「金拡散」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

ガラス基板やＳｉ系膜との密着性に優れ、ＳｉとＣｕとにおける高い拡散バリア性を有し、尚且つ水素プラズマ雰囲気に曝されても膜の膨れや膜剥がれが発生し難い、下地膜等を得るためのＣｕ合金スパッタリングターゲットおよび半導体装置のＣｕ配線膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a Cu alloy sputtering target for obtaining a base film or the like excellent in close contact with a glass substrate and an Si film, having a high diffusion barrier property in Si and Cu, hardly generating blistering of a film and film separation even when exposed to a hydrogen plasma atmosphere, and to provide a method of manufacturing a Cu wiring film of a semiconductor device. - 特許庁

シリコン基板２、二酸化シリコン層３、単結晶シリコン層４、二酸化シリコン層５、Ｎ＋ドープ・ポリシリコンのスペーサ１３、導電性拡散防止物質のコンフォーマル層１５、金属シリサイド層１６、ＣＶＤ二酸化シリコン層１７、絶縁体スペーサ１８、酸化シリコン層１９、ポリシリコン２１を備える。例文帳に追加

This embodiment comprises a silicon substrate 2, a silicon dioxide layer 3, a monocrystal silicon layer 4, a silicon dioxide layer 5, a spacer 13 of N+ doped polysilicon, a conformal layer 15 of a conductive diffusion preventing substance, a metal silicide layer 16, a CVD silicon dioxide layer 17, an insulator spacer 18, a silicon oxide layer 19, and a polysilicon 21. - 特許庁

陽極酸化されたアルミニウム支持体とハロゲン化銀乳剤層の間に物理現像核を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版を露光、現像処理後に前記平版印刷版を、チタン、ジルコニウム、亜鉛及びハフニウムの中から選ばれる金属のフッ化物の中の少なくとも１つの化合物を含む処理液で処理する。例文帳に追加

A lithographic printing plate which contains physical developing nuclei between an anodically oxidized aluminum supporting body and a silver halide emulsion layer and which utilizes a silver complex salt diffusion transfer method is exposed, developed and then treated with a processing liquid containing at least one compound in fluorides of metals selected from titanium, zirconium, zinc and hafnium. - 特許庁

上記Ｎiを含む合金層１１６が、Ａu原子の半導体層中への拡散を防止する共に、半導体層と電極１１５との界面の平坦性の悪化を防止して、半導体層１１１やコンタクト層１１４および半導体層と電極１１５との界面での内部散乱や吸収損失をなくす。例文帳に追加

While the alloy layer 116 which contains Ni being prevented from Au atom diffusing into the semiconductor layer, the internal dispersion and the absorption loss are eliminated at the interface between the semiconductor layer 111 or the contact layer 114 and the electrode 115 by preventing the aggravation of the interface flatness between the semiconductor layer and the electrode 115. - 特許庁

液滴吐出ヘッドおよびこれを備えた電子機器、並びに液晶表示装置の製造方法、有機ＥＬ装置の製造方法、電子放出装置の製造方法、ＰＤＰ装置の製造方法、電気泳動表示装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機ＥＬの製造方法、スペーサ形成方法、金属配線形成方法、レンズ形成方法、レジスト形成方法および光拡散体形成方法例文帳に追加

LIQUID DROP EJECTION HEAD AND ELECTRONIC EQUIPMENT EQUIPPED WITH THE SAME, MANUFACTURING METHODS FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY, ORGANIC EL DEVICE, ELECTRON- EMITTING DEVICE, PDP DEVICE, ELECTROPHORETIC DISPLAY, COLOR FILTER AND ORGANIC EL, AND METHODS FOR FORMING SPACER, METALLIC WIRING, LENS, RESIST AND LIGHT DIFFUSION BODY - 特許庁

ヘッドキャップおよびこれを備えた液滴吐出装置、並びに液晶表示装置の製造方法、有機ＥＬ装置の製造方法、電子放出装置の製造方法、ＰＤＰ装置の製造方法、電気泳動表示装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機ＥＬの製造方法、スペーサ形成方法、金属配線形成方法、レンズ形成方法、レジスト形成方法および光拡散体形成方法例文帳に追加

