例文 (999件) |
水研の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2216件
両面研磨装置に設けられた上定盤と下定盤との各研磨面の全面を、噴射ノズルから各研磨面に噴射した噴射水や噴霧水等を研磨装置が載置されている空間内に噴出することなく洗浄できる研磨定盤の洗浄方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for washing a polishing surface plate capable of washing the entire polishing surfaces of upper and lower surface plates installed in double surface polishing device without jetting jet water and spray water jetted on the polishing surfaces from an injection nozzle into a space for placing the polishing device therein. - 特許庁
この調整は、ベンゾトリアゾール等の研磨速度比調整剤、研磨剤、酸化剤および水を含有し、銅膜の研磨速度(R_Cu)に対するバリアメタル膜の研磨速度(R__BM)の比(R_BM/R_Cu)が0.5〜200である化学機械研磨用水系分散体により行うことができる。例文帳に追加
This adjustment is realized by the use of the chemical mechanical abrasive water-based dispersing member containing the abrasive speed rate adjustment agent, an abrasive agent, an oxidant agent, and water, and the a ratio (RBM/RCu) of the abrasive speed (RBM) of the barrier metallic film to the abrasive speed (RCu) of the copper film is 0.5 to 200. - 特許庁
被研磨体5を研磨するときに用いる研磨材と水溶液からなる研磨液16であって、この研磨液16に使用する水の電気伝導度が、0.500μS/cm(25℃)以下で、多価イオンの含有量を低減することなどで凝集を抑制する。例文帳に追加
In this grinding liquid 16 consisting of a grinding material and an aqueous solution, and used for grinding a material to be ground 5, a water to be used has ≤0.500 μS/cm (at 25°C) electric conductivity and the content of polyvalent ions is reduced, etc. to suppress coagulation. - 特許庁
25℃での水への溶解度が0.1g/100g以上である水溶性物質を0.1〜50質量%含有する研磨パッドを溶剤で洗浄することにより得られる研磨パッドおよびそれを用いて被研磨物を研磨する研磨方法により上記課題が解決される。例文帳に追加
There are provided a polishing pad obtained by cleaning by solvent a polishing pad containing 0.1 to 50 mass% of a water-soluble substance having 1 g/100 g or more solubility into water at 25°C, and a polishing method for polishing a polished material by using the polishing pad. - 特許庁
研磨工程排水中の粗大固形物を膜分離装置1で除去した後、この研磨工程排水中の研磨材を遠心分離機2で回収する研磨材の回収方法において、膜分離装置1の運転停止時に、膜分離装置1内に分散剤を添加した超純水又は研磨工程排水を保持する研磨材の回収方法例文帳に追加
In the abrasive material recovering method for recovering the abrasive material in the waste water in the grinding process by the centrifugal separator 2 after removing coarse solids in the waste water in the grinding process by the membrane separator 1, the super-pure water with a dispersant added thereto or the waste water in the grinding process is kept within the membrane separator 1 when the membrane separator 1 is stopped. - 特許庁
金属の酸化剤、酸化金属溶解剤、保護膜形成剤、水溶性ポリマ及び水を含有する研磨液であり、水溶性ポリマがバリア層の研磨速度を低下させる効果を有する金属用研磨液を使用する。例文帳に追加
A metal polishing fluid contains metal oxidizing agent, metal oxide dissolving agent, protective film forming agent, water-soluble polymer and water, and the water-soluble polymer has the effect of lowering the polishing speed of the barrier layer. - 特許庁
酸化剤、酸化金属溶解剤、研磨摩擦を低減させる水溶性化合物及び水を含有する研磨液であり、好ましくは、前記水溶性化合物の分配係数(LogP)が、2以上、もしくは0以下である研磨液。例文帳に追加
The polishing solution contains an oxidant, a metal oxide dissolving agent, a water-soluble compound that reduces polishing friction, and water, and it is preferable that the distribution coefficient (Log P) of the water-soluble compound contained in the polishing solution is two or above or zero or below. - 特許庁
研磨材、水溶性重合体、及び水を含有する研磨液組成物であって、前記水溶性重合体が、スルホン酸基を有し、主鎖及び側鎖のそれぞれに芳香族環を有する研磨液組成物。例文帳に追加
The polishing liquid composition contains an abrasive, a water-soluble polymer, and water, wherein the water-soluble polymer has a sulfonic acid group, and has an aromatic ring in each of a main chain and a side chain. - 特許庁
