「金拡散」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

拡散防止膜と金属電極の間にＡｌＮ膜からなるトンネル絶縁膜を配置することで、高温環境下における酸素の侵入を防ぐことができ、拡散防止膜や下部電極膜などの酸化を抑制することができる。例文帳に追加

A tunnel insulating film 8 made of AlN films is formed between a nonproliferation film 7 and a metal electrode to prevent oxygen from intruding in an environment with a high temperature, so that the nonproliferation film and a lower electrode film can be protected against oxidation. - 特許庁

高分子電解質膜１が白金担持カーボンを含む反応層２ａ、２ｂによって挟まれており、さらに反応層２ａ、２ｂが、ガス拡散が可能なカーボン製の網からなる拡散層３ａ、３ｂによって挟まれている。例文帳に追加

A polymer electrolyte membrane 1 is pinched by reactive layers 2a, 2b containing platinum-carrying carbon, and also the layers 2a, 2b are pinched by diffusion layers 3a, 3b composed of a carbon-made net capable of gas diffusion. - 特許庁

本発明の鋼材は、表面にＮｉ−Ｆｅ拡散層又はＮｉ−Ｆｅ拡散層とその上層のＮｉ層を有し、その上層にＮｉ−Ｍｎ合金層を有することを特徴とするものである。例文帳に追加

The steel has: a Ni-Fe diffusion layer formed on the surface of a steel or a Ni-Fe diffusion layer and a Ni layer formed thereon; and a Ni-Mn alloy layer formed thereon. - 特許庁

酸素雰囲気中の酸素又は容量絶縁膜を構成する絶縁性金属酸化物中の酸素が、拡散防止膜の側面から拡散防止膜の内部に侵入する事態を防止する。例文帳に追加

To prevent oxygen contained in an atmosphere of oxygen or in an insulating metal oxide, which forms a capacitor insulating film, from penetrating into a diffusion preventing film from its side. - 特許庁

拡散ブロック用半導体層２５をＡｌＧａＡｓで構成すると、コンタクト金属層３２から発光層部２４へのＧｅ、Ｎｉ及びＡｕの拡散抑制に効果がある。例文帳に追加

When the diffusion blocking semiconductor layer 25 is composed of AlGaAs, diffusion of Ge, Ni and Au from the contact metal layer 32 into the emission layer part 24 is suppressed effectively. - 特許庁

電極性能が長期間安定する寿命の長いガス拡散電極を得るためのガス拡散電極構成材と金属材との接合方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for joining a gas diffusion electrode constituting material and a metallic material for obtaining a gas diffusion electrode stable in electrode performance over a long period and having a long service life. - 特許庁

そして、Ｐ型の拡散層９よりカソード領域側にフローティング状態のＰ型の拡散層１０、１１が形成され、アノード電位が印加された金属層１８と容量結合している。例文帳に追加

On the side closer to the cathode region than the P type diffusion layer 9, floating P type diffusion layers 10 and 11 are formed and coupled capacitively with a metal layer 18 applied with anode voltage. - 特許庁

電飾レンズを製造するための金型にローレット、シボ等の凹凸形状を設ける必要のない光拡散シート及びこれを成形した光拡散レンズを提供する。例文帳に追加

To provide a light diffusion sheet which has no irregular shape such as knurls or emboss on metal mold for manufacturing an illumination lens, and a light diffusion lens molded out of the same. - 特許庁

スタンダードセルＣＬは、ｎ型ウエル２ｎに設けられ、金属シリサイド膜で覆われたｐ^＋型拡散層３ｐおよびｎ^＋型拡散層４ｎを有している。例文帳に追加

A standard cell CL is provided in an n-type well 2n, and has a p^+-type diffusion layer 3p and an n^+-type diffusion layer 4n covered with a metal silicide film. - 特許庁

電子源を、タングステン又はモリブデンの＜１００＞方位の単結晶からなる陰極と、陰極の中腹部に設けられた拡散源と、拡散源の外周に設けられた高融点金属で形成する。例文帳に追加