HEAD CAP, LIQUID JET DEVICE HAVING THE SAME, METHODS FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, ORGANIC EL DEVICE, ELECTRON EMITTING DEVICE, PDP DEVICE, CATAPHORESIS DISPLAY DEVICE, COLOR FILTER, AND ORGANIC EL, AND METHODS FOR FORMING SPACER, METALLIC WIRING PATTERN, LENS, RESIST AND LIGHT DIFFUSION BODY - 特許庁

金属からなるストレージ電極１８及びプレート電極２０、前記電極間に形成された高誘電体膜１９を有するキャパシタにおいて、ストレージ電極の側部及びプレート電極の上部にガスイオンの侵透を防止するための拡散防止膜１６，２１をそれぞれ形成した高誘電体キャパシタ。例文帳に追加

In the high dielectric capacitor having the metallic storage electrode 18, the metallic plate electrode 20, and a high dielectric film 19 formed between the electrodes 18 and 20, the diffusion preventing films 16 and 21 are respectively formed on the side section of the storage electrode 18 and the upper part of the plate electrode 20 for preventing the penetration of gas ions. - 特許庁

アルカリ珪酸塩（珪酸ソーダ、珪酸カリウム、あるいは珪酸リチウム等）あるいは金属燐酸塩（燐酸アルミニウム、あるいは燐酸マグネシウム等）をバインダーとして含み半導体表面を不活性化する接着剤層５を用いて拡散反射基板６と半導体基板１とを接着することで、半導体表面の不活性化を行なうものである。例文帳に追加

The surface of a semiconductor is inactivated by bonding a diffusion reflection substrate 6 and a semiconductor substrate 1 using an adhesive layer 5 for inactivating the surface of the semiconductor containing an alkaline silicate (e.g. sodium silicate, potassium silicate, or lithium silicate) or a metal phosphate (e.g. aluminum phosphate, or magnesium phosphate) as a binder. - 特許庁

導電性フレーム１０１上に、電解めっきにより、金属拡散防止層１０３が形成された配線パターン１０６を形成する工程と、前記導電性フレーム１０１の配線層形成面に絶縁層１０７を形成する工程と、前記導電性フレーム１０１を除去する工程とを含むプリント配線板１０８の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing the printed wiring board 108 includes a step of forming a wiring pattern 106 with a metal diffusion preventing layer 103 on the conductive frame 101 by electrolytic plating, a step of forming an insulating layer 107 on a wiring layer forming surface of the conductive frame 101, and a step of removing the conductive frame 101. - 特許庁

また、組立式カムシャフトの製造方法は、高炭素クロム軸受鋼鋼材を球状化焼き鈍し処理し、その後引き抜き加工して所定の寸法に加工したシャフト２と、焼結合金粉末を圧粉成形して所定の寸法の圧粉成形体に形成したカムロブ３とを作製し、カムロブ３をシャフト２に組み付け、それらを拡散接合して製造する。例文帳に追加

Also in a manufacturing method of the assembled camshaft, the shaft 2 processed in designated dimensions by drawing of spheroidize-annealed high carbon content chromium bearing steel material a cam lobe 3 of a compact moulding in designated dimensions formed from sintered alloy powder are made, and the cam lobe 3 is assembled on the shaft 2 and is diffusion-jointed. - 特許庁

本発明の目的は、熱拡散法によって形成した傾斜機能材層よりも高温揮発減耗を抑制し、電極チップの高温強度を向上させることで火花減耗に対する耐久性を向上させること及び更なる細径化を図り貴金属使用量を抑えて安価であることを実現するスパークプラグ用電極チップを提供することである。例文帳に追加

To provide an electrode tip for a spark plug which is suppressed in high temperature volatilization wear than an inclination functional material layer formed by a thermal diffusion method, improved in durability with respect to spark wear by improving high temperature strength of the electrode tip, and realizes low cost, by suppressing the amount of precious metal used by further realizing thin diameter. - 特許庁

本発明に係る弾性表面波素子は、圧電基板１上にインターディジタルトランスデューサとなる電極６が形成されており、該電極６は、金属からなる導電層２と、該導電層２との界面にポテンシャル障壁を形成すべき半導体からなる電子拡散抑制層３の積層構造を有している。例文帳に追加

In this surface acoustic wave element, an electrode 6 serving as an inter-digital transducer is formed on a piezoelectric substrate 1, and the electrode 6 includes the laminate structure of a conductive layer 2 made of metal, and an electronic diffusion suppressing layer 3 constituted of a semiconductor whose potential barrier should be formed on its interface with the conductive layer 2. - 特許庁