水溶性切削油剤、水溶性研削油剤、水溶性研磨剤、水溶性塑性加工油剤及び水溶性洗浄剤等に使用される水溶性潤滑油剤における消泡剤(発泡抑制剤)を提供することを目的とする。例文帳に追加
To provide a defoamer (a foaming inhibitor) in a water-soluble lubricant used for a water-soluble cutting fluid, a water-soluble grinding fluid, a water-soluble polishing fluid, a water-soluble plastic working fluid, a water-soluble cleaner and the like. - 特許庁
耐光性、耐酸性、対泥水研磨性に優れた高い撥水性と優れた滑水性(水滴滑落性)を有する高滑水被膜を得ること例文帳に追加
To provide a high planing film which is excellent in resistance to light, acid, and mud grinding and has high water repellency and excellent planing properties (water drop slipping properties). - 特許庁
ベンゼン環化合物、酸化金属溶解剤、及び水を含有することを特徴とする金属用研磨液、並びにその金属用研磨液を供給しながら、被研磨膜を有する基板を研磨布に押圧した状態で研磨定盤と基板を相対的に動かすことによって被研磨膜を研磨する研磨方法。例文帳に追加
The polishing method for polishing a film to be polished is performed by moving a polishing plate and a substrate relatively in the state where the substrate having the film to be polished is pressed to a polishing cloth, while using and supplying the polishing solution for metal which contains a benzene ring compound, an oxidized metal solvent, and water. - 特許庁
研磨材と水とを含有する研磨スラリーを研磨パッドに供給しながらガラス基板を研磨する方法において、前記研磨スラリーにプルランおよびOH基が2個以上の多価の有機化合物で水溶性のアルコール類からなる群から選ばれた1種以上を添加し、さらに好ましくはpHを0.5〜4の範囲に調整して研磨することを特徴とするガラス基板研磨方法。例文帳に追加
The method of polishing the glass substrate while supplying polishing slurry containing an abrasive and water to a polishing pad includes steps of adding, to the slurry, pullulan and one or more kinds of polyvalent organic compounds selected from a group comprising water-soluble alcohol with two or more OH-radicals and further preferably polishing while adjusting pH to a range of 0.5-4. - 特許庁
半導体集積回路装置の被研磨面を研磨するための化学的機械的研磨用研磨剤中に(A)酸化物微粒子と(B)プルランと(C)水とを含有させる。例文帳に追加
In an abrasive for chemical mechanical polishing for polishing a surface to be polished of a semiconductor integrated circuit device, (A) oxide particulate, (B) pullulan, and (C) water are contained. - 特許庁
また、前記不活性化処理が、ウエハの研削または研磨面へのオゾンの吹き付け、オゾン水による処理、あるいは、ウエハの研削または研磨面へのUV照射によることが好適である。例文帳に追加
Moreover, the inactivation process is suitably performed with grinding of wafer, or blowing of ozone to the polishing surface, process with ozone water, or irradiation of UV to the grinding or polishing surface of the wafer. - 特許庁
噴射式研磨切削装置を用いて、高圧で噴射することで歯牙、金属、ガラス、セラミックスの研磨または研削するに好適な水溶性の還元性粉体(A)を含有する歯科研磨用粉体。例文帳に追加
This dental abrasive powder contains a water-soluble reducing powder (A) suitable for abrading or grinding the teeth, metals, glass, ceramics by jetting the powder with a jet-type abrading and cutting device at high pressure. - 特許庁
水及び砥粒として酸化珪素を含み、pHが3以上5.5以下であることを特徴とする窒化珪素膜用研磨剤およびこの研磨剤を用いて窒化珪素膜を研磨する研磨方法。例文帳に追加
The silicon nitride film abrasive powder, wherein water and silicon oxide as abrasive grains are included and pH is 3 or higher and 5.5 or less and the abrading method for abrading the silicon nitride film with the abrasive powder. - 特許庁
本発明のアルミニウム膜研磨用研磨液は、アミノシランカップリング剤で表面を修飾されたコロイダルシリカと、酸と、水とを含む研磨液であって、研磨液のpHが2〜4の範囲であることを特徴とする。例文帳に追加
The polishing liquid for polishing aluminum film according to the present invention is characterized by comprising a colloidal silica having a surface modified with an amino silane coupling agent, an acid and water and having a pH in a range of 2-4. - 特許庁
プラスチックレンズの研削加工で発生する研削粉を処理するため短時間で研削液から分離できる簡易な研削粉脱水装置を提供する。例文帳に追加
To provide a simple apparatus for dehydrating a ground dust whereby a ground dust produced in grinding plastic lenses can be separated from the grinding fluid in a short time. - 特許庁
