「自己拡散法」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

マルチパス伝播のもとでの拡散スペクトル信号の復調の際の自己相関エラ—の最小化のための方法および装置例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR MINIMIZING AUTOCORRELATION ERRORS IN DEMODULATION OF SPREAD SPECTRUM SIGNAL UNDER MULTIPATH PROPAGATION - 特許庁

スペクトラム拡散通信システムにおける加入者ユニットの自己ブロッキング方法および加入者ユニット例文帳に追加

SELF-BLOCKING METHOD OF SUBSCRIBER UNIT IN SPREAD SPECTRUM COMMUNICATION SYSTEM, AND SUBSCRIBER UNIT - 特許庁

半導体記憶装置の製造方法では、前記ゲートと自己整合的に前記半導体基板内に不純物拡散領域を形成する。例文帳に追加

In the method of manufacturing a semiconductor storage device, an impurity diffusion region is formed in the semiconductor substrate so as to be self-aligned with respect to the gate. - 特許庁

ユーザ特有の拡散コードを適用することによって、シンボルのブロックを、時間又は周波数において拡散することと、サイクリックプレフィックス（ＣＰ）又はゼロパディング（ＺＰ）の形式をとるガードインターバルを適用して、異なる拡散ブロックを分離することとを含み、前記拡散コードは、直交拡散コード、相互シフト直交拡散コード、及び自己シフト直交拡散コードを含むグループから選択される方法。例文帳に追加

The present invention relates to a method including spreading blocks of symbols in time or frequency by applying a user-specific spreading code, and applying a guard interval in the form of a cyclic prefix (CP) or zero padding (ZP) to separate different spread blocks, wherein the spreading code is selected from the group comprising orthogonal, mutually shift-orthogonal and self-shift orthogonal spreading codes. - 特許庁

拡散はんだ付けプロセスを用いて少なくとも２つの金属層を接続させる金属層の接続方法であって、金属層に加えられる外部力を用いずに、金属層が自己整合する接続方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for connecting at least two metal layers by means of diffusion soldering process, wherein the metal layers are self-matched without using an external force imparted to the metal layers. - 特許庁

スタックセル電極同士の間に不純物拡散層と自己整合的に接続されるコンタクト電極を有するスタック型不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、素子分離膜の膜減りを防止できるようにする。例文帳に追加

To prevent the thickness of an element isolation film from decreasing in a method for manufacturing a stack-type non-volatile semiconductor storage with a contact electrode that is connected in self alignment manner between stack cell electrodes. - 特許庁

強誘電体キャパシタの上部電極とセルトランジスタの拡散層を接続するための配線が、自己整合的に形成された不揮発性記憶装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile storage device with self-aligningly formed wiring for connecting an upper electrode of a ferroelectric capacitor with a diffusion layer of a cell transistor, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

作製の手法は、小さなセルを作製する自己整合テクニックを組み込んでおり、Ｎ＋拡散及びチッ化記憶サイトが側壁によって規定される。例文帳に追加

The method for fabricating the twin MONOS memory cell incorporates a self-alignment technique for fabricating a small cell in which an N+-type diffusion and nitride storage sites are defined by sidewalls. - 特許庁

本発明は、核磁気共鳴法を用いて多孔質な地層中の間隙水などの含水素流体の自己拡散係数を計測することにより、地層の化学組成がわからくても正確な浸透率を推定可能とすることを目的とする。例文帳に追加

To make accurately estimable permeability even if the chemical composition of a geological layer is unknown by measuring the self-diffusion coefficient of a hydrogen-containing fluid such as pore water in a porous geological layer by using a nuclear magnetic resonance method. - 特許庁

良好な電気特性を有するシリサイド膜を微細で不純物濃度が高いゲートおよび拡散層上に「シリサイドの食い込み」を生じることなく自己整合的に形成する手法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a silicide film having good electrical characteristics on a micro-miniaturized gate and diffused layer having high impurity concentration in a self-aligned manner, without generating 'biting in of silicide'. - 特許庁

自己整合によるソース配線の形成の際にメモリセルのソース拡散層にダメージがなく、Ｗ／Ｅ信頼性の良好な、不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a non-volatile semiconductor memory device and a manufacturing method thereof, where the memory device is high in W/E(writing/erasing) reliability, and the source diffusion layer of a memory cell is protected against damage when a source wiring is formed in a self-aligned manner. - 特許庁

自己を駆動する電力を利用して発光部の熱を効果的に拡散させることができる発光素子、これを搭載した電子機器及び発光素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a light-emitting device which can use power for driving the device itself to diffuse the heat of a light-emitting part effectively, an electronic instrument loading this, and a method for manufacturing the light-emitting device. - 特許庁

ゲート電極の端部近傍領域に自己整合的にオーバーラップし、電界緩和層として働く、低濃度拡散層を有する高耐圧ＭＯＳトランジスタ及びその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a high breakdown voltage MOS transistor having a low concentration diffusion layer which overlaps a region near the end of a gate electrode in a self-alignment process manner and works as a field alleviating layer, and to provide a method of manufacturing it. - 特許庁

