「水研」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

また純水を流水として少なくとも切断表面を覆うように研磨水を回転歯５に放出する。例文帳に追加

Polishing water is emitted to the rotary blade 5 as covering at least the cutting surface using pure water as flowing water. - 特許庁

「水源水量」は、技術協力プロジェクトでは支援が少ないが、課題別研修では水源に関する講義等で多く取組まれている。例文帳に追加

While there are not many technical cooperation projects in “Volume of water resources”,this topic is covered by many training lectures related to water resources. - 厚生労働省

水に不溶な酸化性化合物の水分散物、研磨粒子、不動膜形成剤および有機酸を含有し、主として半導体デバイスの銅配線研磨に用いられる研磨液であり、水に不溶な酸化性化合物としては、下記一般式（Ａ）で表されるポリハロゲン化合物が好ましい。例文帳に追加

The polishing liquid contains water dispersion material of an oxidation compound insoluble in water, abrasive particles, immobility film formation agent and organic acid, and mainly used for polishing the copper wiring of a semiconductor device. - 特許庁

本発明のガラスロッドの火炎研磨方法は、酸水素炎をガラスロッドに当てて加熱、研磨するガラスロッドの火炎研磨方法において、酸素ガスに対する水素ガスの供給量のモル比（水素ガス／酸素ガス）を２．５以上とする構成とする。例文帳に追加

The method of fire polishing of the glass rod is carried out by applying oxyhydrogen flame to the glass rod to heat and polishing, wherein the molar ratio of the supply quantity of gaseous hydrogen to that of gaseous oxygen (gaseous hydrogen/gaseous oxygen) is ≥2.5. - 特許庁

研磨工程排水から研磨材を回収して再利用するに当り、塩類や有機物、微小な研磨屑などの不純物を除去するための水洗浄効率を高め、洗浄水の使用量の低減、工程数の削減、装置設備の簡素化等を図る。例文帳に追加

To reduce the quantity of wash water used and the number of steps and simplify system equipment in recovering abrasive from effluent from polishing processes for its reuse purpose, by improving the efficiency of water washing for removal of salts, organic matters and such impurities as fine polishing dust. - 特許庁

研磨工程排水から研磨材を回収するに当たり、溶解性の不純物や微細な研磨屑等を洗浄除去するために必要とされる洗浄水量を大幅に低減して、洗浄水貯槽やスラリ貯槽を小容量化し、装置全体を小型化する。例文帳に追加

To miniaturizing the whole device by significantly reducing the amount of cleaning water necessary for removing soluble impurities, fine grinding chips and the like by cleaning, thereby minimizing the capacities of a cleaning water storage tank and a slurry storage tank, in recovering abrasive from grinding process drainage. - 特許庁

しかも、前記遠心分離器６は、前記レンズ研削加工装置２に組み付けられた研削水捕集ケース７と、前記研削水捕集ケース７内に回転駆動可能に保持されたフィルタ支持枠１１と、前記フィルタ支持枠１１内に着脱可能に保持された透水性の筒状フィルタ１２を備えている。例文帳に追加

The centrifugal separator 6 includes: a grinding water scavenger case 7 assembled to the lens grinding apparatus 2; a filter support frame 11 held in the grinding water scavenger case 7 to be driven to rotate; and a water permeable cylindrical filter 12 removably held in the filter support frame 11. - 特許庁

2003年4月　理学研究科附属瀬戸臨海実験所、農学研究科附属演習林、亜熱帯植物実験所、水産実験所を統合し、フィールド科学教育研究センターに改組。例文帳に追加

In April, 2003, Seto Marine Biological Laboratory (attached to the Graduate School of Science), the University Forest, the Subtropical Plant Institute, and the Fisheries Research Station (these three were attached to the Faculty of Agriculture) were integrated into the Field Science Education and Research Center.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

半導体装置の被加工膜等を十分な速度で研磨することができ、特に、銅膜の研磨において有用な化学機械研磨用水系分散体を提供する。例文帳に追加

To provide an aqueous dispersion for chemically machine polishing that can polish the processed membranes in the semiconductor devices at a sufficient speed, particularly in the polishing of copper membranes. - 特許庁

水、研磨砥粒、研磨促進剤、及び有機酸又は無機酸のアンモニウム塩を含有し、さらに表面改質剤を任意に含有し、且つ、ベーマイトを含有しないことを特徴とする研磨用組成物。例文帳に追加

A polishing composition contains water, polishing abrasive grains, a polishing promoter, and organic or inorganic acid ammonium salt, and further arbitrarily contains surface modifier, and not contains boehmite. - 特許庁

