「基板温度」に関連した英語例文の一覧と使い方(106ページ目) - Weblio英語例文検索

チップパッケージ構造は、そのチップフェイスアップ、或いは、フェイスダウンで、ヤング率が低いチップ粘着材料が占有する面積を増加させて、チップにより覆蓋されていない基板表面もチップ粘着材料を塗布し、低いヤング率のチップ粘着材料により、温度循環テスト中に生じる不符合の熱応力を吸収する。例文帳に追加

In the chip package structure, the area occupied by a chip adhesive material of a low Young's modulus is increased under chip face-up or face-down so that the surface of a substrate not covered with the chip is also coated with the chip adhesive material, and mismatching thermal stress occurring during temperature circulation test is absorbed by a chip adhesive material of the low Young's modulus. - 特許庁

ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造に於いて、露光ラチィチュード、ＰＥＢ温度依存性改良、プロファイル改良、スカム低減について、高次元での両立を可能にしたポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a positive resist composition capable of achieving improvement of exposure latitude, PEB temperature dependency and profile and reduction of scum, in a process of producing a semiconductor such as IC and in production of a circuit board of a liquid crystal, a thermal head or the like, and a pattern forming method using the positive resist composition. - 特許庁

Ｃ面サファイア単結晶基材１ａの上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮからなる表面層１ｂをエピタキシャル形成した後、該積層体を１３００℃以上の温度で加熱することで、面内圧縮応力が作用してなる、実質的に原子レベルで平坦な表面層が形成されてなるテンプレート基板を得る。例文帳に追加

A template substrate having a flat surface layer formed substantially in an atomic level with in-plane compression stress applied is obtained by epitaxially forming the surface layer 1b made of AlN by a MOCVD method on a C-face sapphire single crystal base material 1a, and then by heating the laminate at a temperature of 1,300°C or higher. - 特許庁

流動性に優れ、温度サイクル試験時に生じる端子の接続部保護性向上及びチップへの低応力化が可能な高信頼性の半導体封止材用液状エポキシ樹脂組成物、及びこの液状エポキシ樹脂組成物の硬化物を素子と基板間に介在してなる高信頼性半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a liquid epoxy resin composition highly reliable for sealing a semiconductor, which is superior in fluidity and can reduce stress to chips generated at the time of thermal cycling test, and can improve protective properties for connecting parts of terminals; and to provide a highly reliable semiconductor device where a cured product of the liquid epoxy resin composition stands between elements and a substrate. - 特許庁

２枚の基板部材を紫外線硬化性接着剤により貼り合わせる際、紫外線照射方向でその両者に温度差のほとんどない状態で紫外線照射を行なう紫外線硬化方法であって、エネルギー消費が最小限であり一工程で効率的に実施できる紫外線硬化方法、及びそれに適した紫外線硬化装置を提供する。例文帳に追加

To provide a UV-curing method which, in gluing two sheets of substrate members with a UV-curable adhesive, performs the UV irradiation in such a state that there is almost no temperature difference between the both in the direction of the UV irradiation and which is minimum in the energy consumption and can efficiently do at one process, and to provide a UV-curing apparatus suited for it. - 特許庁

本カーボンナノチューブ膜３は、グラファイト等からなる基板１上に炭化珪素からなる多結晶膜２を形成させ、その後、微量酸素を含有する雰囲気において炭化珪素が分解して炭化珪素多結晶膜の表面から珪素原子が失われる温度に加熱することにより、炭化珪素から珪素原子を完全に除去して得られる多数のカーボンナノチューブからなる。例文帳に追加

This carbon nanotube film 3 comprises a plurality of carbon nanotubes produced by forming a polycrystalline film 2 made up of silicon carbide on the substrate 1 made up of graphite and the like, and subsequently heating the film to the temperature at which silicon carbide is decomposed under the atmosphere containing a trace amount of oxygen to lose silicon atoms from the surface of the polycrystalline film of silicon carbide to completely remove the silicon atoms. - 特許庁

ガラスセラミックグリーンシートに所望の金属ペーストを用いて配線層を形成し、かつ所望の鉛系ペロブスカイト型複合材料でコンデンサー部を形成し、得たグリーンシート積層体を焼成してコンデンサ内蔵ガラスセラミック基板を得る方法において、該積層体の焼成温度を７５０〜８００℃にする。例文帳に追加

