「基板温度」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

熱処理温度は、ｐ型シリコン基板の層抵抗値から測定される。例文帳に追加

The heat treatment temperature is measured from the layer resistance value of the p-type silicon substrate. - 特許庁

真空成膜装置での基板温度測定方法、及び真空成膜装置例文帳に追加

METHOD FOR MEASURING SUBSTRATE TEMPERATURE BY VACUUM FILM DEPOSITION SYSTEM AND VACUUM FILM DEPOSITION SYSTEM - 特許庁

基板処理装置の処理室内構成部材及びその温度測定方法例文帳に追加

STRUCTURAL MEMBER IN PROCESSING CHAMBER OF SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND TEMPERATURE MEASURING METHOD THEREFOR - 特許庁

各種の目標温度に対して常に高精度に基板を加熱処理する。例文帳に追加

To heat-treat a substrate with high accuracy to a variety of target temperatures at all times. - 特許庁

プレスパイクおよびポストスパイク温度制御をともなう基板の熱処理例文帳に追加

THERMAL PROCESSING OF SUBSTRATE WITH PRE- AND POST-SPIKE TEMPERATURE CONTROL - 特許庁

Δｔ≦３５０×ＥＸＰ（−０．００４×Ｔ） 但し、Ｔは基板の温度例文帳に追加

Formula (1): Δt≤350×EXP(-0.004×T), where T is the temperature of the substrate 1. - 特許庁

アモルファスシリコン膜は、約５００℃以下の基板温度で堆積される。例文帳に追加

The amorphous silicon film is deposited at a substrate temperature of approximately 50°C or less. - 特許庁

測温抵抗体２の膜を基板１上に設けて温度計１０とする。例文帳に追加

A thermometer 10 is made by placing a film of the thermometric resistor 2 on a substrate 1. - 特許庁

プロキシミティ露光装置において、基板の温度制御を効果的に行う。例文帳に追加

To efficiently control temperature of a substrate in a proximity exposure apparatus. - 特許庁

気相成長装置において、基板面内の温度差を低減する。例文帳に追加

To reduce a difference in temperature in a substrate surface in a vapor phase growth device. - 特許庁

これにより、シャッターを開いても基板温度の変動を抑制できる。例文帳に追加

Thus, even when the shutter is opened, any variation of the substrate temperature can be suppressed. - 特許庁

この加熱処理は、基板表面温度で８０〜２３０℃の範囲で行う。例文帳に追加

The heating process is performed at a board surface temperature of 80-230°C. - 特許庁

処理前加熱装置の基板加熱面の温度分布を測定する（Ｓ１０７）。例文帳に追加

Temperature distribution on the substrate heating face of the heater is measured before treatment (S107). - 特許庁

基板の表面温度を調整／制御するための加熱装置が提供される。例文帳に追加

The heating apparatus for regulating/controlling the surface temperature of a substrate is provided. - 特許庁

MOCVD法で基板上に600℃以下の温度で成膜することができる。例文帳に追加

The film of the above material can be formed on a substrate by the MOCVD method at ≤600°C. - 特許庁

基板支持台内部の温度勾配を減少させる方法及び装置例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR DECREASING TEMPERATURE SLOPE INSIDE SUBSTRATE SUPPORT BASE - 特許庁

温度均一性を、さらに向上できる基板載置機構を提供すること。例文帳に追加

To provide a substrate mounting mechanism capable of additionally improving temperature uniformity. - 特許庁

基板の温度を均一に保ちながらより高速に昇温する。例文帳に追加

To raise the temperature of a substrate at high speed, while the temperature of a substrate is maintaining uniformly. - 特許庁

基板の温度を制御することができるリソグラフィ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a lithographic apparatus capable of controlling a substrate temperature. - 特許庁

基板処理温度が電子ヒータの加熱限界温度を越える場合においても処理液を所定の基板処理温度に加熱することができ、また処理液を速やかに基板処理温度に昇温することができる基板処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate treatment apparatus, wherein even if the substrate treatment temperature exceeds the heating limiting temperature of electronic heaters, a treating liquid can be heated until a prescribed substrate treatment temperature and the treating liquid can be rapidly heated up to the substrate treatment temperature. - 特許庁