耐加水分解性、耐熱性が高く、研磨パッドとして優れた平坦性、研磨特性を有するポリウレタン系の研磨パッド用ウレタン成形物を提供すること。例文帳に追加

To provide a urethane molded product for a polyurethane-based polishing pad, having high hydrolytic resistance and heat resistance, and having excellent evenness and polishing characteristics as the polishing pad. - 特許庁

溝を有する絶縁膜２３上に形成された金属膜２１を、酸化性物質と酸化物を水溶化する物質を含み、研磨砥粒を含まない研磨液で研磨する。例文帳に追加

A metallic film 21 formed on the surface of an insulating film 23 having grooves is polished by a polishing solution containing substances capable of dissolving oxidizing substances and oxides into water and not containing grinding grains. - 特許庁

過酸化水素希釈したスラリー液に対して耐久性に優れ、研磨パッドをしっかりと研磨定盤またはクッション材に固定することができる研磨パッド固定用両面テープを提供する。例文帳に追加

To provide a double-side tape for fixing a polishing pad, which firmly fixes the polishing pad to a polishing surface plate or a cushion material with excellent durability against hydrogen peroxide diluted slurry liquid. - 特許庁

グリコール化合物、高級脂肪酸金属塩、及びリン酸エステルを含有する水溶液に砥粒を分散させた研磨組成物は、従来の研磨組成物と比較して、低臭気であり、研削力が向上する。例文帳に追加

A polishing composition obtained by dispersing abrasive grains in a solution containing glycol compound, higher fatty acid metallic salt, and phosphoric acid ester is lower in odor intensity and improves grinding force compared to conventional polishing compositions. - 特許庁

研磨パッド表面を、まずはイオン交換水を滴下しながら、ダイヤモンドディスクによりドレッシングした後に、研磨スラリーを滴下しながら、Ｃｕ膜を研磨した例文帳に追加

After dressing the surface of the polishing pad with ion exchanged water being dropped by means of a diamond disc, a Cu film is polished with a polishing slurry being dropped. - 特許庁

プラスチックを素材とするレンズを鏡面に研磨するために、酸化セリウムを主成分とする研磨剤１重量％から５０重量％と、９９重量％の水とを必須成分とする研磨材を使用する。例文帳に追加

The method allows use of the abrasives comprising 1-50 wt.% of abrasive agent principally comprising cerium oxide and 99 wt.% of water as the essential components to finish lenses to a mirror face composed of a plastic. - 特許庁

タングステンを含む半導体ウエハを高速かつ平坦に研磨するための化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a chemical mechanical polishing aqueous dispersion and a chemical mechanical polishing method for rapidly and flatly polishing a semiconductor wafer containing tungsten. - 特許庁

鉄系金属の研削切粉と油分及び水分を含有する研削液とを含む研削スラッジＢに、ショット粕Ｓを混合して綿状凝集体Ｍを得る。例文帳に追加

Grinding sludge B which contains grinding-wheel swarf of ferrous metal and grinding fluid containing oil and water is mixed with shot residue S to obtain a flocculent agglomerate M. - 特許庁

研磨スラッジを確実に効率よく脱水できるとともに、鉄源として再利用できる研磨スラッジブリケットを成形することができる研磨スラッジブリケット製造装置の提供。例文帳に追加

To provide a grinding sludge briquette manufacturing device capable of surely and efficiently dehydrating grinding sludge and forming grinding sludge briquette to be used for an iron source. - 特許庁

芳香族系ポリマーからなり、好ましくは誘電率が３．５以下である半導体集積回路の有機絶縁膜を、研磨砥粒と水とアルコールとを含み、かつ好ましくは粘性付与剤を含む研磨剤組成物にて研磨する。例文帳に追加

The organic insulating film composed of an aromatic polymer having a dielectric constant of preferably 3.5 or smaller in a semiconductor circuit is polished with an abrasive material composition containing water, alcohol, and preferably a viscous coupling agent. - 特許庁

酸化剤、水溶性高分子保護膜形成剤、有機酸、及び、砥粒を含有することを特徴とする金属用研磨液及び該研磨液を用いた研磨方法。例文帳に追加

The polishing liquid for metals contains an oxidizing agent, a water-soluble polymer-protecting-film forming agent, an organic acid, and abrasive grains. - 特許庁

下地層の周側面に防水層を設けることにより、研磨パッドの下地層内にスラリーが浸透することを防止して、研磨特性に悪影響を及ぼさず、また研磨レートの検出精度を上げるようにする。例文帳に追加

To prevent permeation of slurry into a base layer of a polishing pad by providing a waterproofing layer on a peripheral side surface of the base layer, and thereby prevent adversary influences on polishing property and to improve detecting accuracy of a polishing rate. - 特許庁

半導体集積回路の平坦化工程において化学的機械的研磨に用いる固体砥粒を含まない研磨液であって、（Ａ）一般式（１）で示されるベンゾトリアゾール誘導体、（Ｂ）酸、（Ｃ）水溶性高分子を含む研磨液。例文帳に追加

