「基板温度」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体基板を分割し、かつ当該半導体基板から分離した半導体層をガラス基板など耐熱温度が低い基板に接合させることで、ＳＯＩ基板を作製する。例文帳に追加

To manufacture an SOI substrate by dividing a semiconductor substrate and joining a semiconductor layer separated from the semiconductor substrate to a glass substrate with a low heat resistant temperature, and to reproduce the semiconductor substrate after separation. - 特許庁

基板が薄肉化しても基板表面から温接点部が突出することなく、実基板を熱処理する際の温度分布を正確に測定できるようにした基板熱処理炉用の測温基板を提供する。例文帳に追加

To provide a temperature measuring substrate for a substrate heat treatment furnace capable of measuring accurately a temperature distribution when performing heat treatment of an actual substrate without projection of a hot contact part from the substrate surface even if the substrate is thinned. - 特許庁

熱処理炉内への基板の入れ替えに際し、基板と基板支持部材との間の温度差が原因で基板が部分変形して基板の位置ずれを生じる、といったことを防止でき、スループットを低下させることもない装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus which prevents a substrate from being partly deformed to cause a positional deviation because of the temperature difference between the substrate and a substrate support member when the substrate is replaced in a heat treating furnace, and does not deteriorate the throughput. - 特許庁

記録素子基板を配列する記録素子保持基板に各記録素子基板に対応した、あるいは各記録素子基板の境界に対応した加熱ヒーターを設け、各記録素子基板の境界温度差を制御する。例文帳に追加

The difference in temperature between the boundary portions of the recording element substrates is controlled by arranging heaters on a recording element holding substrate having arranged thereon the recording element substrates by corresponding to the respective recording element substrates or the boundary portions thereof. - 特許庁

プリント配線基板上に実装された半導体デバイスの温度を検出する温度センサを半導体デバイスと一体的に形成する。例文帳に追加

A temperature sensor for detecting the temperature of the semiconductor device mounted on the printed wiring board is formed integrally with the semiconductor device. - 特許庁

フォトレジスト２の表面は所定の温度に加熱され、フォトレジスト２が塗布された半導体基板１は所定の温度に冷却される。例文帳に追加

The surface of the photoresist 2 is heated to a predetermined temperature, while the semiconductor substrate 1 coated with the photoresist 2 is cooled to a predetermined temperature. - 特許庁

また、基板（3）上には、温度センサ（16）、ファイバ温度調節回路（14）、通電用電極（8）等を設けることも可能である。例文帳に追加

A temperature sensor (16), a fiber temperature adjusting circuit (14) and conducting electrodes (8), etc., can be provided on the substrate (3). - 特許庁

または、基板上に、非晶質酸化物層を形成する後に、非晶質酸化物層の成膜温度よりも高い温度で熱処理する工程を含む。例文帳に追加

Alternatively, a method comprises a heat treatment process which is performed at temperature higher than film formation temperature of the amorphous oxide layer after forming the amorphous oxide layer on the substrate. - 特許庁

ＰＣＭＯの組成は、基板温度、蒸発器温度、またはその両方を調節することによって、さらに制御される。例文帳に追加

The PCMO composition is controlled by adjusting the substrate temperature, the vaporizer temperature or the both thereof. - 特許庁

また各ゾーンに対応する基板上の所定の代表測定点の温度を測定するために温度計４２ａ、４２ｂ、...が配置される。例文帳に追加

Thermometers 42a, 42b,..., for measuring temperatures of predetermined representative measuring points on the substrate corresponding to the respective zones are disposed. - 特許庁

二次焼成基板を、電極材料を配設する前に、電極層を形成する際の焼成温度以上の温度で加熱処理することを更に含む。例文帳に追加

Further, the method includes heat-treating the secondarily fired substrate at a firing temperature or higher than that in the formation of the electrode layer before arranging the electrode material. - 特許庁

基板は、壁温度、表面温度およびガス圧を含む制御状態の下で、プラズマ無しで、ガス化学にさらされる。例文帳に追加

The substrate is exposed to gaseous chemistry without plasma under control conditions including wall temperature, surface temperature, and gas pressure. - 特許庁

雰囲気１９が提供された後に、ＧａＮ系半導体領域１７の成長温度から基板温度を下げる。例文帳に追加

After providing the atmosphere 19, a substrate temperature is lowered from the growth temperature of the GaN based semiconductor region 17. - 特許庁

