「水研」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明の研磨用組成物は、コロイダルシリカと水酸化カリウムと炭酸水素カリウムとを含有する。例文帳に追加

The polishing composition contains colloidal silica, potassium hydroxide, and potassium hydrogencarbonate. - 特許庁

上りスロープ２４で、研削廃液をノズル１１から水滴、霧もしくは薄水状で滴下させる。例文帳に追加

Grinding waste liquid is dripped in water droplets, fog or thin water film state from a nozzle 11 on an ascending slope 24. - 特許庁

低粘度の水溶性高分子化合物と水を含む半導体用濡れ剤、および研磨用組成物。例文帳に追加

There are provided the wetting agent for a semiconductor containing a low-viscosity aqueous polymer compound and water, and a polishing composition. - 特許庁

水分保持フィルム５は研磨シート１に含有された蒸留水を保持する。例文帳に追加

The water holding film 5 holds the distilled water included in the polishing sheet 1. - 特許庁

この凝集体をイオン交換水等に分散させて化学機械研磨用水系分散体を得る。例文帳に追加

The aqueous dispersion for chemical and mechanical grinding is obtained by dispersing the above coagulated material with ion- exchanged water, etc. - 特許庁

二酸化ケイ素、アルカリ化合物、水溶性高分子化合物及び水から研磨用組成物を調製する。例文帳に追加

The grinder composition is prepared by sillisium dioxide, alkaline compound, water-soluble macromolecular compound and water. - 特許庁

第１及び第２の研磨ホイール３０、３１の各下部は水槽２２内の水２１に浸されている。例文帳に追加

The lower parts of a first and a second polishing wheels 30 and 31 are soaked in the water 21 in a water tank 22. - 特許庁

研磨粒子、両親媒性化合物及び水を含有する水系分散体とする。例文帳に追加

This water-based dispersing element should contain a polishing particle, an amphipathic property compound, and water. - 特許庁

バレルにセラミック焼結体と水を投入し、水温２０℃以下で湿式バレル研磨を行う。例文帳に追加

The ceramic sintered compact and water are supplied to a barrel and wet barrel polishing is performed at a water temperature of 20 °C or less. - 特許庁

また、この複合粒子を水系媒体に分散させ、化学機械研磨用水系分散体を得る。例文帳に追加

Furthermore, this composite particle is dispersed in an aqueous medium to obtain an aqueous dispersion for grinding chemical machines. - 特許庁

被研磨物の研磨に用いられる研磨パッドにおいて、公定水分率が３％以上である樹脂および／またはフィラーを含有するとともに、水に１時間浸漬した際の吸水率が１５％以下であることを特徴とする研磨パッド。例文帳に追加

This polishing pad to be used for polishing an object to be polished is characterized by containing resin and/or filler having an official moisture ratice ≥3% and a percentage of water absorption ≤15% when impregnated in water for one hour. - 特許庁

酸化セリウム粒子、水溶性高分子、水溶性有機フッ素化合物及び水を含む表面張力が５ｍＮ／ｍ以上５０ｍＮ／ｍ以下であるＣＭＰ研磨剤を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、基板表面を研磨する。例文帳に追加

The method for polishing the substrate comprises steps of supplying the CMP abrasives containing cerium oxide particles, water-soluble polymer, water soluble organic fluorocompound and water, in such a manner that the surface tension is 5 mN/m to 50 mN/m for the polishing pad on the polishing platen, and polishing the surface of the substrate. - 特許庁

砥粒および水酸化セシウムを含有する化学的機械研摩用組成物、ならびに水酸化セシウム含有研摩用組成物を用いて集積回路に関連する誘電体層を研摩する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a chemical mechanical polishing composition including an abrasive and cesium hydroxide, and a method for polishing a dielectric layer associated with an integrated circuit using cesium hydroxide containing a polishing composition. - 特許庁

本研磨剤は、化学的機械的研磨用研磨剤であって、酸化セリウム粒子、水および、水溶性有機高分子化合物およびアニオン界面活性剤からなる群から選ばれる１種以上からなる添加剤を含んでなる。例文帳に追加

