「水研」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

アミノ酸、多価水酸基含有化合物及びアルキレンオキシド付加物からなる群より選ばれる１種以上の化合物からなる、ストッパー膜の研磨速度に対する絶縁膜の研磨速度の比を向上させる研磨速度選択比向上剤、該研磨速度選択比向上剤を含有してなる研磨液組成物、並びに該研磨液組成物を用いる被研磨基板の製造方法。例文帳に追加

The abrasive liquid composition contains the abrasion speed selection ratio improver, and this method of manufacturing a substrate to be polished uses the abrasive liquid composition. - 特許庁

本発明の研磨装置は、基板Ｗのノッチ部を研磨する研磨装置において、基板Ｗを水平に保持し、回転させる回転保持機構３と、研磨テープを用いて基板Ｗを研磨する複数の研磨ヘッドモジュール７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃ，７０Ｄと、複数の研磨ヘッドモジュールを互いに独立して移動させる移動機構とを備える。例文帳に追加

This polishing device for polishing a notch part of a substrate W comprises: a rotation holding mechanism 3 for holding the substrate W parallel and rotating it; plural polishing head modules 70A, 70B, 70C, 70D polishing the substrate W using the polishing tape; and a movement mechanism for moving the plural polishing head modules independently. - 特許庁

５００ｎｍ以上の粒子径の含有量が３〜４０体積％の酸化セリウム粒子、水、及び分散剤を含む半導体基板研磨用またはＳｉＯ_２絶縁膜研磨用酸化セリウム研磨剤、およびこれらの酸化セリウム研磨剤を用いて半導体基板研磨用やＳｉＯ_２絶縁膜を研磨する研磨法。例文帳に追加

The cerium oxide abrasive agent for polishing a semiconductor substrate or the SiO_2 insulation film, comprising cerium oxide particles containing 3 to 40 vol.% of particles having 500 nm or larger in diameter, water and a dispersant, and a method of polishing the semiconductor substrate or the SiO_2 insulation film with these agents are provided. - 特許庁

基板上５に形成された金属膜を、研磨パッド７を用いて研磨する方法において、ポリオキソ酸、アニオン性界面活性剤および水を含有する金属用研磨組成物を用い、前記研磨パッド７の表面に湾曲放射状の研磨組成物ガイド溝６を設けた研磨パッド７で研磨する半導体ウェハの製造方法。例文帳に追加

In a method of grinding a metal film formed on a substrate 5 by means of a grinding pad 7, a metal grinding composition containing a polyoxo acid, an anionic surfactant and water is used to grind with the grinding pad 7 equipped with curved radial grinding composition guide grooves 6 provided on the surface of the pad 7, to manufacture the semiconductor wafer. - 特許庁

ブロックの高さにバラツキがあっても前処理加工を必要とすることなく連続的に一定の研削代で研削面を常に高精度の研削加工を可能にし研削工具の研削能力やブロックの透水性を保持して高品質の研削加工面を得るようにした研削加工機を提供する。例文帳に追加

To provide a grinding machine capable of generating a high quality ground surface by introducing such an arrangement that a high accuracy grinding process of the ground surface is made practicable at all times continuously with a constant grinding margin without requiring a pretreatment process even if a dispersion exists in the heights of concrete blocks and thereby keeping the grinding ability of a grinding tool and the water permeability of the blocks. - 特許庁

多くの努力が汚染問題の研究に捧げられてきたが，ほとんどの研究は真水と地生の系に専念されてきた。例文帳に追加

Although a great deal of effort has been devoted to studying the problem of pollution, most work has concentrated on freshwater and terrestrial systems. - 英語論文検索例文集

多くの努力が汚染問題の研究に捧げられてきたが，ほとんどの研究は真水と陸生系に専念されてきた。例文帳に追加

Although a great deal of effort has been devoted to studying the problem of pollution, most work has concentrated on freshwater and terrestrial systems. - 英語論文検索例文集

多くの努力が汚染問題の研究に捧げられが，ほとんどの研究は真水と陸生系に専念されてきた。例文帳に追加

Although a great deal of effort has been devoted to studying the problem of pollution, most work has concentrated on freshwater and terrestrial systems. - 英語論文検索例文集

多くの努力が汚染問題の研究に捧げられてきたが，ほとんどの研究は淡水と陸上のシステムに専念されてきた。例文帳に追加

Although a great deal of effort has been devoted to studying the problem of pollution, most work has concentrated on freshwater and terrestrial systems. - 英語論文検索例文集

2003年には三重県の水産総合研究センター養殖研究所が養殖業完全養殖に世界で初めて成功したと発表した。例文帳に追加

In 2003, National Research Institute of Aquaculture, Fisheries Research Agency in Mie Prefecture announced that they succeeded in the complete farm raising of eels for the first time in the world.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

京都大学大学院理学研究科の研究チームは先日，油と水をはじく，柔らかい多(た)孔(こう)性(せい)素材を開発したと発表した。例文帳に追加

A team of researchers at Kyoto University's Graduate School of Science recently announced that it has developed soft porous materials that repel oil and water. - 浜島書店 Catch a Wave