洗浄水の噴射圧力が最大位置で研磨パッドを洗浄して、研磨パッドに蓄積された研磨屑を効果的に除去し、良好な研磨効率が得られるようにする。例文帳に追加
To obtain a good polishing efficiency by washing a polishing pad at the position of the maximum wash water injection pressure to remove polished swarf from the polishing pad effectively. - 特許庁
金属用研磨液は、酸化金属溶解剤、保護膜形成剤及び水を含有してなる金属研磨濃縮液を調製し、金属研磨濃縮液を研磨前に希釈する際に、金属の酸化剤を配合して得られる。例文帳に追加
The polishing solution for metal can be obtained by preparing metal polishing concentrated solution including metal oxide dissolving agent, protection film forming agent, and water, and blending metal oxidant when diluting the solution prior to polishing. - 特許庁
(a)研磨材、(b)遊離基捕捉剤、(c)研磨促進剤、(d)防食剤、(e)塩基性化合物、および(f)水を含んでなる研磨材、およびそれを用いた研磨方法。例文帳に追加
A polishing material contains (a) abrasives, (b) a free radical scavenger, (c) a polishing actuator, (d) anticorrosives, (e) a basic compound, and (f) water, and a polishing method using the same is also provided. - 特許庁
被研磨物の表面を親水化するとともに研磨レートを低下させない半導体研磨用組成物および半導体の研磨方法を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor polishing composition and a semiconductor polishing method, which make a surface of an object to be polished to be hydrophilic and does not reduce a polishing rate. - 特許庁
被研磨物の表面を親水化するとともに研磨レートを低下させず、凝集も生じさせない半導体研磨用組成物および半導体の研磨方法を提供する。例文帳に追加
To provide a composition for polishing a semiconductor and a polishing method of a semiconductor without reducing polish rate and generating aggregation while hydrophilizing the surface of an object to be polished. - 特許庁
半導体製造工場などで使用されるCMP工程から排出される研磨材を含有する研磨工程排水から、研磨材粒子を効率的に回収して再利用するための研磨材の回収装置を提供する。例文帳に追加
To provide an abrasive recovering device to efficiently recover abrasive particles for re-utilization from polishing process drain containing abrasive discharged from a CMP process used in a semiconductor manufacturing factory. - 特許庁
半導体ウエハ上の絶縁層の研磨において、低い砥粒濃度で研磨の除去速度を改善することが可能な水性研磨組成物、およびそれを用いた絶縁層の研磨方法を提供する。例文帳に追加
To provide a water abrasive compound capable of improving a removing speed of polishing at low abrasive grain richness, and a polishing method of insulating layer using it in a polishing of insulating layer on a semiconductor wafer. - 特許庁
噴射式研磨切削装置を用いて、高圧で噴射することで歯牙、金属、ガラス、セラミックスの研磨または研削するに好適な水溶性の非還元性粉体(A)を含有する歯科研磨用粉体。例文帳に追加
The dental polishing powder contains a water soluble nonreducing powder (A) suitable for polishing or grinding a tooth, a metal, glass, and a ceramics by high-pressure injection with the use of an injection type polishing and grinding device. - 特許庁
半導体ウェーハの裏面研削研磨時において、研削屑や研削水の進入を防ぎ電極パッド表面の変質および汚染を防止する。例文帳に追加
To protect the surface of an electrode pad against deterioration and contamination by preventing the intrusion of grinding chips or grinding water at the time of grinding/polishing the rear surface of a semiconductor wafer. - 特許庁
半導体デバイスの製造において被研磨面を研磨するためのCMP用研磨剤であって、酸化物微粒子とプルランと水と環内に窒素原子および硫黄原子を有する複素環構造を備える防腐剤とを含有する研磨剤。例文帳に追加
The abrasive for the CMP for polishing a polished surface in manufacturing the semiconductor device contains oxide fine particles, pullulan, water, and an antiseptic agent with a heterocyclic ring structure having a nitrogen atom and a sulfur atom in the ring. - 特許庁
研磨工程の前及び研磨工程中のいずれにおいても、リアルタイムに研磨ヘッドの傾きを検知して、その水平を確認することのできる研磨装置を提供すること。例文帳に追加
To provide a polishing device detecting any inclination of a polishing head on the real-time basis even before or during the polishing process so as to confirm the levelness of the polishing head. - 特許庁