この検査システムは、特に、スクラッチ、ボイド、腐食およびブリッジング、などの金属化欠陥、ならびに拡散欠陥、被覆保護層欠陥、書きこみ欠陥、ガラス絶縁欠陥、切込みからのチップおよびクラック、半田隆起欠陥、ボンドパッド領域欠陥、などの欠陥のための第二の光学的ウェハ検査のために意図され、そして設計される。例文帳に追加

The inspection system is specifically intended and designed for second optical wafer inspection for such defects as metallization defects, such as scratches, voids, corrosion and bridging, as well as diffusion defects, passivation layer defects, scribing defects, glassivation defects, chips and cracks from sawing, solder bump defects, and bond pad region defects. - 特許庁

サブストレート１の上に第一の酸化物層４を設け、その上に下側電極及び上側電極３１、３３及びこれらの間に析出した金属酸化物含有コンデンサー材料層３２を有するコンデンサーを形成させ、コンデンサーの形成の前に、第一の酸化物層４を、プラズマドープ法の使用下に、第一の酸化物層中で水素拡散バリア７Ａを形成するバリア物質をドープする。例文帳に追加

A first oxide layer 4 is provided on a substrate 1, a capacitor having a metal oxide containing capacitor material layer 32 separated on a downside electrode and upside electrodes 31, 33 is formed thereon, and the first oxide layer 4 is doped prior to forming the capacitor, and a barrier substance forming a hydrogen diffusion barrier 7A is doped in the first oxide layer under the use of a plasma doping method. - 特許庁

この構成では、高熱伝導性の板金部品６１による熱拡散効果と、低熱伝導性の断熱シート６２による断熱効果により、ランプ２８と外装キャビネットとの間の空間を最小限にした小型薄型化構造を実現しながら、外装キャビネットの温度低減を達成することができる。例文帳に追加

In such constitution, the temperature of the external cabinet is lowered by a thermal diffusion effect by the sheet metal component 61 having the high heat conductivity and a heat insulating effect by the heat insulating sheet 62 having the low heat conductivity while achieving the miniaturized and thinned structure where the space between the lamp 28 and the external cabinet is minimized. - 特許庁

気密なチャンバーの天井に少なくとも１以上設けた加熱手段と、該加熱手段の下方に設けられた作業テーブルと、該加熱手段と、該作業テーブルとの間を仕切り、加熱手段の放熱を拡散させてテーブル上を均一に加熱するための仕切り板と、該空気抽出手段とによってチタン金属層の粘着、被覆装置を構成する。例文帳に追加

This apparatus for adhering and covering the titanium layer comprises at least one heating unit installed on a ceiling of an airtight chamber, a work table provided below the heating unit, a partition plate to partition the heating unit from the work table, radiate the heat from the heating unit and uniformly heat the space above the table, and an air extracting means. - 特許庁

固体電池の保護膜を多層構造として、その内の一層の金属層が正の電位を有することにより、固体電池の充放電を担うイオンの集積回路への拡散防止を行うことができるので、特性劣化や誤動作のない集積回路と電池のシステムインパッケージや多層配線基板を提供することができる。例文帳に追加

Since diffusion of ions bearing charge/discharge of a solid state battery into an integrated circuit can be prevented by forming a protective film of the solid state battery into a multilayer structure and by providing a positive potential to one metal layer out of them, this system-in-package of the integrated circuit and the battery without causing characteristic deterioration or malfunction and this multilayer wiring board can be provided. - 特許庁

多孔質炭素構造体に金属微粒子を担持した形での材料、特に燃料電池用電極を作製し、さらにこれを用いることで電子及び燃料ガス、プロトンの輸送経路の制御を行なった電解質膜−燃料電池用ガス拡散電極接合体を作製することで、燃料電池の高性能化を達成することを目的とする。例文帳に追加

To enhance the performance of a fuel cell by manufacturing, especially, an electrode for a fuel cell from a material in which metal fine particles are carried in a porous carbon structure, which is used to control a transportation path of electrons, fuel gas, and protons in an electrolyte film-gas diffusion electrode assembly for a fuel cell. - 特許庁

