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水研の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2216



例文

化学機械磨用系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械磨方法例文帳に追加

AQUEOUS DISPERSION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING, MANUFACTURING METHOD OF THE SAME, AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD - 特許庁

眼鏡レンズを削加工するためのを濾過して削屑等を分離処理する処理装置(7,27)を有すると共に、処理装置(7,27)にを1回通過させることにより削屑等を濾過処理するワンパス処理手段(削屑分離フィルタ10)を設けている。例文帳に追加

This lens grinding device is provided with the grinding water processors (7, 27) for separating and processing grinding chips by filtering grinding water for grinding a lens of glasses and a one-pass processing means (grinding chip separating filter 10) for filtering processing of the grinding chips by filtering the grinding water once through the grinding water processors (7, 27). - 特許庁

化学機械磨用系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械磨方法例文帳に追加

AQUEOUS DISPERSION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD - 特許庁

容器内の米とに対流状の連続した流れを起こしぎむらを無くした米ぎ器。例文帳に追加

RICE WASHING DEVICE ELIMINATING UNEVENNESS OF WASHING BY CONVECTIVE, CONTINUOUS FLOW OF RICE AND WATER GENERATED IN CONTAINER - 特許庁

例文

化学機械磨用粒子及びその製造方法並びに化学機械磨用系分散体例文帳に追加

PARTICLE FOR CHEMICAL AND MECHANICAL GRINDING, ITS PRODUCTION AND AQUEOUS DISPERSION FOR CHEMICAL AND MECHANICAL GRINDING - 特許庁


例文

化学機械磨用系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械磨方法例文帳に追加

AQUEOUS DISPERSION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD - 特許庁

化学機械磨用系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械磨方法例文帳に追加

AQUEOUS DISPERSION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD - 特許庁

化学機械磨用系分散体およびそれを用いた化学機械磨方法例文帳に追加

AQUEOUS DISPERSION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD USING IT - 特許庁

化学機械磨用系分散体およびその製造方法ならびに化学機械磨方法例文帳に追加

AQUATIC DISPERSION ELEMENT FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING, ITS MANUFACTURING METHOD, AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD - 特許庁

例文

削液に純を用いることにより効率的で経済効果のある削加工が出来る。例文帳に追加

Thus, effective and economical grinding is performed by using pure water as a grinding liquid. - 特許庁

例文

磨シート1の磨面Pには分保持フィルム5が剥離可能に被着されている。例文帳に追加

The polishing surface P of the polishing sheet 1 is coated with a water holding film 5 so as to be peeled off. - 特許庁

砥粒と、ポリアルキレンイミンとを含み、磨後の被磨物表面を親化する。例文帳に追加

The composition contains abrasive grains and polyalkyleneimine, and makes a surface of an object to be polished after polishing to be hydrophilic. - 特許庁

また、第2磨パッド4bを、第1磨パッド4aよりも吸性の低いものとする。例文帳に追加

The water absorption property of the second grinding pad 4b is set to be lower than that of the first grinding pad 4a. - 特許庁

飛散するの影響を受けることなく磨部位の測定を行なうようにする。例文帳に追加

To measure a polishing part without any influence of scattering grinding water. - 特許庁

半導体基板の化学機械磨方法および化学機械磨用系分散体例文帳に追加

METHOD OF CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND AQUEOUS DISPERSING FLUID FOR CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING - 特許庁

GaNの磨方法において、酸化ナトリウム溶液又は酸化カリウム溶液に酸化ガリウムを混合した磨液を用いてメカノケミカル磨する工程を含むことを特徴とするGaNの磨方法である。例文帳に追加

The polishing method of GaN includes a step of using polishing liquid obtained by mixing a gallium hydroxide to a sodium hydroxide solution or a potassium hydroxide solution for carrying out mechanochemical polishing. - 特許庁

溶性マトリックスと、該非溶性マトリックス材中に分散された溶性粒子を含有してなりそして磨面と磨面の反対面の非磨面を備える化学機械磨用パッド。例文帳に追加

The chemical mechanical polishing pad includes a water-insoluble matrix and water-soluble particles dispersed into the water-insoluble matrix, and is formed with a polishing surface and a non-polishing surface opposite to the polishing surface. - 特許庁

化学機械磨用系分散体調製用セット、化学機械磨用系分散体の調製方法、化学機械磨用系分散体および化学機械磨方法例文帳に追加

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AQUEOUS DISPERSION PREPARING SET, METHOD FOR PREPARING CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AQUEOUS DISPERSION, CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AQUEOUS DISPERSION, AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD - 特許庁

磨後のシリコンウェーハWに、界面活性剤を含む超純により磨後洗浄を施し、磨面を親性の面とした後、乾燥の直前に磨面を超純によりリンスする。例文帳に追加

The silicon wafer W after polishing undergoes after-polishing cleaning by ultra pure water containing a surface active agent, and the polished surface, after being finished as hydrophilic, is rinsed with ultra pure water just before drying. - 特許庁