金属原料ガスと還元性ガスとの反応は、成膜速度が基板温度に依存する温度領域で行われる。例文帳に追加

Reaction of metal material gas and reducing gas is performed in a temperature region where film forming speed depends on a substrate temperature. - 特許庁

干渉計１１を利用して、基板Ｗの温度を計測することで、試料ｍの正確な温度を知ることができる。例文帳に追加

The temperature of the sample m can precisely be obtained by measuring the temperature of the substrate W using the interferometer 11. - 特許庁

加熱プレートの温度測定方法、基板処理装置及び加熱プレートの温度測定用のコンピュータプログラム例文帳に追加

METHOD FOR MEASURING TEMPERATURE OF HEATING PLATE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND COMPUTER PROGRAM FOR MEASURING TEMPERATURE OF HEATING PLATE - 特許庁

次に、Ａｌの拡散温度よりも低い温度で加熱してガラス膜を形成し、しかる後、Ａｌを半導体基板１に拡散する。例文帳に追加

Subsequently, a glass film is formed by heating it at a temperature lower than the diffusion temperature of Al and Al is diffused to the semiconductor substrate 1. - 特許庁

回路基板の耐熱温度は、従来成型品倒れ防止部材の材質であるABS樹脂の耐熱温度はより高いため、安全性も向上する。例文帳に追加

Since the heat resistance temperature of the circuit board is higher than that of ABS resin, used for making the conventional molded toppling preventing member, safety is also improved. - 特許庁

負荷制御装置１が形成された半導体基板には、その温度を検知する温度センサ１５が設けられる。例文帳に追加

A temperature sensor 15 detecting temperature is provided on a semiconductor substrate, on which the load controller 1 is formed. - 特許庁

また、基板（4）上には、温度センサ（6）、ファイバ温度調節回路（7）、通電用電極（8）等を設けることも可能である。例文帳に追加

Also, on the substrate (4), a temperature sensor (6), a fiber temperature adjusting circuit (7), an electrode for energization (8) or the like can be provided. - 特許庁

これ以降、半導体基板１の温度が第２の熱処理の熱処理温度よりも高温となるような処理は行わない。例文帳に追加

Hereafter, a treatment setting the temperature of the semiconductor substrate 1 higher than the heat treatment temperature of the second heat treatment is not executed. - 特許庁

反応管２３内の好適位置で好適温度に加熱されたガスは、被処理基板２１付近において均一な温度分布を形成する。例文帳に追加

The gas heated at suitable temperature in a suitable source position in the reaction tube 23 forms uniform temperature distribution at a part in the vicinity of the processed substrate 21. - 特許庁

プリント回路基板上に熱電対参照接合点に温度センサが載置され、参照接合点の温度を観測する。例文帳に追加

A temperature sensor is mounted in thermocouple reference junction points on the printed circuit board to observe a temperature in the reference junction points. - 特許庁

大きさの異なる各種の基板に対して高い面内温度均一性で加熱処理を行ったり、意図的に温度勾配を形成しながら加熱したりする。例文帳に追加

To execute heating treatment with high plane temperature uniformity or execute heating while a temperature gradient is intentionally formed to various substrates of different sizes. - 特許庁

オーバーシュートを抑制しつつ、短期間で処理室内の温度を目標温度に安定させることのできる基板処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate treatment device which stabilizes a temperature in a treatment chamber at a target temperature in a short period of time while suppressing overshoot. - 特許庁

低消費電流で、寄生トランジスタの影響を受けない温度センサ用ＣＭＯＳＮ型基板ダイオードおよび温度センサを提供すること。例文帳に追加

To provide a CMOSN-type substrate diode for temperature sensor which is not affected by a parasitic transistor with low consumption current, and a temperature sensor. - 特許庁

温度調節器内蔵型の基板ステージにおいて、個別の温度調節器の独立制御性を向上させる。例文帳に追加

To improve the independent controllability of individual thermoregulators, in a thermoregulator built in substrate stage. - 特許庁

フィルム状基板用の放射温度計と表面温度測定方法、並びに成膜装置及び成膜方法例文帳に追加

RADIATION THERMOMETER, SURFACE TEMPERATURE MEASURING METHOD, FILM FORMING APPARATUS, AND FILM FORMING METHOD FOR FILM-SHAPED SUBSTRATE - 特許庁

このとき、冷却ノズル３が基板表面Ｗｆ上に対向すると冷媒温度（吐出冷媒温度）が急激に低下する。例文帳に追加

In this case, when the cooling nozzle 3 is faced to a substrate surface Wf, the cooling temperature (discharge cooling medium temperature) is sharply reduced. - 特許庁

