「水研」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

研磨加工用の水系塗材及びその塗装方法例文帳に追加

AQUEOUS COATING MATERIAL FOR ABRADING PROCESSING AND ITS COATING METHOD - 特許庁

研磨用水性分散体の製造方法と製造システム例文帳に追加

METHOD AND SYSTEM FOR MANUFACTURE OF AQUEOUS DISPERSED BODY FOR POLISHING - 特許庁

現地コンクリートブロックの水平研磨加工機例文帳に追加

HORIZONTAL POLISHING MACHINE FOR CONCRETE BLOCK ON SITE - 特許庁

眼鏡レンズ周縁加工用の研削水処理装置例文帳に追加

GRINDING WATER TREATING DEVICE FOR PROCESSING PERIPHERY OF EYEGLASS LENS - 特許庁

水に添加する金属素材を安定して研削すること。例文帳に追加

To stably grind a metal material to be added to water. - 特許庁

銅の化学機械研磨用水系分散体例文帳に追加

WATER-BASED DISPERSION FOR MECHANIOCHEMICAL POLISHING OF COPPER - 特許庁

平面研磨装置の上定盤水平バランス機構例文帳に追加

UPPER SURFACE PLATE HORIZONTAL BALANCING MECHANISM OF SURFACE GRINDER - 特許庁

ＣＭＰ用研磨スラリー含有排水処理装置例文帳に追加

CMP ABRASIVE SLURRY-CONTAINING WASTE WATER TREATING DEVICE - 特許庁

水性研磨パッド及びその製造方法例文帳に追加

WATER-BASED POLISHING PAD AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

ユニバーサルミルの水平ロール側面の研磨装置例文帳に追加

POLISHING DEVICE FOR POLISHING SIDE SURFACE OF HORIZONTAL ROLL IN UNIVERSAL MILL - 特許庁

研磨シート１に予め蒸留水が含有されている。例文帳に追加

The distilled water is previously included in the polishing sheet 1. - 特許庁

ヒ素含有研磨屑懸濁水の処理装置例文帳に追加

TREATMENT APPARATUS FOR ARSENIC-CONTAINING POLISHING CHIP-SUSPENDED WATER - 特許庁

水分保持フィルム５は研磨加工時に剥離される。例文帳に追加

The water holding film 5 is peeled off during the polishing work. - 特許庁

油膜付水滴を用いた研削加工方法例文帳に追加

GRINDING METHOD USING WATER DROPS WITH OIL FILM - 特許庁

軽水炉燃料の高度化に対応する研究例文帳に追加

Study corresponding to advanced light water reactor fuels - 経済産業省

核熱水力最適評価手法の高度化研究例文帳に追加

Research of advanced nuclear and thermal-hydraulic best estimate method - 経済産業省

② 技術状況・研究開発水準例文帳に追加

[2] Technology situation and level of research and development - 厚生労働省

半導体集積回路装置の製造において、被研磨面が二酸化ケイ素系材料層の被研磨面である場合に、被研磨面を研磨するための化学的機械的研磨用研磨剤として、酸化セリウム粒子と水溶性ポリアミンと水とを含有する研磨剤を使用する。例文帳に追加

When the semiconductor integrated circuit device is manufactured, a polishing agent containing cerium oxide particles, a water-soluble polyamine, and water is used as a chemical mechanical polishing agent to polish a surface to be polished in case when the surface is the surface of a silicon dioxide material layer. - 特許庁

研磨体の研磨層に用いる研磨剤であって、研磨作用と共に、水性または油性液体の供給能が付与されたマイクロスフェアー型研磨剤とそれを用いて製造された研磨の際に水などを新たに滴下する必要のない研磨体を提供する。例文帳に追加

To obtain a microsphere-type abrasive to be used for the abrasive layer of an abrasive form and imparted with the ability to feed an aqueous or oily liquid as well as abrasive action, and to provide such an abrasive form made by using the above abrasive and unnecessary for newly dripping water, or the like, in making an abrasion. - 特許庁