ヘッドユニット、そのセット方法および描画装置、並びに液晶表示装置の製造方法、有機ＥＬ装置の製造方法、電子放出装置の製造方法、ＰＤＰ装置の製造方法、電気泳動表示装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機ＥＬの製造方法、スペーサ形成方法、金属配線形成方法、レンズ形成方法、レジスト形成方法および光拡散体形成方法例文帳に追加

HEAD UNIT, ITS SETTING METHOD AND PLOTTING APPARATUS, METHODS OF MANUFACTURING LIQUID-CRYSTAL DISPLAY UNIT, ORGANIC EL APPARATUS, ELECTRON DISCHARGE APPARATUS, PDP APPARATUS, ELECTROPHORESIS DISPLAY APPARATUS, COLOR FILTER AND ORGANIC EL, AND METHODS OF FORMING SPACER, METAL WIRING, LENS, RESIST AND LIGHT DIFFUSION BODY - 特許庁

少なくとも拡散防止膜の側面には耐酸化性材料からなるサイドウォールが形成され、容量下部電極１７及びサイドウォール１８の上には絶縁性金属酸化物からなる容量絶縁膜１９が形成されており、該容量絶縁膜１９の上には容量上部電極２０が形成されている。例文帳に追加

At least, a sidewall 18 of oxidation inhibiting material is formed on the side of the diffusion preventing film 16, a capacitor insulating film 19 of an insulating metal oxide is formed on the capacitor lower electrode 17 and the sidewall 18, and a capacitor upper electrode 20 is formed on the capacitor insulating film 19. - 特許庁

陽極酸化されたアルミニウム支持体に少なくともハロゲン化銀乳剤層を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版を露光後少なくとも現像処理する方法において、該現像液がアルカリ土類金属と、グリセリンまたはポリグリセロールを含有することを特徴とする平版印刷版の現像処理方法。例文帳に追加

In the processing method in which a planographic printing plate having at least a silver halide emulsion layer on an anodically oxidized aluminum substrate and utilizing a silver complex salt diffusion transfer process is subjected to at least development after exposure, a developing solution used contains an alkaline earth metal and glycerol or polyglycerol. - 特許庁

具体的には、保護膜を成膜後、水素の拡散バリヤとして金属からなるオーバーコート膜を設けた状態で熱処理を行い、保護膜から脱離した水素が薄膜半導体素子の外へ脱離することを防止し、多結晶シリコン半導体膜へ十分な水素を供給して、ダングリングボンドの終端を促進する。例文帳に追加

More specifically, after a protective film is formed, heat treatment is performed while providing an overcoat film of metal as the diffusion barrier of hydrogen in order to prevent the desorption of hydrogen desorbed from the protective film to the outside of a thin film semiconductor element and hydrogen is supplied sufficiently to the polysilicon semiconductor film, thus accelerating the termination of the dangling bond. - 特許庁

配線層の金属の層間絶縁膜中への拡散を防止するバリア膜等として優れた特性を有する低誘電率のＳｉＣ膜を成膜することができるＳｉＣ系膜の成膜方法、及びその成膜方法により成膜されるＳｉＣ膜をバリア膜として用いた半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of depositing a SiC-based film of low dielectric constant having excellent characteristic as a barrier film or the like for preventing diffusion of metal of a wiring layer into an interlayer dielectric, and also to provide a manufacturing method of semiconductor device using the SiC deposited with the method as a barrier film. - 特許庁

ここで、Ｃ共ドーピングは、（後続のアクティベーション熱サイクルの際にも）Ｂの拡散を弱める追加の自由度を与えて浅いＢプロファイルを保持し、これは、良好な短チャネル効果を保持しながらミッドギャップ金属ゲートを備える表面チャネルＣＭＯＳデバイスを与えるために重要である。例文帳に追加

Here, the doping of C is important to give a surface channel CMOS device provided with the mid gap metal gate while an excellent short channel effect is maintained by holding the shallow B profile through the additional degree of freedom to relaxing the diffusion of B (even in the case of the subsequent activation heat cycle). - 特許庁

金属さやおよび充填組成物からなる低拡散性水素を有する溶接ビードを形成する水分取り込み性の低い芯つき電極において、該充填組成物が二酸化チタン、スラグ形成剤および水分抵抗性化合物を含み、該水分抵抗性化合物がチタン化合物、カリウム化合物、ナトリウム化合物およびコロイド状シリカを含む芯つき電極。例文帳に追加

