加速器を用いて生成され第１の注入角度で提供される第１の複数の高エネルギー粒子に半導体基板の表面領域をさらすことを含み、劈開領域は分離される材料の層を画定するよう表面領域の下に設けられ、半導体基板は第１の温度に維持される。例文帳に追加

The method includes subjecting a surface region of a semiconductor substrate to first multiple high energy particles generated using a linear accelerator and provided at a first implant angle to form a region of multiple gettering sites within a cleave region, the cleave region being provided beneath the surface region to define a material layer to be detached, and the semiconductor substrate being maintained at a first temperature. - 特許庁

雲母薄片が効率よく表面側に現われ、その劈開平面がほぼ装飾材の表面に沿った形で存在し鱗片状の光輝性が十分に発揮される天然石調模様を有する建築物又は構築物用表面装飾材及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a surface decorative material with natural stone type patterns for a building or a structure and its manufacturing method efficiently showing mica thin pieces on the surface side, having its cleavage almost along the surface of the decorative material, and fully exhibiting its scaly brightness. - 特許庁

表面を劈開又は研磨することにより修飾した基板上に、環状構造又は双子型環状構造のいずれかの構造を有するポリシラン溶液を滴下する。例文帳に追加

A solution of the polysilane having either structure of the cyclic structure or the twin-shaped cyclic structure is dropped on a substrate modified by cleaving or grinding the surface. - 特許庁

表面を劈開又は研磨することにより修飾した基板上に、環状構造又は双子型環状構造のいずれかの構造を有するポリフルオレン溶液を滴下する。例文帳に追加

A solution of the polyfluorene having either structure of the cyclic structure or the twin-shaped cyclic structure is dropped on a substrate modified by cleaving or grinding the surface. - 特許庁

その後は、個別素子８０の表面に対して加工が施されず、加工領域２４が形成されたスクライブライン７に沿って応力が加えられ、加工領域２４から亀裂を発生させて劈開が行なわれる。例文帳に追加

After that, any processing isn't given to a front surface of the discrete element 80, but a stress is applied along the scribe line 7 in which the processing region 24 is formed, and cracks are generated from the processing region 24 to perform the cleavage. - 特許庁

貫通転位密度が小さく、かつ基板表面においても転位の束が存在せず、劈開面の乱れを起こさないＧａＮ基板の製造方法およびＧａＮ基板を提供する。例文帳に追加

To provide a process of producing a GaN substrate which has a low threading dislocation density and in the surface of which no dislocation bundle exists and in which no disturbance of the cleavage face is caused. - 特許庁

ＧａＮｌ系基板２５０上にＬＤ構造２５１が構成されるとき、ＬＤ構造２５１の表面上からダイヤモンド刃で罫書きされて、劈開導入溝２５２が設けられる。例文帳に追加

When an LD structure 251 is composed on a GaNl-based substrate 250, lines are made with a diamond blade from the surface of the LD structure 251, and a cleavage guide groove 252 is provided. - 特許庁

（ａ）下記式（１）で表される劈開性パラメーターＣが２以上であることを特徴とする薄片状シリカ、および（ｂ）含フッ素化合物で表面処理して得られる粉体を化粧料に含有する。例文帳に追加

The cosmetic comprises particles obtained by surface treating with (a) the cleavable flaky silica with ≥2 of cleavability parameter C represented by following formula (1), and (b) the fluorine containing compound. - 特許庁

ＧａＮｌ系基板２５０上にＬＤ構造２５１が構成されるとき、ＬＤ構造２５１の表面上からダイヤモンド刃で罫書きされて、劈開導入溝２５２が設けられる。例文帳に追加

When an LD structure 251 is constituted on a GaN-based substrate 250, cleavage introduction grooves 252 are formed by being scribed by a diamond-edge blade from the surface of the LD structure 251. - 特許庁

劈開形成する加工工程の前の工程で、ウェハ１の片面３に、オモテ面とウラ面との表面粗さを異ならせる粗面化処理７を施した構造とする。例文帳に追加

The rough-surface finish 7 is processed in one side 3 of the wafer 1 with different roughness in the front surface from that in the back surface, at a previous process of the cleavage process. - 特許庁

ウェハ表面の凹凸に拘わらず一定長さと深さのスクライブラインを刻め、ウェハから個々のチップを高精度かつ高歩留まりで能率良く劈開分割できるスクライブ装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for scribing on the surface of a wafer at a constant length and depth regardless of irregularities in order to cleave the wafer efficiently into individual chips with high accuracy and high yield. - 特許庁

リッジストライプ１１０の両脇に、ウェハ表面より掘り込まれたトレンチ１１５を形成することにより、劈開時において、共振器端面の活性層１０５付近で生じる段差がリッジストライプ１１０にまで延びることを防ぐことができる。例文帳に追加

