「水研」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

親水性を有し、研磨スラリーの保持性が改善されたＣＭＰ研磨パッドを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a CMP abrasive pad having a hydrophilic property and improved in the retainability of abrasive slurry. - 特許庁

化学機械研磨用水系分散体およびこれを用いた化学機械研磨方法ならびに半導体装置の製造方法例文帳に追加

WATER DISPERSED ELEMENT FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD USING THE SAME AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

現地のコンクリートブロックを、連続的に研磨加工し、その加工面を一定の高さレベルに揃える水平研磨加工機を提供する。例文帳に追加

To provide a horizontal polishing machine which continuously polishes a concrete block on a site so as to keep the polished surface thereof flush at a fixed height. - 特許庁

米研ぎ器５においては、複数の研磨部材２０が網状の脱水容器１０の底面に固着されて、突状部を立設させるようにしている。例文帳に追加

The rice washer 5 consists of a dehydrating mesh bowl 10 and a plurality of grinding members 20 fixed to a bottom surface of the dehydrating mesh bowl 10 in a manner raising projections therefrom. - 特許庁

化学機械研磨用水系分散体およびこれを用いた化学機械研磨方法ならびに半導体装置の製造方法例文帳に追加

AQUEOUS DISPERSING ELEMENT FOR CHEMICAL/MECHANICAL POLISHING, CHEMICAL/MECHANICAL POLISHING METHOD USING THE SAME AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

化学機械研磨方法およびそれを使用した半導体デバイス、化学機械研磨用水系分散体調製用キット例文帳に追加

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME, AND KIT FOR PREPARING AQUEOUS DISPERSION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING - 特許庁

塗膜の研磨加工を容易に、かつきれいな仕上げすることを目的とした研磨加工用の水系塗材を提供する。例文帳に追加

To provide an aqueous coating material for abrading processing which aims to easily and beautifully finish up the abrading processing of coating films. - 特許庁

このノズル３０はCMP装置において被研磨物の厚さを分光測定装置により測定する際に被研磨物に純水を噴射するためのものである。例文帳に追加

The nozzle 30 jet pure water to an object to be polished when measuring the thickness of the object with a spectrophotometric apparatus in a CMP apparatus. - 特許庁

表面研磨されたシリコンウェーハＷを、界面活性剤を含む洗浄液によって最終洗浄し、研磨面を親水性の面とする。例文帳に追加

A silicon wafer whose surface has been polished is finally cleaned with a cleaning solution containing a surface active agent as a hydrophilic surface. - 特許庁

我が国には世界水準の研究開発が行われている大学・研究機関や国際競争力ある企業が多数存在する。例文帳に追加

Japan has many universities, research institutions, and internationally competitive companies carrying out world class research and development. - 経済産業省

資料： 東京大学 生産技術研究所 沖研究室「2011 年タイ国水害調査結果（第4 報）」（2011 年11 月25 日）から作成。例文帳に追加

Source: Created from the Research on Water Disaster in Thailand 2011 (Report No. 4) (November 25, 2011)(Oki Lab, the Institute of Industrial Science (IIS), University of Tokyo). - 経済産業省

資料： 東京大学　生産技術研究所　沖研究室「2011 年タイ国水害調査結果（第4 報）」（2011 年11 月25 日）及び竹谷（2012）から転載。例文帳に追加

Source: Reproduced from the Research on Water Disaster in Thailand 2011 (Report No. 4) (November 25, 2011)(Oki Lab, the Institute of Industrial Science (IIS), University of Tokyo and Takeya (2012)). - 経済産業省

資料：東京大学 生産技術研究所 沖研究室「2011 年タイ国水害調査結果（第4 報）」（2011 年11 月25 日）から転載。例文帳に追加

Source: Reproduced from the Research on Water Disaster in Thailand 2011 (Report No. 4) (November 25, 2011)(Oki Lab, the Institute of Industrial　Science (IIS), University of Tokyo). - 経済産業省

v) 整備される飲料水供給施設に基づく施設の運営、維持管理のための現地での OJT研修および本邦研修を行う。例文帳に追加

(5) To carry out on the job training on site, and to receive staffs from development committees to Japan The trainees will be expected to learn operation and maintenance of water supply facilities which is going to be constructed. - 厚生労働省

