「金拡散」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

活性領域２ａ上にはＳｉＧｅ合金層６を形成し、この上にはＳｉ膜７およびｎ型拡散層１３を形成する。例文帳に追加

An SiGe alloy layer 6 is formed on the active region 2a, and an Si film 7 and an n-type diffusion layer 13 are formed thereon. - 特許庁

またＳｉＧｅ合金層４およびｎ型拡散層５は、シリコン酸化膜からなる側壁膜６で囲われる。例文帳に追加

The SiGe alloy layer 4 and the n-type diffusion layer 5 are surrounded by a sidewall film 6 made of a silicon oxide film. - 特許庁

金属材料の表層部にシリコン又はその化合物による数μｍ以上の拡散層を溶融塩電析法により形成する。例文帳に追加

A diffusion layer of several μm or above consisting of silicon or its compound is formed by a molten salt electrodeposition method on the front layer part of the metallic material. - 特許庁

さらには、分塊鍛造あるいは熱間圧延の前もしくは後または前後に拡散熱処理を行なう合金薄板の製造方法である。例文帳に追加

Moreover, in the producing method for alloy thin sheet, diffusion heat treatment is performed before or after the blooming forging or hot rolling or before and after the same. - 特許庁

配線材料の拡散を抑えながら、金属配線の微細化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing semiconductor device for thinning metal wiring, while suppressing diffusion of a wiring material. - 特許庁

排ガス拡散性に優れ、貴金属のシンタリングを抑制し得る排ガス浄化用触媒及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a catalyst for cleaning an exhaust gas excellent in an exhaust gas diffusibility and capable of suppressing sintering of a noble metal, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

よって、蓄電デバイス内に拡散する金属リチウムが原因となる外装材の腐食およびショートを防止することが可能となる。例文帳に追加

Consequently, it becomes possible to prevent corrosion and short-circuit of exterior materials due to the metal lithium diffused into the accumulator device. - 特許庁

本発明は、配線上面部からの金属拡散を抑制することができる、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of suppressing the diffusion of metal from the upper surface of wiring. - 特許庁

さらに、溶解塩にレンズアレイ基板２０を浸し、金属膜２１の穴パターンから現れているレンズアレイ基板２０を拡散する（Ｄ）。例文帳に追加

The lens array substrate 20 is immersed in a molten salt and the substrate 20 disclosed through the hole pattern of the metallic film 21 is subjected to ion diffusion (D). - 特許庁

複数のＷＣ合金プレート１ｂを母材２ｂに対し拡散接合することによって前記硬化面ｈを形成する。例文帳に追加

The cured surfaces (h) are formed by diffusing and joining a plurality of WC alloy plates 1b to a matrix 2b. - 特許庁

ガス拡散部とスペーサ部は、金網状部材を断面矩形波板状に折り曲げることで一体に形成されている。例文帳に追加

The gas diffusion part and the spacer are formed in one body by bending a metal mesh member in a cross-sectionally rectangular corrugated form. - 特許庁

この工程により、シリコンウェーハの内部の金属原子は外方拡散してシリコンウェーハ表面に出てその表面部に凝集する。例文帳に追加

By the above process, metal atoms in the inside of the silicon wafer are outwardly diffused, so that they appear on the surface of the silicon wafer and aggregate on the surface. - 特許庁

ＳｉＧｅ合金層４およびｎ型拡散層５は、シリコン酸化膜からなる側壁膜６で囲われる。例文帳に追加

The SiGe alloy layer 4 and the n-type diffusion layer 5 are surrounded by a side wall film 6 composed of a silicon oxide film. - 特許庁

これにより、白金化合物は、超臨界二酸化炭素中に溶け込み拡散して活性炭繊維の細孔内に入り込む。例文帳に追加

Consequently, the platinum compound is dissolved and diffused in the supercritical carbon dioxide and penetrates the insides of fine pores of the activated carbon fiber. - 特許庁

上部層３２の耐酸化性金属と多層膜２０の表面層との間に拡散防止層として機能する下部層３１を設けている。例文帳に追加

A lower layer 31 functioning as a diffusion prevention layer is provided between an oxidation-resistant metal in an upper layer 32 and the surface layer of a multilayered film 20. - 特許庁