By forming a trench 115 trenched from a wafer surface at both sides of a ridge stripe 110, the level difference generated in the vicinity of an active layer 105 on the end face of a resonator can be prevented from reaching the ridge stripe 110 at cleaving. - 特許庁

母型１の側面に樹脂層Ｐが形成されており、しかも母型１の軸線に沿って脱型が行われるため、母型１のワレや劈開が生じず、従って母型の薬品溶解を必要とせず、金型素材４の転写光学面に、母型１の表面を精度良く転写することが可能となる。例文帳に追加

A resin layer P is formed on the side face of a matrix 1, and further, release is performed along the axis of the matrix 1, so that the surface of the matrix 1 can be highly accurately transferred to the transfer optical face of a die stock 4 without causing cracks and cleavage in the matrix 1 and thus without requiring the dissolution of the matrix with a chemical. - 特許庁

板状の半導体基板の表面側に切断治具であるブレードの先端を接触させることにより、半導体基板の主面に凹部を形成しつつ、凹部の底から半導体基板の深さ方向の一部に劈開を発生させる。例文帳に追加

Cleavages are generated at a mid-depth in the depth direction of the semiconductor substrate from the bottom of the concave portion while forming recesses on the main surface of the semiconductor substrate by contacting the leading edge of a blade serving as a cutting jig with the upper side of the plate-like semiconductor substrate. - 特許庁

線形加速器を用いて生成された第２の複数の高エネルギー粒子に第２の角度で半導体基板の表面領域をさらすことを含み、第２の複数の高エネルギー粒子は第１の応力レベルから第２の応力レベルに劈開領域の応力レベルを上昇させるようにする。例文帳に追加

The method includes subjecting the surface region of the semiconductor substrate to second multiple high energy particles generated using the linear accelerator and provided at a second angle, the second multiple high energy particles being provided to increase a stress level of the cleave region from a first stress level to a second stress level. - 特許庁

劈開性を有する薄片状シリカおよび含フッ素化合物で表面処理して得られる粉体を化粧料に含有することにより、肌に密着し、テカリだけでなく、よれ、とれ等の化粧崩れを防止する事ができ、化粧持ちに優れた化粧料を提供する。例文帳に追加

To provide a cosmetic sticking to skin, preventing smear not only glitter but also aggregation and falling-off or the like, and excellent in make-up durability by containing particles obtained by surface treating with flaky silica having cleavability and a fluorine containing compound in the cosmetic. - 特許庁

基板表面２に、その強さが基板の内部に転位を生じさせる強さであり、またその飛程が基板の深さ方向において結晶欠陥が生じ始める、温度が異なる２つの部分の界面の基板表面２からの深さよりも長い電子ビーム１を照射し、転位を起点としたクラックを発生させて劈開面５を形成し、基板を分割する。例文帳に追加

A substrate surface 2 is irradiated with an electron beam 1 and has intensity for generating dislocation inside the substrate, and a range that is longer than the depth from the substrate surface 2 at the interface of two parts having different temperatures, in which a crystal defect begins to be generated in the depthwise direction of the substrate; and cracks with dislocation as a starting point are generated and form a cleavage plane 5, and the substrate is divided. - 特許庁

窒化物系半導体レーザ素子１０は、窒化物半導体基板１０１の主面が（１−１００）面であり、共振器端面は、主面に直交し、共振器端面を構成する劈開面において、ストライプ状導波路の少なくとも片側の脇に、窒化物半導体層表面に向けて開口した掘り込み領域である掘り込み部１１５を備える構成とする。例文帳に追加

A nitride semiconductor laser element 10 is constituted so that the main surface of the nitride semiconductor substrate 101 is a (1-100) surface, a resonator end surface intersects with the main surface, in a cleavage constituting the resonator end surface, a digging portion 115 which is a digging region opened toward the nitride semiconductor layer surface is formed aside of at least one side of a stripe type waveguide. - 特許庁

窒化物系半導体レーザ素子１００は、窒化物半導体基板１０１の主面が（１１−２０）面であり、共振器端面は、主面に直交し、共振器端面を構成する劈開面において、ストライプ状導波路の少なくとも片側の脇に、窒化物半導体層表面に向けて開口した掘り込み領域である掘り込み部１１４を備える構成とする。例文帳に追加

The nitride system semiconductor laser element 100 comprises: the nitride semiconductor substrate 101 having a main surface of (11-20) surface; a resonator end surface orthogonal to the main surface; and an excavating part 114 as an excavating region for opening to the surface of the nitride semiconductor layer at least at one side of a stripe-shaped waveguide on a cleaving surface comprising the resonator end surface. - 特許庁