前記第１の界面活性剤は、前記研磨粒子の分散性及び研磨時に被研磨膜である金属膜の表面に形成される表面保護膜の緻密性を高め、前記第２の界面活性剤は、前記研磨粒子の分散性及び前記表面保護膜の緻密性及び親水性を高め、且つ研磨時に用いられる研磨パッド表面の親水性を高める。例文帳に追加

The above mentioned first surfactant increases dispersibility of the polishing particles and density of the surface-protecting film formed on the surface of a metal film i.e., a film for being polished in polishing and the above mentioned second surfactant increase dispersibility of the polishing particles, density and hydrophilicity of the surface-protecting film and hydrophilicity of a polishing pad used in the polishing. - 特許庁

酸化セリウム系研磨剤及びガラス研磨屑を含有するケーキ状の研磨剤廃棄物を、酸水溶液及びアルカリ水溶液のいずれかと混合し、解砕機により解砕する解砕工程を少なくとも含む酸化セリウム系研磨剤の回収方法。例文帳に追加

The method for recovering the cerium oxide polishing agent includes at least a cracking step of mixing caked polishing-agent waste containing the cerium oxide polishing agent and polished glass debris with an acid aqueous solution or an alkali aqueous solution, and cracking the caked polishing-agent waste with a cracking machine. - 特許庁

基板を平坦化するための化学的機械研磨に用いられる研磨パッドにおいて、親水性でかつ水不溶性の高分子と複合構造を形成し、かつ以下に示す（Ａ）および／または（Ｂ）の要件を満たす研磨層を含むことを特徴とする研磨パッド。例文帳に追加

The polishing pad for chemical mechanical polishing used to planarize wafer comprises composite construction formed by hydrophilic and water fusible polymer and polishing layers filling requirements of the following (A) and (B). - 特許庁

研磨用砥粒、精製水、保湿剤としてプロピレングリコール、研削液として界面活性剤と水溶性潤滑剤の混合物を含む金属研磨用研磨材において、増粘剤として乾燥したヒドロキシプロピル化グアーガムを０．０５〜０．５重量％の割合で混合して構成したことを特徴とする。例文帳に追加

In this polishing material for polishing metal including abrasive grain for polishing, purified water, propylene glycol as humectant, and mixture of a surface active agent and water soluble lubricant as grinding liquid, 0.05 to 0.5 wt.% dried hydroxypropylated guar gum is mixed as a thickener. - 特許庁

電気光学表示装置用基板に設けられた銅または銅合金からなる配線層を研磨するための化学機械研磨用水系分散体および該化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット、ならびに化学機械研磨方法例文帳に追加

AQUEOUS DISPERSANT FOR CHEMICAL AND MECHANICAL POLISHING WIRING LAYER OF COPPER OR COPPER ALLOY PROVIDED ON SUBSTRATE FOR ELECTRO-OPTICAL DISPLAY, KIT FOR PREPARING AQUEOUS DISPERSANT FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING, AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD - 特許庁

レンズ研削加工装置は、小径の面取砥石又は溝掘り加工用砥石を支持する面取り又は溝掘り加工軸と、その加工軸を旋回駆動させる加工軸旋回手段と、通常の研削加工用砥石３５に研削水を供給する研削水供給ノズル６１とを有している。例文帳に追加

This lens grinding device is provided with a chamfering or grooving shaft for supporting the chamfering grinding wheel or the grinding wheel for grooving, a chamfering or grooving shaft rotating means for rotating and driving the shaft, and a grinding water supplying nozzle 61 for supplying the grinding water to a grinding wheel 35 for normal grinding. - 特許庁

十分な研磨速度が得られ、且つ被研磨面に傷が付くことがない半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体、及びこの水系分散体によって被加工膜を研磨し、半導体装置を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide an aqueous dispersion that can attain a sufficient polishing speed and is useful for polishing chemical machines to be used in the production of semi-conductor devices without scratch and provide a method for producing semi-conductor devices by polishing the membranes to be processed with this aqueous dispersion. - 特許庁

研磨領域８及び光透過領域９を有する研磨パッド１において、前記研磨領域及び光透過領域の片面に透水防止層１０が設けられており、かつ光透過領域と透水防止層とが同一材料により一体形成されていることを特徴とする研磨パッド。例文帳に追加

In the polishing pad 1 having the polishing area 8 and the light transmitting area 9, a water permeation preventing layer 10 is provided on one side surface of the polishing area and the light transmitting area, and further the light transmitting area and the water permeation preventing layer are integrally formed from the same material. - 特許庁