The polishing solution not containing solid abrasive grain and being used for chemical-mechanical polishing in a process for planalizing a semiconductor integrated circuit contains (A) a benzotriazol derivative represented by general formula (1), (B) acid, and (C) a water soluble polymer. - 特許庁

該研磨用砥粒は水性媒体中に分散させてそのままで、あるいはさらに研磨促進剤等補助的添加剤を加えて研磨剤としてもちいることができる。例文帳に追加

The abrasive grains for polishing are dispersed in an aqueous medium and used as the abrasive material as they are or by adding an auxiliary additive such as a polishing accelerator further. - 特許庁

研磨砥粒、酸化剤として硝酸アンモニウム、銅系金属膜の研磨促進剤として１，２，４−トリアゾール、及び水を含み、ｐＨが３〜４の範囲内にある化学的機械的研磨用スラリー。例文帳に追加

In the slurry for a chemical mechanical polishing, abrasive grains, ammonium nitrate as an oxidizing agent and 1,2,4-triazole as a polishing accelerator for the copper metallic film and water are contained, and pH is kept within a range of 3 to 4. - 特許庁

研磨用積層パッド表面を、まずはイオン交換水を滴下しながら、ダイヤモンドディスクによりドレッシングした後に、研磨スラリーを滴下しながら、Ｃｕ膜を研磨した。例文帳に追加

The surface of the pad is subjected to a dressing process using a diamond disc while ion exchange water is dripped over it, and a Cu film is polished with a polishing slurry dripped over it. - 特許庁

酸水素火炎の研削用バーナーを用いた火炎研削により光ファイバ用母材外径を所望の寸法にする際に、火炎研削の前に光ファイバを予熱する。例文帳に追加

The method of fire polishing outer diameter of the preform for the optical fiber using an oxyhydrogen burner for polishing into the desired diameter is that the preform is preheated before the preform is subjected to the fire polishing. - 特許庁

吸水効果のあるタオル地（１）の任意部に研磨剤入り合成樹脂製不織布を素材とした研磨布（２）を縫着して、清拭と研磨の機能を付与する。例文帳に追加

A polishing cloth 2 formed from a non-woven fabric made of a synthetic resin containing abrasives is sewn to a portion of a towel 1 having water-absorption properties to impart cleaning and polishing functions to the towel. - 特許庁

フッ化物フリーおよび過酸化水素フリーの環境にやさしく、且つ平滑に研磨できる化学研磨液及びそれを使用したリードフレームの化学研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a chemical polishing liquid friendly for fluoride-free and hydrogen peroxide-free environments, and with which polishing can be smoothly performed, and to provide a chemical polishing method for a lead frame using the same. - 特許庁

超硬合金からなる工作物と研磨工具との間に、超硬合金に対して酸化作用のある水溶液を介在させた状態で工作物の表面を研磨工具によって研磨加工する。例文帳に追加

A surface of the workpiece is polished by the polishing tool in a state of interposing an aqueous solution having an oxidation action to the cemented carbide between the workpiece composed of the cemented carbide and the polishing tool. - 特許庁

本発明は、（ａ）α−アルミナを含む研磨材、（ｂ）研磨組成物の総質量に対して、カルシウムのイオン０．０５〜５０ｍｍｏｌ／ｋｇ、及び（ｃ）水を含む液体キャリアを含んでなる、化学機械研磨組成物である。例文帳に追加

The present invention provides a chemical mechanical polishing composition comprising: (a) an abrasive containing α-alumina; (b) 0.05 to 50 mmol/kg of calcium ions relative to the total mass of the polishing composition; and (c) a liquid carrier containing water. - 特許庁

シリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる気相成長工程と、水研磨を行なう工程と、研磨剤を用いた研磨工程とをこの順に行なう。例文帳に追加

A step of growing a silicon single crystal film in vapor phase on a silicon single crystal substrate, a water polishing step and a polishing step using abrasives are executed in this order. - 特許庁

バリア膜と金属膜とを同時に研磨するための研磨剤であって、シリカ粒子と水よりなり、ｐＨが８．５〜１０．５の範囲に調整されたことを特徴とするバリア膜用研磨剤である。例文帳に追加

This abrasive, for polishing a barrier film and a metal film simultaneously, comprises silica particles and water and has a pH adjusted to in the range of 8.5-10.5. - 特許庁

研削機や研磨機等の砥石と加工材料との接触箇所（加工箇所）、及び砥石や加工材料に確実に効率良く研削液や冷却水等の流体を供給できるようにすることにある。例文帳に追加

To reliably efficiently supply fluid such as grinding fluid and cooling water to a contacting part (a machining part) between a grinding wheel of a grinder or a polisher and machining material, and the grinding wheel or the machining material. - 特許庁