The cored electrode includes a metal sheath and a fill composition, has reduced moisture pick-up properties and forms a weld bead with low diffusible hydrogen, wherein the fill composition contains a titanium dioxide, a slag forming agent, and a moisture resistant compound, and the moisture resistant compound contains a titanium compound, a potassium compound, a sodium compound, and a colloidal silica. - 特許庁

両面に触媒層１２ａ，１２ｂが形成された固体高分子電解質膜１１がガス拡散層１４ａ，１４ｂによって挟持された膜電極接合体１０において、前記固体高分子電解質膜１０と前記触媒層１２ａ，１２ｂとの間に、金からなり、一面側から他面側に連通する通気孔を有する導電性薄膜１２ａ，１２ｂが形成されている。例文帳に追加

In the membrane-electrode assembly 10 wherein a solid polymer electrode membrane 11 forming catalyst layers 12a, 12b on both sides is sandwiched by gas diffusion layers 14a, 14b, conductive thin films 13a, 13b made of gold and having a vent interconnected from one surface side to the other surface side are formed between the membrane-electrode assembly 10 and the catalyst layers 12a, 12b. - 特許庁

光の反射体を有する光増幅器において、反射面と光ファイバとの間にＴＥＣ部又はコリメート用のレンズを設けることにより、伝搬光のビームウェストを拡大し、また、反射面の金属の層を２０μｍ以上の厚さで形成することにより熱の拡散効率を高め、また、反射面に誘電体多層膜を用いることによって熱の吸収を無くす構成とした。例文帳に追加

In the optical amplifier having the reflector of light, a TEC section or a lens for collimation is provided between a reflection surface and optical fiber for expanding the beam waist of propagation light the metal layer on the reflection surface is formed to a thickness of 20 μm or more for increasing the diffusion efficiency of heat, and a dielectric multilayer film is used on the reflection surface for eliminating the absorption of heat. - 特許庁

酸化チタン（ＴｉＯ_2）結晶に非金属元素のフッ素（Ｆ）イオンを注入する際に、酸化チタン（ＴｉＯ_2）結晶へのＦイオンの注入エネルギーを制御してＦイオンの単位面積あたりの注入量及び注入深さを調整した後に、Ｆイオン注入後の酸化チタン結晶を焼鈍処理することによりＦイオンを結晶表面へ優先的に拡散させた光触媒材料。例文帳に追加

This photocatalytic material is constituted so that F ion is diffused to the surface of the TiO2 crystal preferentially by implanting the ion of F being a nonmetallic element into the TiO2 crystal while the amount of F ion to be implanted per unit area and the depth of F ion to be implanted are adjusted by controlling the implantation energy of F ion to the TiO2 crystal and then annealing the F ion-implanted TiO2 crystal. - 特許庁

表面に微細流路を形成した多数の金属板６を、拡散接合を用いて互いに接合し、微細流路を多数積層した一体構造を有するデバイスとするとともに、高流速を流すことが可能で、高い圧力にも耐えることができる高耐圧構造とし、移動熱量の増大を実現する。例文帳に追加

The heat exchanger is prepared by mutually bonding many metal plates 6 having fine passages formed on their surfaces using diffusion bonding, into a device having an integrated structure wherein many fine flow passages are laminated, and is also prepared as a highly pressure resistant structure which can attain the flow at a high flow rate and can endure high pressure, thereby realizing the increase in the amount of heat transferred. - 特許庁

基板本体２と、基板本体２に形成された銀または銀合金を主体とする銀反射層６と、銀反射層６の全面を覆うように形成されたガラスを含む保護層を有する発光素子搭載用基板１であって、保護層７がアルミナ系フィラーを含有しており、かつ保護層７を構成するガラス中に銀が拡散された状態で含有されている発光素子搭載用基板１である。例文帳に追加

In a substrate 1 for mounting a light-emitting element having a substrate body 2, a silver reflective layer 6 formed on the substrate body 2 and based on silver or a silver alloy, and a protective layer containing glass formed to cover the entire surface of the silver reflective layer 6, the protective layer 7 contains an alumina based filler, and the glass composing the protective layer 7 contains silver in diffused state. - 特許庁