このＮｉとＴｉが共存した皮膜を加熱によって溶融若しくは固相拡散せしめることで、Ｔｉ-Ｎｉ合金膜が得られる。例文帳に追加

The film in which Ni and Ti are coexistent is subjected to melting or solid phase diffusion by heating, thus the Ti-Ni alloy film can be obtained. - 特許庁

配線用金属への接合膜成分の拡散を好適に抑制できる圧電振動子のパッケージの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a package for a piezoelectric vibrator, wherein diffusion of a bonding film component to a wiring metal is appropriately suppressed. - 特許庁

ｐ型GaAs層１の上に、下層Ti層２、拡散防止層３、上層Ti層４、金属層（Au）５を積層したオーミック電極６が設けられている。例文帳に追加

An ohmic electrode 6 laminating a lower-layer Ti layer 2, a diffusion preventive layer 3, an upper-layer Ti layer 4 and a metallic layer (Au) 5 are provided on a p-type GaAs layer 1. - 特許庁

これにより、中心電極３の成分が熱拡散で貴金属チップ１６内に進入することを極力防止できる。例文帳に追加

With this, ingredients of the center electrode 3 are prevented to the utmost from entering into the precious metal tip 16 by thermal diffusion. - 特許庁

即ち、表面のＳｎが酸化除去されると、ＣｕＳｎ合金の中で、Ｓｎの濃度勾配が生じ、線材内部からＳｎの拡散が起る。例文帳に追加

In other words, when Sn of the surface is oxidized and removed, the concentration gradient of Sn occurs in the CuSn alloy that causes diffusion of Sn from inside the wire rod. - 特許庁

銅の拡散が抑制され、電気泳動寿命が向上し、選択金属キャップ化技術の使用、およびそれに付随した問題が解消される。例文帳に追加

Reduced copper diffusion and improved electromigration lifetime result, and the use of selective metal capping techniques and their attendant yield problems are avoided. - 特許庁

銅系金属用研磨組成物、銅拡散防止材料用研磨組成物および半導体装置の製造方法例文帳に追加

POLISHED COMPOSITION FOR COPPER-BASED METAL, POLISHED COMPOSITION FOR COPPER DIFFUSION PREVENTING MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

この後、残留したリン拡散層２を利用して再度熱処理することにより、金属不純物を更にゲッタリングする。例文帳に追加

Thereafter, heat treatment is applied again by utilizing a residual phosphor diffusion layer 2 whereby the further gettering of the metallic impurities is effected. - 特許庁

前記反応浴１に超臨界状態とエマルジョン状態とを形成後、前記金属イオンを拡散させ被めっき物１８に析出させる。例文帳に追加

After the super-critical state and the emulsion state are formed in the reaction bath 1, the metal ions are diffused to be deposited on the work 18 to be plated. - 特許庁

ランプアニール法による熱処理によってライフタイムキラー金属を半導体基板１の特定領域９に拡散させる。例文帳に追加

The lifetime killer metal is diffused to a specific region 9 on the semiconductor substrate 1 by heat treatment due to the lamp annealing method. - 特許庁

空孔を有する絶縁膜を用いた場合にも、配線からの金属の拡散を抑えることができるようにする。例文帳に追加

To make it possible to prevent the spread of metal from interconnect lines even in those cases where an insulating film having holes is used. - 特許庁

すぐれた接面通電性を長期に亘って発揮する固体高分子形燃料電池の多孔質金属ガス拡散シート例文帳に追加

POROUS METAL GAS DIFFUSION SHEET FOR SOLID MACROMOLECULAR FUEL CELL EXHIBITING OUTSTANDING CONTACT SURFACE CONDUCTIVITY FOR A LONG PERIOD OF TIME - 特許庁

撓み部１３に形成されたゲージ抵抗１５は拡散層配線１７および金属配線２１を介してパッド１６と接続される。例文帳に追加

Each gauge resistance 15 formed on the flexible part 13 is connected to a pad 16 through diffusion layer wiring 17 and metal wiring 21. - 特許庁

鉄合金材料（被処理材）の表面に、予備窒化処理を実施後、拡散処理を実施して表面硬化層を形成する表面処理方法。例文帳に追加

In the surface treatment method, after performing a pre-nitriding treatment on a surface of the iron alloy material (material to be treated), a diffusion treatment is performed to form a surface hardened layer. - 特許庁

