「基板温度」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

反射率計測装置、温度計測装置および基板熱処理装置ならびに反射率計測方法、温度計測方法および基板熱処理方法例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR MEASURING REFLECTIVITY AND TEMPERATURE, AND FOR PROCESSING SUBSTRATE HEAT - 特許庁

基板温度の測定に多大な時間を要することなく、基板の表面温度を正確に検出することができるようにする。例文帳に追加

To accurately detect the surface temperature of a substrate without requiring much time for measuring. - 特許庁

基板裏面への温度調整ガスの流量を調整することで基板全体を均一に温度調整することができる。例文帳に追加

To provide an apparatus for treating a substrate capable of uniformly adjusting temperature over the whole substrate by adjusting flow rate of temperature adjusting gas to the rear surface of the substrate. - 特許庁

庫内温度の制御基板５０に、庫内温度センサ５２が接続され、制御基板５０はインバータ５１に通信手段を介して接続される。例文帳に追加

An in-case temperature sensor 52 is connected to a control base board 50 for an in-case temperature, and the control base board 50 is connected to the inverter 51 through a communicating means. - 特許庁

成膜の途中に成膜休止期間等を設けて基板を冷却し、基板の温度上昇を一定温度以下に抑える。例文帳に追加

A film-formation dormant period or the like is set in the middle of film formation and the substrate is cooled to suppress the temperature rise of the substrate to a specified temperature or below. - 特許庁

基板処理装置、基板処理装置の放射温度計のキャリブレーションに使用する治具および放射温度計のキャリブレーション方法例文帳に追加

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, JIG USED FOR CALIBRATION OF RADIATION TERMOMETER THEREOF, AND CALIBRATING METHOD OF THE SAME - 特許庁

ボンドヘッドをＴｍより高いボンドヘッド設定温度Ｔ１に加熱し、基板をＴｍより低い基板設定温度Ｔ２に加熱する。例文帳に追加

A bond head is heated to a bond head setting temperature T1, which is higher than Tm, and a substrate is heated to a substrate setting temperature T2, which is lower than Tm. - 特許庁

従って、搬送装置による基板温度制御が正確になり、基板毎の温度のばらつきが少なくなり、高精度の露光を行なうことができる。例文帳に追加

With such constitution, temperature control of the substrates becomes accurate by the transfer system, variations in temperature of each substrate are reduced, and exposure of high accuracy is provided. - 特許庁

ここで熱検知用基板は、温度ヒューズ２３を搭載した配線基板２１で構成され、所望の温度以上になると溶断する。例文帳に追加

The board for heat detection is constituted of a wiring board 21 on which a thermal fuse 23 melting at a temperature higher than a desired temperature is mounted. - 特許庁

基板を誘導加熱する際に、放射温度計を用いて正確な温度測定が可能な基板処理技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology for treating a substrate, which can accurately measure temperature by using a radiation thermometer when the substrate is induction-heated. - 特許庁

これにより、基板ＷＦは温度を伝達する載置台１３１に押し付けられ、速やかな熱交換が起こり、早く基板の温度制御が完了する。例文帳に追加

Thus, the wafer WF is pressed onto the placing stand 131 which transmits a temperature, speedy heat exchange occurs, and wafer temperature control is quickly completed. - 特許庁

このリフローゾーンでも基板を継続して加熱し、リフローゾーンで温度センサ１５により基板面上の温度分布を検出する。例文帳に追加

The boards 11 are continuously heated in the reflow zone, and a temperature distribution on the surface of the board 11 is detected by a temperature sensor 15. - 特許庁

プロセスチャンバー内の基板の温度を±５℃の温度均一性で制御するための基板支持アッセンブリ及び方法が提供される。例文帳に追加

The substrate support assembly and method for controlling a temperature of a substrate in a process chamber with a temperature uniformity of ±5°C are provided. - 特許庁

２００〜５００℃の温度範囲で、高速かつ高精度に基板温度を制御可能な基板ホルダを提供する。例文帳に追加

To provide a substrate holder which can control a substrate temperature at high speed and with high accuracy over a range of temperature of 200-500°C. - 特許庁

成膜室挿入直前の基板温度が所望の成膜温度になった時に、基板１を成膜室２に搬入する。例文帳に追加

The substrate 1 is carried into a deposition chamber 2 when the substrate temperature just before the insertion into the deposition chamber attains a desired deposition temperature. - 特許庁

