「表面 n」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

On the front surface in the p+ type well region 5, two n++ type source regions 6a, 6b are formed.例文帳に追加

ｐ^+形ウェル領域５内の表面側には、２つのｎ^++形ソース領域６ａ，６ｂが形成されている。 - 特許庁

A basic pattern P1 with N poles on two surfaces and S poles on the remaining surfaces and a basic pattern P2 with reversed N and S poles are alternately assigned to block members 11-18 of an assembly 100, and an expansion plan is created.例文帳に追加

組み立て体１００において、ブロック部材１１〜１８に関して、２つの表面がＮ極であり残りの表面がＳ極である基本パターンＰ１と、Ｎ極及びＳ極が逆転した基本パターンＰ２とを交互に割り当て、展開図を作成する。 - 特許庁

A p^+ region 89 is formed within a source neighborhood p-type region 83 in an n-well 33 and then arsenic is injected into a shallow substrate surface in the p^+ region 89 by applying an ion implantation method using a ring-shaped gate electrode 35 as a mask to form a surface n^+ layer 90.例文帳に追加

ｎウェル３３中のソース近傍ｐ型領域８３内にｐ^+領域８９を形成した後、リング状ゲート電極３５をマスクとしたイオン注入法を適用して、ｐ^+領域８９中の浅い基板表面にひ素を注入して、表面ｎ^+層９０を形成する。 - 特許庁

The diode, having an n-type semiconductor layer provided on a surface of a p-type semiconductor substrate and also having the current path formed in the horizontal direction of the substrate, has an anode electrode structure formed by laminating a molybdenum silicide layer, a Ti layer, and an Al layer on a surface of the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型半導体基板表面にｎ型半導体層を設け、基板の水平方向に電流経路が形成されるダイオードにおいて、ｎ型半導体層表面に、モリブデンシリサイド層、Ｔｉ層およびＡｌ層を積層したアノード電極構造とする。 - 特許庁

Then a p-type semiconductor 25 projecting from the mask oxide film is polished to remove the mask oxide film, and then a surface layer of the parallel p-n structure is subjected to annealing processing in a non-oxidizing and a non-nitriding atmosphere to smooth the surface layer of the parallel p-n structure.例文帳に追加

次いで、マスク酸化膜より上に突出しているｐ型半導体２５を研磨し、マスク酸化膜を除去した後、並列ｐｎ構造の表面層に非酸化性および非窒化性雰囲気でアニール処理を行い、並列ｐｎ構造の表面層を平滑化する。 - 特許庁

A base region (P impurity layer 4) is formed on a surface of an epitaxial layer 2, an emitter region (N+ impurity layer 5) is formed on a surface of the P impurity layer 4, and a collector region comprising the epitaxial layer 2 and an N+ impurity layer 6 is formed.例文帳に追加

エピタキシャル層２の表面にベース領域（Ｐ不純物層４）が形成され、Ｐ不純物層４の表面にエミッタ領域（Ｎ＋不純物層５）が形成され、エピタキシャル層２とＮ＋不純物層６とから成るコレクタ領域が構成されている。 - 特許庁

A plurality of N-type emitter layers 5 are formed in well in the lengthwise direction of the P-type base layer 2 separated into a stripe by the trench 3, while a cathode electrode is formed so as to be connected electrically to the surface of the P-type base layer 2 and the surface of the N-type emitter layer 5.例文帳に追加

トレンチ３によりストライプ形に分離されたＰ型ベース層２の長手方向に沿って複数のＮ型エミッタ層５をウエル状に形成し、Ｐ型ベース層２の表面及びＮ型エミッタ層５の表面に対して共に電気的に接続するようにカソード電極を形成する。 - 特許庁

A base layer 8 of GaN containing n-type impurities, an embedding layer 10 of AlGaN containing p-type impurities, a coating layer 9 of undoped AlGaN and a surface layer 25 of a material same as that of the base layer 8 are laminated sequentially on the surface of the substrate 6 of GaN containing n-type impurities.例文帳に追加

