「変質形成」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

陽極に形成されたブラックフィルムの変質を抑制する。例文帳に追加

To suppress the change of properties of a black film formed on an anode. - 特許庁

表面変質層が形成されたレジストパターンを容易に除去する。例文帳に追加

To easily remove a resist pattern on which a surface altered layer is formed. - 特許庁

レーザー光線を照射することにより変質層を形成し、この変質層に沿って効率良く且つ確実に分割する。例文帳に追加

To provide a wafer dividing method capable of forming an altered layer by irradiation with a laser beam and efficiently and surely executing division along the altered layer. - 特許庁

第３工程は、第１の変質部と第２の変質部をエッチングし、第１の穴と前記第２の穴を形成する。例文帳に追加

In step 3 the first hole and the second hole are formed by etching the first modified part and the second modified part. - 特許庁

次に、段状に形成されたレジストマスク１０７を途中までアッシングした後、変質層１０８を除去する変質層除去工程を行う。例文帳に追加

Then after half-ashing a resist mask 107 formed with bumps, an altered layer removing process is performed for removing an altered layer 108. - 特許庁

シリコン窒化膜３の側面３ｓを変質させてシリコン酸化膜３ｂを形成する。例文帳に追加

The side 3s of the silicon nitride film is deteriorated for forming a silicon oxide film 3b. - 特許庁

この場合、保護膜５の上面側に凸凹構造の変質層Ａが形成される。例文帳に追加

This causes formation of the alteration layer A of an irregular structure on the upper-surface side of the protective-film 5. - 特許庁

変質部１１は、素子分離線３、４に沿った方向に不連続かつ直線状に形成されている。例文帳に追加

The altered part 11 is formed discontinuously and linearly to a direction along the element dividing lines 3, 4. - 特許庁

この場合、保護膜５の上面側に凸凹構造の変質層Ａが形成される。例文帳に追加

In this case, a quality-changed layer A having an uneven structure is formed on the top surface side of the protective film 5. - 特許庁

複数の変質層を形成する際に変質層を基点として伝播する亀裂が変質層間に誘導されるようにしたレーザー加工装置を提供する。例文帳に追加

To provide a laser beam machining apparatus, in which cracks propagated from a metamorphosed layer as a start point are made to be induced in between the metamorphosed layers when forming a plurality of metamorphosed layers. - 特許庁

大掛かりな装置を用いることなく電極を形成でき、かつ電極形成に伴う保護膜の変質を防止できる。例文帳に追加

An electrode can be formed without using a large-scale device, and the degeneration of the protective film accompanied by electrode formation can be prevented. - 特許庁

少なくとも３段にレーザの照射による加工変質部が断続的に形成された破断線５１〜５５が形成される。例文帳に追加

Break lines 51-55 where work modifying portions by laser irradiation are continually formed are formed in at least three stages. - 特許庁

通気性の金属多孔体の表面に酸化処理および窒化処理の少なくとも一方を施して変質層を形成した後、変質層の表面上に水素分離膜を形成する。例文帳に追加

A modified layer is formed by applying at last either one of the oxidization treatment or nitriding treatment on the surface of a breathable porous metal body, and then a hydrogen separation membrane is formed on the modified layer. - 特許庁

液浸露光中のレジスト膜の変質および使用液浸露光用液体の変質を同時に防止し、かつ処理工程数の増加なしに、形状良好なレジストパターンを形成可能な保護膜形成用材料を提供する。例文帳に追加

To provide a protective film forming material which simultaneously prevents deterioration of a resist film during liquid immersion lithography and deterioration of a liquid used for the liquid immersion lithography, and which forms a resist pattern of a good shape without increasing the number of processing steps. - 特許庁

ウエーハの分割予定ラインに沿って変質層を形成し、該変質層が形成された分割予定ラインに沿って分割されたチップの抗折強度を向上させることができるウエーハの加工方法を提供する。例文帳に追加

To provide a wafer working method by which decomposed layers are formed along scheduled dividing lines of a wafer, and folding resistances of chips divided along the scheduled dividing lines formed with the decomposed layers can be improved. - 特許庁

第２工程では、第２の基板の第２の穴が形成される経路に沿ってレーザ光を照射し、第２の基板の内部を変質させて第２の変質部を形成する。例文帳に追加

In step 2 a second modified part is formed by irradiating a laser beam along a route where the second hole of the second substrate will be formed so that the core of second substrate may be modified. - 特許庁

第１工程では、第１の基板の第１の穴が形成される経路に沿ってレーザ光を照射し、第１の基板の内部を変質させて第１の変質部を形成する。例文帳に追加

In step 1 a first modified part is formed by irradiating a laser beam along a route where the first hole of the first substrate will be formed so that the core of first substrate may be modified. - 特許庁