また本発明は、（ａ）α−アルミナを含む研磨材、（ｂ）研磨組成物の総質量に対して、カルシウムのイオン０．０５〜３．５ｍｍｏｌ／ｋｇ、及び（ｃ）水を含む液体キャリアを含んでなる、化学機械研磨組成物を提供する。例文帳に追加

The invention also provides a chemical mechanical polishing composition comprising: (a) an abrasive containing α-alumina, (b) 0.05 to 3.5 mmol/kg of calcium ions relative to the total mass of the polishing composition; and (c) a liquid carrier containing water. - 特許庁

脱水機で予備脱液しなくても直接研磨スラッジをプレスして研磨スラッジブリケットが製造できる研磨スラッジブリケット製造装置の提供。例文帳に追加

To provide an abrasive sludge briquette manufacturing apparatus which can manufacture the abrasive sludge briquette by directly pressing the abrasive sludge without any preliminary dewatering by a dewatering machine. - 特許庁

本発明のウェハ研磨装置１では、研磨部４に３つのプラテン４１と２つの研磨ヘッド４２とを設けると共に、左右のプラテン４１ａと中央のプラテン４１ｂとの境界部に洗浄水の噴出口４５を設けている。例文帳に追加

The wafer polisher 1 comprises a polishing unit 4, having three platens 41 and two polishing heads 42, and cleaning wafer jet holes 45 at the boundaries between the right and left platens 41a and the center platens 41b. - 特許庁

砥石３の研削面に紫外線を照射しつつ、水溶性の研削液を供給した状態で研削加工を行うと、二酸化チタンの光触媒作用から生じるフリーラジカルによって、結合剤が酸化される。例文帳に追加

When performing grinding work in a state of supplying water soluble grinding liquid while irradiating the grinding surface of the grinding wheel 3 with an ultraviolet ray, the binder is oxidized by a free radical generated from the photocatalytic action of titanium dioxide. - 特許庁

半導体製造工程等から回収された使用済研磨剤スラリに水や研磨剤スラリの新液を加えて、使用に適した濃度の研磨剤スラリを必要量調製して再利用する。例文帳に追加

To reuse abrasive slurry of concentration suited for use by preparation necessary amount, by adding water or new liquid of abrasive slurry to spent abrasive slurry recovered from a semiconductor manufacturing process or the like. - 特許庁

本発明の研磨方法では、０．０２〜０．６質量％の過酸化水素を含有した研磨用組成物を用いて、銅又は銅合金面とシリコン面が露出したウェーハを研磨する。例文帳に追加

In this polishing method, a polishing composition containing hydrogen peroxide of 0.02 to 0.6 mass% is used to polish the wafer having the exposed copper or copper alloy surface and silicon surface. - 特許庁

酸化セリウム粒子及び水を含む研磨液において、研磨液１ｍｌ中の粒子径０．７５μｍ以上の粒子数が３×１０^６個以下である、研磨液。例文帳に追加

In the polishing liquid containing cerium oxide particles and water, the number of the particles with a particle diameter of 0.75 μm or larger in 1 ml of the polishing liquid is 3×10^6 or less. - 特許庁

特に外部水冷方式で使用する場合の冷却効果に優れ、持続的な研磨性能を発揮する研磨ブラシ毛材および研磨ブラシを提供する。例文帳に追加

To provide a bristle material for a polishing brush and a polishing brush that excel in cooling effect particularly in using by an external water-cooling system and demonstrate continuous polishing performance. - 特許庁

下地層の周側面に防水層を設けることにより、研磨パッドの下地層内にスラリーが浸透することを防止して、研磨特性に悪影響を及ぼさず、また研磨レートの検出精度を上げるようにする。例文帳に追加

To enhance detecting accuracy of a polishing rate without adversely affecting a polishing property by preventing permeation of slurry into a base layer of a polishing pad by providing a waterproofing layer on a peripheral side surface of the base layer. - 特許庁

研磨材吹付加工後のガラスびんに対しブラシ掛け、水洗等を円滑かつ連続的に行う機構を備え、単位時間あたりの研磨処理能力を高めたブラシ研磨装置を提供する。例文帳に追加

To provide a brush polishing device that includes a mechanism for smoothly and continuously carrying out brushing and water washing to a glass bottle after polishing material blowing processing, thereby enhancing polishing processing capability per unit time. - 特許庁

本発明の研磨用組成物は、少なくとも砥粒及び水を含有し、光学デバイス用基板材料、パワーデバイス用基板材料又は化合物半導体材料からなる研磨対象物を研磨する用途で使用される。例文帳に追加

The polishing composition contains at least abrasive grains and water and is used in polishing the object to be polished formed of the substrate material for optical devices, the substrate material for power devices, or the compound semiconductor material. - 特許庁