ｎ型不純物を含むＧａＮの基板６の表面に、ｎ型不純物を含むＧａＮの基層８と、ｐ型不純物を含むＡｌＧａＮの埋め込み層１０と、アンドープドＡｌＧａＮの被覆層９と、基層８と同一材料の表面層２５を順に積層する。 - 特許庁

The second conductive (p-type) diffusion region (body region) 2 is formed on the surface side of the first conductive type (n-type, for example), which is used as a drain region 1, and the first conductive type (n-type) source region 3 is formed on the surface side of the diffusion region 2.例文帳に追加

ドレイン領域１とする第１導電形（たとえばｎ形）の半導体層の表面側に第２導電形（ｐ形）の拡散領域（ボディ領域）２が形成され、その拡散領域２の表面側に第１導電形（ｎ形）のソース領域３が形成されている。 - 特許庁

The surface part 3 of an n-type semiconductor substrate 2, including an overflow barrier layer 4, is removed at least by the thickness of an impurity contamination region 31 before formation of a high resistance semiconductor region 5, after the removal of an implanted oxide film 30 of the surface part 3 of the n-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

ｎ型半導体基板２の表面部３のインプラ酸化膜３０の除去後、高抵抗半導体領域５の形成前に、オーバーフローバリア層４を含むｎ型半導体基板２の表面部３を不純物汚染領域３１の厚さ以上の厚さ除去する。 - 特許庁

Later, the substrate 10 is heated to more deeply diffuse the impurities in the n type regions 15 than damaged regions 16, and then the surface protective film 17 as well as the surface part of the HgCdTe substrate 12 is removed so as to form the n type regions 15 not containing the damaged regions 16 at all.例文帳に追加

この後、基板１０を加熱してｎ型領域１５の不純物をダメージ領域１６より深く拡散し、表面保護膜１７を除去すると共に、ＨｇＣｄＴｅ基板１２の表面部分を除去することにより、ダメージ領域１６を含まないｎ型領域１５を形成する。 - 特許庁

A separation groove 7 whose sidwall makes an acute angle of θ a with the surface of an n-type matrix 1 is formed on a isolation area of the surface of the n-type matrix 1 by etching, and a p-type diffusion region (emitting part) 5, etc., is formed on an LED array formation region.例文帳に追加

ｎ型基材１表面の分離領域に、エッチングにより、側壁がｎ型基材１表面に対し鋭角θａをなす分離溝７を形成し、またＬＥＤアレイ形成領域に、ｐ型拡散領域（発光部）５等を形成する。 - 特許庁

Grains dispersed into a surface hardened layer formed on the surface of a base material consisting of a high Cr ferrous material containing 10 to 29% Cr and 0.1 to 1.2% Cr, consist of granular Fe-Cr-N having the maximum grain size of ≤10 μm, and the area ratio thereof is 10 to 40%.例文帳に追加

１０〜２９％のCrと０．１〜１．２％のCを含有する高Cｒ鉄系材料からなる母材表面に形成された表面硬化層に分散された粒子が最大粒子径が１０μm以下の粒子状Fe-Cr-Nからなり、その面積率が１０〜４０％である。 - 特許庁

In a power MISFET 20, a BOX layer (an oxide film layer) 2 is formed on the surface of a first silicon substrate 1, and an N^+ source layer 7, a P layer 6, an offset layer 5 of low impurity concentration and an N^+ drain layer 8 are provided in this order on the surface of the BOX layer 2.例文帳に追加

パワーＭＩＳＦＥＴ２０は、第１のシリコン基板１の表面上にＢＯＸ層（酸化膜層）２が形成され、このＢＯＸ層２の表面上にＮ^＋ソース層７、Ｐ層６、低不純物濃度オフセット層５、Ｎ^＋ドレイン層８が設けられている。 - 特許庁