In the method for producing a glass ceramic board incorporating a capacitor by forming a wiring layer on a glass ceramic green sheet using a desired metal paste, forming a capacitor part of a desired lead based perovskite-type composite material and sintering a green sheet laminate thus obtained, sintering temperature of the laminate is set in the range of 750-800°C. - 特許庁

アルミニウム薄板の少なくとも片面に、シロキサン結合を有する化合物を含む架橋樹脂皮膜からなり、ガラス転移温度が２０〜１５０℃で、ＪＩＳ Ｋ７２１５で定める硬度試験におけるデュロメータＤスケールが５０以下の離型層が形成された多層プリント基板製造用アルミニウム離型板。例文帳に追加

The aluminum release plate for manufacturing the multilayer printed board is provided with a release layer on at least one surface of an aluminum thin plate that is formed of a cross-linking resin film containing a compound with a siloxane bond and 50 or less in durometer D scale at 20-150°C of the glass transition temperature in the hardness test specified by JIS K 7215. - 特許庁

基板上に少なくともインキ受容層およびシリコーンゴム層をこの順に積層してなる直描型水なし平版印刷版原版であって、該印刷版原版をヘリウム気流下で、ＴＧ−ＧＣ／ＭＳにより１０℃／分の昇温速度で測定した場合、１００℃〜２００℃の温度範囲で分解物が発生し、その発生量が版面積あたり０．００１ｇ／ｍ^2〜１ｇ／ｍ^2である直描型水なし平版印刷版原版。例文帳に追加

When the original plate of the printing plate is measured at the speed of temperature increase of 10°C/min. by TG-GC/MS under a helium gas flow a decomposition product is produced in a temperature range of 100-200°C and the amount of the product is 0.001-1 g/m2 per plate area. - 特許庁

このとき、表面被覆層形成工程中の基板表面温度を４００℃以下に保つこと、触媒体として、タングステン、モリブデン、バナジウム、シリコン及び白金のいずれかの金属を用いること、表面被覆層を、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯｘ膜、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＮＣ膜及びＳｉＣ膜のいずれかとすることが望ましい。例文帳に追加

In this case, and it is preferred that the surface temperature of the substrate in the surface coating layer forming process is kept 400°C or below, any metal of tungsten, molybdenum, vanadium, silicon and platinum is used, an SiNx film, an SiOx film, an SiOC film, an SiNC film or an SiC film is employed for the surface coating layer. - 特許庁

基板上に配列した複数の光電変換素子のそれぞれに対してカラーフィルタ層を形成したカラー撮像デバイスにおいて、前記カラーフィルタ層が、透明樹脂よりなる下地層と、前記下地層上に、当該下地層を形成する透明樹脂のガラス転移温度以上で熱定着された色素層を備えたことを特徴とするカラー撮像デバイス。例文帳に追加

In the color imaging device prepared by forming a color filter layer to each of a plurality of photoelectric conversion elements arrayed on a substrate, the color filter layer comprises: a substrate layer made of a transparent resin; and a pigment layer which is thermally fixed on the substrate layer at a temperature higher than the glass transition temperature of the transparent resin forming the substrate layer. - 特許庁

圧延銅箔の場合に最終冷間圧延加工度を９０％以下とした場合でも、粗化めっきによる粗面化処理等の表面処理後にも十分な耐屈曲特性を有すること、また再結晶温度をコントロールして圧延加工度を上げていった場合でも、さらなる耐屈曲特性の向上を達成することを可能とした回路基板用銅箔を提供する。例文帳に追加

To provide a copper foil for a circuit board which has a sufficient bending resistance characteristic even after surface processing such as surface roughing processing using roughing plating even when a final cold rolling processing degree is ≤90% in a rolled copper foil, and which can achieve further improvement of the bending resistance characteristic even when the rolling processing degree is increased by controlling a recrystallization temperature. - 特許庁

シリコンコア１３１の熱酸化が抑制できる範囲の温度条件で酸化シリコン膜１０６を形成した後、酸化シリコンの粘性流動が起こり始める９５０℃以上の高温条件で、酸化シリコン膜１０６（シリコン基板１０１）を加熱し、シリコンコア１３１を覆う上部クラッド層１６１を形成する。例文帳に追加

After forming an oxidation silicon film 106 in the temperature conditions to suppress thermal oxidation of the silicon core 131, the oxidation silicon film 106 (silicon substrate 101) is heated under the high-temperature condition of 950°C or higher for starting viscous flow of silicon oxide, and an upper clad layer 161 covering the silicon core 131 is formed. - 特許庁