研磨速度を低下させることなく、研磨傷の発生が抑制された化学機械研磨用水系分散体及び当該水系分散体を用いて微細化素子分離工程における余分の絶縁膜の除去を行う化学機械研磨方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an aqueous dispersion element for chemical mechanical polishing which suppresses generation of polishing scratches without decelerating polishing speed, and to provide a method for removing extra insulation film in a minute element separation process. - 特許庁

橋ゴムもしくは架橋した熱硬化性樹脂からなる非水溶性架橋構造体中に水溶性樹脂よりなる粒子が分散された組成物よりなる研磨パッドと、研磨液として無機／有機複合粒子を含有する研磨液とを用いて導電性材料膜を研磨する。例文帳に追加

A conductive material film is polished through the use of a polishing pad composed of a composition, where particles made of a water-soluble resin are dispersed in a non-water-soluble cross-linking structural body made of cross-linking rubber or a cross-linked thermal curing resin; and a polishing solution contains inorganic/organic composite particles as a polishing solution. - 特許庁

半導体基板の研磨に用いられ、過酸化物を含む研磨剤組成物用の研磨助剤であって、遷移金属を含む水溶性塩（Ａ）と、キレート剤（Ｂ）とを含有し、かつ、前記遷移金属を含む水溶性塩（Ａ）に対する前記キレート剤（Ｂ）のモル比が０．５以上であることを特徴とする研磨助剤。例文帳に追加

The polishing aid for a polishing agent composition used for polishing a semiconductor substrate and including a peroxide contains a water-soluble salt (A) including a transition metal, and a chelate agent (B), while a molar ratio of the chelate agent (B) relative to the water-soluble salt (A) including the transition metal is 0.5 or more. - 特許庁

研磨材、酸、ベンゼン環上に互いに隣接する２個以上の水酸基を有する多価ヒドロキシベンゼン化合物、及び水を含有し、ｐＨ１．０〜４．０である研磨液組成物を用いて被研磨ガラス基板を研磨する工程を含む、ガラスハードディスク基板の製造方法。例文帳に追加

A manufacturing method of a glass hard disk substrate includes a step of polishing a glass substrate to be polished by using a polishing liquid composition that contains an abrasive material, an acid, a poly-hydroxybenzene compound having at least two hydroxyl groups or more adjacent to each other on a benzene ring and water, and is from pH1.0 to 4.0. - 特許庁

また、摩耗状態の検出は、研削ツール１４を指示距離だけ移動させることにより水晶素子１２を所定量研削した後、研削ツール１４を初期位置に戻し、再び研削ツール１４を水晶素子１２（枝２４）に当接させるまで移動させる。例文帳に追加

In the detection of a wear state, after grinding the crystal element 12 by a prescribed amount by moving the grinding tool 14 by an indication distance, the grinding tool 14 is returned back to an initial position and moved until the grinding tool 14 is brought into contact with the crystal element 12 (branch 24) again. - 特許庁

水を使わずに研米する無水式の研米器において、風力により研米糠を米より分離する送風手段の回転数を予め設定した回転数に保ち、良好な研米糠分離性を得ながら、騒音や消費電力の上昇を抑える。例文帳に追加

To hold the number of rotations of a blower means for separating polishing rice bran from rice by wind force to the preset number of rotations and for suppressing a rise in noise or power consumption while obtaining good polishing rice bran separability in a waterless type rice polisher for polishing rice without using water. - 特許庁

研磨速度を低下させることなく、研磨傷の発生が抑制された化学機械研磨用水系分散体及び当該水系分散体を用いて微細化素子分離工程における余分の絶縁膜の除去を行う化学機械研磨方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an aqueous dispersing element for chemical machinery polishing in which the generation of polishing damage is suppressed without decelerating a polishing speed, and to provide a method of chemical machinery polishing having a step of removing an excess insulating film in a miniaturized element separating step by using the aqueous dispersing element. - 特許庁

（Ａ）研磨材、（Ｂ）キノリンカルボン酸、（Ｃ）有機酸、（Ｄ）過酸化水素、および（Ｄ）水からなり、研磨材がフュームドシリカ、コロイダルシリカ、フュームドアルミナ、およびコロイダルアルミナのうち少なくとも１種類からなる組成物であって研磨材の一次粒子が０．０１〜０．２μｍである研磨用組成物である。例文帳に追加