The electron source is formed of a cathode comprising a <100> orientation single-crystal of tungsten or molybdenum, a diffusion source provided at the middle part of the cathode, and a high-melting-point metal provided on the outer periphery of the diffusion source. - 特許庁

前記Ｆｅ−Ｎｉ合金メッキ層の下層にＦｅ−Ｎｉ拡散メッキ層、またはＦｅ−Ｎｉ拡散メッキ層とＮｉメッキ層とを有することも好適である。例文帳に追加

It is also suitable that the lower layer of the Fe-Ni alloy plated layer is provided with an Fe-Ni diffusion plated layer or an Fe-Ni diffusion plated layer and an Ni plated layer. - 特許庁

その拡散マスク上からゲート金属層を堆積させ、これをパターニングすることにより拡散マスクの開口部にゲート電極７をｐ^+ 型ゲート領域６に対して自己整合的に形成する。例文帳に追加

A gate matallic layer is stacked on the dispersion mask and is patterned, so as to form a gate electrode 7 on the opening of the dispersion mask in a self-matching manner to the p+-type gate region 6. - 特許庁

高濃度ソース・ドレイン拡散層１０ｂなどの拡散層の上に、コバルトシリサイド膜１３などのシリサイド膜を形成した後、シリサイド膜の上にチタン膜１４等の金属膜を形成する。例文帳に追加

A silicide film such as a cobalt silicide film 13 is formed on a diffusion layer such as a high-concentration source drain diffusion layer 10b, and then a metal film such as a titanium film 14 or the like is formed on the silicide film. - 特許庁

サイドウォール１４の下に形成された拡散層１５以外の拡散層部分は、ＳＯＩ層１２の全層に渡って金属シリサイド１７で構成されている。例文帳に追加

Diffusion layer portions excluding the diffusion layers 15 which are formed under the sidewall 14, consist of the metal silicide 17 over all layer of the SOI layer 12. - 特許庁

本発明は、記憶電極と底部の絶縁層との間に、拡散バリア層を設け、金属汚染物が拡散してトランジスタの品質を低下させるのを防ぐ。例文帳に追加

A diffusion barrier layer is formed between the bottom of the memory electrode and an insulation layer to prevent the diffusion of a metal contaminant which causes the reduction in quality of a transistor. - 特許庁

さらに、予備成形体３２に対して窒化ガス雰囲気中で熱処理を施すことにより、前記炭化物、窒化物が母材中に拡散することによって形成された拡散層２０を有する有層Ｆｅ基合金が得られる。例文帳に追加

In addition, by performing the heat treatment to the preform 32 in the atmosphere of gaseous nitrogen, the Fe-based alloy having layers which has a diffusion layer 20 formed by the diffusion of carbide and nitride in a base material can be obtained. - 特許庁

塗布後、予備成形体５２を熱処理すれば、前記金属の炭化物が母材中に拡散することによって形成された拡散層３６ａを有する予備成形体５２が得られる。例文帳に追加

After applying, a heat treatment is performed to the preform body 52 and thus, the preform body 52 having the diffusion layer 36a formed by diffusing the carbide of the above metal in the base material, is obtained. - 特許庁

表面粗さＲａが２ｎｍ以下であっても、拡散防止層２が設けられることにより、ガラス基板１からアルカリ金属が他の層へ拡散することを抑制し、マウスニップ欠陥の発生を抑制することができる。例文帳に追加

Even if the surface roughness Ra is no larger than 2 nm, diffusion of alkali metal from the glass substrate 1 to other layers can be reduced and occurrence of mouse nip default can be reduced by providing the diffusion prevention layer 2. - 特許庁

第１スタンダードセルＳＣ１は、拡散領域Ａｎ１１、拡散領域Ａｎ１１に対向する機能素子領域ＦＥ１、および金属層ＭＴ１１を有する。例文帳に追加

The first standard cell SC1 includes a diffusion region An11, a function element region FE1 facing the diffusion region An11, and a metal layer MT11. - 特許庁