The copper foil includes a surface treatment layer which has at least a part of a copper foil surface with azole-based compound and C=O and N and C detection amount obtained by detecting N and C through depth-direction analysis by XPS, and which has an average value D_0 of 2.0-5.0 nm in a depth range larger than a background level.例文帳に追加

銅箔表面の少なくとも一部にアゾール系化合物及びＣ＝Ｏを有する表面処理層が形成され、ＸＰＳによる深さ方向分析で、Ｎ及びＣを検出し、且つ、Ｎ及びＣ検出量がバックグラウンドレベルよりも大きい深さ範囲の平均値Ｄ_0が２．０〜５．０ｎｍである銅箔。 - 特許庁

When the N in 1 recording is made valid at double side recording, recording of a plurality of received information data on both the front side and rear side of the recording paper sheet is permitted, and when the N in 1 recording is invalidated, only one page of received information is recorded on the front side and rear side of the recording paper.例文帳に追加

両面記録選択時にＮｉｎ１記録を有効とする場合は、記録紙の表面にも裏面にも複数の受信情報を記録することを許可し、Ｎｉｎ１記録を無効とする場合は、記録紙の表面にも裏面にも１ページの受信情報のみ記録する。 - 特許庁

According to a normal manufacturing process for double diffused MOSFET, p-base region 2, a p+ contact region 3, an n+ source region 4, a gate electrode layer 5, and a source electrode 15 are provided on the surface layer of an n-type semiconductor base body to form a surface MOSFET.例文帳に追加

通常の２重拡散ＭＯＳＦＥＴの製造工程に従い、ｎ型半導体基体の表面層に、ｐベース領域２とｐ^+コンタクト領域３とｎ^+ソース領域４とゲート電極層５とソース電極１５を設けて表面ＭＯＳＦＥＴを形成する。 - 特許庁

The surfaces of an n-type region 5 consisting of the n-type semiconductor 2 and a p-type region 7 consisting of the p-type semiconductor are polished into flat surfaces, and then a thermal oxide film 9 serving as a field oxide film is formed to complete a surface side element structure 10 of a MOSFET.例文帳に追加

ｎ型半導体２よりなるｎ型領域５およびｐ型半導体よりなるｐ型領域７の表面を研磨して平坦にした後、フィールド酸化膜となる熱酸化膜９を形成し、ＭＯＳＦＥＴの表面側の素子構造１０を形成する。 - 特許庁

This cosmetic composition comprises one or more kind of surface treated powdery bodies treated with mono-N^α-acylarginines and/or mono- N^α-acylarginines and one or more kinds selected from polyhydric alcohols.例文帳に追加

モノ−Ｎ^α−アシルアルギニンおよび／またはモノ−Ｎ^α−アシルアルギニンで表面処理を行った表面処理粉体から選ばれる１種以上と多価アルコールから選ばれる１種以上とを含有することを特徴とする化粧料組成物。 - 特許庁

Moreover, the opening 7A comprises, on the n^--type silicon layer 8 and the n^+-type silicon layer 8a, a p^+-type poly crystal silicon germanium film 9B led out in the lateral direction on the surface of a nitride film 7, and a poly crystal silicon film 10B on the surface of this silicon germanium film 9B.例文帳に追加

さらに、ｎ^-型シリコン層８およびｎ^+型シリコン層８ａの上に、窒化膜７の表面において横方向に引出されるｐ型の多結晶のシリコンゲルマニュウム膜９Ｂ、およびこのシリコンゲルマニュウム膜９Ｂの表面に多結晶のシリコン膜１０Ｂを有する。 - 特許庁

A p-base layer 3, an n-source layer 4, a gate electrode 11 and an emitter electrode 14a which serves as an IGBT are formed in a first region R1 on a first principal plane of an n-type semiconductor substrate 1, and a collector electrode 15 is formed on a second principal plane.例文帳に追加