STI により囲まれた素子領域にサリサイド技術を用いてシリサイド反応時におけるシリコン中の拡散係数が大きい金属を用いてシリサイドを形成した際、大きなSTI 領域中に素子領域が孤立して存在する場合でもシリサイドプロセス時に接合領域での過剰なシリサイド反応を抑制し、接合リークを伴わない低抵抗シリサイド領域を形成し得る半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

When a reaction product with Ni is formed on the impurity diffusion layer or polycrystalline Si formed on Si substrate, a reaction region is specified in consideration of the diffusion coefficient of Ni inside Si during reaction. - 特許庁

金属製シースを用いたシースヒータ７及び金属製冷却パイプ８のうちの１種若しくは２種又はこれらに加えた金属製シースを用いたシース熱電対９を、これらを入れるための溝を少なくとも一方に設けた金属製下ベース材３及び金属製上ベース材４との間で、かつ上記溝に入れ、一体に組み立ててこれらを拡散接合する加熱及び／又は冷却用金属構造体の製造方法。例文帳に追加

One type or two types of the sheath heater 7 using the metal sheath and metal cooling pipe 8 or a sheath thermocouple 9 using the metal sheath added on those are put between a metal lower base material 3 and a metal upper base material 4 having a groove for storing those provided and in the groove, and are assembled as one body and are performed diffused junction. - 特許庁

オーステナイト系金属をフッ素系ガス雰囲気下で加熱保持してフッ化処理を行い、上記フッ化処理と同時期および／またはその後に、上記オーステナイト系金属に対して浸炭処理を行って、オーステナイト系金属の表層部に炭素拡散層を形成し、さらに、上記オーステナイト系金属の表面にダイヤモンドライクカーボン被膜を形成することにより、優れた耐食性と耐摩耗性を有し、しかも非磁性の特性をも兼ね備えた耐食耐摩耗非磁性金属製品が得られる。例文帳に追加

The metal product having superior corrosion resistance, superior abrasion resistance, and further non-magnetic properties is obtained by heating and holding the austenitic metal in a fluoric gas atmosphere to fluorinate it, simultaneously with and/or after the fluorination, carburizing the austenitic metal to form a carburized layer on the surface layer of the austenitic metal, and further forming a diamond like carbon film on the surface of the austenitic metal. - 特許庁

金属アルコキシ基を有する有機重合体からゾル−ゲル法によって作製した湿潤ゲル又は溶剤に溶解する有機重合体と；金属酸化物、金属アルコキシド化合物又は金属アルコキシド化合物の部分的加水分解および重縮合物とを；接触させ、相互にまたは一方から他方へ溶液拡散させる工程を包含する、有機重合体成分および／または金属酸化物成分の濃度が連続的に変化した成分傾斜構造を有する有機−無機成分傾斜複合材料の製造方法。例文帳に追加

In this production method, the moisture-retaining gel or an organic polymer solution in a solvent, prepared by the sol-gel process, is brought into contact with metal oxide, metal alkoxide, or partially hydrolyzed or polycondensed metal alkoxide to effect the solution diffusion of the components from one to the other or vice versa or mutually. - 特許庁

熱抵抗の低い実装構造を実現するため、ＬＥＤチップを搭載したシリコン製サブマウントを金属配線基板のベース金属上に直接配置したＬＥＤ光源モジュール構造において、ＬＥＤチップ、シリコン製サブマウント、金属配線基板を所定の配置とすることにより、ＬＥＤチップからの発熱を金属配線基板側へ有効に拡散させ、高い放熱効果を与えることを特徴としている。例文帳に追加

In this LED light source module structure wherein a silicon submount mounting the LED chip is directly arranged on a base metal of a metal wiring substrate to realize a mounting structure with low thermal resistance, the LED chip, the silicon submount and the metal wiring substrate are arranged as prescribed for effectively diffusing the heat generated by the LED chip to a metal wiring substrate side to realize high heat dissipation effect. - 特許庁

透明基材１上に所定のパターンで形成された導電体層を有する電磁波シールド部材であって、該導電体層は、金属微粒子をバインダー樹脂によって結着した金属微粒子結着体２と、該金属微粒子結着体２の表面を被覆するニッケル柱状結晶集合体３とからなり、表面被覆ニッケル柱状結晶集合体３の最外面は光拡散性の微凹凸面であることを特徴とする電磁波シールド部材。例文帳に追加