省労力で温度制御対象の温度制御を可能とすると共に、温度プロファイルの管理を簡易に行うことの可能な温度設定用基板、温度設定装置、温度設定システム、及び、前記温度設定装置により温度制御の行われるリフロー炉を提供する。例文帳に追加

To provide a temperature setting substrate, a temperature setting device, and a temperature setting system that enable the labor saving temperature control of an object of temperature control and facilitate the management of temperature profiles, and to provide a reflow oven with its temperature controlled by using the temperature setting device. - 特許庁

基板載置台内部の流路を流れる温度調整媒体の温度を各部で連続的に正確に測定することができ、基板の各部を所定温度に正確に温度調節することのできる温度測定方法及び基板処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for measuring temperature and a substrate processing apparatus capable of continuously and correctly measuring the temperature of a temperature control medium flowing through a flow path in a substrate placing table and correctly adjusting the temperature of each portion of the substrate to a predetermined temperature. - 特許庁

半導体装置は、主活性領域が形成された半導体基板と、半導体基板の温度を検知する第１温度検知素子と、第１温度検知素子よりも半導体基板の深い位置の温度を検知する第２温度検知素子とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device includes: a semiconductor substrate having a main active area formed thereon; a first temperature-detecting element which detects temperature of the semiconductor element; and a second temperature-detecting element which detects temperature of the semiconductor substrate at a deeper position than the first temperature-detecting element does. - 特許庁

この温度調整部ＴＣにより基板Ｗの温度がアッシング後基板温度Ｔ１と異なりかつ常温よりも高い目標基板温度Ｔ２に調整されるように、温度調整部ＴＣがメイン制御部４により制御される。例文帳に追加

The temperature adjustment section TC is so controlled by a main control unit 4 that the temperature of the substrate W is adjusted by the temperature adjustment section TC to a target substrate temperature T2 which is different from the substrate temperature T1 after ashing and higher than room temperature. - 特許庁

次にリン拡散温度よりも低い温度で加熱し、しかる後、これよりも高い温度で加熱してリンを半導体基板１に拡散する。例文帳に追加

The substrate 1 is heated at a temperature lower than the phosphorus diffusion temperature and the phosphorus is diffused in the semiconductor substrate 1. - 特許庁

その後、半田の温度を溶融温度未満の温度まで下げて回路基板と半導体素子とを半田付けする。例文帳に追加

After that, the temperature of the solder is lowered to a temperature lower than its melting temperature and the circuit board and the semiconductor device are soldered. - 特許庁

温度検出部１１は、半導体基板１７の温度に対応する温度検出信号を制御部１２に出力する。例文帳に追加

The temperature detector 11 outputs a temperature detection signal corresponding to the temperature of the semiconductor substrate 17 to the control unit 12. - 特許庁

基板処理装置において、制御定数を変更することなく温度管理対象または温度調節部に対する温度制御の精度を向上する。例文帳に追加

To improve accuracy of temperature control for temperature management object or temperature control unit without alteration of control constant in a substrate processing apparatus. - 特許庁

前記温度センサは基板上に形成されている温度感知線を含み、前記温度感知線は導電体である。例文帳に追加

The temperature sensor includes a temperature-sensing line formed on a substrate, and the temperature-sensing line is a conductor. - 特許庁

温度補償型水晶発振器、温度補償型水晶発振器を実装したプリント基板、及び温度補償型水晶発振器を搭載した電子機器例文帳に追加

TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL OSCILLATOR, PRINTED-CIRCUIT BOARD MOUNTED WITH TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL OSCILLATOR, AND ELECTRONIC EQUIPMENT MOUNTED WITH TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL OSCILLATOR - 特許庁

加熱室２０の温度が第１設定温度から第２設定温度に低下するまで、霧を噴射するように、制御基板１０によって制御される。例文帳に追加

The mist is jetted under the control of a control circuit board 10 until the temperature of a heating chamber descends from a first preset temperature to a second preset temperature. - 特許庁

ガス流量が大きく変化してもウェハの温度が所定の温度に保持されるような温度制御機能を備えた基板処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate processor having a temperature control function for holding a wafer at a prescribed temperature regardless of a great change of the gas flow rate. - 特許庁