成形品の温度が所定の温度まで低下したところで、型を開き、コア３が埋め込まれた基板５を取り出す。例文帳に追加

After the temperature of the molding falls to specified temperature, the molds are released and the substrate 5 having the cores 3 buried is taken out. - 特許庁

送信部３６Ａは、部品種類データ、原基板種類データ、及び温度データを温度設定装置２０へ送信する。例文帳に追加

A transmitting section 36A transmits the component type data, the original substrate type data and the temperature data to a temperature setting device 20. - 特許庁

基板支持体の温度分布を均一にすることができ、かつ正確に温度を検出することができる半導体処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor processing device which is capable of keeping a substrate support uniform in temperature distribution and of detecting the temperature of the substrate support with high accuracy. - 特許庁

ベークプレートに基板が載置された際に実測されたベークプレートの表面温度と設定温度との差の積分値を算定する。例文帳に追加

An integrated value of the difference between the surface temperature of a baking plate measured when a substrate is placed on the baking plate and a set temperature is calculated. - 特許庁

そして、基板１の表面に設けられる電子部品３および温度センサ４を被覆するように温度制御ケース５が設けられている。例文帳に追加

A temperature control case 5 is provided to cover the electronic components 3 and the temperature sensor 4 provided on the substrate 1. - 特許庁

また、ハンダ付け装置１は、温度分布検知手段１３を有し、基板Ｗにおける温度分布を検知することができる。例文帳に追加

The cooling device 1 has a temperature distribution detecting means 13 which can detect a temperature distribution in the substrate W. - 特許庁

集積回路パッケージの温度上昇を耐熱温度以下に抑制しながら、集積回路パッケージを基板に半田付けする。例文帳に追加

To solder an integrated circuit package on a substrate while suppressing temperature rise of the integrated circuit package to be equal to or under heat resistant temperature. - 特許庁

半導体基板１７上に、温度検出部１１、制御部１２、温度設定部１３、出力部１４、発熱部１５、半導体回路１６を備える。例文帳に追加

On a semiconductor substrate 17, a temperature detector 11, control unit 12, temperature set 13, output 14, heater 15, and semiconductor circuit 16, are formed. - 特許庁

当該配線により、前記配列の中心に対応した位置に生じる空き領域に、前記基板の温度を検出するための温度センサを設ける。例文帳に追加

By this wiring, the temperature sensor for detecting the temperature of the substrate is provided in a space area produced in a position corresponding to the center of the array. - 特許庁

故障修復後のウォームアップの実行中に温度検出部１７により実装された予備基板１５の温度を検出する。例文帳に追加

A temperature of the mounted spare substrate 15 is detected by the temperature detecting part 17 during warming up after the failure is restored. - 特許庁

基板は、壁温度、表面温度およびガス圧を含む制御状態の下で、プラズマ無しで、ガス化学にさらされる。例文帳に追加

The substrate is exposed to a gaseous chemistry without plasma under the control conditions including wall temperature, surface temperature, and gas pressure. - 特許庁

加熱手段により温度制御される分極反転構造を有する基板の温度制御性を高めた波長変換素子を得ること。例文帳に追加

To obtain a wavelength conversion element which is enhanced in temperature controllability of the substrate having the polarization reversal structure of which temperature is controlled by a heating means. - 特許庁

ステム１２に温度制御モジュール１４が設置され、温度制御モジュール１４に基板部材１６が設置される。例文帳に追加

A temperature control module 14 is mounted on a stem 12, and a substrate member 16 is mounted on the temperature control module 14. - 特許庁

プローブに取り付けられた温度検出器によりプローブの温度が測定されて、加熱基板６０のヒータ６５が制御される。例文帳に追加

The temperature of the probe is measured by a temperature detector attached to the probe, and the heater 65 of the heating substrate 60 is controlled. - 特許庁

基板に応力が加わって薄膜パターンが変形しても、温度検出精度への影響が少ない薄膜抵抗温度センサを提供する。例文帳に追加

To provide a temperature sensor of thin-film resistance wherein less influence is given to temperature detection accuracy even when a thin-film pattern is deformed by stress given to a substrate. - 特許庁

ロードロックチャンバ２に搬入された処理前基板Ｓまたは搬送カート３の温度を、温度センサ４により検出する。例文帳に追加

The temperature of a substrate S before treatment which is carried in a load-lock chamber 2 or a conveying cart 3 is detected by a temperature sensor 4. - 特許庁