載置台１２は、温度調整用のガスを導入するための中央のガス供給部１５からガスを外周に向って拡散させるガス伝播領域１２１を有すると共に、ガス伝播領域１２１において被処理基板１０を静電吸着により支持するためのガス供給部周辺から放射状に伸びた実質的な支持領域１２２を有する。例文帳に追加

The placement table 12 has a gas propagation region 121 for diffusing gas toward an outer periphery from a central gas supply source 15 for introducing the gas for temperature adjustment; and a substantial support region 122 radially expanded from the periphery of the gas supply source for supporting the substrate 10 to be treated by electrostatic adsorption in the gas propagation region 121. - 特許庁

こののち２つの異なる温度範囲で、同一又は異なる組成のIII族窒化物系化合物半導体を交互に形成した歪み緩和層を形成することで基板と上層との応力を緩和することができ、貫通転位の発生を抑制し、又はエピタキシャル上層で貫通転位を消滅させることが可能となる。例文帳に追加

Afterwards, a distortion relax layer is formed by alternately forming the group III nitride compound semiconductors of the same or different compositions within two different temperature ranges so that the stress of the wafer and the upper layer can be relaxed and the occurrence of through transition can be suppressed or through transition can be extinguished on the upper epitaxial layer. - 特許庁

また、その基板として、金属、セラミック、ガラス、耐熱プラスチックその他、焼成温度に耐えられるあらゆる物質を用いることが可能となり、屋根や壁などあらゆる建造物、自動車や航空機などの構造物、その他あらゆる物質上に太陽電池や発光素子、半導体デバイスを直接作り込むことが可能となる。例文帳に追加

The substrate may use metal, ceramic, glass, heat-resistive plastic, and other possible substances durable at sintering temperatures, and semiconductor devices, light emitting elements or solar cells can be directly assembled on possible constructions such as roofs, walls, etc., possible structures such as cars and aircraft, or other possible substances. - 特許庁

本発明の変性ポリビニルアセタールは、１−メチル酢酸ビニルユニットと１−メチルビニルアルコールユニットとアセタールユニットとを含有する共重合体であるので、高いガラス転移温度を有し耐熱性に優れているとともに熱安定性にも優れ、よって、熱転写リボン、プリント基板用接着剤等の耐熱性を必要とする用途に好適に用いることができる。例文帳に追加

This modified polyvinyl acetal is a copolymer including a 1- methylvinyl acetate unit, a 1-methylvinyl alcohol unit, and an acetal unit, which has a high glass transition temperature and superiority in both heat resistance and thermostability, and cosequently is preferably used for applications which require heat resistance, such as thermal transfer ribbons, adhesives for printed wiring boards, or the like. - 特許庁

冷却過程において原料溶液を撹拌する機構を備えることによって原料溶液の温度を均質化し、これにより、大面積の基板上でも、その上に成長されるエピタキシャル層の膜厚が周辺と中央とで差が生じないようにした液相成長装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide an apparatus for liquid phase growth equipped with a mechanism stirring a raw material solution in a cooling process, by which the temperature of the raw material solution is homogenized and the difference of the film thickness of the epitaxial layer grown on a substrate, even on a substrate with a large area, between its periphery and center is minimized. - 特許庁

基板の接続端子部１１ａに電子部品を電気的・機械的に接続するために用いられた異方性導電接着材１２を接続端子部１１ａから除去するにあたって、異方性導電接着材１２に対して、その異方性導電接着材１２に含まれている絶縁性樹脂のガラス転移温度以上に加熱された水蒸気を吹き付ける。例文帳に追加

When removing the anisotropic electric conductive adhesive 12 used for connecting electronic parts to the connection terminal part 11a of the substrate electrically or mechanically, from the connection terminal part 11a, steam heated higher than a glass transition temperature of insulation resin contained in the anisotropic electric conductive adhesive 12, is sprayed to the anisotropic electric conductive adhesive 12. - 特許庁

封止成形時においては、ゲルタイムが短く、かつ溶融粘度が小さいものであり、また硬化後においては、ガラス転移温度（Ｔｇ）が高く、かつ線膨張係数（α１）が半導体素子及び半導体素子搭載用基板の線膨張係数（α１）に近いものである片面封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide an epoxy resin composition for single-side sealing use, exhibiting a short gel time and low melt viscosity in sealing and giving a cured product having high glass transition temperature (Tg) and a linear expansion coefficient (α1) close to the linear expansion coefficient (α1) of a semiconductor element and a substrate for mounting the semiconductor element. - 特許庁