この後、焼結磁石体を加熱し、表面から金属元素Ｍを焼結磁石の内部に拡散させ、また、表面から重希土類元素ＲＨを焼結磁石体の内部に拡散させる。例文帳に追加

Then the sintered magnet body is heated to diffuse the metal element M into the sintered magnet from the surface and also to diffuse the heavy rare-earth element RH into the sintered magnet body from the surface. - 特許庁

不純物金属は、シリサイドゲート１の拡散性材料が高誘電率誘電体に導入されることを防ぐことができるような、拡散性材料に対するバリア効果を有している。例文帳に追加

The impurity metal has a barrier effect to the diffusive material so that the diffusive material in the silicide gate 1 is prevented from being introduced into the high-k dielectric. - 特許庁

上部層３２と多層膜２０との間に挿入された下部層３１は、２層以上の拡散防止膜からなる２重構造を有しており、上部層３２を構成する成分金属が多層膜２０側に拡散することを防止している。例文帳に追加

A lower layer 31 inserted between the upper layer 32 and a multilayered film 20 has a double structure comprising two or more diffusion prevention layers, and prevents a component metal constituting the upper layer 32 from diffusing to the multilayered film 20 side. - 特許庁

ゲート電極１２０Ａ，１２０Ｂ間のＰ^+拡散領域１２４を覆う高融点金属シリサイド層１４０はチャネル幅方向Ｄにて離れた２箇所にて除去され、拡散抵抗領域１５０Ａ，１５０Ｂが形成される。例文帳に追加

The high fusion temperature metallic silicide layer 140, which covers cover the P+ diffusion region 124 between gate electrodes 120A and 120B, is eliminated at two portions separating in the channel widthwise direction D and diffusion resistance regions 150A and 150B are formed. - 特許庁

少なくとも透明樹脂（ａ）およびガラス繊維（ｂ）からなる複合シートを金型で打ち抜いて拡散板として用いる直下型バックライト用拡散板の製造方法。例文帳に追加

In the manufacturing method of light diffusion plate for just-under type backlight, a composite sheet consisting of at least transparent resin (a) and glass fiber (b) is punched by a mold and is used as a light diffusion plate. - 特許庁

続いて、この素子形成面に不純物を注入して拡散層１５を形成し、さらにこの拡散層１５の表層１６を金属シリサイドとする。例文帳に追加

Subsequently, the impurity is implanted to this element forming surface to form a diffused layer 15 and moreover the surface 16 of this diffused layer 15 is formed as a metal silicide. - 特許庁

熱拡散層６はベース５よりも高い熱伝導率を有する金属材料を主成分として形成され、この熱拡散層６をベース５の一面に積層する。例文帳に追加

The heat diffusion layer 6 is formed by using, as a main constituent, a metal material having thermal conductivity higher than that of the base 5, and the heat diffusion layer 6 is laminated on one surface of the base 5. - 特許庁

隣接する構造への金属の拡散を妨げるように作用し、適切な導電体として作用する導電性拡散バリアを形成する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for forming a conductive diffusion barrier, which acts to prevent the diffusion of metal to adjacent structure and operates as an appropriate conductor. - 特許庁

金属基板（１４）の電気光学物質層側の面上には、凹凸形状の光拡散反射面（１４Ａ）が形成されており、光拡散反射面上には絶縁層（２５）が形成されている。例文帳に追加

On the surface of the metallic substrate (14) on the side of the electrooptic substance layer, an uneven light diffuse reflecting surface (14A) is formed and on the light diffuse reflecting surface, an insulating layer (25) is formed. - 特許庁

このように展開された状態の各反射面１、２、３、４、５のところに一様に魚眼状の拡散ステップ１１を設けるとともに、この拡散ステップ１１の表面に真空蒸着手段等により金属製薄膜を設ける。例文帳に追加

Fish-eye diffusion steps 11 are provided uniformly on the reflection faces 1, 2, 3, 4, 5 in the deployed state, and a metal thin film is provided on the surface of the diffusion steps 11 by a vacuum deposition means. - 特許庁

