「表面 n」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

On a surface of an N-type semiconductor layer 12, a body layer 19 is formed in contact with the gate oxide film 13B on a side wall of the trench 17.例文帳に追加

また、Ｎ−型半導体層１２の表面には、トレンチ１７の側壁のゲート酸化膜１３Ｂに接してボディ層１９が形成されている。 - 特許庁

The n-well layer 26 is formed on a region including a (p+l)-layer 13 on the surface of an epitaxial layer 2.例文帳に追加

また、Ｎウェル層２６は、エピタキシャル層２の表面のＰ＋Ｌ層１３を含む領域に形成される。 - 特許庁

A channel region is positioned in the surface layer of a silicon substrate 1 and is sandwiched in between N-type source/drain regions 31.例文帳に追加

シリコン基板１の表面層にチャネル領域が位置し、このチャネル領域を挟むようにＮ型ソース／ドレイン領域３１が形成されている。 - 特許庁

An opening 6 reaching the surface of an insulating board 1 is formed in a GaN layer 2 and an n-type AlGaN layer 3.例文帳に追加

ＧａＮ層２及びｎ型ＡｌＧａＮ層３に、絶縁性基板１の表面まで到達する開口部６を形成する。 - 特許庁

The particulate semiconductor fluorescent substance is obtained by forming a semiconductor crystal having the p-n junction on the surface of a base material particle.例文帳に追加

基材粒子表面にｐｎ接合を有する半導体結晶を形成して粒子状の半導体蛍光体とした。 - 特許庁

The light-emitting particles are provided by covering the surface of the particles with a covering membrane consisting mainly of an organic carbon and containing ≥1 kind of an element among H, N, O, Si and F.例文帳に追加

発光体粒子は、粒子表面を、有機炭素を主体とし、Ｈ，Ｎ，Ｏ，Ｓｉ，Ｆの中から１種類以上の元素を含む被覆膜で被覆している。 - 特許庁

In the first region, an N type third impurity layer 18 is deeply dispersed from a surface of the semiconductor layer 16A in the first region.例文帳に追加

第１の領域において半導体層１６Ａの表面からＮ型の第３の不純物層１８が深く拡散される。 - 特許庁

An n^+-type source region 14 is formed along the opening of a trench 10a on the surface region of a p-type channel region 13.例文帳に追加

Ｐ型チャネル領域１３の表面領域には、トレンチ溝１０ａの開口に沿って、Ｎ^＋型ソース領域１４が形成されている。 - 特許庁

On the surface layer of p body region 4, an n^+ emitter region 5 and a p^+ contact region 6 are provided adjacently.例文帳に追加

ｐボディ領域４の表面層には、ｎ^+エミッタ領域５とｐ^+コンタクト領域６とが接するように設けられている。 - 特許庁

A high fusion temperature metallic silicide layer 140 is formed on surfaces of P+ and N+ diffusion regions 124 and 134.例文帳に追加

Ｐ^+及びＮ^+拡散領域１２４，１３４の表面には高融点金属シリサイド層１４０が形成される。 - 特許庁

A mask 2 is formed on the surface of an n-GaN layer, and a trench groove 3 is formed by using ICP etching (Fig. 1b).例文帳に追加

ｎ−ＧａＮ層の表面にマスク２を形成し、ＩＣＰエッチングによりトレンチ溝３を形成する（図１ｂ）。 - 特許庁

The coating layer 13 whose front surface is substantially flat is formed on the rear surface S2 of the n-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

また、Ｎ型半導体基板１０の裏面Ｓ２上には、表面が実質的に平坦な被覆層１３が設けられている。 - 特許庁

A capacitor film 24 is formed on the surface of the semiconductor substrate 10 where the N-type well 22 is formed.例文帳に追加

Ｎ型ウエル２２が形成された半導体基板１０の表面には、容量膜２４が成膜されている。 - 特許庁

The upper surfaces of the n-type InP layer 13 and the p-type InP region 14 are covered with a surface protection film 15.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ層１３及びｐ型ＩｎＰ領域１４の上面は表面保護膜１５により覆われている。 - 特許庁

A first to n-th stages of far infrared ray heaters 2 and near infrared ray heaters 3 are mounted on the inner surface of a chamber 1a.例文帳に追加

チャンバー（１ａ）の内表面に遠赤外線発熱体（２）と近赤外線発熱体（３）を第１段〜第ｎ段設ける。 - 特許庁

An n-type impurity layer 50 and a p-type impurity layer 60 are formed in the surface of substrate 20S.例文帳に追加