研磨布11a,11bをメダルに押し当てて汚れを取り除く布式研磨装置11とメダルを洗浄水に濡らして下方ブラシ13bと上方ブラシ13cで研磨を行う流体洗浄研磨装置を直列的に設けた。例文帳に追加
This device is serially provided with a cloth type grinder 11 which removes dirt by pressing grinding clothes 11a and 11b to medals and a fluid cleaner/grinder wetting the medals with washing water to grind them with a lower brush 13b and an upper brush 13c. - 特許庁
水を介在させて研削・洗浄作業に使用したときに、研磨粒子の脱落を生じることなく、汚れた面の汚れとりや光沢復活が可能になる研磨粒子を留置した研削型洗浄クロスを提供する。例文帳に追加
To provide a grinding type wash cloth having indwelling abrasive particles, preventing the falling of the abrasive particles when being used for grinding and washing work via water and capable of removing dirt on a dirty surface and recovering its luster. - 特許庁
端面研磨および面取り研磨を凹凸が残らないように行うことができ、しかも、発熱および発塵が少なく、したがって、ゴミ・水等の付着を嫌う処理済み部を有するワークの研磨に適した研磨装置を提供する。例文帳に追加
To provide a grinding device which carries out end face grinding and chamfering grinding without leaving irregular portions in a workpiece, generates only little heat and little dust, and is fit for a workpiece having a worked portion that is vulnerable to adhesion of dust, water, etc. - 特許庁
化学機械研磨方法は、上記の化学機械研磨用水系分散体を用いて、金属層、バリアメタル層、及び特定の絶縁層を有する被研磨物を化学機械研磨することを特徴とする。例文帳に追加
In the method for chemical mechanical polishing, the object to be polished having a metallic layer, a barrier metal layer, and a specific insulating layer is chemically mechanically polished by using the aqueous dispersant for chemical mechanical polishing. - 特許庁
研磨材を製造するための結合剤としての水性分散液の使用並びに結合剤として該分散液を含有している研磨材、研磨紙、研磨布及びすり磨きパッド例文帳に追加
USE OF AQUEOUS DISPERSION AS BINDER FOR PRODUCING ABRASIVE, ABRASIVE CONTAINING THE DISPERSION AS BINDER, ABRASIVE PAPER, ABRASIVE CLOTH AND GRINDING AND POLISHING PAD - 特許庁
研磨領域及び光透過領域を含む研磨層を有する研磨パッドにおいて、前記光透過領域の少なくとも裏面は、親水化処理されていることを特徴とする研磨パッド。例文帳に追加
In this polishing pad having a polishing layer including a polishing area and a light transmission area, at least the rear surface of the light transmission area is subject to hydrophilic treatment. - 特許庁
化学機械研磨方法は、上記の化学機械研磨用水系分散体を用いて、金属層及び特定の絶縁層を有する被研磨物を化学機械研磨するものである。例文帳に追加
In the method for chemical mechanical polishing, the object to be polished, having a metallic layer and a specified insulating layer, is chemically and mechanically polished by using the aqueous dispersant for chemical mechanical polishing. - 特許庁
水分に起因する研磨材の凝集、固結及び被研磨物への付着等のトラブルを効果的に防止するとともに、研磨効率及び加工精度の高い研磨材を提供する。例文帳に追加
To provide a polishing material which can effectively prevent troubles caused by water such as the coagulation or agglomeration of the polishing material, or the adhesion of the polishing material to an article to be polished, and can achieve high polishing efficiency and high processing accuracy. - 特許庁
半導体製造工場などで使用されるCMP工程から排出される研磨材を含有する研磨工程排水から、研磨材粒子を効率的に回収して再利用するための研磨材の回収装置を提供する。例文帳に追加
To provide an abrasive material recovery device for efficiently recovering abrasive particles from waste water which contains abrasive material and is discharged out in a CMP process, which is employed in a semiconductor manufacturing factory or the like. - 特許庁
銅等の研磨において、被研磨面にスクラッチ等を生ずることなく、且つ十分な速度で研磨することができる化学機械研磨用水系分散体を提供する。例文帳に追加
To provide an aqueous dispersion for chemical and mechanical polishing which can effect polishing without causing scratches and like on the surface to be polished with a sufficient speed in polishing copper and the like. - 特許庁
高品質の研磨面を保ちながらしかも高速研磨性により研磨工程の生産性の向上及び低コスト化が可能な安価な酸化水酸化鉄(III) 粉末を砥粒とする研磨用組成物を提供すること。例文帳に追加