表面実装型温度検出素子１ａは、ガラスエポキシ基板２の辺部に形成される第１の端子電極３及び第２の端子電極４と、一方の端子が第１の端子電極３に接続されるとともに、他方の端子が抵抗６ａを介して第２の端子電極４に接続されるサーミスタ７ａを有する。例文帳に追加

The surface-mounting temperature sensing element 1a has a first terminal electrode 3 and a second terminal electrode 4 formed to the sides of a glass epoxy substrate 2 and the thermistor 7a in which one terminal is connected to the first terminal electrode 3 while the other terminal is connected to the second terminal electrode 4 through a resistor 6a. - 特許庁

成形品の熱伝導率を向上させ得るポリマー組成物と、優れた熱伝導率を有する熱伝導性シート、金属箔付高熱伝導接着シート、金属板付高熱伝導接着シート、ならびに、金属ベース回路基板と、動作時における内部の温度上昇を抑制させ得るパワーモジュールとの提供を課題としている。例文帳に追加

To provide a polymer composition capable of improving thermal conductivity of molded articles, a thermally-conductive sheet having excellent heat conductivity, a highly thermally-conductive adhesive sheet with a metal foil, a highly thermally-conductive adhesive sheet with a metal plate and a metal-based printed circuit board and a power module capable of suppressing internal temperature rise in operation. - 特許庁

Ｌｏｗ−Ｋ材料と呼ばれる誘電率の低い材料を多層配線層の層間絶縁膜を構成する材料として用いた半導体素子が回路基板にフリップチップ実装された構造を有する半導体装置であって、温度変化に柔軟に対応して前記層間絶縁膜の破壊を防止することにより、信頼性の高い実装構造を備えた半導体装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a structure including a semiconductor element, which employs a material with a low dielectric constant called a low-K material as a material constituting an interlayer insulation film of a multilayer wiring layer, flip-chip-mounted on a circuit board, with a highly reliable mounting structure by flexibly coping with a change in temperature to prevent breakdown of the interlayer insulation film. - 特許庁

支持体上に、第１の感光性層、第２の感光性層をこの順に有し、基板上にラミネートする際のラミネート温度における、第１の感光性層の溶融粘度をη_１、第２の感光性層の溶融粘度をη_２としたとき、次式、η_１＞η_２、を満たすことを特徴とする感光性永久レジストフィルムである。例文帳に追加

The photosensitive permanent resist film has a first photosensitive layer and a second photosensitive layer in this order on a support, and satisfies the formula: η_1>η_2 wherein η_1 represents a melt viscosity of the first photosensitive layer and η_2 represents a melt viscosity of the second photosensitive layer at a lamination temperature in lamination on a substrate. - 特許庁

アサーマルＡＷＧモジュール１０は、導波路の一部を切断してチップを分離し、分離されたチップを補償板３３により連結して温度無依存化を図ったＡＷＧ１１と、ＡＷＧ１１が基板上に形成されたアサーマルＡＷＧチップ１２と、開口部１４を有しアサーマルＡＷＧチップ１２を収容するパッケージ１３と、開口部１４を塞ぐ蓋と、を備える。例文帳に追加

The athermal AWG module 10 has an AWG 11 made athermal by cutting a part of the wave-guide to separate and connecting the separated chips by using a compensation plate 33, an athermal AWG chip 12 having the AWG 11 formed on a substrate, a package 13 which has an aperture 14 and holds the athermal AWG chip 12, and a lid to cover the aperture 14. - 特許庁

本発明の光送信モジュール１は、発光素子１１０と、その発光素子の温度を制御するためのペルチェ素子１２０と、発光素子及びペルチェ素子とを収容するパッケージ１００とを有する発光モジュールと、発光モジュールと電気的に接続されている回路基板１１と、発光モジュールのパッケージを加熱するためのヒータ１５Ａとを備えることを特徴とする。例文帳に追加

The optical transmitting module 1 comprises a light emitting element 110, a Peltier element 120 for controlling the temperature of the light emitting element 110, a light emitting module having a package 100 for accommodating the light emitting element 110 and the Peltier element 120, a circuit board 11 electrically connected to the light emitting module, and a heater 15A for heating the package 100 of the light emitting module. - 特許庁

