「基板温度」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

温度変化に伴う基板の位置変位に対して、基板上の任意の位置における位置変位を補正する。例文帳に追加

To correct displacement with a change in temperature at an optional position on a substrate. - 特許庁

本実施形態では、ガラス基板（２１０）の基板の歪み点温度は、約５００℃である。例文帳に追加

In the present embodiment, the temperature of a distortion point of the glass substrate (210) is approximately 500°C. - 特許庁

基板に加熱を伴う処理を行う熱処理装置において、基板の温度均一性を向上する。例文帳に追加

To improve the uniformity of temperature in a heat treatment device for heating a substrate. - 特許庁

温度高安定薄膜構造弾性表面波基板とその基板を用いた弾性表面波機能素子例文帳に追加

SURFACE ACOUSTIC WAVE SUBSTRATE HAVING TEMPERATURE HIGHLY STABLE DIAPHRAGM STRUCTURE AND SURFACE ACOUSTIC WAVE FUNCTION ELEMENT USING THE SUBSTRATE - 特許庁

棒状ガラス基板２１として、その屈折率ｎが基板温度で変化し易いものを用いる。例文帳に追加

The rod type glass substrate 21 whose refractive index is easily varied by the substrate temperature is used. - 特許庁

熱電変換モジュール５０は、上部基板および下部基板の間の温度差により発電する。例文帳に追加

The thermoelectric conversion module 50 generates power due to a temperature difference between the upper substrate and the lower substrate. - 特許庁

基板の温度上昇を抑えることができる基板の冷却構造を提供する。例文帳に追加

To provide a cooling structure for a substrate, which inhibits the temperature rise of the substrate. - 特許庁

基板の温度を精密かつ均一に制御することができる基板保持装置の実現。例文帳に追加

To provide a substrate holding apparatus capable of precisely and uniformly controlling the temperature of the substrate. - 特許庁

また、前記基板を加熱する工程では、基板の温度を２５０℃以上３００℃以下とすることが望ましい。例文帳に追加

Furthermore, the temperature of the substrate is preferably 250-300°C in the process for heating the substrate. - 特許庁

前記基板を加熱する工程では、基板の温度を２２０℃以上３００℃以下とすることが望ましい。例文帳に追加

A temperature of the substrate is preferably 220-300°C in the process for heating the substrate. - 特許庁

均熱リング４０は、基板Ｗの周縁部に接し、基板Ｗの温度を均一化する。例文帳に追加

A soaking ring 40 is brought into contact with a peripheral edge of the substrate W to uniformize the temperature of the substrate W. - 特許庁

基板温度変化による基板倍率変動を監視する露光装置および露光方法例文帳に追加

SYSTEM AND METHOD FOR EXPOSURE CAPABLE OF MONITORING SCALE FACTOR FLUCTUATION OF SUBSTRATE CAUSED BY TEMPERATURE CHANGE OF THE SUBSTRATE - 特許庁

被処理基板の昇温速度を向上し、成膜時の被処理基板温度を均一化する。例文帳に追加

To improve a heat-up speed for a substrate to be treated, and to uniformize the temperature in the substrate to be treated when forming a film. - 特許庁

粉塵の発生を防止して、基板温度の均一化を図ることができる基板保持装置を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate support unit capable of preventing powder dust from being produced of uniformizing the temperature of a substrate. - 特許庁

支持基板には、支持基板の歪み点以下の温度でブロッキング層を形成する。例文帳に追加

A blocking layer is formed on the support substrate at a temperature not more than the strain point of the support substrate. - 特許庁

基板の温度上昇をより効果的に抑制可能な基板保持装置を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate holder which can suppress temperature rise of a substrate more effectively. - 特許庁

基板は第１の加熱手段６８により加熱され、基板の温度をコントローラ５０が制御する。例文帳に追加

The substrate is heated by a first heating means 68, and the temperature of the substrate is controlled by a controller 50. - 特許庁