化学的機械的研磨における研磨液として、水素イオン濃度がＰＨ９．０以下のアルカリ溶液を用いる。例文帳に追加

As the polishing liquid in chemical mechanical polishing, alkali solution having hydrogen ion concentration of PH 9.0 or less is employed. - 特許庁

本発明の化学的機械的研磨スラリー組成物は、酸化セリウム研磨剤、カルボン酸またはその塩、アルコール系化合物及び水を含む。例文帳に追加

The chemical mechanical polishing slurry composition comprises cerium oxide abrasive powder, carboxylic acid or its salt, alcoholic system compound and water. - 特許庁

本発明の研磨用組成物は、研磨材と、イミダゾール及びイミダゾール誘導体の少なくとも一方と、水とを含有する。例文帳に追加

The polishing composition contains abrasives, at least one of imidazole and an imidazole derivative, and water. - 特許庁

化学機械的な研磨酸化物スラリーは研磨粒子と二つまたはそれ以上の相異なるパッシベーション剤を含む水溶液とよりなる。例文帳に追加

A chemical mechanical polishing oxide slurry comprises polishing particles and an aqueous solution containing two or more passivation agents different from each other. - 特許庁

ジアリルアミン系重合体を含むことで、研磨レートを低下させることなく研磨後のウェーハ表面を親水化することができる。例文帳に追加

The hydrophilization of the wafer surface can be performed, without reducing polish rate by containing diallylamine the system polymer. - 特許庁

有機膜研磨用化学的機械的研磨スラリーは、表面に官能基を有するポリマー粒子と、水溶性高分子と、を含む。例文帳に追加

The chemical mechanical polishing slurry for organic film polishing contains polymer particles including a functional group on the surface and water soluble high polymers. - 特許庁

多層回路基板の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体、基板の研磨方法および多層回路基板例文帳に追加

AQUEOUS DISPERSING ELEMENT FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING USED FOR MANUFACTURING MULTILAYER CIRCUIT BOARD, METHOD FOR POLISHING SUBSTRATE AND MULTILAYER CIRCUIT BOARD - 特許庁

精密研磨ではペルオキソ２硫酸カリウム、水酸化カリウムと紫外線によって化学的にＧａＮを研磨する。例文帳に追加

In precision polishing, the GaN substrate is chemically polished by using potassium peroxodisulfate, potassium hydroxide, and ultraviolet rays. - 特許庁

メタンスルホン酸、アルカリ金属イオン、酸化剤、シリカ研磨材、水を含有し、且つｐＨが８〜１２である、化学的機械的研磨組成物とする。例文帳に追加

A chemical-mechanical polishing composition contains methanesulfonic acid, an alkali metal ion, an oxidizing agent, a silica abrasive, and water; and has a pH of 8 to 12. - 特許庁

半導体結晶基板の研磨で用いる研磨布のドレッシングを、４０℃以上の超純水を用いて行う。例文帳に追加

The dressing of a polishing cloth for polishing a semiconductor crystal substrate is performed using ultrapure water of 40°C or above. - 特許庁

酸化セリウム粒子、有機化合物及び水を含むＣＭＰ研磨剤において−５℃以下の雰囲気下においても凍結しないＣＭＰ研磨剤。例文帳に追加

The CMP abrasive comprising cerium oxide particles, an organic compound and water does not freeze even at ambient temperatures of -5°C and below. - 特許庁

その後、ガラス板をフッ酸を含有する水溶液に浸漬して０．５〜２０μｍ／ｍｉｎの研磨速度でガラス板表面を研磨しても良い。例文帳に追加

Thereafter, the surface of the glass plate may be polished at a polishing speed of 0.5-20 μm/min by immersing the glass plate in an aqueous solution containing the hydrofluoric acid. - 特許庁

研磨スラリＳを純水で希釈してその容積を大きくすることにより、研磨スラリＳに含まれる凝集粒子の濃度が低下する。例文帳に追加

The polishing slurry S is thus diluted with the pure water and increased in amount to decrease the density of cohering particles in the polishing slurry S. - 特許庁

次いで、切削くずが混入された研磨スラッジを圧縮機１６にて脱水しつつ圧縮し、当該研磨スラッジを成型して、ブリケットを得る。例文帳に追加

While the polishing sludge mixed with the cutting waste is dewatered and compressed by a compressor 16, the polishing sludge is molded, by which the briquette is obtained. - 特許庁

酸化剤、ｐＨ調節剤、キレート試薬および脱イオン水を含み、研磨剤を含有しないことを特徴とする化学機械研磨用スラリーである。例文帳に追加

Chemical and mechanical polishing slurry contains an oxidizing agent, a pH adjustor, a chelate reagent, and deionized water. - 特許庁

水素分離膜基材１１ｆを、その一方の面のみを研磨することによって研磨面ＰＳ側に凸状に湾曲させる。例文帳に追加

A hydrogen separation membrane base material 11f is made curved in a convex shape toward a polished face side PS by polishing that side alone. - 特許庁

研磨材、酸、酸化剤、水、及び下記一般式（１）で表される非イオン性界面活性剤を含有する研磨液組成物。例文帳に追加

The polishing liquid composition comprises a polishing agent, an acid, an oxidant, water and a nonionic surfactant represented by the following general formula (1). - 特許庁