基板Ｗ、合金１１０、および拡散原料１２０を加熱拡散炉１に収納し、ボート４１の底板４１ａが基板Ｗと対面するように治具４０を配置する。例文帳に追加

A substrate W, the alloy 110, and a diffusion stock are accommodated in a heating diffusion furnace 1, and a jig is disposed such that a bottom plate 41a of a boat 41 faces the substrate W. - 特許庁

良好な形状制御性を確保しつつ、金属拡散防止膜51の形成時のエッチングなどによる銅配線層53の表面荒れなどを防止して、銅配線層53の酸化および銅の拡散を抑制できる。例文帳に追加

While the excellent shape controllability is secured, the copper wiring layer 53 is prevented from having its surface roughened owing to etching etc., during the formation of the metal diffusion preventive film 51, thereby suppressing the oxidation of the copper wiring layer 53 and the diffusion of copper. - 特許庁

金属層１０７−１、第１導電型の拡散層１０７−２、第２導電型の拡散層１０８上には、それぞれコンタクト１０３−１〜１０３−３が形成されている。例文帳に追加

Contacts 103-1 to 103-3 are formed on the metal layer 107-1, the diffusion layer 107-2 of the first conductive type, and the diffusion layer 108 of the second conductive type, respectively. - 特許庁

さらに、予備成形体３２に対して窒化処理を施すことにより、前記炭化物、窒化物が母材中に拡散することによって形成された拡散層２０を有する有層Ｆｅ基合金が得られる。例文帳に追加

The pre-molded article 32 can be further treated with nitrogen, thereby forming a layered Fe-based alloy which has a diffusion layer 20 which is formed by the diffusion of the carbonized product and a nitrided product in the base material. - 特許庁

第２導電型のウェル１０６の表面部には、金属層１０７−１、第１導電型の拡散層１０７−２、第２導電型の拡散層１０８が形成されている。例文帳に追加

A metal layer 107-1, a diffusion layer 107-2 of the first conductive type, and a diffusion layer 108 of the second conductive type are formed in a surface portion of the well 106 of the second conductive type. - 特許庁

カソード配線１０ａが金属よりなっており、かつ平面的に見てｐ型拡散層６とｎ^+拡散層７との境界面が形成されている領域である領域２４を完全に覆っている。例文帳に追加

The cathode wiring 10a is made of a metal and completely covers a region 24 where a boundary surface between the p-type and n^+ diffusion layers 6, 7 is formed in a plan view. - 特許庁

フォトダイオードの素子分離領域となるＰ＋型拡散層の上の酸化膜をエッチングで取り除き、Ｐ＋型拡散層と、フォトダイオードの周囲上層の金属遮光膜とをコンタクト電極により接続する。例文帳に追加

An oxide film on a p^+-type diffusion layer to be formed as an element isolation region of a photodiode is removed by etching, the p^+-type diffusion layer is connected by contact electrodes to a light-shielding metal film of a peripheral upper layer of the photodiode. - 特許庁

さらに、予備成形体に対して塩浴窒化処理を施すことにより、前記炭化物、窒化物及びＡｌＮが母材中に拡散することによって形成された拡散層２０を有する有層Ｆｅ基合金が得られる。例文帳に追加

The pre-molded article can be further subjected to salt bath nitriding treatment, thereby forming a layered Fe-based alloy which has a diffusion layer 20 which is formed by the diffusion of the carbonized product, a nitrided product and AlN in the base material. - 特許庁

軸部２の一端に傘部３が連設されたチタン合金よりなるバルブ本体４における少なくとも耐摩耗性が要求される表面に、酸素拡散層または酸素拡散及び浸炭層を形成する。例文帳に追加

An oxygen diffused layer or an oxygen diffused and carbonized layer is formed on the surface for which at least abrasion resistance is required in the valve body 4 made of titanium alloy, in which a mushroom section 3 is connected to one end of the shaft section 2. - 特許庁