This abrasive is for chemical mechanical polishing, and contains a kind or more of additives selected from among a group, consisting of cerium oxide particles, water, water-soluble organic polymer compound, and anion surfactant. - 特許庁

（Ａ）研磨材、（Ｂ）ベンゾトリアゾールまたはその誘導体、（Ｃ）有機酸、（Ｄ）過酸化水素、（Ｅ）ポリビニルアルコール及び（Ｆ）水からなり、研磨材が、平均粒径５〜５００ｎｍの範囲にある有機高分子化合物からなる研磨用組成物である。例文帳に追加

The composition for abrasive comprises (A) a grinding agent comprising an organic polymer with 5-500 nm of average particle size, (B) benzotriazole or its derivative, (C) an organic acid, (D) hydrogen peroxide, (E) polyvinyl alcohol and (F) water. - 特許庁

キャリヤの上面側と下面側とにおいて研磨剤水溶液の交流を可能とすることで、キャリヤの全面において研磨剤水溶液の均一化・適量化を図り、研磨効率を向上させる。例文帳に追加

To improve polishing efficiency by enabling interchange of abrasive solution between upper and lower face sides of a carrier for performing uniformity and quantity optimization of the abrasive solution for the whole surface of the carrier. - 特許庁

平面研磨装置等において、研磨を行い、純水等でリンスした後、純水等で研磨定盤に付着した平板状ワークを縁部から吸着しながら剥がして搬出するための真空吸着ヘッドを提供する。例文帳に追加

To provide a vacuum suction head for peeling off a plate-like work attached to a polishing surface plate while sucking the work from an edge portion with pure water or the like before discharging after polishing and rinsing with pure water or the like in a surface polishing apparatus. - 特許庁

また、上記した研磨シート４が遊技媒体搬送ベルト３を挟んで張設されているうえに、この研磨シート４に水分を添加するための送水管５１が配設されている研磨装置。例文帳に追加

For this polishing device, the polishing sheet 4 is stretched across a game medium carrying belt 3, and a water feeding pipe 51 for adding moisture to the polishing sheet 4 is arranged. - 特許庁

この米研ぎシステムＡを使用する際には、米を入れた状態の米研ぎ器５を貯水容器３０に入れ、水を入れた後に、米研ぎ器５を揺動させる。例文帳に追加

When the rice washing system A is used, the rice washer 5 containing rice therein is placed in the water storage bowl 30, and then water is poured therein, followed by shaking the rice washer 5. - 特許庁

本発明を実施するに際して、水研磨工程と並行して、あるいは、水研磨工程でリンス液を供給する代わりに、加工液を、供給することで、化学的研磨工程を行ってもよい。例文帳に追加

The chemical polishing process may be conducted by supplying the working liquid, in parallel with a water-polishing process, or in place of the supply of a rinsing liquid in the wafer-polishing process in the case of the carrying-out of a method for polishing the silicon wafer. - 特許庁

【解決手段】情報記録媒体用基板を製造する情報記録媒体用基板の製造方法において、研磨工程における研磨液は１μｍ以上の粒子を除去した水又は超純水と研磨剤とを含む。例文帳に追加

This method is a manufacturing method for information recording medium substrate to manufacture the information recording medium substrate. - 特許庁

保存性に優れ、迅速なＣＭＰ速度を有し、スクラッチが少なく、平坦性が向上したＬＳＩの作製を可能とする水系研磨液、及び、前記水系研磨液を用いた化学機械的研磨方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an aqueous polishing slurry having a high CMP rate and less scratch and dishing, and enabling fabrication of an LSI having improved flatness, and to provide a chemical mechanical polishing method employing the aqueous polishing slurry. - 特許庁

情報記録媒体用基板を製造する情報記録媒体用基板の製造方法において、研磨工程における研磨液は１μｍ以上の粒子を除去した水又は超純水と研磨剤とを含む。例文帳に追加

In the method for manufacturing the substrate for the information recording medium, a polishing liquid in a polishing process consists of the water in which particles of ≥1 μm or ultrapure water and a polishing agent. - 特許庁