分散が安定で粒子径の揃った有機無機ハイブリッド粒子の水性分散体と研磨性能に優れた研磨スラリーを提供する。例文帳に追加

To provide an aqueous dispersion of organic-inorganic hybrid particles, which is stable in dispersion and whose particle size is uniform, and polishing slurry excellent in polishing performance. - 特許庁

研磨用化合物と腐蝕抑制剤と界面活性剤と二酸化合物と金属残留抑制剤と水とを含有する化学機械研磨用組成物である。例文帳に追加

The composite for chemical mechanical polishing contains a compound for polishing, corrosion inhibitor, surfactant, diacid compound, metal residue inhibitor, and water. - 特許庁

基板の研磨の最中に、研磨パッド６の表面にメガソニック洗浄ノズル４からの洗浄水を吹きつける。例文帳に追加

During polishing a substrate, a cleaning water is blown from a megasonic cleaning nozzle 4 on the surface of a polishing pad 6. - 特許庁

研磨パッド４の表面に気体を吹付けて研磨パッド４上に残った液体（純水ＰＷ）を除去する吹付装置１２を設ける。例文帳に追加

A sprayer 12 is provided for getting rid of a liquid (pure water PW) remaining on a polishing pad 4 by spraying a gas on the surface of the polishing pad. - 特許庁

研磨レートを低下させることなくウェーハ表面を親水化することができる研磨組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing composition in which the hydrophilization of a wafer surface can be performed, without causing reduction in the polishing rate. - 特許庁

特に、半導体装置の研磨に好適に用いられ、研磨速度が大きく、エロージョンを低く抑えることのできる水系分散体を提供する。例文帳に追加

To provide aqueous dispersed substance which is large in polishing speed and can suppress the erosion low, being used suitably, especially, for polishing a semiconductor device. - 特許庁

主として有機高分子からなる研磨パッドであって、水に膨潤させたときのＤ硬度変化が５以上である研磨パッド。例文帳に追加

There is provided a polishing pad mainly made of an organic polymer, which has a change of D-rigidity of 5 or more when it is swollen in water. - 特許庁

また、この水系分散体を研磨剤として、被加工膜を研磨する工程を備える製造方法によって半導体装置を得る。例文帳に追加

A semiconductor device is obtained by a manufacturing method having a step of polishing films with the aqueous dispersoid used as abrasives. - 特許庁

研磨砥粒として水分散型ポリウレタンを０．０１〜１０質量％含有してなる金属ＣＭＰ用研磨組成物。例文帳に追加

A polishing abrasive grain is the abrasive composition for the metal CMP including 0.01 to 10 mass wt.% water distributed plyurethane. - 特許庁

また、研磨組成物は、研磨促進剤、キレート剤、および水溶性高分子の少なくとも１つを更に含んでいてもよい。例文帳に追加

The abrasive composition may further include at least one of a polishing accelerator, a chelating agent and a water-soluble polymer. - 特許庁

鋳物砂としては人工セラミック砂を用い、水添加研磨処理を垂直軸回転型研磨装置により行う。例文帳に追加

As molding sand, artificial ceramic sand is used and the water-additional grinding treatment is performed with a vertical shaft rotation type grinding apparatus. - 特許庁

ＣＲＤハウジングのフランジ研磨装置５０は、止水装置６、研磨ユニット７及び装着装置５１を備える。例文帳に追加

This flange polishing device 50 of the CRD housing includes a water cutoff device 6, a polishing unit 7, and a mounting device 51. - 特許庁

研磨剤中の添加剤の合計の濃度は０．０１〜０．５質量％の範囲にあり、研磨剤はその作製中に１回以上水で希釈される。例文帳に追加

The total concentration of additives in the abrasive is set in a range of 0.01-0.5 mass%, and the abrasive is diluted with water once or more during the production. - 特許庁

次に、裏面研削装置８を用い、切削水を供給しながら半導体ウェハ１のデバイス素子非形成面（裏面）を研削する。例文帳に追加

A cutting fluid is supplied while a device element unforming face (the back) of the semiconductor wafer 1 is ground by use of a back grinder 8. - 特許庁

湿式バレル研磨工程では、複数のフィルタチップ１と、水と、研磨材と、緩衝材としての片栗粉と、を混合してバレルを行う。例文帳に追加

At the wet barrel polishing step, barrel polishing is performed by mixing a plurality of filter chips 1, water, abrasive, and potato starch as a shock absorbing material. - 特許庁

電動工具用シャフト付き耐水性スポンジ研磨具に関し、内部に窪んだ曲面を有するワークを均等に研磨する。例文帳に追加

To provide a water-resistant sponge polishing tool with a shaft for a power tool, which that uniformly polishes a workpiece internally having a recessed curved surface. - 特許庁

被加工物の厚さが変動しても常に加工点付近への研削水の供給が可能な研削装置を提供することである。例文帳に追加

To provide a grinding device for feeding grinding fluid to around a process point constantly even when thickness of a workpiece varies. - 特許庁