Ｐ^+及びＮ^+拡散領域１２４，１３４の表面には高融点金属シリサイド層１４０が形成される。例文帳に追加

A high fusion temperature metallic silicide layer 140 is formed on surfaces of P+ and N+ diffusion regions 124 and 134. - 特許庁

絶縁部材１１の裏面１１ａで覆われる金属製の熱拡散部５を絶縁層２ｂに沿って設ける。例文帳に追加

A metallic heat diffusion region 5 covered with a rear face 11a of the member 11 is provided along the insulation layer 2b. - 特許庁

不純物金属の珪素微粒子内への拡散が防止された、高純度の珪素微粒子を得ることができる珪素微粒子の製造方法を得ること。例文帳に追加

To obtain a method for producing high purity silicon fine particles in which the diffusion of an impure metal into the silicon fine particles is prevented. - 特許庁

さらに、ワイヤボンドパッド部４ｄはＡｕが拡散しやすいので、金ワイヤ１２が強い強度で接合される。例文帳に追加

Since Au is easily diffused in the wire bond pads 4d, the gold wires 12 are bonded by strong strength. - 特許庁

そして、ボイド拡散防止膜１２８上には第３上部金属配線膜パターン１３０ｂが充填される。例文帳に追加

And finally, on the void diffusion prevention film 128, a tertiary upper metallic wiring film pattern 130b is filled. - 特許庁

光学性能に優れた光学用平板部材（光拡散板や導光板等）を効率よく成形できる金型を提供する。例文帳に追加

To provide a mold capable of efficiently molding a planar member for optics (a light diffusion plate, a light guide plate and the like) excellent in optical performance. - 特許庁

絶縁膜中への導電性金属の拡散を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device suppressing diffusion of conductive metal in an insulating film. - 特許庁

金属格子線を活性拡散接合部に接続するための開口は、自己整合コンタクト開口エッチングプロセスを使用して形成することができる。例文帳に追加

Openings to connect metal gridlines with the active diffusion junctions may be formed using a self-aligned contact opening etching process. - 特許庁

光導波路から光電変換部への金属拡散による白点増加を抑制し、画質の向上を図る。例文帳に追加

To reduce increased white spots caused by metal diffusion from an optical waveguide to a photoelectric conversion section for improving the image quality. - 特許庁

ウエハに対して均質な熱処理を施すことが出来、かつ、金属汚染を防止した縦型熱拡散炉である半導体処理装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor treating device that can perform a uniform heat treatment on the wafers and is a vertical thermal diffusion furnace preventing metal contamination. - 特許庁

金属多孔質体をガス拡散層として一体に備えたセパレータの新たな製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a new manufacturing method of a separator integrally provided with a metallic porous body as a gas diffusion layer. - 特許庁

セパレータを構成する金属元素の拡散を防止し、導電性及び耐食性を兼ね備えた燃料電池用セパレータを提供する。例文帳に追加

To provide a separator for a fuel cell having both electric conductivity and corrosion resistance, by preventing diffusion of a metallic element for constituting the separator. - 特許庁

そして、ＳＯＩ層１２のシリコン部分である拡散層１５と金属シリサイド層１７との接合界面１８が（１１１）シリコン面である。例文帳に追加

A junction interface 18 between the diffusion layer 15 that is a silicon portion of the SOI layer 12 and the metal silicide 17 is a silicon plane 111. - 特許庁

そして、基板３の裏面４７側には、Ｎ型の埋込拡散層１８とコンタクトする金属層４８が形成されている。例文帳に追加

A metal layer 48 contacting the n-type buried diffusion layer 18 is formed on the rear surface 47 side of the substrate 3. - 特許庁

自由磁化層３９はＭｎ系ホイスラー合金からなり、拡散防止層３８はＣｏＦｅＡｌからなる。例文帳に追加

The free magnetization layer 39 is formed of an Mn-based Heusler alloy, while the diffusion prevention layer 38 is formed of CoFeAl. - 特許庁

そして、基板の裏面５６側には、Ｎ型の埋込拡散層２１とコンタクトする金属層５７が形成されている。例文帳に追加

A metal layer 57 contacting the n-type buried diffusion layer 21 is formed on the rear surface 56 side of the substrate. - 特許庁