Disclosed is the electromagnetic wave shield member having the conductor layer formed on the transparent base 1 in a predetermined pattern, and the conductor layer comprises a metal particulate bound body 2 formed by binding metal particulates with a binder resin, and a nickel columnar crystal aggregate 3 covering a surface of the metal particulate bound body 2, an outermost surface of the surface-coated nickel columnar crystal aggregate 3 being a light-diffusive finely uneven surface. - 特許庁

アノード触媒層１１、及び、前記アノード触媒層の一方の面に面して設けられたアノードガス拡散層１２を含むアノード６と、カソード触媒層８、及び、前記カソード触媒層の一方の面に面して設けられたカソードガス拡散層９を含むカソード５と、前記アノード触媒層１１及び前記カソード触媒層８の間に配置された電解質膜７とを含む膜電極接合体１を備え、前記アノード触媒層１１及び前記カソード触媒層８は、少なくとも一方の貴金属重量密度が０．２ｇ／ｃｃ以上０．８ｇ／ｃｃ以下であり、かつ下記（１）式を満たすことを特徴とする燃料電池。例文帳に追加

The fuel cell includes a membrane/electrode assembly 1 including an anode 6 that includes an anode catalytic layer 11, and an anode gas diffusion layer 12 provided on one surface of the anode catalytic layer, a cathode 5 that includes a cathode catalytic layer 8, and a cathode gas diffusion layer 9 provided on one surface of the cathode catalytic layer, and an electrolyte membrane 7 disposed between the anode catalytic layer 11 and the cathode catalytic layer 8. - 特許庁

別の酸化亜鉛系粒子は、３価および／または４価をとる金属元素（Ｍｄ）とＺｎとを金属成分としＸ線回折学的に酸化亜鉛結晶性を示す酸化亜鉛系粒子において、ＭｄをＺｎに対し０．１〜２０原子％含有し、粉末拡散反射率測定によって得られた波長１０００ｎｍでの反射率をＲ（１０００）とし、波長３８０〜７８０ｎｍでの最大反射率をＲ（λ_max）としたとき、Ｒ（１０００）／Ｒ（λ_max）＜０．８を満足することを特徴とする。例文帳に追加

Furthermore the zinc oxide-based particles satisfy R (1,000)/R(λmax)<0.8 when the reflectance at 1,000 nm wavelength obtained by the powder diffusion reflectance measurement is R (1,000) and the maximal reflectance at 380-780 nm wavelength is R(λmax). - 特許庁

金属線材からなる縦糸及び横糸が互いに交差するように製織された構造をなす金属メッシュ織物であって、縦糸及び横糸のそれぞれが、オーステナイト系ステンレス鋼からなるコア部５１と、このコア部５１を囲むように設けられ、オーステナイト系ステンレス鋼を母材とし、この母材に炭素が拡散浸透した硬化層５２と、この硬化層５２を囲み、炭化物及び化学式ＡＢ_2Ｏ_４で示される酸化物とを含む黒色クラッド層５３とを備える。例文帳に追加

The metal mesh fabric is provided, in which a warp and a weft composed of a metal wire are woven so as to intersect with each other. - 特許庁

金属素材を真空中又は不活性ガス雰囲気中で加熱する工程と、前記加熱後、前記金属素材を針状体に加工する工程と、前記針状体を還元性雰囲気中において加熱することにより、針状体表面の不純物を除去する工程と、前記不純物の除去後、前記針状体に吸着又は拡散している還元性元素を除去する工程とからなることを特徴とする探針製造方法である。例文帳に追加

This probe manufacturing method comprises a process for heating a metal raw material under vacuum or inert gas atmosphere, a process for working the metal raw material into a needle body after the heating, a process for removing the impurity on the needle body surface by heating the needle body under reducing atmosphere, and a process for removing a reducing element adsorbed or diffused in the needle body after removing the impurity. - 特許庁

インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層を有した薄膜トランジスタ１５０がアルミニウムを第１成分とする第１導電層（１１４ａ、１１４ｂ）と高融点金属材料からなる第２導電層（１１５ａ、１１５ｂ）を積層したソース電極層及びドレイン電極層（１１７ａ、１１７ｂ）を有し、酸化物半導体層１１３が、前記第２導電層（１１５ａ、１１５ｂ）および酸化アルミニウムを第１成分とするバリア層（１１６ａ、１１６ｂ）と接することで、アルミニウム原子の酸化物半導体層１１３への拡散を抑制する。例文帳に追加