シリコンを含む半導体薄膜に酸化を助長する触媒元素を添加し、酸化雰囲気中で熱処理することにより、また、酸素ラジカルおよび酸素イオンとの作用を利用することにより、基板温度が６００℃以下の低温プロセスにおいて、シリコンを含む半導体薄膜上に良質な酸化膜を形成する。例文帳に追加

A catalyst element for accelerating oxidation is added to a semiconductor thin film containing silicon, heat treatment is made in oxidation atmosphere, and also the operation between oxygen radical and oxygen ion is utilized, thus forming an oxide film with improved quality on the semiconductor thin film containing silicon in a low-temperature process where the substrate temperature is at 600°C or less. - 特許庁

光又は熱によって硬化する接着剤組成物と、ウレタン基及びエステル基を有する有機化合物と、を含有し、有機化合物のガラス転移温度が５０℃以上であり、基板及びこれの主面上に形成された回路電極を有する回路部材同士を接続するための回路接続材料１。例文帳に追加

The circuit connecting material 1 contains an adhesive composition which is cured by light or heat, and an organic compound having an urethane group and an ester group, the organic compound having a glass transition temperature of 50°C or more, and is used to connect circuit members provided with a substrate and a circuit electrode formed on its main surface. - 特許庁

酸化物蛍光材料をターゲット材料としてパルスレーザー堆積法によって、600℃以上800℃以下の温度でエピタキシャル成長により基板上に薄膜が形成し、前記薄膜の形成後、酸素中または大気中で900℃以上1200℃以下の熱処理によって蛍光特性を向上させたことを特徴とする酸化物蛍光体エピタキシャル薄膜である。例文帳に追加

The oxide phosphor epitaxial film is obtained by forming a film on a substrate at a temperature of 600-800°C by epitaxial growth using an oxide phosphor material as a target material by the pulse laser accumulation method and subjecting the film thus formed to heat treatment in oxygen or in the air at 900-1,200°C to improve fluorescence properties. - 特許庁

したがって、ＧａＮやＡｌＧａＮを用いてヘテロ接合電界効果型トランジスタ、発光ダイオード、またはレーザダイオードなどを作製する場合に、Ｇｄを含むＧａＧｄＮを用いることによって基板温度を一定に保った状態で結晶を成長させることができ、性能を落とすことなく窒化物系III−Ｖ族化合物半導体装置の作製が可能となる。例文帳に追加

Thus, in the case of manufacturing a heterojunction field-effect transistor, a light emitting diode or a laser diode or the like by using GaN and AlGaN, by using GaGdN containing Gd, a crystal is grown in the state of keeping a substrate temperature fixed, and the nitride based III-V compound semiconductor device is manufactured without lowering the performance. - 特許庁

本発明は、転写法により有機ＥＬ層を基板上にパターン状に転写させてＥＬ素子を製造する際に、比較的低い転写温度を用い、かつ過剰転写や転写不良といった転写に際しての不具合を大幅に低減させることができ、高品質のＥＬ素子を得ることができるＥＬ素子の製造方法を提供することを主目的とするものである。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for an EL element capable of greatly reducing defects when performing transfer such as excessive transfer and defective transfer at a comparatively low transfer temperature and obtaining high-quality EL element when manufacturing the EL element by transferring an organic EL layer on a substrate like a pattern by a transfer method. - 特許庁

タンタル酸リチウム（ＬＴ）結晶を用いてＬＴ基板を製造する工程において、結晶育成後の冷却過程、熱歪み除去のための熱処理工程およびポーリング処理工程のいずれかで、ＬＴ結晶を低酸素濃度雰囲気下で、１２００〜１６５０℃の保持温度で、４時間以上、熱処理する。例文帳に追加

In a step of using an LT crystal to manufacture the LT substrate, the LT crystal is thermally treated longer than four hours in a holding temperature of 1200 to 1650°C under a low oxygen concentration atmosphere in any one of a cooling step after crystal growth, a thermal treatment step for thermal distortion removal and a polling treatment step. - 特許庁

ポリイミドフィルム表面にスパッタリング法によって金属層を形成して金属被覆プラスチック基板を製造する方法において、前記金属層を形成するに先だって、ポリイミドフィルム表面を濃度０．００１〜１０ｍｏｌ／Ｌのアルカリ水溶液で処理した後、その後２０〜４０℃の温度に保持した極性有機溶媒で処理することを特徴とする。例文帳に追加