発熱抵抗体を備えた絶縁基板における温度検出素子例文帳に追加

TEMPERATURE SENSING ELEMENT ON INSULATING SUBSTRATE EQUIPPED WITH HEATING RESISTOR - 特許庁

基板の温度を正確に制御できる搬送装置等を提供すること。例文帳に追加

To provide a transfer system or the like by which temperatures of substrates are accurately controlled. - 特許庁

インクジェットヘッドの基板温度の測定精度を向上させること。例文帳に追加

To increase the measurement accuracy for the board temperature of an inkjet head. - 特許庁

基板温度データの演算方法および気相成長装置例文帳に追加

METHOD FOR CALCULATING SUBSTRATE TEMPERATURE DATA AND VAPOR PHASE GROWTH APPARATUS - 特許庁

基板の温度は、各パルスの間の非加熱待機時間中に測定される。例文帳に追加

The temperature of the substrate is measured during non-heated waiting times between pulses. - 特許庁

熱処理装置において基板の温度均一性を向上する。例文帳に追加

To improve temperature uniformity of a substrate in a thermal processing apparatus. - 特許庁

多層可撓性基板の温度上昇による弊害を低減する。例文帳に追加

To reduce the damages caused by the temperature rise in a multilayer flexible substrate. - 特許庁

半導体特にシリコン基板の温度を非接触で測定する。例文帳に追加

To make a non-contact measurement of a semiconductor, specifically, a silicon substrate. - 特許庁

薄膜の膜厚モニタリング方法及び基板温度測定方法例文帳に追加

METHOD FOR MONITORING THIN-FILM THICKNESS AND METHOD FOR MEASURING SUBSTRATE TEMPERATURE - 特許庁

当該温度調節によって、蛍光体５０Ｆは基板３１側に沈降する。例文帳に追加

The fluorescent body 50F precipitates toward the substrate 31 by the temperature control. - 特許庁

基板を載置する上面の局所的な温度分布を低減する。例文帳に追加

To reduce local temperature distribution on a top face with a base board mounted. - 特許庁

基板を低い温度でボンディングする方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for bonding a substrate at a low temperature. - 特許庁

処理システム内で基板を支持する基板ホルダは、第１温度を有する温度制御された支持体基盤、該温度制御された支持体基盤に対向し、かつ基板を支持するように備えられた基板支持体、及び該基板支持体と結合し、かつ前記基板支持体を第１温度よりも高温である第２温度に加熱するように備えられた１以上の加熱素子、を有する。例文帳に追加

The substrate holder for supporting a substrate in a processing system includes: a temperature-controlled support base having a first temperature; a substrate support opposing the temperature-controlled support base and provided to support the substrate; and one or more heating elements coupled to the substrate support and provided to heat the substrate support to a second temperature above the first temperature. - 特許庁

そして、この温度条件が成立した場合であって、基板温度センサ２３による検出温度TMPBORDが、前記所定の時点の検出温度（TMPBORD REF）から第２所定温度（２．５℃）以上変化しない異常を示す条件が成立したとき同基板温度センサが異常であると判定する。例文帳に追加

When this temperature condition and a condition, in which an abnormality that a temperature TMPBORD detected by the substrate temperature sensor 23 does not change more than a second specified temperature (2.5°C) from a temperature (TMPBORD REF) detected at the specified time is shown, are effected, it is judged that the substrate temperature sensor is abnormal. - 特許庁

次に、アニール処理工程では、ガラス基板（２１０）の歪み点温度以下であり、且つ、ガラス基板（２１０）上に形成されるべき半導体層の活性化温度以上の温度であるアニール温度に処理温度が設定された温度条件下で、シリコン酸化膜（２４１ａ）にアニール処理を施す。例文帳に追加

Subsequently, in an annealing treatment process, an annealing treatment is carried out to the silicon oxide film (241a) under the temperature condition that a treatment temperature is set at a temperature of a distortion point of the glass substrate (210) or less, and at an annealing temperature of an activation temperature of a semiconductor layer to be formed on the glass substrate (210) or higher. - 特許庁

