「表面 n」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

An n^+-type semiconductor region 12d is formed on the surface side of a p^--type well layer 12c of a semiconductor substrate 12, and a photodiode is constituted of this n^+-type semiconductor and the p^--type semiconductor.例文帳に追加

半導体基板１２のＰ−型ウエル層１２ｃの表面側には、Ｎ＋型半導体領域１２ｄが形成されており、このＮ＋型半導体とＰ−型半導体とでフォトダイオードが構成される。 - 特許庁

A p-type base layer 3 is formed at a specified depth under the surface of an epitaxial layer 2, at the center part of the n-type epitaxial layer 2 formed on an n-type semiconductor board 1.例文帳に追加

ｎ型の半導体基板１上に形成されたｎ型のエピタキシャル層２の中央部には、エピタキシャル層２の表面から一定の深さにかけてｐ型のベース層３が形成されている。 - 特許庁

Regarding the grain oriented silicon steel sheet has an amorphous film containing titanium and nitrogen formed on the surface, wherein the ratio of the number of Ti atoms to the number of N atoms (Ti/N) in the film is controlled to >1 to ≤5.例文帳に追加

鋼板の表面に、チタンおよび窒素を含むアモルファス状の被膜を有する方向性電磁鋼板において、該被膜中のTiとＮとの原子数比率Ti／Ｎを１を超え５以下の範囲とする。 - 特許庁

An n-type GaN layer is provided near a two-dimensional electronic channel which is formed at AlGaN/GaN heterojunction, and a drain electrode is simultaneously brought into contact with the AlGaN layer and the n-type GaN layer of the surface.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ接合に形成された二次元電子チャンネルの近くにｎ型ＧａＮ層を設け、さらにドレイン電極を表面のＡｌＧａＮ層及びｎ型ＧａＮ層に同時に接触させる。 - 特許庁

Additionally, an n diffusion region 4 is formed adjacent to the p diffusion region 3, and a source electrode 11 is formed in contact with both the surfaces of the n diffusion region 4 and the p diffusion region 3.例文帳に追加

また、ｐ拡散領域３と隣接してｎ拡散領域４が形成され、このｎ拡散領域４とｐ拡散領域３との双方の表面に接触してソース電極１１が形成される。 - 特許庁

A plurality of first grooves 9 arranged in parallel to each other are formed on the surface (one main face) of an n-type drain region 2 formed on an n^+ substrate region 1.例文帳に追加

ｎ＋型の基板領域１の上に形成されたｎ型のドレイン領域２の表面（一主面）に、互いに平行に配置された複数の第１の溝９が形成されている。 - 特許庁

Namely, the lamination structure of an N^+ high concentration substrate 1 and the N^- low concentration layer 2 is arranged under a state that the whole surface of the thermal oxidation film 5 is contacted with the susceptor 11.例文帳に追加

すなわち、熱酸化膜５の全表面をサセプタ１１に接触させた状態で、Ｎ^+高濃度基板１及びＮ^-低濃度層２の積層構造を配置する。 - 特許庁

An n-type withstand voltage layer 3 comprised of a silicon carbide is formed on the main surface of an n-type silicon carbide inclined substrate 2 by an epitaxial growth method.例文帳に追加

ｎ型の炭化ケイ素傾斜基板２の主表面上に、エピタキシャル成長法によって炭化ケイ素からなるｎ型の耐圧層３が形成されている。 - 特許庁

For example, an n^--type semiconductor layer 2 is formed on an n^++ type semiconductor substrate 1, and a p^+ type diffusion area 3 is formed on the front surface of it to form a pn junction.例文帳に追加

たとえばｎ^＋＋形半導体基板１上にｎ^−形半導体層２が設けられ、その表面にｐ^＋形拡散領域３が設けられて、ｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁

A lattice defect region 4 is formed, as a low lifetime region, in the surface layer of an n-type substrate 3 by implanting ions from the surface side of the n-type substrate 3 (Fig. 2(a)).例文帳に追加

Ｎ−型基板３の表面側からイオン注入を行うことで、Ｎ−型基板３の表層部に低ライフタイム領域としての格子欠陥領域４を形成する（図２（ａ））。 - 特許庁

A bit line contact 51 is formed on the surface of an n-type diffusion layer 36, and an n-type diffusion layer 27 is connected to a storage node electrode 22 through a buried strap 41 and a polysilicon electrode 22A.例文帳に追加

ｎ型拡散層３６の表面にはビット線コンタクト５１が形成され、ｎ型拡散層２７は、埋め込みストラップ４１、及びポリシリコン電極２２Ａを介してストレージノード電極２２に接続されている。 - 特許庁

At least one N-type emitter region 3 and at least one N-type sense region 5 spaced apart from the emitter region 3 are selectively formed on a surface portion of a P-type base region 2.例文帳に追加