ｎ型の半導体基板１の第１主表面の第１領域Ｒ１には、ＩＧＢＴとなる、ｐベース層３、ｎソース層４、ゲート電極１１、エミッタ電極１４ａが形成され、第２主表面には、コレクタ電極１５が形成されている。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer 2 is provided on the surface of a p^+-type semiconductor substrate 1 by, for example, epitaxial growth, and a first diffused layer 3 and a second diffused layer 4 of p-type are provided at a specified interval at the surface of the n-type semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｐ^＋形半導体基板１の表面にｎ^−形半導体層２が、たとえばエピタキシャル成長により設けられ、そのｎ形半導体層２表面に所定間隔でｐ形の第１拡散領域３および第２拡散領域４が設けられている。 - 特許庁

In an error occurs (A) while a (n)th page (P(n)) is transmitted while both surfaces of (k) both-sided documents P (1) to P (k) are successively transmitted, all the pages are sent from P (1) 0, i.e., a 1st surface.例文帳に追加

原稿ページ（枚）数をｋ枚（Ｐ（ｋ））、エラーの起きたページをｎ枚目（Ｐ（ｎ））とし、Ｐ（１）からＰ（ｋ）までのｋ枚の両面原稿を両面連続伝送する際、表面のＰ（ｎ）０を伝送中にエラーが発生した場合（Ａ）は、Ｐ（１）０、つまり表面の第１ページから全て送信する。 - 特許庁

To crystal-grow an n- or i-type group III nitride semiconductor on the surface of a p-type group III nitride semiconductor, and to expose the surface of the p-type group III nitride semiconductor without etching a part of the n- or i-type group III nitride semiconductor.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体の表面に、ｎ型またはｉ型のIII族窒化物半導体を結晶成長するとともに、ｎ型またはｉ型のIII族窒化物半導体の一部をエッチングしないでｐ型のIII族窒化物半導体の表面を露出させる - 特許庁

After an element structure and a surface electrode are formed on the top-surface side of an n^+-type substrate 1, the reverse surface 1b of the semiconductor substrate having surface roughness (Ra) of ≤10 nm is processed so that (100%-reflectivity-permeability) becomes ≥80% at a wavelength of a laser beam to be irradiated.例文帳に追加

ｎ^+型基板１の表面側に素子構造や表面電極を形成した後、表面粗度（Ｒａ）が１０ｎｍ以下である前記半導体基板の裏面１ｂに、照射するレーザ光の波長において（１００％−反射率−透過率）が８０％以上に加工する。 - 特許庁

Te surface hardened transition metal is obtained by incorporating, by mass, 0.01 to 5% nitrogen N into the surface part or the surface part and the inner part of a transition metal such as alloy steel including stainless steel, titanium and a titanium alloy, and also, performing heat treatment of quenching/tempering, annealing, solution treatment or aging treatment thereto.例文帳に追加

ステンレス鋼を含む合金鋼、チタン又はチタン合金等の遷移金属又はその合金の表面部又は表面部及び内部に、窒素Ｎを０．０１〜５％（質量％）含有し、さらに焼入れ・焼もどし、焼なまし、溶体化処理又は時効処理の熱処理が施されてなる表面硬化遷移金属。 - 特許庁

An n-type silicon substrate is irradiated with nanosecond pulse lasers at the same time from two geometrically symmetric directions to cause the interference of beams and a cyclic groove structure of a submicron order (100 nm-1 μm) is formed on the surface of the substrate to adsorb surface modifying molecules on the surface of the substrate.例文帳に追加

ｎ−型シリコン基板に幾何学的に対象な２方向からナノ秒パルスレーザーを同時に照射して、光の干渉を生じさせ、該基板表面にサブミクロンオーダ（１００ｎｍ〜１μｍ）の周期的溝構造を形成し、該表面上に、表面修飾分子を吸着させる。 - 特許庁

The method for forming the surface of the sliding member has an effect of improving an abrasion resistance of the sliding member with a Cr-N structure consisting of hard particles abundantly formed on the surface, which was converted by the nitriding treatment from a Cr-C component formed by Cr constituents gathered on the surface by the carburization treatment.例文帳に追加