化学的コンディショナ１５は、研磨パッド１３に親水性材料を塗布するために設けられ、研磨パッド１３に親水性材料の膜を形成し、研磨パッド１３のスラリー１８に対する濡れ性を向上させる。例文帳に追加

The chemical conditioner 15 is provided to coat the polishing pad 13 with the hydrophilic material and to form a film of the hydrophilic material on the polishing pad 13, thus enhancing a wetting property of the polishing pad 13 to the slurry 18. - 特許庁

研磨速度比の調整方法ならびに化学機械研磨用水系分散体およびこの化学機械研磨用水系分散体を用いた半導体装置の製造方法例文帳に追加

ADJUSTMENT METHOD OF ABRASIVE SPEED RATIO, CHEMICAL MECHANICAL ABRASIVE WATER-BASED DISPERSING MEMBER, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

ロート製薬、オムロン、積水ハウス総合住宅研究所などの民間研究施設ならびに、きっづ光科学館ふぉとん（日本原子力研究開発機構関西光科学研究所）、ATR等の国の研究施設が立地。例文帳に追加

The area is home not only to private research facilities, such as Rohto Research Village Kyoto, Omron Corporation Keihanna Technology Innovation Center and Sekisui House Co., Ltd. Comprehensive Housing R & D Institute, but also national research facilities, such as the Kids' Science Museum of Photons operated by Kansai Photon Science Institute which belongs to Japan Atomic Energy Agency, and Advanced Telecommunications Research Institute International (ATR).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

金属の酸化剤、酸化金属溶解剤、保護膜形成剤及び水を含有する金属用研磨液を用い、この金属用研磨液を供給しながら基板上の金属膜を表面に溝を有する研磨布を用いて研磨することを特徴とする金属研磨方法。例文帳に追加

This is a metal polishing method for polishing a metallic film on a substrate by using polishing cloth whose surface has grooves while supplying polishing fluid for metal containing an oxidizer for metal, metal oxide dissolving agent, protecting film forming agent, and water. - 特許庁

金属の酸化剤、酸化金属溶解剤、保護膜形成剤及び水を含有する金属用研磨液を用い、この金属用研磨液を供給しながら基板上の金属膜を不織布を研磨布として研磨することを特徴とする金属研磨方法。例文帳に追加

This is a metal polishing method for polishing a metallic film on a substrate by using nonwoven fabric as polishing cloth while supplying polishing fluid for metal containing an oxidizer for metal, metal oxide dissolving agent, protecting film forming agent, and water. - 特許庁

ＳｉＣ単結晶基板の（０００−１）カーボン面を研磨するＳｉＣ結晶研磨方法において、研磨加工する際に、コロイダルシリカから成る砥粒に親水性を持つ有機溶剤を溶媒とした研磨剤と酸化剤とを用いて研磨加工を行う。例文帳に追加

In the SiC crystal polishing method for polishing the (000-1) carbon plane of the SiC single crystal substrate, polishing is executed using a polishing agent in which an organic solvent having hydrophilic property is contained as a medium in grains consisting of colloidal silica, and an oxidizer. - 特許庁

有機膜を研磨する研磨液であって、この研磨液は、ｐＨが５．０以下であり、研磨液全体に対して２．０〜１５．０質量％の有機溶媒と、砥粒と、水とを含有してなり、前記砥粒は、二次粒子径／一次粒子径で求められる会合度が、２．７以下である、研磨液。例文帳に追加

A polishing liquid is used for polishing the organic film, and contains an organic solvent which is ≤5.0 in pH and 2.0 to 15.0%, by mass, for the whole polishing liquid, abrasive grains, and water, the abrasive grains being ≤2.7 in association degree found by a secondary particle size/a primary particle size. - 特許庁

研削用砥石を用いて炭化ケイ素焼結体表面を研削するに際し、少なくとも仕上研削工程において、純水を供給しながら前記炭化ケイ素焼結体表面を研削することを特徴とする炭化ケイ素焼結体の研削方法。例文帳に追加