プリント基板のはんだ部の歪または温度の測定方法及びプリント基板例文帳に追加

METHOD FOR MEASURING DISTORTION OR TEMPERATURE AT SOLDER PORTION OF PRINTED BOARD AND PRINTED BOARD - 特許庁

基板の温度分布を効率的に均一化させ，基板の処理むらを防止する。例文帳に追加

To prevent uneven processing of a substrate by effectively equalizing temperature distribution of the substrate. - 特許庁

小さいヒータで基板の表面温度をより均一に加熱できる基板載置台を提供すること。例文帳に追加

To provide a substrate placing stand capable of more uniformly heating the surface of a substrate by a small heater. - 特許庁

基板の温度に加えて、基板の表面熱流束も測定することができるようにする。例文帳に追加

To measure a temperature of a substrate and the surface heat flux of the substrate. - 特許庁

基板ケース内の基板に配設されている電機部品の温度上昇抑制効果を高める。例文帳に追加

To raise the effect of restraining the temperature of electrical parts arranged on a board in a board case from increasing. - 特許庁

熱処理温度の調整方法、基板熱処理方法、及び基板熱処理装置例文帳に追加

METHOD FOR CONTROLLING TEMPERATURE OF THERMAL PROCESS, METHOD OF THERMAL PROCESS OF SUBSTRATE AND DEVICE OF THERMAL PROCESS OF SUBSTRATE - 特許庁

基板加熱装置において加熱処理される基板の温度分布を均一化する。例文帳に追加

To provide an apparatus for heating substrates for uniformizing the temperature distribution of a substrate that is subjected to heat processing. - 特許庁

基板保持部ＷＨに保持した基板Ｗを露光処理する露光装置ＥＸにおいて、露光処理に伴って変化する基板保持部ＷＨの温度を求める温度算出部Ｃ１と、基板保持部ＷＨに基板Ｗを載置するに先立って、温度算出部Ｃ１で求められた基板保持部ＷＨの温度に基づいて基板Ｗを温調する基板温調部５０と、を備える。例文帳に追加

The exposure apparatus EX for executing the exposure process to the substrate W held by a substrate holding part WT is provided with a temperature calculator C1 for obtaining temperature of the substrate holder WH which is changing with the exposure process and a substrate temperature adjuster 50 for adjusting temperature of the substrate W on the basis of temperature of the substrate holder WH obtained by the temperature calculator C1. - 特許庁

基板にわたる温度勾配を補償することにより、基板を均一にアニールすることができる。例文帳に追加

By compensating for the temperature gradient across the substrate, the substrate can be annealed uniformly. - 特許庁

基板を支持プレートに配置した後に基板の温度を測定し、測定された温度を基準温度と比較した後、測定された温度が基準温度の範囲内にある場合、基板が正位置に配置されたものと判断し、測定された温度が基準温度の範囲外にある場合、基板が正位置に配置されないものと判断する。例文帳に追加

The substrate is disposed on the supporting plate, then the temperature of the substrate is measured, and the measured temperature is compared with a reference temperature, when the measured temperature is within the reference temperature, it is determined that the substrate is disposed in a correct position, while when the measured temperature is not within the reference temperature, it is determined that the substrate is not disposed at a correct position. - 特許庁

基板をドーピングガスに露出させる間に、基板を第１温度から第２温度まで加熱してＨＳＧシリコン膜にドーパントを追加する。例文帳に追加

While the substrate is exposed to a doping gas, the substrate is heated from a first temperature to a second temperature and the dopant is added to the HSG silicon film. - 特許庁

液晶パネル１の製造時に、対向基板31を、アレイ基板２の被加熱時の最高温度と略等しい温度に加熱する。例文帳に追加

When manufacturing the liquid crystal panel 1, the counter substrate 31 is heated to a temperature nearly equal to the highest temperature of an array substrate 2 during heating. - 特許庁

しかる後、シリコン酸化膜を形成した温度よりも高い温度でシリコン半導体基板１を加熱してリンを半導体基板１に拡散する。例文帳に追加

Then the silicon semiconductor substrate 1 is heated at temperature higher than temperature required for the formation of the silicon oxide film to diffuse phosphorus into the semiconductor substrate 1. - 特許庁

