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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 微結晶サイズに関連した英語例文

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微結晶サイズの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 68



例文

電子顕鏡などの電子線機器に用いられる電子放射点として、細加工プロセスにおいてレジスト塗布が困難なサイズの柱状ダイヤモンド単結晶の片端に、一ヶ所の先鋭部を形成したダイヤモンド電子源及びその方法を提供する。例文帳に追加

To provide a diamond electron source and its manufacturing method wherein one sharp-pointed section as an electron emission point for use in an electron beam device such as an electron microscope is formed at one end of a columnar diamond single crystal having a size where resist coating is difficult in a microfabrication process. - 特許庁

高密度の使用可能な水素吸蔵サイト(10^23/ccの欠陥サイト)および/または図中のグラフに示されるような著しく小さい微結晶サイズに起因する、非常に高い吸蔵容量を特徴とする不規則化された多成分水素吸蔵材料が提供される。例文帳に追加

The disordered multicomponent hydrogen storage material having remarkably high storage capacity due to a high density of usable hydrogen storage site (defect site of 1023/cm3) and/or remarkably small fine crystalline size shown in a graph in Figure is provided. - 特許庁

偏光顕鏡で観察したとき、平均サイズ1〜5μmの結晶子がランダムに配向している黒鉛粒子と、樹脂(フェノール樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂など)とで構成された導電性組成物を成形し、セパレータを得る。例文帳に追加

The separator is obtained by molding a conductive composition comprising graphite particles in which crystallites having a mean size of 1-5 μm are oriented at random when observed under a polarization microscope, and a resin (e.g. a phenolic resin or a polyphenylene oxide resin). - 特許庁

従来のGaAs(100)基板でなく、GaAs(311)A基板上にガリウムのみを供給して液状のガリウム金属粒子を作製し、その液滴に砒素分子線を照射してガリウム砒素に結晶化することにより、サイズ揺らぎの少ない量子ドットを作製する。例文帳に追加

Liquid gallium metal particulates are manufactured by supplying only gallium not onto a conventional GaAs(100) substrate, but onto a GaAs(311)A substrate, and droplets thereof are irradiated with an arsenic molecular beam to be crystallized into gallium arsenide, thereby manufacturing quantum dots with small size fluctuations. - 特許庁

例文

シリコン基板1に形成した極薄酸化膜2上に分子線エピタキシャル法を用いてGe5とSn6とを蒸着することで、GeSn半導体のナノメーターサイズ結晶(ナノドット)3を超高密度に形成して、GeSn半導体デバイスを得る。例文帳に追加

By vapor depositing Ge5 and Sn6 on an ultra-thin oxide film 2 formed on a silicon substrate 1 using a molecular beam epitaxial method, a microcrystal(nano-dots) 3 of nanometer-size of GeSn semiconductor is formed at an ultra high density, thus obtaining a GeSn semiconductor device. - 特許庁


例文

結晶化促進層を有し、初期化操作が不要で高密度記録に適し、特に、レーザー光進行方向と垂直な方向(横方向)のアモルファスマークの拡がりに関する記録サイズ間差を少にすることが可能な相変化型光記録媒体及びその記録方法の提供。例文帳に追加

To provide a phase-change optical recording medium having a crystallization promoting layer, suited to high-density recording without any necessity of an initializing operation, and capable of reducing a difference between recording sizes especially regarding the expansion of an amorphous mark in a direction (lateral direction) vertical to a laser beam advancing direction. - 特許庁

発光装置が備える蛍光体に含まれる蛍光物質は、III−V族化合物半導体の粒子結晶であり、蛍光体は3つの層を有し、当該層は1次光の入射する側から出射する側に向かって蛍光物質のサイズが小さくなるように積層される。例文帳に追加

A fluorescent material included in the phosphor provided to the light-emitting device is the particulate crystal of a III-V compound semiconductor, wherein the phosphor has three layers, and the layers are laminated so as to reduce the size of the fluorescent material from the incidence side of the primary light to the emission side thereof. - 特許庁

これにより、酸素析出物のサイズを制御し、OSF核となるほど大きな酸素析出物の発生を完全に抑制し、電気特性を悪化させるような比較的大きな酸素析出物の発生をも抑制し、高密度のBMDを形成するための小な酸素析出物が結晶中に形成される。例文帳に追加

Consequently, the size of oxygen deposit is controlled, generation of oxygen deposit large enough to become an OSF nucleus is inhibited completely, generation of relatively large oxygen deposit causing deterioration of electric characteristics is also inhibited, and micro oxygen deposit for forming a high density BMD is formed in the crystal. - 特許庁

前記磁性粒子は、六方晶フェライト磁性粒子の還元処理物であって、透過型電子顕鏡により求められる(220)面に垂直な方向における粒子径Dtemと、(220)面の回折ピークから求められる結晶サイズDcとの比Dc/Dtemが0.90〜0.75の範囲である。例文帳に追加

The magnetic particles are reduction treatment products of hexagonal ferrite magnetic particles, and a ratio Dc/Dtem between a particle diameter Dtem in a direction perpendicular to a face (220) obtained with a transmission electron microscope and a crystallite size Dc obtained from a diffraction peak of the face (220) is within the range of 0.90-0.75. - 特許庁

例文

シリコン基板1に形成した極薄酸化膜2上に分子線エピタキシャル法を用いてIV族半導体5(Si、Ge)と金属6を蒸着することで、シリコン系化合物半導体のナノメーターサイズ結晶(ナノドット)3を超高密度に形成して、半導体デバイスを得る。例文帳に追加