The grinding method for the silicon carbide sintered compact is characterized in that when the surface of the silicon carbide sintered compact is ground by using a grinding wheel, the surface of the silicon carbide sintered compact is ground while pure water is being supplied at least in a finishing grinding process. - 特許庁

これにて、メカノケミカル作用を発現させるために水を添加した場合でも、工具の硬度低下を少なくできるため、この固定砥粒研削研磨用工具は、長時間研削作業を行った場合でも、安定した研削研磨性能を発揮し得るものとなる。例文帳に追加

Therefore, even in the case of adding water to exhibit the mechano-chemical action, a decrease in hardness of the tool can be reduced, so that the stationary abrasive grain grinding and polishing tool can exhibit stable grinding and polishing performance even in the case of performing grinding work for long time. - 特許庁

金属の酸化剤、酸化金属溶解剤、保護膜形成剤及び水を含有する金属用研磨液を用い、この金属用研磨液を供給しながら基板上の金属膜を摩擦抵抗が９０００〜２５０００Paである研磨布を用いて研磨することを特徴とする金属研磨方法。例文帳に追加

This is a metal polishing method which polishes the metallic film on a board using polishing cloth 9,000-25,000 Pa in frictional resistance, while supplying polishing liquid for metal which contains an oxidizer for metal, a metallic oxide dissolver, a protective film former, and water. - 特許庁

研磨ホルダＨを研磨ホルダアーム１４への着脱を容易にし、二重の研磨力調整を可能とし、研磨ホルダアーム１４をほぼ水平な位置から上方に９０度以上の跳ね上げ回転を可能にした光ファイバ端面研磨装置を提供する。例文帳に追加

To provide an end surface polishing device for optical fiber capable of easily attaching/detaching a polishing holder to from a polishing holder arm, doubly adjusting a polishing force and rotatively jumping the polishing holder arm upward at the angle of 90 degree or more from a roughly horizontal position. - 特許庁

研磨液の供給装置（Ｌ５）は、主に純水および砥粒から成る研磨液を研磨装置（９）へ供給する装置であり、研磨液の供給源（Ｓ１）から研磨装置（９）に至る管路（５７）及び流量調整可能なそのバイパス管路（５７１）を備えている。例文帳に追加

This polishing liquid supplying device (L5) supplies the polishing liquid mainly consisting of pure water and abrasive grains to a polishing device (9), and is provided with a pipe line (57) running from a supply source (S1) of the polishing liquid to the polishing device (9) and a bypass pipe line (571) capable of regulating flow. - 特許庁

第１の溝と第２の溝との交差部分に形成された凸部を研削する第３研削工程においては、回転研削具２１より粒度が細かい回転研削具２２を回転させた状態で、水平方向を向く第３の方向３に移動させることにより研削を実行する。例文帳に追加

In a 3rd grinding process for a projection part formed at the intersection part between the 1st and 2nd grooves, the projection part is ground by moving a rotary grinder 22 which have finder grading than the rotary grinder 21 in a 3rd direction 3 wherein it faces horizontally while rotated. - 特許庁

（Ａ）平均粒径が５〜１５０ｎｍである研磨粒子と、（Ｂ）ｐＫａ値が９〜１０であり、且つ含有量が前記研磨粒子に対して７〜２８ｗｔ％であるｐＨ安定剤と、（Ｃ）研磨促進剤と、（Ｄ）水とを含む、ウェハの粗研磨に用いられる研磨組成物を提供する。例文帳に追加

The abrasive composition, used in rough polishing of wafer, comprises: (A) polishing particles whose average particle diameter is 5-150 nm; (B) pH stabilizer whose pKa value is 9-10 and whose content is 7-28 wt% with respect to the polishing particle; (C) polishing accelerator; and (D) water. - 特許庁

裏面研削された研削面をエッチイング処理または研磨処理して研削傷を取除く際、水溶性樹脂膜によりデバイス回路のダイサ−切り込み格子溝が埋められているのでエッチング液や研磨剤スラリ−がデバイスウエハと保護テ−プ間の界面に浸透してくることがない。例文帳に追加