Ｐ型のベース領域２の表面部に、少なくとも１つのＮ型のエミッタ領域３及びエミッタ領域３と離隔した少なくとも１つのＮ型のセンス領域５が選択的に形成されている。 - 特許庁

An n--type epitaxial silicon layer 3 for collector is formed on the surface of an n+-type silicon substrate 21 having a crystal plane azimuth of (100), and a silicon oxide layer 4 made by the LOCOS method is formed thereon.例文帳に追加

結晶の面方位が（１００）であるｎ^+ 型シリコン基板２１の表面にコレクタ用ｎ^- 型エピタキシャル・シリコン層３が、その上にロコス法からなるシリコン酸化膜４がある。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n^-layer as a withstand voltage layer using silicon carbide, and a portion, which is exposed n a surface, of a pn junction interface keeping a reverse bias voltage can be protected with a thermal oxidation film containing negative charges.例文帳に追加

炭化珪素を用い、ｎ^-層を耐圧層として含む半導体装置であって、逆バイアス電圧を保持するｐｎ接合界面が表面に出ている部分を負の電荷を含む熱酸化膜で保護する。 - 特許庁

The light emitting device is provided with an n-electrode 11 formed on the second main surface 1a of the GaN substrate 1, and a protection film 30 formed to cover a side wall of the n-electrode 11.例文帳に追加

また、上記発光装置は、ＧａＮ基板１の第２の主表面１ａ上に形成されたｎ電極１１と、ｎ電極１１の側壁を覆うように形成された保護膜３０とを備える。 - 特許庁

Also, in the varactor element 14, the surface of the p-type substrate 1 is formed with an N well 2, and the gate insulating film 6 and the p-type polysilicon layer 5 are formed on the N well 2.例文帳に追加

また、バラクタ素子１４においては、Ｐ型基板１の表面にＮウエル２を形成し、その上にゲート絶縁膜６及びＰ型ポリシリコン層５を設ける。 - 特許庁

An embedded oxide film (element isolation) 3 is formed by permitting it to penetrate the n-type epitaxial growth layer 2 from the surface of the same into the n^+-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル成長層２の表面からこれを貫通し、Ｎ^+型シリコン基板１にくい込んで埋込酸化膜(素子分離)３が形成されている。 - 特許庁

The p-n junction diode 20 is constituted of a p-type silicon substrate 21 and a heavily doped region 23, formed by heavily doping n-type impurities on the surface of the p-type silicon substrate 21.例文帳に追加

ｐｎ接合ダイオード２０は、ｐ型シリコン基板２１と、ｐ型シリコン基板２１の表面にｎ型不純物が高濃度にドープされて形成される高濃度不純物領域２３とから構成されている。 - 特許庁

Electron affinity on a surface 3a of an n-type diamond layer 3 is reduced in this electron emission element 1 because a work function of n-type diamond is small as compared with, for instance, silicon.例文帳に追加

電子放出素子１では、例えばシリコンに比べｎ型ダイヤモンドの仕事関数は小さいため、ｎ型ダイヤモンド層３の表面３ａにおける電子親和力は小さくなっている。 - 特許庁

This surface acoustic wave is propagated on the upper end surface of a non-piezoelectric plate 1 to the 2nd piezoelectric substrate 3 and converted by output inter-digital electrodes R_x1 into electric signals E_xj (j=1, 2,..., n).例文帳に追加

この弾性表面波は、非圧電板１の上端面を伝わって、第２圧電基板３に伝搬され、出力用すだれ状電極R_x1において電気信号E_xj (j=1, 2,…, n)に変換される。 - 特許庁

(1) The surface tension of the solvent is ≥0.02 N/m and ≤0.06 N/m at 20°C and the spacer particles have ≥30% charge retention rate.例文帳に追加

（１）前記溶媒は２０℃における表面張力が０．０２Ｎ／ｍ以上、０．０６Ｎ／ｍ以下であり、かつ、前記スペーサー粒子は帯電保持率が３０％以上である。 - 特許庁

The surfaces of an n-type area 5 made of n-type semiconductors and a p-type area 6 made of p-type semiconductors are both ground to be flat, and then boron is selectively injected into the p-type area 6 that becomes an inactive area.例文帳に追加

ｎ型半導体よりなるｎ型領域５およびｐ型半導体よりなるｐ型領域６の表面を研磨して平坦にした後、非活性領域となる領域のｐ型領域６にボロンを選択的にイオン注入する。 - 特許庁

The n-type nitride semiconductor laminate has a substrate, a buffer layer made of Al_aGa_1-aN(0.05≤a≤0.8), and an n-side nitride semiconductor layer formed on the buffer layer.例文帳に追加