In the composition comprising (A) a polishing material, (B) quinolinecarboxylic acid, (C) organic acid, (D) hydrogen peroxide and (D) water in which the polishing material comprises at least one kind of fumed silica, colloidal silica, fumed alumina and colloidal alumina, primary particles of the polishing material are 0.01-0.2 μm. - 特許庁

回収砂１００重量部に対して、０．５〜２０重量部の水を添加して研磨処理を行った後、乾式研磨処理を行って再生鋳物砂を製造する方法において、水添研磨処理を行った後、乾燥と乾式研磨処理を同時に行い再生鋳物砂を製造する。例文帳に追加

In the method, based on 100 weight parts of recovered sand, after applying a grinding treatment by adding 0.5 to 20 weight parts of water, the regenerated molding sand is manufactured by performing a dry-type grinding treatment, after the hydrogenation grinding treatment, drying and the dry-type grinding treatment are simultaneously performed so as to manufacture the regenerated molding sand. - 特許庁

適度な硬度を有し、十分な研磨速度が得られ、且つ被研磨面に傷が付くことがない半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体、及びこの水系分散体によって半導体装置の被加工膜を研磨し、半導体装置を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide an aqueous dispersoid for chemical-mechanical polishing in manufacturing a semiconductor device which has an adequate hardness, provides a satisfactory polishing rate and avoids damaging a polished surface and a method of polishing films of a semiconductor device with this aqueous dispersoid and manufacturing the semiconductor device. - 特許庁

十分な研磨速度が得られ、且つ被研磨面に傷が付くことがない半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体、及びこの水系分散体によって被加工膜を研磨し、半導体装置を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing used in manufacture of a semiconductor device, which provides a sufficiently high polishing speed and does not impart scratches on a surface to be polished, and a method for polishing a film to be polished by the aqueous dispersion and manufacturing a semiconductor device. - 特許庁

イオン結合を除く配位結合による有機結合であって結晶水を含有する有機化合物から成るサンドブラスト用研磨剤組成物およびこの研磨材組成物によるサンドブラスト後、研磨材及び研鞘屑を空気噴射及び／又は水洗浄により除去するサンドブラスト方法。例文帳に追加

A sandblasting abrasive composition comprises an organic compound composed of organic bonds by coordinate bonding excluding ionic bonding and having a water of crystallinity, and a sandblasting method comprises sandblasting an object with the sandblasting abrasive composition and then, removing the abrasive and ground scrap by air-jetting and/or washing with water. - 特許庁

人工水晶から円板形状の水晶素板を形成する際に、切断、研削及び研磨加工の繰り返しを減らし、人工水晶に対する水晶素板の取得歩留まりを向上させる。例文帳に追加

To improve acquisition yield of a crystal blank to an artificial crystal by reducing repetition of cutting, grinding, and polishing when a disk-shaped crystal blank is formed from the artificial crystal. - 特許庁

親水性でかつ水不溶性の高分子と複合構造を形成したことを特徴とする研磨用パッドであり、その親水性でかつ水不溶性の高分子が粒子状、不織布または織物状であることを特徴とする研磨用パッドである。例文帳に追加

A polishing pad comprises a composite structure formed with a hydrophilic and water-unsoluble polymer, the hydrophilic and water-unsoluble polymer being granulated to form a non-woven or woven cloth. - 特許庁

スピンドルシャフト２２の上端に接続した冷却水の給水管２８から水を供給し、その水を研磨パッド５２の中心の貫通孔５３（５２ａ）から遠心力を利用して周囲の研磨部分に常に行き渡らせる。例文帳に追加

Water is supplied from a water supply pipe 28 of cooling water connected to the upper end of the spindle shaft 22 and is constantly spread from the through-hole 53 (52a) at the center of the polishing pad 52 to the peripheral polishing part using a centrifugal force. - 特許庁

研磨工程排水を遠心分離機４で濃縮する研磨材の回収装置において、遠心分離機４への研磨工程排水の導入と洗浄水貯槽３からの洗浄水の導入とを切り替え、遠心分離機４で洗浄、濃縮を行う。例文帳に追加

This recovery device for abrasive concentrates grinding process drainage with a centrifugal separator 4, wherein switching is conducted between introduction of grinding process drainage into the centrifugal separator 4 and introduction of cleaning water from the cleaning water storage tank 3 to conduct cleaning and concentration with the centrifugal separator 4. - 特許庁