By a molecular beam epitaxial method, a IV group semiconductor 5 (Si, Ge) and a metal 6 are evaporated on a very thin oxide film 2 formed on a silicon substrate 1 by the molecular beam epitaxial method to form nanometer-size fine crystals (nano-dots) of a silicon compound semiconductor at an ultrahigh density, thus obtaining a semiconductor device. - 特許庁

例文

化合物薄膜2の水素雰囲気下での熱処理による還元反応は、単結晶薄膜4の表面において行われるため、数nmから数十nmといったサイズ細構造を有する、大面積の金属ナノ粒子あるいはナノワイヤーを、短時間で容易に形成することができる。例文帳に追加

A large areal metal-nanoparticle or -nanowire, which has a minute structure with a size of several to several tens of nanometers, can be easily formed for a short time, because a reducing reaction by a heat treatment of the compound thin film 2 under a hydrogen atmosphere is carried out on the surface of the single crystal thin film 4. - 特許庁

(1)記録層に隣接した結晶化促進層を有する相変化型光記録媒体に対し、レーザー光をパルス状に照射して、結晶相とアモルファス相を形成することにより記録を行うに際し、レーザー光進行方向と垂直な方向(横方向)のアモルファスマークの拡がりに関する記録サイズ間差が少になるようにする記録方法。例文帳に追加

(1) The recording method is adapted to reduce a difference between recording sizes regarding the expansion of an amorphous mark in a direction (lateral direction) vertical to a laser beam advancing direction when recording is carried out by irradiating a phase-change optical recording medium having a crystallization promoting layer adjacent to a recording layer with a laser beam to form a crystal phase and an amorphous phase. - 特許庁

延伸及び加熱することなく、押出及び圧延のみの工程によって簡易に得られ、小な孔径を有し、数十nmサイズ粒子を効率良く捕捉することができ、高流量、かつ、高強度である薄膜の結晶性ポリマー孔性膜及びその効率的な製造方法、並びに濾過用フィルタの提供。例文帳に追加

To provide high flow rate and high strength crystalline polymer microporous membrane having easily obtained by a process only consisting of extrusion and rolling without stretching and heating capable of efficiently catching a fine particle of several tens nm size, and to provide an efficient method for producing the crystalline polymer microporous membrane and a filtration filter. - 特許庁

触媒を用いたコンバーター用のウオッシュコートを形成するために用いられる、完全な固溶体となって原子レベルで混合されている、酸化セリウム及び酸化ジルコニウムのような安定化作用を有する高い酸素貯蔵能力を有し超微結晶サイズを高温においても維持する貴金属でない金属の酸化物の粉体組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a powder composition of ceric oxide and a stabilizing non-noble metal oxide, such as zirconium oxide, mixed at the atomic level in complete solid solution, wherein the non-noble metal oxide has high oxygen storage capacity and maintains an ultrafine crystallite size even at high temperatures and the powder is used to form washcoats for catalytic converters. - 特許庁

周期律表第IIIb族元素及び第IVb族元素から選択される少なくとも1つの元素を主要構成成分とする非晶質相を母相とし、母相中に金属炭化物を主要構成成分とするナノサイズ径の結晶相粒を分散させた被膜を基材上に被覆してなる摺動部材。例文帳に追加

This sliding member is formed by manufacturing, as a parent phase, an amorphous phase formed mainly of at least one element selected from group 3b elements and group 4b elements in the periodic table and putting, on a base material, a film formed by distributing, in the parent phase, micro crystal phase grains of nano size diameter formed mainly of a metal carbide. - 特許庁

結晶サイズが1nmから20nmの範囲にあり、かつ、白金元素等の貴金属元素を含有した金属酸化物粒子(一般式MOxで表され且つこのうちの金属元素Mの一部がMとは異種の貴金属元素で置換されている金属酸化物粒子)を、平均粒子径が20〜70nmのカーボン粒子に担持させた構成とする。例文帳に追加

A crystallite size is within a range from 1 nm to 20 nm, and metal oxide particulates containing a noble metal element such as platinum element (metal oxide particles which are expressed by a general formula MOx and in which one part of the metal element M is replaced by a different kind of noble metal element from M) is made to be carried by carbon particles of the average particle diameter of 20 to 70 nm. - 特許庁

フォトリソグラフィーなどのナノ精密細加工技術かつ複雑な処理工程を用いることなく、大きな分子量を有するブロック共重合体のミクロ相分離による自己組織化を利用して、視認可能なサイズの単結晶様の巨大グレイン(ミクロ相分離構造集合体)のポリマー構造体を簡易に製造することが可能な方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for easily producing a polymer structure of a single crystal-like huge grain (microphase separation structure aggregate) having a visible size by utilizing self-organization by microphase separation of block copolymer having a large molecular weight without using a nano precision ultra-fine processing technology such as photolithography and a complicated treatment process. - 特許庁

例文

ナノメータサイズの球状多結晶又はアモルファスシリコン粒子は、溶融シリコンを高速回転する皿形ディスク上に供給し遠心力を作用させて小滴として飛散させ不活性ガス雰囲気中で急冷して得られるシリコン粒子を液状媒体中に分散し、該分散液を加圧して小径ノズルを通過させる操作を繰り返すことにより得られる。例文帳に追加

The spherical polycrystalline or amorphous silicon fine particles having nano-meter sizes are obtained by supplying molten silicon onto a dish-shaped disk rotating at high speed, scattering the molten silicon as droplets by applying a centrifugal force to it, dispersing silicon particles obtained by rapidly cooling the scattered droplets in an inert gas atmosphere into a liquid medium, and repeating an operation of passing the dispersion through a small diameter nozzle under pressure. - 特許庁

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