The oxide semiconductor layer 113 is in contact with the second conductive layers 115a, 115b and barrier layers 116a, 116b including aluminum oxide as the first component, whereby diffusion of aluminum atoms to the oxide semiconductor layer 113 is suppressed. - 特許庁

本発明の目的は、遊離されるモノフェノールをジアリールカーボネートの製造のために再度反応させ、ジアリールカーボネートの製造において生成するアルカリ金属ハロゲン化物を電気化学的酸化によって、要すればガス拡散電極を用いて、塩素とアルカリ水酸化物溶液に転化させ、塩素をホスゲンの製造にリサイクルし、アルカリ水酸化物溶液をジアリールカーボネートの製造にリサイクルする、ビスフェノールとジアリールカーボネートからの組み合わされたポリカーボネートの製造方法によって解決される。例文帳に追加

In the method for producing polycarbonate obtained by combining a bisphenol and a diaryl carbonate, isolated monophenol is again reacted for the production of the diaryl carbonate, and a halide of an alkali metal formed in the production of the diaryl carbonate is converted into chlorine and an alkali hydroxide solution by electrochemical oxidation using a gas diffusion electrode, and the chlorine is recycled for the production of phosgene, and the alkali hydroxide solution is recycled for the production of the diaryl carbonate. - 特許庁

更にＳｉに対し減衰深さが深く、従ってＳｉ自身が直接加熱され難い波長のレーザー光を用い、該レーザー光において、減衰深さの浅い金属膜を該コンタクト領域にのみ選択的に配置することによりＳｉを間接的に選択局所加熱し、拡散層のイオン注入非晶質領域のみを液相化することにより極浅矩形高濃度不純物分布のソース・ドレイン接合の形成を可能とした。例文帳に追加

The source drain junction of the extremely shallow rectangular high concentration impurity distribution is formed by liquidifying only the ion implantation amorphous region of the diffusing layer using the laser beam, in the wavelength which ensures deep attenuation for Si and makes difficult the direct heating of the Si itself and selectively and locally heating in direct the Si, by selectively allocating a metal film of shallow attenuation depth for the laser beam only to the contact region. - 特許庁

また、ＺｎＯで形成された半導体チャンネルと、前記半導体チャンネルの両側に設けられ、前記半導体チャンネルに接触する酸素親和性金属による導電性の酸素拡散層を有するソース電極及びドレイン電極と、前記半導体チャンネルに電界を形成するためのゲートと、前記ゲートと半導体チャンネルとの間に介在されるゲート絶縁層と、を備えることを特徴とするＺｎＯ薄膜トランジスタである。例文帳に追加

The ZnO thin film transistor comprises: a semiconductor channel formed of ZnO; source electrodes and drain electrodes, which are disposed at the both sides of the above semiconductor channel and having a conductive oxygen dispersion layer formed by an oxygen-affinity metal in contact with the above semiconductor channel; a gate for forming electric field to the above semiconductor channel; and a gate insulator layer interposing between the above gate and the semiconductor channel. - 特許庁

ヘッドユニットの組立装置および組立方法、液滴吐出ヘッドの位置決め装置および位置決め方法、液滴吐出ヘッドの固定装置および固定方法、並びに液晶表示装置の製造方法、有機ＥＬ装置の製造方法、電子放出装置の製造方法、ＰＤＰ装置の製造方法、電気泳動表示装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機ＥＬの製造方法、スペーサ形成方法、金属配線形成方法、レンズ形成方法、レジスト形成方法および光拡散体形成方法例文帳に追加

DEVICE AND METHOD FOR ASSEMBLING HEAD UNIT, DEVICE AND METHOD FOR POSITIONING DROPLET DISCHARGE HEAD, DEVICE AND METHOD FOR FIXING DROPLET DISCHARGE HEAD, METHODS FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY, ORGANIC EL DEVICE, ELECTRON EMISSION DEVICE, PDP DEVICE, ELECTROPHORETIC DISPLAY, COLOR FILTER, AND ORGANIC EL, AND METHODS FOR FORMING SPACER, METAL WIRING, LENS, RESIST, AND OPTICAL DIFFUSER - 特許庁