疎水基を含む低誘電率膜の研磨において、研磨材の表面と水素結合する親水基、及び低誘電率膜と物理吸着する疎水基を含む非イオン系界面活性剤を含有することを特徴とする化学的機械的研磨スラリーにより課題を解決する。例文帳に追加

In the polishing of a low-dielectric-constant film containing a hydrophobic group, the chemical mechanical polishing slurry contains the nonionic interfacial active agent containing a hydrophilic group which performs a hydrogen bond to the surface of a polishing material, and containing a hydrophobic group which performs a physical absorption to the low-dielectric-constant film. - 特許庁

Ｓｉ基板の表面を研磨する際に、水素吸着能を有する金属粒子またはその金属粒子と研磨材粒子の混合物と水素水とを共存させるＳｉ基板表面の研磨方法、とくに、金属粒子がＰｄまたは／およびＰｄ合金の微粒子であり、また研磨時の環境が真空雰囲気であることを好適とするＳｉ基板表面の研磨方法。例文帳に追加

This polishing method of the Si substrate surface makes metal particles having hydrogen adsorbing capacity or a mixture of the metal particles and abrasive particles and hydrogen water coexist in polishing the surface of the Si substrate and is especially most suitable when the metal particles are particles of Pd and/or Pd alloy and an atmosphere in polishing is a vacuum atmosphere. - 特許庁

回転ドラム５内に収容する網又はロストル２９の研掃洗浄時は両方のモーターバルブ２０、２２を閉じて水槽２内への給水及び水槽からの排水を停止し、研掃すすぎ洗いは排水管１９のモーターバルブ２０を閉じて水槽２内に給水しながら行う。例文帳に追加

During polishing/cleaning of a net or a grate 29 placed in the rotating drum 5, the motor valves 20, 22 are both closed to stop water supply to and draining from the water tank 2, and during polishing/cleaning/rinsing, the motor valve 20 of the drain pipe 19 is closed while water is supplied to the water tank 2. - 特許庁

ガラス研磨において、水研磨及びリンスの際に排出される排出水から、酸化セリウム系研磨剤と水の再利用、すなわち、水自体を再循環させるとともに、酸化セリウムを回収、再利用し、もって研磨コストを低減させ、環境負荷を少なくするための技術、併せて、排出水のみならず循環使用されるスラリー自体をも再生する技術を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a technology for reusing a cerium oxide-based polishing agent and water from a discharged water discharged at the time of water polishing and rinsing in glass polishing, that is, re-circulating water itself to reduce the polishing cost and also regenerating not only the discharged water but also slurry itself to be circulated for use. - 特許庁

水素分離膜−電解質膜接合体（１００）の製造方法は、水素透過性を有する水素分離膜（１０）の一方の面を研磨剤（２０）により研磨する工程と、水素分離膜（１０）の研磨された面上にプロトン伝導性を有する電解質膜（３０）を成膜する工程とを備え、研磨剤（２０）は水素透過性を有する物質からなる。例文帳に追加

The manufacturing method of the hydrogen separation film-electrolyte membrane assembly (100) comprises a process of polishing one of the faces of a hydrogen separation film (10) with hydrogen permeability with an abrasive (20), and a process of depositing an electrolyte membrane (30) with proton conductivity on the polished face of the hydrogen separation film (10), and the abrasive (20) is made of a matter having hydrogen permeability. - 特許庁

眼鏡レンズの周縁加工に使用される研削水を蓄えるタンクを持ち該タンク内の研削水を循環して再使用する研削水タンク装置において、前記タンク内で研削水の水面より上の空間に設けられたエアフィルタと、該エアフィルタを通してタンク内に発生した泡を吸引する吸引手段と、を備える。例文帳に追加

A grinding water tank device has the tank to store the grinding water used in processing the peripheral edges of lenses for glasses, in which the grinding water in the tank is circulated to be reused, wherein the arrangement includes an air filter installed in the intra-tank space over the surface of the grinding water and a suction means to suck the bubble generated in the tank through the air filter. - 特許庁

一例として，下水の三次処理が，下流において受水流域の水質に及ぼす影響を評価する研究を考慮してみてください。例文帳に追加

As an example, consider a study which calls for an evaluation of the effects of tertiary treatment of domestic wastewater on the quality of downstream receiving waters. - 英語論文検索例文集