本発明のｎ型窒化物半導体積層体は、基板と、前記基板の表面に形成された、Ａｌ_ａＧａ_１−ａＮ（０．０５≦ａ≦０．８）からなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成されたｎ側窒化物半導体層とを有する。 - 特許庁

After a P+-type or N+-type wafer which are subjected to high density doping is prepared, the surface is subjected to anodic reaction, thereby simply obtaining a thick porous silicon layer.例文帳に追加

高濃度ドーピングされたp^+型またはn^+型ウェーハを用意した後、その表面を陽極反応させることにより簡単に厚い多孔質シリコン層が得られる。 - 特許庁

For example, on the surface of an n-drift layer 11 adjacent to a p-base layer 12a and an n^+-source layer 13a, a gate electrode 24a in a trench structure is formed in a grid shape.例文帳に追加

たとえば、ｐベース層１２ａとｎ＋ソース層１３ａとにそれぞれ隣接する、ｎ−ドリフト層１１の表面部に、トレンチ型構造のゲート電極２４ａを格子状に形成する。 - 特許庁

The n-type semiconductor diamond contains Li and N in an amount of ≥10 ppm, respectively, at the same depth from the crystal surface and has a sheet resistance of ≤10^7 Ω/square.例文帳に追加

本発明のｎ型半導体ダイヤモンドは、ＬｉとＮが結晶表面から同じ深さにそれぞれ１０ｐｐｍ以上含有しており、シート抵抗が１０^７Ω／□以下である。 - 特許庁

N+ type diffusion regions 6a-6d as well as P- type diffusion region 5a and the like are formed on the surface and its vicinity of an N- type epitaxial layer 2 on a p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１上のＮ−型エピタキシャル層２の表面およびその近傍にＮ＋型拡散領域６ａ〜６ｄおよびＰ型拡散領域５ａ等が形成されている。 - 特許庁

On a P-type silicon substrate 2 are laminated a box layer 3 consisting of silicon oxide, an N^+ type lateral direction conductive layer 4 and an N^- type surface layer 5.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板２上には、酸化シリコンからなるボックス層３、Ｎ^＋型横方向導電層４およびＮ^−型表面層５が積層されている。 - 特許庁

On the surface 1A, an N-type semiconductor layer 2 and a P-type semiconductor layer 3 are sequentially grown epitaxially to form a P-N junction surface 5 which contributes to light emission.例文帳に追加

この表面１Ａ上に、Ｎ型半導体層２およびＰ型半導体層３を順にエピタキシャル成長させて、発光に寄与するＰＮ接合面５が形成されている。 - 特許庁

Thus, surface acoustic wave propagation paths W_xj (j=1, 2,..., n) are formed on the upper end surface of the non-piezoelectric substrate 1 between the input inter-digital electrodes T_x1 and the output inter-digital electrodes R_x1.例文帳に追加

このようにして、非圧電板１の上端面において、入力用すだれ状電極T_x1と出力用すだれ状電極R_x1の間に弾性表面波伝搬路W_xj (j=1, 2,…, n)が形成される。 - 特許庁

A gate insulating film 70 is formed so as to cover the surface of a P-type region between the N^+-type SiC source region 30 and the N-type SiC drain region 40.例文帳に追加

Ｎ＋型ＳｉＣソース領域３０とＮ型ＳｉＣドレイン領域４０との間のＰ型領域の表面を覆うようにゲート絶縁膜７０が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of precisely etching a GaN material, wherein the modified and smooth surface of the GaN material can be provided, and a GaNHBT can be manufactured by selectively etching an n-p-n GaN material.例文帳に追加

ＧａＮ材料を精密にエッチングする方法であって、改良された表面の滑らかさを提供でき、そしてｎ‐ｐ‐ｎＧａＮ材料を選択的にエッチングしてＧａＮＨＢＴを製造できる方法である。 - 特許庁

METHOD OF COMBINATION OF THIN-WALLED RECTANGULAR PERMANENT MAGNETS DIVIDED INTO S-POLE AND N-POLE AT THEIR FRONT AND REAR SURFACES, WHICH CAUSE PARALLEL TRANSLATION ON SURFACE OF ORBIT FORMED OF PERMANENT MAGNET WHOSE POLARITY IS UNIFIED INTO EITHER S-POLE OR N-POLE例文帳に追加

Ｓ極かＮ極のどちらかに統一した永久磁石で作った軌道の表面上で裏表でＳ極Ｎ極にわかれた厚みのうすい方形の永久磁石が平行移動をおこす組み合わせかた - 特許庁

An n^--type layer 12 is provided, by epitaxial growth, on one principal plane (surface side) of an n^+-type silicon substrate 11, and the other principal plane (reverse side) is in electrical contact with an anode electrode 13.例文帳に追加

ｎ^＋型シリコン基板１１の一主面（表面側）上にｎ^−型層１２がエピタキシャル成長して設けられており、他主面（裏面側）にアノード電極１３が電気的接触して設けられている。 - 特許庁