基板表面２０Ｓ内にはｎ型不純物層５０及びｐ型不純物層６０が形成されている。 - 特許庁

The n-side electrode of an actual LED further comprises an Au layer 11c which is formed on the surface of the Al layer via a barrier metal layer 11b.例文帳に追加

実際のＬＥＤのｎ側電極としては、この表面にさらにバリアメタル層１１ｂを介してＡｕ層１１ｃが形成されている。 - 特許庁

On the primary surface MS, p-type base regions 3 and the n-type emitter region 4 both contact the wall surfaces of the trenches 1a.例文帳に追加

主表面ＭＳにおいてｐ型ベース領域３とｎ型エミッタ領域４との双方が溝１ａの壁面に接している。 - 特許庁

By such a structure, the N type diffusion layer 8 spreads in the vicinity of the surface of an epitaxial layer 4 and becomes a low concentration region.例文帳に追加

この構造により、エピタキシャル層４表面近傍では、Ｎ型の拡散層８の拡散領域は広がり、低濃度領域となる。 - 特許庁

A dummy oxide film 12 is formed in a trench 4 extending from a surface of a P type body layer 3 to the inside of an N type drift layer 2.例文帳に追加

Ｐ型ボディ層３の表面からＮ型ドリフト層２内に延在するトレンチ４にダミー酸化膜１２を形成する。 - 特許庁

On the surface of the first layer, a second layer of a thickness d_2 [nm] made of silicon having a refractive index n_Si is formed.例文帳に追加

第１の層の表面上に、屈折率ｎ_Siのシリコンからなる厚さｄ_2［ｎｍ］の第２の層が形成されている。 - 特許庁

The dynamic friction coefficient in the surface of the plating layer measured at a vertical load of 29.4 N/mm^2 is preferably ≤0.130.例文帳に追加

垂直荷重２９．４Ｎ／ｍｍ^2で測定しためっき層表面の動摩擦係数は０．１３０以下であることが好ましい。 - 特許庁

On the top surface side of the N-type silicon substrate 1, a source electrode is arranged in contact with the source region through a contact hole.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板１の表面側においてコンタクトホールを通してソース領域と接するようにソース電極が配置されている。 - 特許庁

An insulation mask, turning into a mask for epitaxial growth, is formed in the surface region of an n-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１の表面領域にエピタキシャル成長のマスクとなる絶縁性マスクを形成する。 - 特許庁

For example, a surface azimuth other than (100) is exposed at the surface part of an N-type well region 13a of a silicon substrate 11 whose face orientation is (100).例文帳に追加

たとえば、面方位が（１００）であるシリコン基板１１の、Ｎ−型ウエル領域１３ａの表面部に（１００）以外の面方位を露出させる。 - 特許庁

An n-type source/drain diffusion layer 15 is formed on the surface of a p-type Si substrate 11 via a channel region 12.例文帳に追加

Ｐ型のＳｉ基板１１表面に、チャネル領域１２を隔ててＮ型のソース／ドレイン拡散層１５が形成されている。 - 特許庁

An n-type semiconductor is bonded to a part of the surface of a second well 29_b made of a p-type semiconductor, so as to make a second pn joint diode 32_b.例文帳に追加

ｐ型半導体である第２のウェル２９_bの表面の一部にｎ型半導体を接合させて、第２ＰＮ接合ダイオード３２_bを形成する。 - 特許庁

At this time, the upper part of the second trench is not completely filled with the p-type semiconductor 28, but remains, and a recess is formed on the surface of the parallel p-n structure.例文帳に追加

このとき、第２のトレンチの上部はｐ型半導体２８で埋まらずに残り、並列ｐｎ構造の表面に窪みが形成される。 - 特許庁

An n+-type source layer 21 and a p+-layer contact layer 23 are formed adjacent on the surface of the base layer 15.例文帳に追加

ベース層１５の表面には、ｎ^+ 型のソース層２１とｐ^+ 型のコンタクト層２３とが互いに隣接するように形成される。 - 特許庁

An input part T is disposed on the surface of the door H and a height thereof is set at a position where a user M can fit a knee N.例文帳に追加

入力部Ｔは扉Ｈ表面に設けられ、その高さは、使用者Ｍが膝Ｎを当てることができる位置に設定する。 - 特許庁

Molecular mimetics of a surface-exposed epitope on loop 4 of PorA of N. meningitidis serogroup B (MenB) P1.2 serosubtype and antibodies produced against the mimetics are disclosed.例文帳に追加