電極用パッド４と金バンプ５とは、段差を有する拡散防止層３を電極に形成し、この拡散防止層３の段差により、金もしくは金合金と反応できるアルミニウムもしくはアルミニウム合金の量を限定することにより、面方向の寸法がほぼ等しいものである。例文帳に追加

The sizes of the electrode pad 4 and the gold bump 5 in the face direction are almost equal, by forming a diffusion preventing layer 3 having a recess on an electrode and restricting the quantity of aluminum or aluminum alloy that is allowed to react with gold or gold alloy by the recess of the diffusion preventing layer 3. - 特許庁

上記目的を達成するために本発明は、拡散層の一方の表面に触媒が担持されている触媒担持拡散層の製造方法であって、触媒金属コロイド錯体溶液と、上記拡散層の一方の表面とが接触している状態で、上記触媒金属コロイド錯体溶液と接触している側の拡散層の表面を還元し、上記触媒を析出させることを特徴とする触媒担持拡散層の製造方法を提供する。例文帳に追加

This is the manufacturing method of a catalyst carrying diffusion layer in which a catalyst is carried on one surface of a diffusion layer, and in the state that a catalyst metal colloid complex solution and one of the surface of the diffusion layer are in contact, the surface of the diffusion layer on the side in contact with the catalyst metal colloid complex solution is reduced and the catalyst is precipitated. - 特許庁

合金粒６とガラス管１との接触部分においては、合金粒６にガラス管１のＳｉ拡散層８が形成され、ガラス管１に合金粒６の亜鉛−水銀拡散層９が形成されており、これら拡散層８，９によってガラス管１と合金粒６とが互いに強固に固着されている。例文帳に追加

At the contacting part of the alloy grains 6 and the glass tube 1, Si diffusion layer 8 of the glass tube 1 is formed on the alloy grains 6 and zinc - mercury diffusion layer 9 is formed on the glass tube 1, and the glass tube 1 and the alloy grains 6 are mutually adhered firmly by these diffusion layers 8, 9. - 特許庁

ヒ化ガリウム半導体基板と、該ヒ化ガリウム半導体基板上に分布してショットキー・コンタクトを形成するチタン金属層と、該チタン金属層上に分布して金属層の拡散を防ぐ拡散バリア層と、該拡散バリア層上に分布してショットキー構造を形成する第１銅金属層とによりヒ化ガリウム半導体上に形成されるショットキー構造を構成する。例文帳に追加

The Schottky structure to be formed on the gallium arsenide semiconductor is formed of the gallium arsenide semiconductor substrate, a titanium metal layer to form distributed Schottky contacts on the gallium arsenide semiconductor substrate, a diffused barrier layer to prevent diffusion of metal layer through distribution on the titanium metal layer, and cuprous metal layer distributed on the diffused barrier layer to form the Schottky structure. - 特許庁

低低誘電率膜に覆われた金属配線を有する半導体装置において、金属配線からの拡散を防止する金属拡散防止膜と低誘電率膜との界面における密着性を向上させ、低誘電率膜と金属拡散防止膜とが剥離しにくい信頼性が高い半導体装置を実現できるようにする。例文帳に追加

To realize a highly reliable semiconductor device having a metallic wiring covered by a low-permittivity film without the low-permittivity film and a metal-diffusion-preventing film exfoliated by improving an adhesion at the interface between the metal-diffusion-preventing film for preventing the diffucion from the metal wiring and the low-permittivity film. - 特許庁

ロ　超合金又はチタン合金の拡散接合による加工に係るものであって、加工材料の表面処理、温度又は圧力に係るもの例文帳に追加

(b) Data pertaining to processing by diffusion bonding of super alloys or titanium alloys, and to the surface treatment, deformation rate, temperature or pressure of processed materials  - 日本法令外国語訳データベースシステム

大量破壊兵器（WMD）の拡散行為への資金供与のリスクの検討に関する金融活動作業部会（FATF）のコミットを賞賛。例文帳に追加

We commend the Financial Action Task Force on its commitment to examine the risks of weapons of mass destruction proliferation finance.  - 財務省