Accordingly, a silicon interface state (Qss) in the vicinity of the channel isolation region 29 on the surface of the n-type silicon substrate increases, and holes or minority carriers in the n-type silicon substrate disappear in the region.例文帳に追加

したがって、上記Ｎ型シリコン基板の表面におけるチャネル分離領域２９近傍のシリコン界面準位(Ｑss)が増大し、Ｎ型シリコン基板内の少数キャリアである正孔が上記領域において消滅する。 - 特許庁

To provide technique for reducing forward resistance by making good use of a pn junction diode, with respect to a diode having a p-type semiconductor region formed on part of a surface of an n-type semiconductor region.例文帳に追加

n型半導体領域の表面の一部にp型半導体領域が設けられたダイオードにおいて、内在するpn接合ダイオードを活用して順方向抵抗を低減化する技術を提供する。 - 特許庁

After n-type diffused layers 5a and 5b are formed on the surface of a p-type semiconductor substrate 1, polysilicon layers 10a and 10b are sequentially formed on the n-type diffused layers 5a and 5b, providing a gettering site layer.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１の表面にｎ型拡散層５ａ及び５ｂを形成した後、ｎ型拡散層５ａ及び５ｂの上にポリシリコン層１０ａとポリシリコン層１０ｂとを順次形成して、ゲッタリングサイト層とする。 - 特許庁

The thermionic cathode is equipped with an n-type diamond layer as an electron emission substance on a surface of a substrate, and the n-type diamond layer includes a layer containing a transition metal element on its surface layer part.例文帳に追加

基体の表面上に電子放出物質としてｎ型ダイヤモンド層を備え、該ｎ型ダイヤモンド層がその表層部に遷移金属元素を含有する層を有することを特徴とする。 - 特許庁

On the surface of an n-type silicon carbide substrate or n-type silicon carbide region 1, a nickel film 2 and a nickel oxide film 3 are laminated in this order and then heat-treated in a state wherein they are not subjected to oxidation.例文帳に追加

ｎ型炭化珪素基板またはｎ型炭化珪素領域１の表面に、ニッケル膜２と、酸化ニッケル膜３と、をこの順に積層し、酸化しない状態で熱処理をおこなう。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 13 is formed by an epitaxial growing method so as to retain the recess of the trench 12 on the inner wall of the trench 12, and a p-type semiconductor layer 14 is similarly formed on the surface of the n-type semiconductor layer 13.例文帳に追加

トレンチ１２の内壁上にトレンチ１２の凹みを残すようにＮ型半導体層１３をエピタキシャル成長法により形成し、同様にＮ型半導体層１３の表面上にＰ型半導体層１４を形成する。 - 特許庁

In a photodiode PD1, a resistor 15 consisting of a P diffusion layer (impurity diffusion layer) and a cathode 13 consisting of a N diffusion layer 12 are formed on the surface (light receiving surface) of the N diffusion layer 12 formed on a P substrate 1.例文帳に追加

フォトダイオードＰＤ１は、Ｐ基板１上に形成されたＮ拡散層１２の表面（受光面）に、Ｐ拡散層（不純物拡散層）からなる抵抗１５とＮ拡散層からなるカソード１３とを形成する。 - 特許庁

The n-type gallium nitride layer can have a second surface-unevenness structure 300a of a given pattern formed on a surface in contact with the n-type electrode 106.例文帳に追加

前記ｎ型窒化ガリウム層は前記ｎ型電極１０６と接する側の面に所定形状の第２表面凹凸構造３００ａを形成してもよい。 - 特許庁

A diode 102 having a p^+ impurity region 6 and an n^+ impurity region 45 is formed on the surface of the n^- semiconductor layer 3 in a region 105.例文帳に追加

ｐ^+不純物領域６及びｎ^+不純物領域４５を有するダイオード１０２が、領域１０５内のｎ^-半導体層３表面に形成されている。 - 特許庁

To provide a technique for reducing forward resistance by utilizing an included pn junction diode, with respect to a diode having a p-type semiconductor region formed on a portion of a surface of an n-type semiconductor region.例文帳に追加

n型半導体領域の表面の一部にp型半導体領域が設けられたダイオードにおいて、内在するpn接合ダイオードを活用して順方向抵抗を低減化する技術を提供する。 - 特許庁

An electrode 15 electrically connected to the p-type region 7 and an electrode 19 electrically connected to the high-concentration n-type region 9 and the p-type region 11 are formed on the front side of the n-type semiconductor substrate 5.例文帳に追加

ｎ型半導体基板５の表面側には、ｐ型領域７に電気的に接続される電極１５と、高濃度ｎ型領域９及びｐ型領域１１に電気的に接続される電極１９とが形成されている。 - 特許庁