基板２５の温度が、インクの温度より低い温度設定範囲内になるように、コントローラ１２によりペルチェ素子群２３を動作させて、基板２５の温度を調節する。例文帳に追加

The temperature of the substrate 25 is adjusted by operating a Peltier element group 23 by a controller 12 to set the temperature of the substrate 25 within a temperature setting range lower than the temperature of the ink. - 特許庁

また、前記電気制御ユニットは、プリント基板の温度を直接検出する基板温度センサ２３と、前記電動モータのコイル温度を推定する温度推定手段とを含んでいる。例文帳に追加

The electric control unit has a board temperature sensor 23 for directly detecting the temperature of a printed board and temperature estimating means for estimating the coil temperature of the electric motor. - 特許庁

ガラス基板の温度を測定する手段５０を有し、バキュームテーブル３１の温度とガラス基板２２の温度との温度差が、予め設定した範囲内になった時に、フォトレジストの塗布を開始すること。例文帳に追加

An apparatus of applying photoresist has a means 50 that measures a temperature of a glass substrate, and starts application of photoresist when a temperature difference between a temperature of a vacuum table 31 and a temperature of a glass substrate 22 is in a preliminarily set range. - 特許庁

リフロー炉内の温度により、基板が反ることを抑制するとともに、リフロー炉内の温度をはんだ溶融温度よりも更に高い温度に上げる必要のない配線基板リフロー用ジグを提供する。例文帳に追加

To provide a jig for wiring substrate reflow which suppresses the warpage of a substrate by a temperature in a reflow furnace and, at the same time, does not need to raise a temperature in the reflow furnace to a temperature still higher than a solder melting temperature. - 特許庁

載置台上の基板の温度よりもこの基板の周囲を囲むように設けられたリング部の温度が５０℃以上高くなるように温度調整機構により温度差を形成した状態にてプラズマ処理を行う構成とする。例文帳に追加

In this structure, the plasma process is performed in a state that a temperature difference is formed by a temperature adjusting mechanism so that the temperature at a ring provided so as to surround the periphery of the board is higher by 50°C or more than the temperature of the board on the mounting tray. - 特許庁

成膜中は温度センサ９で検出される基板温度Ｔ２をフィードバックしてヒータ制御を行い、基板１０の温度を成膜最適温度に保持する。例文帳に追加

During the film deposition, the substrate temperature T2 to be detected by the temperature sensor 9 is fed back to perform the heater control, and the temperature of the substrate 10 is maintained at the optimum film deposition temperature. - 特許庁

温度制御手段１１は、検査中のＴＦＴ基板６の温度状態を、ＴＦＴ基板の実際の駆動時の温度以上の設定温度に制御する。例文帳に追加

The temperature control means 11 controls the temperature condition of the TFT substrate 6 under inspection to be a set temperature that is not lower than the temperature of the TFT substrate, when it is actually operating. - 特許庁

酸化物半導体の膜を形成するに際し、基板を第１の温度以上第２の温度未満に加熱しつつ、基板の、典型的な長さが１ｎｍ乃至１μｍの部分だけ、第２の温度以上の温度に加熱する。例文帳に追加

When forming an oxide semiconductor film, a substrate is heated at a first temperature or more and less than a second temperature, while only a portion of the substrate having a typical length from 1 nm to 1 μm is heated to the second temperature or more. - 特許庁

背面基板の電子放出素子形成領域の加熱温度を電子放出素子の耐熱温度以下とし、背面基板の周辺部の加熱温度をフリットガラスの焼成温度以上に設定する。例文帳に追加

The heating temperature of the electron emission element forming region in the back substrate is set lower than the heat resistant temperature of the electron emission element, and the heating temperature in the peripheral part of the back substrate is set higher than the baking temperature of the frit glass. - 特許庁

循環する媒体による帯電の影響を緩和した、基板の温度を制御する基板温度制御装置と、当該基板温度制御装置を用いた半導体検査装置を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate temperature controller for controlling substrate temperature through mitigation of influence of charging by a circulating medium, and to provide a semiconductor inspection apparatus using the substrate temperature controller. - 特許庁