多層配線構造のバリアメタル膜の欠陥を、ＣｕＭｎ層のＭｎと層間絶縁膜との自己形成反応による拡散バリア膜で補間する半導体装置の製造方法において、ＣｕＭｎ層上のＣｕ層の比抵抗を低減する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a defect of a barrier metal film having a multilayer wiring structure is interpolated with a diffused barrier film by self-formation reaction between Mn of a CuMn layer and an interlayer insulating film, the specific resistance of a Cu layer on the CuMn layer being reduced. - 特許庁

ダマシン法によるＣｕ配線構造の形成において、Ｃｕ−Ｍｎ合金をバリアメタル膜に組み合わせて欠陥の自己修復および密着性の向上を図る際に、Ｍｎの拡散によるＣｕ配線パターンの抵抗増加を抑制する配線の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing wiring that suppresses an increase in resistance of a Cu wiring pattern due to diffusion of Mn when a Cu-Mn alloy is combined with a bimetal film to make a self-repair of a defect and improve adhesiveness during formation of a Cu wiring structure by a damascene method. - 特許庁

水と界面活性剤を使用せずに、設備の小型化によるコスト削減が可能で、省エネルギーにも貢献でき、更にカーボンブラックとＰＴＦＥの望ましい構造を自己組織化できる、ガス拡散電極原料の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a gas diffusion electrode raw material which does not use water and surfactants, thereby can attain cost reduction owing to device miniaturization, can also contribute to energy- saving and by which desirable structure of carbon black and PTFE can be self-organized. - 特許庁

低抵抗かつ安定した電気特性を有するシリサイド膜を、微細で不純物濃度が高いゲート電極及び拡散層上においても、デバイス特性に劣化を生じることなく、自己整合的に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device manufacturing method, by which a silicide film having low resistance and a stable electrical characteristic can be formed in self-alighing way, without deteriorating the characteristic of a semiconductor device even on a fine gate electrode containing an impurity at a high concentration and a diffusion layer. - 特許庁

あらかじめ形成しておいたゲート２０７ａをマスクに用いて互いに逆方向からの斜めイオン打ち込み法を用いて、ゲート２０７ａに対して自己整合的に拡散層２０５とウェルと同導電型の高濃度不純物領域５０１を形成する。例文帳に追加

While using mutually reverse oblique ion injections with a previously formed gate 207a as a mask, a heavily-doped region 501 of the same conductive type as that of the diffusion layers 205 and the well is formed in self-aligned manner to the gate 207a. - 特許庁

本発明による核磁気共鳴法を用いた地層の浸透率の推定方法は、静磁場磁石、傾斜磁場コイルおよびラジオ波コイルから構成されるセンサーユニットを地層に押し当てて地層中の間隙流体分子の自己拡散係数を計測することにより、地層の浸透率を推定することを特徴とする。例文帳に追加

This method of estimating permeability of a geological layer by using the nuclear magnetic resonance method is characterized in that the permeability of a geological layer is estimated by measuring the self-diffusion coefficient of pore fluid molecules in the layer with a sensor unit held against the layer, the sensor unit comprising a static magnetic field coil, a gradient magnetic field coil, and a radiofrequency wave coil. - 特許庁

本発明の記録媒体の製造方法は、基板１１上に記録材料粒子１２を配列し記録層を形成するにあたり、前記基板１１は前記記録材料粒子１２の配列を制御する位置制御領域１３と、前記記録材料粒子の配列が自己組織的になされる自由拡散領域１４とが少なくともあらかじめ設けられているものを使用する。例文帳に追加

The method for manufacturing the recording medium, wherein recording material particles 12 are arranged on a substrate 11 to form the recording layer, comprises the substrate 11 previously provided with at least a position controlling region 13 for controlling the arrangement of the recording material particles 12 and a freely diffusing region 14 in which the arrangement of the recording material particles is performed in a self-organizing way. - 特許庁

ドレイン領域を取り囲む低濃度拡散領域の境界を、ゲートとドレイン領域との間に形成されるフィールド酸化膜の境界に自己整合的に合わせることができるようにし、それにより高耐圧及びトランジスタ特性のバラツキの少ない高耐圧ＭＯＳトランジスタの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a high withstand voltage MOS transistor where the boundary of a low concentration diffusion area surrounding a drain area can be matched with a field oxidized film formed between a gate and a drain area in terms of self-matching, resulting in high withstand voltage and the less dispersion of a transistor characteristic. - 特許庁

その後、熱処理を行い、合金層１７中のＭｎを多孔質膜２０の構成成分と反応させて、合金層１７と多孔質膜２０との界面に、銅の拡散バリア性を有するＭｎ化合物からなる自己形成バリア膜１９を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体装置である。例文帳に追加

Subsequently, heat treatment is carried out to make Mn in the alloy layer 17 react with the constituent of the porous film 20 to form a self-formation barrier film 19 composed of an Mn compound having copper diffusion barrier performance at the interface between the alloy layer 17 and the porous film 20. - 特許庁