The method of manufacturing a metal-clad plastic substrate, having a metal layer formed by sputtering on a polyimide film surface comprises treating the surface of the polyimide film surface with an alkali water solution of 0.001-10 mol/L concentration, prior to forming the metal layer, and then treating it with a polar organic solvent held at 20-40°C. - 特許庁

接続箇所をＰＥＩのガラス転移温度Ｔｇ以上に加熱するとともに当該部位に外部から圧力を加えて、フレキシブルプリント配線板５のランド１３ａとリジッドプリント配線板２のランド１１ａを電気的に接続するとともに、フレキシブルプリント配線板５での絶縁基板材料であるＰＥＩの一部を電気接続部に供給して電気接続部をＰＥＩ樹脂１５にて封止する。例文帳に追加

A part of the insulation board material PEI of the flexible printed wiring board 5 is supplied to the electrical connections to seal the electric connections with PEI resin 15. - 特許庁

ＬＣ発振回路で構成されるランプ励振器の発振回路は温度変化等に対する周波数変化率が極めて大きく、また、その信号成分がランプ励振器の回路構成部品を搭載したプリント基板上のパターン等を経由して周波数制御部の他の回路に入り込み、ルビジウム原子発振器としての特性を劣化させる。例文帳に追加

To improve output frequency stability by suppressing a frequency change with respect to a temperature change in the oscillation circuit of a lamp excitor to the utmost. - 特許庁

少なくとも１つの物質で複数の基板をコーティングするための蒸発装置であって、溶融区域と、蒸発区域と、溶融区域および蒸発区域の間に設けられ、両者を連結する加熱区域と、溶融区域および蒸発区域の各々を異なる温度に加熱する加熱装置とを有する少なくとも１つの坩堝を具備する蒸発装置である。例文帳に追加

The evaporation apparatus for coating a plurality of substrates with at least one substance is equipped with at least one crucible having a melting zone, an evaporation zone, a heating zone provided between the melting and evaporation zones and connecting them, and heating equipment for individually heating the melting and evaporation zones to different temperatures. - 特許庁

また、還流ダイオードＤ１自体の発熱や還流ダイオードＤ１の周辺に配置されたプリント基板上の回路（コントロールユニット全体）の発熱がどの程度であるかを監視できるので、温度が異常状態に推移していることを精度よく判定して、コントロールユニットを速やかにフェイルセーフ動作に移行させることができる。例文帳に追加

Moreover, since the generation of heat of the circulating diode D1 itself and the generation of heat of a circuit (control unit entirety) on a printed board arranged around the circulating diode D1 can be monitored about how much it is, it judges with sufficient precision that the temperature changes to an abnormal condition, and a control unit can be shifted rapidly to a failsafe operation promptly. - 特許庁

発振回路や温度補償回路を構成する電子部品を搭載する配線基板の上部に、柱部材を用いてパッケージ化された圧電振動子を固定した構成を備えた圧電発振器において、柱部材の寸法のバラツキやリフロー時における柱部材の戴置ミスなどを除き、信頼性が高く作業効率の優れた圧電発振器を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a piezoelectric oscillator in which reliability is improved and work efficiency is improved by eliminating a variation in the dimension of a pole member or a placement error of the pole member during reflow, in the piezoelectric oscillator configured by fixing a piezoelectric vibrator, that is packaged using the pole member, in an upper part of a wiring board to mount thereon electronic components constituting an oscillation circuit or a temperature compensation circuit. - 特許庁

回路モジュールＡは、モジュール基板を構成する樹脂層１の実装面となる最下面に間隔をあけて形成された複数の高熱伝導層２，３を有し、一方の高熱伝導層２の上に発熱部品４が搭載され、他の高熱伝導層３の上に温度特性変動の大きな部品５が搭載される。例文帳に追加

A circuit module (A) includes a plurality of high heat conduction layers 2, 3 formed at an interval on a lowest surface, that becomes a mounting surface of a resin layer 1 comprising a module substrate, a heating component 4 is mounted on the one high heat conduction layer 2, and a component 5 having a great temperature characteristic variation is mounted on the other high heat conduction layer 3. - 特許庁

これにより、エンジン制御用電子制御機器１の回路基板１０に実装される半導体スイッチング素子等の発熱性を有する電子部品１１は、筐体Ｒの内側表面の赤外線吸収率を高める表面状態によって、輻射熱による筐体Ｒへの熱移動量を高めることができるので、発熱温度を低減することが可能である。例文帳に追加