研磨後のシリコンウェーハＷは、研磨剤に代えて低濃度の過酸化水素を含む洗浄水を研磨布１１上に流し込みながら、ウェーハＷの研磨面を研磨布１１に押し付けて洗浄する。例文帳に追加

A polished surface of a silicon wafer W after polishing is pressed against a polishing cloth 11 and washed while washing water containing low concentration hydrogen peroxide, in place of polishing agent, is supplied onto the polishing cloth. - 特許庁

本化学機械研磨方法は、砥粒を含む化学機械研磨用水系分散体（シリカ粒子含有分散体）を用いた化学機械研磨工程と、上記非化学機械研磨用水溶液を用いた非化学機械研磨工程と、を備える。例文帳に追加

The chemical mechanical polishing method comprises a chemical mechanical polishing step employing a water based dispersing element for chemical mechanical polishing containing abrasive grains (dispersing element containing silica particles), and a non-chemical mechanical polishing step employing an aqueous solution for non-chemical mechanical polishing. - 特許庁

濾過水をそのまま直接下水道へ排水することができるレンズ研削加工装置の研削水処理装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a grinding water treatment device for a lens grinding device draining the filtrate water directly to the sewage. - 特許庁

コンデンサー型水素、重水素イオン源によるニュートリノ研究装置例文帳に追加

NEUTRINO RESEARCH FACILITIES USING CAPACITOR TYPE HYDROGEN/DEUTERIUM ION SOURCE - 特許庁

被研磨膜が形成された基板の被研磨膜を研磨定盤の研磨布に押圧した状態で、酸化セリウム粒子と、ヒドロキシ酸化合物及び／又はその塩と、水とを含有する研磨液を被研磨膜と研磨布との間に供給しながら、基板と研磨定盤とを相対的に動かして被研磨膜を研磨する研磨方法。例文帳に追加

In a state where a polished film formed on a substrate is pressed against the polishing cloth of a polishing surface plate, the substrate and the polishing surface plate are moved relatively while supplying the polishing liquid containing cerium oxide particles, a hydroxy acid compound and/or its salt, and water between the polished film and the polishing cloth thus polishing the polished film. - 特許庁

酸化セリウム粒子、分散剤及び水を含む半導体用CMP研磨剤並びに研磨する膜を形成した基板を研磨定盤の研磨布に押し当て、前記CMP研磨剤を研磨膜と研磨布との間に供給しながら基板と研磨定盤を相対的に移動させて研磨する膜を研磨する基板の研磨方法。例文帳に追加

In this polishing method of the substrate, a CMP abrasive for semiconductors comprising cerium oxide particles, a dispersant and water and the substrate on which a film to be polished is formed are pressed onto a polishing cloth of a polishing platen, and feeding the CMP abrasive to the clearance between the polished film and the polishing cloth, the film to be polished is polished by moving the substrate and the polishing platen relatively. - 特許庁

これによって、ノズル７から、研磨剤を供給することなく、研磨剤を含有しない水または過酸化水素水を供給するだけで、被研磨物５の被研磨面５ａに形成された薄膜を充分な研磨速度で研磨することができる。例文帳に追加

Thus, not a polishing agent but a water containing no polishing agent or a hydrogen peroxide solution is supplied through a nozzle 7, and a thin film formed on the polishing surface 5a of the object 5 is polished at appropriate polishing speed. - 特許庁

この構成によれば、濾過処理後の研削水が研削水貯蔵槽（研削水室３ａ）に戻らず、清澄度の高い濾過水をそのまま直接下水道へ排水することができる。例文帳に追加

By this constitution, the grinding water after filtering processing does not return to the grinding water reservoir tank (grinding water chamber 3a) but filtered water with high clearness can be discharged directly to the sewage. - 特許庁