本発明の摺動部材の表面形成方法は、浸炭処理により表面部にＣｒ成分がＣｒ−Ｃとして集まり、その後の窒化処理により硬質粒子であるＣｒ−Ｎ構造物が表面部に多量に形成されることで摺動部材の耐摩耗性を向上させる効果を有する。 - 特許庁

When voltage is applied between the m-type regions 8a and the surface electrode 7 by placing the surface electrode 7 on the high-potential side, by the electric field acting on the drift parts 6a, electrons injected from the n-type regions 8a drift in the drift parts 6a and are emitted through the surface electrode 7.例文帳に追加

ｎ形領域８ａと表面電極７との間に表面電極７を高電位側として電圧を印加すると、ドリフト部６ａに作用する電界によりｎ形領域８ａから注入された電子がドリフト部６ａをドリフトし表面電極７を通して放出される。 - 特許庁

To provide an agent for wiping off dirt and dust of a film or the like, free from n-hexane, capable of wiping off the dirt, the crust or the like on the surface of the film such as a lithographic film well under a wet condition, capable of allowing the surface after the wiping off to be dried rapidly and capable of keeping the unelectrified surface properties.例文帳に追加

ノルマルヘキサンを含んでおらず、リスフィルム等のフィルム表面の汚れや埃等を湿式条件下で良好に拭い取ることができて拭い取った後の表面の乾燥が極めて速くしかも帯電しない表面性状を保たせることができる，フィルム等の汚れや埃の拭き取り剤。 - 特許庁

In the oxide layer in which the n-type impurity is doped with high concentration, since its surface coarseness becomes large, before the surface coarseness caused by the dope oxide layer 2a becomes very large; by covering with the undope oxide layer 2b which can secure flat surface, a flat oxide film can be formed.例文帳に追加

ｎ型不純物を高濃度にドーピングした酸化物層は、その表面の荒れが大きくなるので、ドープ酸化物層２ａによる表面荒れが非常に大きくなる前に、表面平坦を確保できるアンドープ酸化物層２ｂで覆うことにより平坦な酸化物薄膜を形成することができる。 - 特許庁

Trenches 68, 70 are formed on the surface of the epitaxial layer 82, an n^+ region to be a cathode region 64 of the PIN-PD is formed on the surface of the trench 68, and a p^+ region to be an anode region 66 is formed on the surface of the trench 70.例文帳に追加

エピタキシャル層８２の表面にトレンチ６８，７０を形成し、ＰＩＮ−ＰＤのカソード領域６４となるｎ^＋領域をトレンチ６８の表面に形成し、アノード領域６６となるｐ^＋領域をトレンチ７０の表面に形成する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a substrate 1 having a primary surface; and a silicon carbide layer (a breakdown-voltage holding layer 2, a semiconductor layer 3, an n-type source contact layer 4, and a p-type contact region 5) including inclined side surfaces with respect to the primary surface.例文帳に追加

半導体装置は、主表面を有する基板１と、基板１の主表面上に形成され、主表面に対して傾斜した側面を含む炭化珪素層（図２の耐圧保持層２、半導体層３、ｎ型ソースコンタクト層４、およびｐ型のコンタクト領域５）とを備える。 - 特許庁

The modified surface antigens are particularly useful in vaccines which effectively immunize against a broader spectrum of N. meningitidis strains than would be expected from a corresponding wild-type surface antigen.例文帳に追加

修飾された表面抗原は、対応する野生型の表面抗原から予想されるよりも広いスペクトルの髄膜炎菌菌株に対して効果的な免疫化を生じさせるワクチンにおいて特に有用である。 - 特許庁

The surface of the bonded magnet which consists of a rare earth magnet powder and a bonder resin, is covered with a surface treating film which consists of a copolymer of isobutyl methacrylate and n-butyl methacrylate.例文帳に追加

希土類磁石粉末と結着樹脂とからなるボンド磁石体の表面にメタクリル酸イソブチルとメタクリル酸ｎ−ブチルとの共重合体からなる表面処理膜を被覆したことを特徴とする希土類ボンド磁石。 - 特許庁