回路形成基板の製造において、画面あるいは多層に形成された回路間を相互に接続するための貫通穴１５あるいは非貫通穴２６を形成する際に穴内壁に変質層１６を形成する。例文帳に追加

In producing the circuit forming board, when a through hole 15 or a hole 26 for mutually connecting between screens or between circuits formed in multilayers is formed, modified layer 16 is formed on the inner wall of the hole. - 特許庁

回路形成基板の製造において、両面あるいは多層に形成された回路間を相互に接続するための貫通穴１５あるいは非貫通穴２６を形成する際に穴内壁に変質層１６と硬化層３３を形成する。例文帳に追加

In the method of manufacturing circuit-forming board, when a through hole 15 or a non-through hole 26 for mutually connecting between the both surfaces or circuits formed in multi-layers is formed, an alteration layer 16 and a hardening layer 33 are formed on the inner wall of the hole. - 特許庁

パルスレーザー光線を用いてウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成し、この変質層に沿って個々のチップに分割するとともに、分割されたチップをピックアップするウエーハの分割方法を提供する。例文帳に追加

To provide a dividing method of wafer for forming a deteriorated layer in a wafer along predetermined division lines, using a pulse laser beam, dividing the wafer into individual chips along the deteriorated layer and picking up the divided chips. - 特許庁

ウエーハの内部に分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射することにより変質層を形成し、この変質層に沿って効率良く分割することができるウエーハの分割方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of dividing a wafer by which the wafer can be divided efficiently by forming a decomposed layer in the wafer by projecting a laser beam upon the wafer along a planned dividing line and dividing the wafer along the decomposed layer. - 特許庁

パルスレーザー光線を用いてウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成し、この変質層に沿って個々のチップに分割しピックアップするプロセスを確立すること。例文帳に追加

To establish a process for forming a deterioration layer in a wafer along a predetermined division line, using a pulse laser beam, dividing the wafer into individual chips along the deteriorated layer and picking up the divided chips. - 特許庁

ラジカルによるレジスト除去工程では、レジスト表面の変質層２ａの形成条件に応じラジカルの接触時間を制御して未変質層２ｂの大部分を残す。例文帳に追加

In the resist removal stage using the radicals, the majority of the undeteriorated layer 2b is left by controlling the contact time of the radicals according to formation conditions of the deteriorated layer 2a on the resist surface. - 特許庁

シリコン基板上にポリイミドなどからなる保護膜が形成された半導体装置の製造中に、保護膜の上面層が変質しても、この変質による悪影響が生じないようにする。例文帳に追加

To prevent a bad influence due to change in quality from being caused even when a top surface layer of a protective film changes in quality during manufacturing of a semiconductor device in which the protective film made of polyimide, etc. is formed on a silicon substrate. - 特許庁

シリコン基板上にポリイミドなどからなる保護膜が形成された半導体装置の製造中に、保護膜の上面層が変質しても、この変質による悪影響が生じないようにする。例文帳に追加

To prevent the adverse effect of alteration occurrence in a protective-film upper-surface-layer during a manufacture of a semiconductor device including a silicon substrate on which the protective-film made of a polyimide or the like is formed. - 特許庁

次に、酸素ガスを含むプラズマを用いたプラズマ処理により、第２の層間絶縁膜１９における第１のホール２３の側壁に露出する部分を変質して、第１の変質層２５を形成する。例文帳に追加

Furthermore, a first altered layer 25 is formed by altering a part of the second interlayer insulating film 19, which is exposed from a sidewall of the fist through hole 23 through plasma processing using plasma including oxygen gas. - 特許庁

単結晶のシリコンウェーハの表面を研削し、ウェーハ表層に加工変質層を形成後、変質層を高エネルギ光の照射で溶融、固化する。例文帳に追加

After the surface of a silicon wafer made of single crystal is ground and a processing altered layer is formed on a wafer surface layer, the altered layer is irradiated with high-energy light to be fused, and solidified. - 特許庁

この場合、高沸点成分が分解されて形成される変質成分は塔底の近傍に集まるので、変質成分と高沸点成分とが液体の状態で接触することがない。例文帳に追加

In this case, since the degenerated component to be formed by decomposing the high-boiling point component is accumulated in the vicinity of the column bottom, the degenerated component is not brought into contact with the high-boiling point component in liquid states. - 特許庁

第２工程では、ガラス基板１に対してエッチングを行い、変質領域５に係る部位を除去することにより変質領域５で囲まれていた中子６を抜き落として貫通孔２を形成する。例文帳に追加

In the second step, the through-hole 2 is formed by drawing out a core 6 surrounded by the degenerated region 5 by removing the portion of the degenerated region 5 by etching the glass substrate 1. - 特許庁