Ｎ．ｍｅｎｉｎｇｉｔｉｄｉｓ血清型Ｂ（ＭｅｎＢ）Ｐ１．２血清亜型のＰｏｒＡのループ４に対する表面に露出したエピトープの分子模倣物。 - 特許庁

A plurality of insular P+ type silicon regions 15 are formed in the surface region of an N type silicon region 12.例文帳に追加

Ｎ形シリコン領域１２の表面領域に、Ｐ^＋形シリコン領域１５を島状に複数形成する。 - 特許庁

An n-type semiconductor is bonded to a part of the surface of a fourth well 29_d made of a p-type semiconductor, so as to make a 7th pn joint diode 32_g.例文帳に追加

ｐ型半導体である第４のウェル２９_dの表面の一部にｎ型半導体を接合させて、第７ＰＮ接合ダイオード３２_gを形成する。 - 特許庁

A plurality of insular P+ type silicon regions 15 are formed in the central surface region of an N type silicon region 12.例文帳に追加

Ｎ形シリコン領域１２の表面領域の中心領域に、Ｐ^＋形シリコン領域１５を島状に複数形成する。 - 特許庁

This system measures an intensity of a signal at each of an m×n array of touch sensitive pads in the touch sensitive surface.例文帳に追加

システムは、タッチセンシティブ表面の、ｍ×ｎ個の配列になったタッチセンシティブパッドの各々における信号強度を測定する。 - 特許庁

Subsequently, the surface side of the N-type substrate 10 is planarized (FIG.2(d)) to make the P type epitaxial layer 12 be a P type layer 3.例文帳に追加

この後、Ｎ型基板１０の表面側を平坦化し（図２（ｄ））、Ｐ型エピタキシャル層１２をＰ型層３とする。 - 特許庁

The transfer film comprises a film forming material layer, of which the tack strength on its surface is 0.05 to 2.0 N.例文帳に追加

表面のタック強度が０．０５〜２．０Ｎである膜形成材料層を有することを特徴とする、転写フィルムを提供する。 - 特許庁

A P-type dopant is ion-implanted into a surface (N-type layer) of an SOI substrate to form piezo resistance.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の表面（Ｎ型層）にＰ型ドーパントをイオン注入することで、ピエゾ抵抗を形成する。 - 特許庁

An n^+ type emitter region 3 and a p^+ type body region 4 are selectively provided on a surface of the base region 2.例文帳に追加

ベース領域２の表面には、ｎ^+型のエミッタ領域３およびｐ^+型のボディ領域４が選択的に設けられている。 - 特許庁

To provide a surface plasmon enhanced fluorescence sensor that detects an analyte with super-high precision by improving a value of S/N.例文帳に追加

Ｓ／Ｎの値を向上させ、超高精度にアナライトの検出を行うことのできる表面プラズモン増強蛍光センサを提供すること。 - 特許庁

An n-type drift region DRI and a p-type body region BO are formed at the main surface side of the p^- epitaxial region EP2.例文帳に追加

ｐ^-エピタキシャル領域ＥＰ２の主表面側には、ｎ型ドリフト領域ＤＲＩとｐ型ボディ領域ＢＯとが形成されている。 - 特許庁

On the front side of an n-type semiconductor substrate 5, p-type regions 7 are two-dimensionally arranged in an array.例文帳に追加

ｎ型半導体基板５には、その表面側において、ｐ型領域７がアレイ状に２次元配列されている。 - 特許庁

A first trench 108 is formed on a surface of the p-type layer 104 facing the p-electrode 103 with a depth reaching the n-type layer 106.例文帳に追加

ｐ型層１０４のｐ電極１０３側の表面に、第１の溝１０８が形成され、ｎ型層１０６に達する深さである。 - 特許庁

An n-type silicon carbide layer 301 is formed as a base on a surface 301S2 of a semi-insulating substrate 305.例文帳に追加

半絶縁性基板３０５の表面３０１Ｓ２上には、ｎ型炭化シリコン層３０１が下地として形成される。 - 特許庁

To improve quality of an output image without causing a difference in S/N characteristics of images between images read from a rear surface and a front surface of a document.例文帳に追加

原稿の裏面と表面で読み取った画像のＳ／Ｎ特性に差異を生じさせずに出力画像品質を向上させる。 - 特許庁