In a state where an N- or P-type silicon substrate subjected to dopant processing is not subjected to oxidation treatment but subjected to hydrogen termination treatment, surface treatment is performed by a silane coupling reagent to obtain a surface modification semiconductor silicon substrate.例文帳に追加

ドーパント処理されたＮ−またはＰ−型シリコン基板を、酸化処理せず、水素終端化処理されている状態でシランカップリング試薬による表面処理を行い、表面修飾半導体シリコン基板を得る。 - 特許庁

On the box layer 3, a deep trench 6 having annular plan view is formed with a depth reaching the box layer 3 from the surface of the N^- type surface layer 5.例文帳に追加

ボックス層３上には、Ｎ^−型表面層５の表面からボックス層３に至る深さを有する、平面視環状のディープトレンチ６が形成されている。 - 特許庁

An N type epitaxial layer 2 is formed on a surface of a P type semiconductor substrate 1, and a P type well layer 4 is formed on a surface of the epitaxial layer 2.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１の表面にＮ型のエピタキシャル層２が形成され、エピタキシャル層２の表面にはＰ型のウェル層４が形成されている。 - 特許庁

Electrons can be emitted from a desirable area of the surface electrode 7 by appropriately selecting the n-type area 8 and the surface electrode 7 for applying of voltage.例文帳に追加

電圧を印加するｎ形領域８と表面電極７とを適宜選択することにより、表面電極７の所望の領域から電子を放出させることができる。 - 特許庁

An N-type drain region 205 is provided in a surface portion of the P-well 201 on the side opposite to the surface shield layer 206 when viewed from the gate electrodes 204.例文帳に追加

ゲート電極２０４から見て表面シールド層２０６とは反対側のＰウェル２０１の表面部にＮ型のドレイン領域２０５が設けられている。 - 特許庁

The optoelectronic device includes a P-type semiconductor substrate, an N-type transparent amorphous oxide semiconductor (TAOS) layer located on a surface of the P-type semiconductor substrate, and a rear electrode on another surface of the P-type semiconductor substrate.例文帳に追加

光電デバイスが、Ｐ型半導体基板と、Ｐ型半導体基板の一表面上に位置するＮ型透明非結晶酸化物半導体（ＴＡＯＳ）層と、Ｐ型半導体基板の他表面上にある後電極とを含む。 - 特許庁

Electrons injected from the n-type silicone substrate 1 to the strong field drift layer 6 are drifted toward the surface inside the strong field drift layer 6 and emitted through the surface electrode 7.例文帳に追加

ｎ形シリコン基板１から強電界ドリフト層６に注入された電子は、強電界ドリフト層６内を表面に向かってドリフトし表面電極７をトンネルして放出される。 - 特許庁

A high-field drift part 6 is formed on the main surface side of an n-type silicon substrate 1 and a front electrode 7 is formed on the drift part 6.例文帳に追加

ｎ形シリコン基板１の主表面側に強電界ドリフト部６が形成され、強電界ドリフト部６上に表面電極７が形成される。 - 特許庁

A part of the surface of a second group III nitride semiconductor layer is exposed by etching a layer formed on the surface of a second group III nitride semiconductor layer containing a n-type impurity or of i-type with a gas containing no nitrogen element.例文帳に追加

ｎ型の不純物を含むか又はｉ型の第２のIII族窒化物半導体層の表面に形成されている層を、窒素元素を含まないガスでエッチングして、第２のIII族窒化物半導体層の表面の一部を露出させる。 - 特許庁

Between n-type regions 8a formed on the main surface of a p-type silicon substrate 16 and a surface electrodes 7 comprising a conductive film, drift parts 6a that are semiconductor layers are arranged.例文帳に追加

ｐ形シリコン基板１６の主表面に形成したｎ形領域８ａと、導電性薄膜よりなる表面電極７との間に半導体層であるドリフト部６ａが設けられる。 - 特許庁