溶性マトリックスと、該非溶性マトリックス材中に分散された溶性粒子を含有してなりそして磨面と磨面の反対面の非磨面を備える化学機械磨用パッド。例文帳に追加

The chemical mechanical polishing pad includes a water-insoluble matrix and water-soluble particles dispersed into the water-insoluble matrix and is formed with a polishing surface and a non-polishing surface opposite to the polishing surface. - 特許庁

ポリシリコン上の酸化ケイ素膜を磨するための磨剤であり、砥粒、ポリシリコン磨抑制剤及びを含む。例文帳に追加

The polishing agent for polishing the silicon oxide film on the poly-silicon contains abrasive grains, poly-silicon polishing retarder and water. - 特許庁

キレート樹脂粒子、無機粒子及びを含有してなることを特徴とする磨剤、及び該磨剤を用いた磨方法。例文帳に追加

The grinding agent and the polishing method using the grinding agent characteristically contains chelate resin particles, organic particles and water. - 特許庁

磨パッド102とウエハ1の被磨面との間に供給する直前の磨スラリSを純で希釈する。例文帳に追加

Polishing slurry S right before supplied to the space between a polishing pad 102 and the polished surface of a wafer 1 is diluted with pure water. - 特許庁

脆性材料を磨するための磨用組成物において、砥粒と磨促進剤としての酸化セリウムとを含有する構成とする。例文帳に追加

The composition for polishing a brittle material is constituted of polishing particles and cerium hydroxide as the polishing accelerating agent. - 特許庁

ホウ酸金属塩、特にホウ酸アルミニウム溶液を磨剤として用いることで、効率よく有機感光体表面を磨する磨方法。例文帳に追加

The polishing method for efficiently polishing the surface of the organic photoreceptor by using an aqueous solution of metal borate salt, more particularly aluminum borate as the polishing agent. - 特許庁

炭化珪素単結晶を磨する磨スラリーであって、平均粒子径が1nm〜400nmの磨材粒子及び無機酸を含んでいる。例文帳に追加

An aqueous polishing slurry is used to polish a silicon carbide single crystal, and it contains abradant particles of which average particle size is 1-400 nm and an inorganic acid. - 特許庁

(1)少なくとも磨層を有する磨パッドが、により湿潤された状態で密封されていることを特徴とする磨パッド。例文帳に追加

(1) The polishing pad having at least a polishing layer is sealed in a state moistened by water. - 特許庁

を主成分とする削液58を削部60に供給しながら、切断刃38を用いて希土類合金を含む磁性部材54を削する。例文帳に追加

The magnetic member 54 containing rare earth alloy is cut using the cutting blade 38 while supplying grinding fluid 58 mainly containing water to a grinding part 60. - 特許庁

半導体装置の製造方法は、上記の磨用系分散体を用いて、半導体材料の被磨面を磨する工程を有する。例文帳に追加

The method of manufacturing a semiconductor device includes a step of polishing the surface to be polished of a semiconductor material using the above water borne dispersing element for polishing. - 特許庁

ポリシリコン上の酸化ケイ素膜を磨するための磨剤であり、砥粒、ポリシリコン磨抑制剤及びを含む。例文帳に追加

The present invention is an abrasive for polishing a silicon oxide film on a polysilicon film containing an abrasive grain, a polysilicon polishing retarder and water. - 特許庁

性に優れ、かつ磨中のスクラッチ等を抑制することができる、特に高精度磨に適した磨布を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing cloth having a superior water absorbing property, capable of suppressing scratches and the like during polishing, and especially being suitable for high precision polishing. - 特許庁

磨面が平の場合に限らず、垂直な場合でも曲面でも磨することができる自動磨装置を提供する。例文帳に追加

To provide an automatic polishing device capable of polishing not only a horizontal unpolished surface but also a vertical unpolished surface and a curved surface. - 特許庁

精度の高い被磨面を与える化学機械磨用系分散体及びそれを用いる化学機械磨方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an aqueous dispersion for grinding a chemical machine, providing the ground surface having high accuracy; and to provide a method for grinding the chemical machine by using the dispersion. - 特許庁

密度、気孔率が均一であって、磨の欠陥率を減少し磨性能能を改善した磨パッドを提供する。例文帳に追加

To provide an aqueous polishing pad with uniform density and porosity as well as reduced polishing defect rate and improved polishing performance. - 特許庁

化学機械磨方法は、上記の化学機械磨用系分散体を用いて、絶縁膜を磨することを特徴とする例文帳に追加

The method of chemical machinery polishing has a step of polishing the insulating film by using the aqueous dispersing element for the chemical machinery polishing. - 特許庁

磨工程排から磨材スラリとして容易に再利用可能な磨粒子のスラリを効率的に回収する。例文帳に追加

To efficiently recover the easily reusable slurry of abrasive grains as abrasive material slurry from the waste water of a polishing process. - 特許庁