予め、テスト加工工程で形成された表面変質層の膜厚を実測し、加工条件と表面変質層の膜厚を関係付ける加工条件テーブルＴ１を作成する。例文帳に追加

The thickness of the surface deterioration layer formed at a test process is actually measured, beforehand, and a processing condition table T1 is created which is to be related to the processing conditions and the surface deterioration layer. - 特許庁

表面部は線形吸収により分解または組成の変質を生じ、内部は多光子吸収により組成の変質を生じてそれぞれ応力発生領域が形成される。例文帳に追加

Cracking or reforming of the composition of the surface part is caused by linear absorption, reforming of the composition of the inside part is caused by multiphoton absorption, and stress-generating regions are formed in the parts respectively. - 特許庁

支持基板１に、反射膜２、保護膜３、光を吸収する第一の光吸収性層４、熱により物理的もしくは化学的変質を起こす熱変質層５、光を吸収する第二の光吸収性層６を順次形成する。例文帳に追加

A reflection film 2, a protective film 3, a first light absorbing layer 4 absorbing light, a heat transformation layer 5 physically or chemically transformed by heat and a second light absorbing layer 6 absorbing light are sequentially formed on a supporting substrate 1. - 特許庁

基板２において、窒化物半導体層が形成された表面と反対側の裏面１４には、裏面１４の加工変質層を除去することにより形成された半球状の凸部１３が形成される。例文帳に追加

The substrate 2 has a hemispherical projection portion 13 formed on the backside 14 on the opposite side from the upper surface where the nitride semiconductor layers are formed by removing a processing deterioration layer on the backside 14. - 特許庁

支持基板１における空洞形成予定領域に、空洞２を形成する際に用いるエッチング液によりエッチングされやすい変質部１ａを形成する。例文帳に追加

An altered section 1a, which can be easily etched by an etchant used for forming a cavity 2, is formed in a scheduled cavity formation area on the support substrate 1. - 特許庁

10世紀前期に従来の租税収取体系が変質したことに伴い、権門層（有力貴族・寺社）は各地に私領（私営田）を形成した。例文帳に追加

With the change in the tax collecting system in the 10th century, influential classes (influential aristocracy, temples and shrines) took over private land (shieiden: lands directly governed by such powers) in many places.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

高ドーズイオンの注入により変質層が形成されたレジストを高スループットにて適切にアッシング処理する。例文帳に追加

To properly ashing-process resist where a transformed layer is formed by the implantation of high dozed ions with high throughput. - 特許庁

エッチング後の窒化物半導体の表面が清浄となり、変質層が形成されない窒化物半導体装置を得られるようにする。例文帳に追加

To obtain a nitride semiconductor device, with a surface of the nitride semiconductor device after etching cleaned, without forming a deterioration layer. - 特許庁

窓板部材を形成する合成石英ガラスの変質状態を確実に検出することができる真空紫外光照射装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a vacuum ultraviolet light irradiator which can securely detect the deteriorating condition of synthetic quartz glass making up a window plate member. - 特許庁

プラズマ処理によりシリコン表面に形成される、ＳｉＣを含む変質層を、シリコン表面の侵食を最小限に抑止しながら除去する。例文帳に追加

To provide a technology of eliminating an alteration layer including SiC formed on the surface of silicon by plasma processing while minimizing erosion to the silicon surface. - 特許庁

製造プロセスに起因して電極層の表面に変質層が形成されるのを抑制することが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride-based semiconductor laser device which can suppress formation of a modified layer on an electrode layer caused by a manufacturing process. - 特許庁

第１Ｃｕ配線１０９の表面をシリコンを含んだガスに曝し、シリコン変質層１１０を形成する。例文帳に追加

The surface of a first Cu wiring 109 is exposed in a gas containing silicon to form a silicon transformation layer 110. - 特許庁

低誘電率膜の変質や配線の性能劣化を抑えて、下層配線表面に形成された金属酸化膜を除去する。例文帳に追加

To remove a metal oxide film formed in a lower layer wiring surface by restraining deterioration of a low dielectric constant film and performance degradation of wiring. - 特許庁

可燃性ガスの発火、爆発を抑制し、膜質を変質劣化することのない金属化合物被膜を形成する。例文帳に追加

To form a metal compound film which suppresses the firnig and explosion of combustible gases and does not deteriorate the film quality. - 特許庁

変質層１４は、金属膜２０の堆積後に高温のアニールを必要とせずに、オーミック接続の形成を可能とする。例文帳に追加

The deterioration layer 14 can form the ohmic connection without needing any high temperature anneal after depositing the metal film 20. - 特許庁

シリサイド上に接続孔を形成する際のエッチングで、高抵抗の変質層が発生することを防止する。例文帳に追加

To prevent occurrence of a deteriorated layer of high resistance when etching for forming a connection hole on a silicide. - 特許庁