基板50のセンサブロック51，51，…の近傍に温度計53が配設してあり、温度計53が計測した温度は演算器59に与えられる。例文帳に追加

A thermometer 53 is arranged in the neighborhood of sensor blocks 51, 51, etc., of a board 50, and the temperatures measured by the thermometer 53 are given to a calculator 59. - 特許庁

第１温度検知素子と第２温度検知素子によって、半導体基板の深さ方向に異なる２つの位置の温度を検知することができる。例文帳に追加

The temperature of the semiconductor device can be detected at two positions different in its depth direction by the first temperature-detecting element and the second temperature-detecting element. - 特許庁

電容器の成膜における温度上昇を抑え、放電容器および基板温度を堆積膜に最適な温度に維持する。例文帳に追加

To restrain a discharge vessel from rising in temperature when a film is deposited on a substrate inside the vessel so as to keep the discharge vessel and a substrate at a temperature optimal for depositing the film. - 特許庁

成膜中における基板上の表面温度を正確に測定することができる表面温度測定方法及び表面温度測定装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method and an equipment for measuring the surface temperature on a substrate under filming. - 特許庁

この移動において、温度測定部１５０は、プリント配線基板１１０上の温度を測定して、温度信号を出力する。例文帳に追加

At the movement, a temperature measuring part 150 (15a-150c) measures the temperature on the printed wiring board 110 for outputting a temperature signal. - 特許庁

温度センサの異常の有無の判別は、測定した基板の温度と予め定められた温度との比較により行う。例文帳に追加

It discerns whether a temperature sensor is abnormal by comparing measured temperatures of the substrate with a predetermined temperature. - 特許庁

次にリン拡散温度よりも低い温度で加熱し、しかる後、これよりも高い温度で加熱してリンを半導体基板１１に拡散する。例文帳に追加

Next, the film 11 is heated at a temperature lower than the phosphorous diffusion temperature, and it subsequently is heated at a temperature higher than the phosphorous diffusion temperature to diffuse phosphorous in the semiconductor substrate 11. - 特許庁

熱処理温度４７０℃〜５３０℃を測定する温度測定用基板及び熱処理温度測定方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a substrate for temperature measurements and a method for measuring a temperature for measuring the heat treatment temperature of 470-530°C. - 特許庁

コストを増大させることなく、温度測定手段による温度測定精度が許容精度以下となる低温域における基板の温度を求めること。例文帳に追加

To detect a substrate temperature in a low-temperature range, where accuracy in temperature measurements made by a temperature measuring means becomes lower than allowable accuracy, without keeping the cost unchanged. - 特許庁

成膜工程中に、放射係数が未知であるＩＴＯ膜の表面温度を測定し、測定された温度を用いて、基板の温度を制御する。例文帳に追加

To measure the surface temp. of an ITO film whose radiation coefficient is unknown in the process of a film forming process and to control the temp. of a substrate by using the measured temp. - 特許庁

その後、前記求めた波長から、対応する半導体基板の温度を求める。例文帳に追加

Thereafter, the temperature of a corresponding semiconductor substrate is found from the wavelength found. - 特許庁

この基板１００上に第１の温度で窒化ガリウムを成長させる。例文帳に追加

Gallium nitride is grown on the substrate 100 at a first temperature. - 特許庁

マイクロチップの基板の温度を正確に検出することができるようにする。例文帳に追加

To make accurately detectable the temperature of a substrate of microchip. - 特許庁

電極ユニット、基板処理装置及び電極ユニットの温度制御方法例文帳に追加

ELECTRODE UNIT, SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS, AND TEMPERATURE CONTROL METHOD FOR ELECTRODE UNIT - 特許庁

抵抗付き基板型温度ヒューズ及び二次電池保護回路例文帳に追加

SUBSTRATE TYPE TEMPERATURE FUSE WITH RESISTOR AND SECONDARY BATTERY PROTECTION CIRCUIT - 特許庁

温度制御システム、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法例文帳に追加

TEMPERATURE CONTROLLING SYSTEM, SUBSTRATE PROCESSOR, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体製造装置及び基板温度調整方法及び半導体装置例文帳に追加

SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS, SUBSTRATE TEMPERATURE ADJUSTMENT METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

基板処理装置および半導体装置の製造方法、温度制御方法例文帳に追加

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND TEMPERATURE CONTROLLING METHOD - 特許庁