Hereby, electronic parts 11 having heat generating capability of a semiconductor switching device or the like which is mounted on a substrate 10 of the electronic control equipment for engine control 1 can lower heat generation temperature in such a manner that the amount of heat transfer to the cabinet R by radiation heat can be improved by the surface state improving the infrared absorption efficiency of the internal surface of the cabinet R. - 特許庁

バックライトユニットは、光を発生する白色ＬＥＤ１１０と、白色ＬＥＤ１１０を支持して駆動する印刷回路基板を有するＬＥＤモジュール１２０と、白色ＬＥＤ１１０の色温度を検出するセンサ３００と、ＬＥＤモジュール１２０に接続されている発熱素子１３０と、センサ３００とＬＥＤモジュール１２０および発熱素子１３０を制御するためのコントローラ４００とを含む。例文帳に追加

The backlight unit comprises: a white LED 110 for generating light; an LED module 120 having printed circuit board which supports and drives the white LED 110; a sensor 300 for detecting color temperature of the white LED 110; a heating element 130 connected to the LED module 120; and a controller 400 for controlling the sensor 300, the LED module 120 and the heating element 130. - 特許庁

ＮＯｘセンサのセンサ制御装置２では、回路基板２０上において、比較的大きな電流が扱われるヒータ駆動回路２８よりも、ＮＯｘ濃度を検出するための微弱な電流Ｉｐ２が扱われるＩｐ２セル制御回路２７や、酸素濃度を検出するための微弱な電流Ｉｐ１が扱われるＩｐ１セル／Ｖｓセル制御回路２６の近くに温度センサ２９を配置している。例文帳に追加

In the sensor control device 2 of an NOx sensor, a temperature sensor 29 is arranged in the vicinity of an Ip2 cell control circuit 27 handling a weaker current Ip2 for detecting the concentration of NOx than a heater driving circuit 28 handling a relatively large current or an Ip1 cell/Vs cell control circuit 26 handling the weaker current Ip1 for detecting the concentration of oxygen. - 特許庁

本発明の多層膜素子４は、隣接する層間（膜間）で屈折率が互いに異なるように複数の膜を積層した多層膜１から構成された基板を持たない多層膜素子であって、前記多層膜１の温度に対する分光特性変化を低減する為に、補償膜２が多層膜１の上面上と下面上に更に積層されている。例文帳に追加

A multi-layered film element 4 is composed of a multi-layered film 1 formed by laminating a plurality of films so that adjacent layers (films) have mutually different refractive indexes and has no substrate, and compensating films 2 are further laminated on the top and reverse surfaces of the multi-layered film 1 to reduce spectral characteristic variation of the multi-layered film 1 with temperature. - 特許庁

デジタルカメラは、温度の低下に伴い、静電容量が低下する特性を有し、ストロボ発光部９を発光させるための電荷をチャージするアルミニウム電解コンデンサ１２と、ＣＰＵ等の発熱性素子２が実装されたメイン基板４と、を備え、アルミニウム電解コンデンサ１２と発熱性素子２とを熱結合する熱伝導部材１を配置する。例文帳に追加

A digital camera which has a characteristic of capacitance decreasing with decrease in temperature comprises; an aluminum electrolytic capacitor 12 for charging an electric charge in order to make a strobe light-emitting part 9 emit light; a main substrate 4 on which a heating element 2 such as a CPU is mounted; and a heat conduction member 1 for thermally binding the aluminum electrolytic capacitor 12 and the heating element 2. - 特許庁

ポリビニルアルコール系樹脂フィルムからなる偏光フィルム５５の少なくとも片面に、１３０℃以上のガラス転移温度と５０×１０^-13cm^2／dyne以下の光弾性係数を有する樹脂からなる保護フィルム５４又は５５が貼合された偏光板５２が、透明ガラス基板５１に積層されてなる偏光変換素子５０が提供される。例文帳に追加

A polarizing plate 52 formed by sticking a protective film 54 or 55 consisting of a resin having ≥130°C glass transition temperature and ≤50×10^-13 cm^2/dyne photoelastic modulus to at least one surface of a polarizing film 53 consisting of a poly(vinyl alcohol) based resin film is laminated on a transparent glass substrate 51 to form a polarization converting element 50. - 特許庁