To obtain an abrasive composition which uses, as abrasive grains, inexpensive iron (III) hydroxide oxide powders capable of improving the productivity in the abrading step and reducing costs by the high-speed abrasive properties while retaining abraded surfaces of high quality. - 特許庁
銅等の研磨において、被研磨面にスクラッチ等を生ずることなく、且つ十分な速度で研磨することができる化学機械研磨用水系分散体を提供する。例文帳に追加
To provide an aqueous dispersing element for chemical mechanical polishing which can polish copper, etc. at a sufficient rate without scratching a polishing surface. - 特許庁
銅等の研磨において、被研磨面にスクラッチ等を生ずることなく、且つ十分な速度で研磨することができる化学機械研磨用水系分散体を提供する。例文帳に追加
To provide a water dispersed material which is capable of polishing copper or the like at a high speed without making scratches on the surface of a polished work of copper or the like. - 特許庁
半導体製造工場などで使用されるCMP工程から排出される研磨材を含有する研磨工程排水から、研磨材粒子を効率的に回収して再利用するための研磨材の回収装置を提供する。例文帳に追加
To provide an abrasive recovery device for recycling by efficiently recovering abrasive grains from polishing process drain containing abrasives drained from a CMP process used in a semiconductor manufacturing plant or the like. - 特許庁
研削加工の際に、研削水の循環が良好で研削かすの除去が効率的に行われ、しかも、被加工材との接触抵抗を低減することもできる、精密加工に適した研削砥石を提供する。例文帳に追加
To provide a grinding wheel for reducing contact resistance with a workpiece, and suitable for precision work by efficiently removing a grinding debris by excellently circulating grinding water in grinding work. - 特許庁
回転円盤型研磨砥石で研磨加工するときの被研磨材の欠けを防止するとともに、切れ味を向上させ、かつ研磨点への冷却水の供給性と切粉の排出性を良好にする。例文帳に追加
To prevent chipping of a material to be ground in grinding with a rotary disk type grinding wheel, improve sharpness, and improve supply of coolant to a ground point and discharge of chip. - 特許庁
少なくとも一層の固結層と一層の研磨粒が含有され、研磨粒が、固結層の中に固結され、各研磨粒により形成された研磨面は、水平にある同一な面である。例文帳に追加
A ground face containing at least one consolidation layer and one abrasive particle layer, consolidating abrasive particles in the consolidation layer, and formed by abrasive particles is a horizontal identical face. - 特許庁
好ましくは、前記研磨工程を研磨粉の平均粒度が100〜150μmとなるようにして行い、また、前記研磨工程を160〜200番の耐水ペーパーを用いほぼ2Nの平均加重で研磨を行う。例文帳に追加
Preferably, the abrasion process is performed so that the mean granularity of the abrasion powder becomes 100-150 μm, or otherwise, in the abrasion process, abrasion is performed with a mean load of about 2N by using a waterproof paper of No.160-200. - 特許庁
使用にあたっては、研磨シート2を貼着したホルダー1の先端を被研磨材に接触させ、垂直から水平までの任意な角度で被研磨材を研磨する。例文帳に追加
In use, the end of the holder 1 with the polishing sheet 2 stuck thereto is brought into contact with a material to be polished, and the material is polished at a certain angle ranging from vertical to horizontal angles. - 特許庁
酸化ケイ素を含む被研磨面の研磨に用いられる研磨液であって、(A)炭素数が1〜6である飽和モノカルボン酸と、(B)酸化セリウム粒子と、(C)水とを含み、且つ、pHが2.0〜5.5である研磨液。例文帳に追加
The polishing solution for use in the polishing of a surface to be polished containing a silicon oxide includes (A) a saturated monocarboxylic acid having a carbon number of 1C-6C, (B) cerium oxide particles, and (C) water, while having pH of 2.0-5.5. - 特許庁
臨床研究中核病院での国際水準の臨床研究を支援するとともに、国立高度専門医療研究センターの体制整備、臨床研究等を支援例文帳に追加
Support the international-level clinical research conducted at core clinical research hospitals. Also, provide support for the establishment of the systems of and clinical studies carried out at the National Research Center for Advanced and Specialized Medical Care. - 厚生労働省
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