密度および気孔の均一性に優れ、それによって磨の欠陥率を減らし、磨性能が改善できる磨パッドを提供する。例文帳に追加

To provide a water-based polishing pad which is excellent in a uniformity of density and pore, and can improve abrasive performance by reducing a percentage defective of polishing owing to it. - 特許庁

磨工程排から磨材スラリとして容易に再利用可能な磨材粒子のスラリを容易かつ効率的に回収する。例文帳に追加

To recover slurry of abrasive particles easily reusable as abrasive slurry from effluent from polishing processes in an easy and effective manner. - 特許庁

鋼片30を砥石削する工程は、鋼片30の削される表面をで濡らして砥石削する工程である。例文帳に追加

The step of grinding the billet 30 with the grindstone is a step where grinding with the grindstone is performed after wetting the surface to be ground of the billet 30 with water. - 特許庁

化学機械磨方法は、上記の化学機械磨用系分散体を用いて、絶縁膜を磨することを特徴とする。例文帳に追加

The chemical mechanical polishing method polishes insulation films using the aqueous dispersion element for chemical mechanical polishing. - 特許庁

磨砥粒を安定して均一に分散でき、磨能、浸透性がよく、摩擦熱の冷却効率が優れた溶性磨加工液を提供する。例文帳に追加

To provide a water-miscible abrasive machining fluid which can stably and uniformly disperse abrasive grains, has good abrading power and penetration, and excels in the efficiency of cooling frictional heat. - 特許庁

性媒体、磨剤及び磨促進剤を含有し、半導体加工にて使用する化学機械的磨組成物を提供する。例文帳に追加

To obtain a chemical and mechanical abrasive composition used for processing a semiconductor by incorporating an aqueous medium, an abrasive and an abrasive accelerator. - 特許庁

磨パッドの被磨物と接触する面に、を供給する機構を有することを特徴とする磨用パッド。例文帳に追加

This pad for polishing is characterized by that it has a mechanism supplying water to a face of the polishing pad contacting the polishing object. - 特許庁

鍛片4を砥石削する工程は、鍛片の削される表面をで濡らして砥石削する工程である。例文帳に追加

The step of grinding the forged piece 4 with a grindstone is a step where grinding with the grindstone is performed after wetting the surface to be ground of the forged piece with water. - 特許庁

磨材の分量を最適に保ち、最適な磨状態を持続することができる磨装置を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing device optimizing an amount of water of an abrasive material and continuing the optimum polishing condition. - 特許庁

系の詰まりによる溢れを防止でき、また、削屑を取り除く清掃作業の管理の容易化を図る。例文帳に追加

To prevent the overflow of grinding water caused by the clogging of a drain system and facilitate the control of cleaning work for removing grinding chips. - 特許庁

酸化金属溶解剤、砥粒、砥粒を沈降させない界面活性剤及びを含有することを特徴とする金属用磨液及び磨定盤の磨布上に該金属用磨液を供給しながら、被磨膜を有する基板を磨布に押圧した状態で磨定盤と基板を相対的に動かすことによって被磨膜を磨する半導体デバイスの磨方法。例文帳に追加

To polish a target film, this semiconductor device polishing method relatively moves a polishing board and a substrate, supplying the corresponding metal polishing solution to a metal oxide solubilizing agent, an abrasive grain, a detergent preventing abrasive grain subsidence, a moisture-contained metal polishing solution and a polishing cloth for the polishing board and pressing the substrate having the target film to the polishing cloth. - 特許庁

磨液供給手段19及び磨液排出手段20は、回転ステージ17a及び上下ステージ17bによって磨工具3に対する相対位置を変化させ、常時、磨工具3の下側から磨液を排出することで、磨工具3が磨液に没するのを防ぐ。例文帳に追加

The supplying device 19 and the draining device 20, transfer their relative positions with regard to the polishing tool 3 by a rotary stage 17a and an up-down stage 17b, and drain the polishing liquid from a lower side of the polishing tool 3 the whole processing time, thereby preventing submerging of the polishing tool 3. - 特許庁

磨砥粒を含む磨液を用いて、ガラス基板を磨する磨工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、上記磨液の溶媒の摩擦係数がと同等以上になるように、ノニオン系界面活性剤を添加した磨液を用いて磨を行う。例文帳に追加

In the method for manufacturing the glass substrate for the magnetic disk, which includes the polishing step for polishing the glass substrate by using a polishing liquid including abrasive grains, the polishing is conducted by using the polishing liquid containing a nonionic surfactant added thereto so that the frictional coefficient of the solvent of the polishing liquid is equal to or more than that of water. - 特許庁

例文

シリコンウェハ、セラミック、金属、ガラス等の磨・削加工において好適に用いることができる、磨速度が向上する、更に沈降した砥粒の再分散効果に優れる磨速度向上剤、及び該磨速度向上剤を含有した溶性磨・削加工液を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing speed improver and a water soluble polishing/grinding agent including the polishing speed improver, capable of being favorably used for polishing/grinding a silicon wafer, a ceramic, a metal, a glass and the like and attaining high polishing speed and an excellent re-dispersion effect of further deposited abrasive. - 特許庁

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