When a reverse-side polished surface is etched or polished to remove a cutting flaw, neither an etchant nor abrasive slurry penetrates the protection tape to the interface between the device wafer and protection tape since a dicer cut grid groove of the device circuit is filled with the water- soluble resin film. - 特許庁

研磨材と水系溶媒とを含有してなり、下記の研磨速度測定法により測定した研磨速度（Ｒ）と研磨ヘッド圧力（Ｐ）とを直線（Ｔ）が式（１）で表されることを特徴とするＣＭＰプロセス用研磨液を用いる。例文帳に追加

The polishing liquid for CMP process containing polishing materials and an aqueous solvent has a characteristic presented by a relation between polishing speed (R), which is measured by a polishing-speed measuring method explained below, and the pressure of a polishing head (P) in equation (1) which is represented by a line (T). - 特許庁

被研磨面を十分に平坦化することができ、保存安定性が高い化学機械研磨用水系分散体、および異なる材質からなる被研磨面を研磨除去する際の選択性に優れる化学機械研磨方法、ならびに半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a water dispersed element for chemical mechanical polishing for sufficiently flattening a face to be polished with high shelf life stability, a chemical mechanical polishing method with high selectivity at the time of polishing and removing the face to be polished constituted of different materials, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device. - 特許庁

また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、金属膜２４、２７の研磨において、酸化剤を含んだ研磨剤１１で研磨する工程と、研磨剤１１を純水によって希釈して研磨する工程を有する半導体装置の製造方法である。例文帳に追加

In addition, the method for manufacturing a semiconductor device has a process that performs polishing with the polishing agent 11 containing an oxidizing agent and a process that dilutes the polishing agent 11 with pure water to perform polishing in polishing metal films 24, 27. - 特許庁

半導体製造工場などで使用されるＣＭＰ（化学的機械研磨：ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程から排出される研磨材を含有する研磨工程排水から、高濃縮運転を行って研磨材粒子を効率的に回収し、再利用することができる研磨材の回収装置を提供する。例文帳に追加

To provide a collecting apparatus for collecting reusable polishing materials from discharged water produced in polishing process including polishing material discharged from CMP(Chemical Mechanical Polishing) used in a semiconductor manufacturing plant and the like by effectively collecting polishing particle through highly concentrated operation. - 特許庁

一面側に研磨層を有する研磨布を研磨定盤に装着するときは、装着パッド１のスキン層２ａと研磨布の他面側との間に水を介在させて、スキン層２ａの表面に研磨布の他面側を押し付ける。例文帳に追加

The other surface side of the polishing cloth is pressed on a surface of the skin layer 2a by interposing water between the skin layer 2a of the installing pad 1 and the other surface side of the polishing cloth in installing the polishing cloth having the polishing layer on one surface side on the polishing platen. - 特許庁

金属イオンが実質的に含まれておらず、研磨液及び洗浄水存在下での研磨材装着時においても位置決めし易く、良好に定盤に貼着でき、研磨中に研磨液に曝されても固定性が低下せず、研磨終了後も良好に剥離できる両面接着テープを得る。例文帳に追加

To prepare a double-sided adhesive tape substantially free from a metal ion, permitting easy positioning when an abrasive material is attached in the presence of an abrasive liquid and cleaning water, firmly adhered to a surface plate, not suffering from deterioration in fixing properties even when exposed to the abrasive liquid during abrasion, and easily removable after the end of abrasion. - 特許庁

化学機械研磨方法は、（ａ）研磨布上に温度を調整した液体、例えば所定温度に予備加熱した純水、を供給して研磨布の温度を所定温度まで昇温する工程と、（ｂ）前記研磨布上にスラリを供給して被加工物の化学機械研磨を行なう工程と、を含む。例文帳に追加

This method for the chemical-mechanical polishing comprises a process (a) for heating the temperature of a polishing cloth up to a prescribed temperature by supplying temperature-adjusted liquid such as pure water which is pre-heated to a prescribed temperature, and a process (b) for polishing a workpiece by the chemical-mechanical polishing while supplying slurry over the polishing cloth. - 特許庁