加工速度向上剤及び該加工速度向上剤を含有した水溶性研磨・研削加工液例文帳に追加

MACHINING SPEED IMPROVER, AND WATER SOLUBLE POLISH/GRIND AGENT INCLUDING MACHINING SPEED IMPROVER - 特許庁

酸化性物質と、リン酸と、有機酸と、保護膜形成剤と水を含む研磨液で研磨する。例文帳に追加

Polishing is performed by using a polishing liquid, which includes oxidized material, phosphoric acid, organic acid, protection film forming agent and water. - 特許庁

研磨促進剤がヨウ素酸化合物、絶縁膜研磨抑制剤がフタル酸水素化合物である。例文帳に追加

The polishing accelerator is composed of an iodate compound, and the polishing retarder is composed of a hydrogen phthalate compound. - 特許庁

化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法例文帳に追加

AQUEOUS DISPERSION FOR CHEMO-MECHANICAL POLISHING AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND CHEMO-MECHANICAL POLISHING METHOD - 特許庁

さらに過酸化水素を含有させた研磨用組成物は、銅膜に対する研磨速度も高いものとなる。例文帳に追加

Further, a polishing composition containing a hydrogen peroxide is high in a polishing speed for a copper film. - 特許庁

安定化過硫酸アンモニウム水溶液、化学機械研磨用組成物および化学機械研磨方法例文帳に追加

STABILIZED AMMONIUM PERSULFATE AQUEOUS SOLUTION, COMPOSITION FOR CHEMICAL MACHINERY POLISHING AND CHEMICAL MACHINERY POLISHING METHOD - 特許庁

バレル研磨は、玉石と粉体とを研磨材として、水を使用しない乾式で行なう。例文帳に追加

The barrel polishing is performed by a dry system without using water by making boulders and powder as polishing materials. - 特許庁

本発明は半導体基体の研磨に有用な水性研磨組成物を提供する。例文帳に追加

An aqueous polishing composition useful for polishing a semiconductor substrate is provided. - 特許庁

水、研磨剤粉末、及び有機ホスホン酸系キレート性化合物を含有する研磨用組成物である。例文帳に追加

This grinding composition contains water, a grinding powder and an organic sulfonic acid-based chelating compound. - 特許庁

酸化セリウム粒子、被研磨膜の凹部充填粒子、分散剤及び水を含むＣＭＰ研磨剤。例文帳に追加

This CMP abrasive contains cerium oxide grains, grains for filling recesses of a polished film, dispersives, and water. - 特許庁

本発明の研磨用組成物は、水溶性ポリマー、研磨促進剤および酸化剤を含有する。例文帳に追加

A composition for polishing in this invention includes a water-soluble polymer, a polishing accelerator and an oxidizer. - 特許庁

粘性のある含水研削切粉の研削液の含有量は、２０重量％〜６０重量％である。例文帳に追加

Content of grinding liquid in the grinding swarf containing the water having the viscosity is 20-60 wt%. - 特許庁

研削液循環槽１の攪拌機４により、研磨液面を盛り上げる水流をおこして消泡する。例文帳に追加

Water flow for raising a grinding fluid level is generated by an agitator 4 of the grinding fluid circulation tank 1 for defoaming. - 特許庁

本発明の研磨用組成物は、研磨材と、アゾール類及び／又はその誘導体と、水とを含有する。例文帳に追加

The polishing composition contains a polishing agent, azoles and/or its derivatives and water. - 特許庁

半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体、および化学機械研磨方法例文帳に追加

AQUEOUS DISPERSANT FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING USED IN MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD - 特許庁

半導体基板の化学機械研磨方法および化学機械研磨用水系分散体例文帳に追加

CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING METHOD OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND AQUEOUS DISPERSION FOR CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING - 特許庁

米研ぎシステムＡは、米研ぎ器５と、貯水容器３０とから構成されている。例文帳に追加

The rice washing system A is formed of the rice washer 5 and a water storage bowl 30. - 特許庁

低下した欠陥品率及び改善された研磨性能を有する多層水系研磨パッドを提供する。例文帳に追加

A multi-layered water-based polishing pad with reduced defectivity and improved polishing performance is provided. - 特許庁