基板とプレートとの間の熱伝達の効率を向上させ、プレートの温度の変化に対して基板の温度を追随させることが目的される。例文帳に追加

To make the temperature of a substrate follow up the temperature of a plate by improving the efficiency of heat transmission between the substrate and plate. - 特許庁

次に、第１の所定温度よりも低い第２の所定温度の下に支持基板２１と封止基板２５との間に封止電圧を印加する。例文帳に追加

Then, the sealing voltage is impressed between the supporting substrate 21 and the sealing substrate 25 under a second prescribed temperature lower than the first prescribed temperature. - 特許庁

抵抗加熱ヒータ３に、基板反り量と相関のある基板保持体２の温度を裏面側から測定する放射温度計Ｓ１〜Ｓ３を設ける。例文帳に追加

The resistive heater 3 is provided with radiation thermometers S1-S3 for measuring the temperature of the substrate holder 2 having correlation with the amount of warp of the substrate from the rear surface side. - 特許庁

動作を伴うシリコン基板や処理中のシリコン基板の温度および温度分布をインラインで計測することができる装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus capable of measuring temperature and temperature distribution in a silicon substrate, accompanying operation and in a silicon substrate being heat-treated in-line. - 特許庁

温度補償リング１１は、基板Ｗの主面の外周を囲むことにより、加熱処理中の基板Ｗの温度補償を行っている。例文帳に追加

A temperature compensating ring 11 compensates the temperature of a substrate W during heat treatment by surrounding the outer periphery of the main surface of the substrate W. - 特許庁

温度センサは当該温度センサが設けられた基板の支持基板よりも液晶側に配置されている。例文帳に追加

The temperature sensor is arranged in the liquid crystal side rather than the support substrate of the substrate providing the temperature sensor. - 特許庁

温度センサは当該温度センサが設けられた基板の支持基板よりも液晶の側に配置されている。例文帳に追加

The temperature sensor is arranged on the liquid crystal side of the substrate arranged with the temperature sensor rather than the support substrate side. - 特許庁

放射温度計を用いての基板温度測定に必要な所定のパラメータを正確に校正することができる校正用基板を提供する。例文帳に追加

To provide a calibration base board capable of accurately calibrating a predetermined parameter necessary for base board temperature measurement using a radiation thermometer. - 特許庁

成膜プロセス中に、基板の迅速な温度変化を実現するとともに、基板の温度分布を制御する。例文帳に追加

To establish quick temperature change of a substrate during film formation processing and control the distribution of temperature of the substrate. - 特許庁

ヘッド本体２７よりインクが吐出されるのに先立ち、基板温度検知手段９により基板２５の温度を測定する。例文帳に追加

Before ink is discharged from a head body 27, a temperature of a substrate 25 is measured by a substrate temperature detection means 9. - 特許庁

引き続き、基板温度が例えば９００℃と所定の到達温度となるまで、シリコン基板１０１の加熱を続ける。例文帳に追加

Heating of the silicon substrate 101 is continued until the substrate reaches a prescribed temperature, e.g. 900°C. - 特許庁

放射温度計に対して基板保持体２を回転自在に設けて、基板保持体２の周方向の温度情報が得られるように構成する。例文帳に追加

The substrate holder 2 is disposed rotatably with respect to the radiation thermometers so that temperature information in the circumferential direction of the substrate holder 2 can be obtained. - 特許庁

被検査基板の温度を所定の温度にする時間を短縮することができる基板保持台を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate holding table capable of shortening the temperature rising time of the substrate to be inspected to the prescribed temperature. - 特許庁

その結果、基板２の温度分布のばらつきが所定の範囲内に制御されて、基板２の温度分布が略均一に調整される。例文帳に追加

As a result, variance of the temperature distribution of the substrate 2 is controlled within a predetermined range, and the temperature distribution of the substrate 2 is adjusted in a substantially uniform manner. - 特許庁

基板の温度が所定の温度に達するまでの間に、基板の静電吸着を所定の間隔で解除する。例文帳に追加

The electrostatic attraction of the substrate is released with a predetermined interval until the temperature of the substrate reaches to a predetermined temperature. - 特許庁