「金拡散」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

金属管や金属部材の金属継手と一端若しくは両端の外面をテーパー加工した継手管又は厚肉金属管とを、液相拡散接合によって接合する液相拡散接合管継手の接合強度を改善する。例文帳に追加

To improve the joining strength of a liquid phase diffusion bonding pipe joint comprising a metal pipe or metal joint of a metal member and a joint pipe or thick-walled metal pipe tapered at the outside surface at one end or both ends joined together by liquid phase diffusion bonding. - 特許庁

金属多孔質部材３は筒体４２の内壁面に拡散接合され，筒体４２内には隔壁２を構成する金属平板１０が長手方向に延び，金属平板１０と金属多孔質部材３とは互いに拡散接合されている。例文帳に追加

The metal porous members 3 are diffusively joined to the inner wall surface of the tube body 42, a metal flat plate 10 forming the partition wall 2 is longitudinally extended in the cylindrical body 42, and the metal flat plate 10 is diffusively joined to the metal porous members 3. - 特許庁

サンプルを第１温度で熱処理して遷移金属をサンプル内に拡散させ、第２温度で熱処理してサンプル内に拡散した遷移金属から金属シリサイドを形成させ、第３温度で熱処理してサンプル内に形成された金属シリサイドを溶解させる。例文帳に追加

The sample is treated with heat of a 1st temperature to diffuse the transition metals in the sample, the sample is treated with heat of a 2nd temperature to form metallic silicide from the transition metals diffused in the sample and then the sample is treated with heat of a 3rd temperature to solve the metallic silicide formed in the sample. - 特許庁

そして、加熱加圧することにより、コート導電粒子の導電粒子塊を形成するとともに、導体パターン金属と第１の金属との金属拡散層を形成し、この金属拡散層により複数層の導体パターンを電気的に接続させる。例文帳に追加

Then, the coat conductive particles are heated and pressurized so that the conductive particle lump of the coat conductive particles can be formed, and the metallic diffusion layer of the conductor pattern metal and the first metal is formed so that the conductor patterns of the plurality of layers can be electrically connected by the metallic diffusion layer. - 特許庁

面分析により、金属元素の拡散処理層内にて島状に分布する低金属元素濃度相が占める面積率の増加挙動を利用してこの金属元素拡散処理層内の金属元素含有率が３〜５重量％にまで低下する時期を予測する。例文帳に追加

The time to reduce the metallic element content within a metallic element diffusion treatment layer to 3-5 wt.% is predicted in a plane analysis by utilizing a behavior of an increase in the ratio of an area occupied by an island-shaped low metallic element concentration phase distributed within the metallic element diffusion treatment layer. - 特許庁

異なる金属板組に属する２枚の金属板の間で拡散接合を生じさせることなく複数の金属板組の金属板を一括して拡散接合して、複数の積層体を一度に製造することが可能な積層体の製造方法、及び、インクジェットヘッドの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a layered body manufacturing method which manufactures a plurality of layers at one time wherein by collectively diffusion bonding metal plates of a plurality of metal plate sets without generating diffusion bonding between two metal plates belonging to different metal plate sets, and also to provide a manufacturing method of an inkjet head thereof. - 特許庁

Ｃｕ−Ｎｉ系合金からなる第１の板材と、Ｎｉ−Ｃｒ系合金からなる第２の板材とを積層することにより形成される抵抗体であって、第１の板材１１ａと第２の板材１１ｂとの間に、それぞれの金属材料が拡散した拡散層１１ｃが形成されており、前記拡散層は、前記抵抗体の全体厚みに占める割合が１０％以上である。例文帳に追加

The resistive element is formed by stacking a first plate made of Cu-Ni-based alloy and a second plate made of Ni-Cr-based alloy, and has a diffusion layer 11c, in which the metal materials thereof are diffused, formed between the first plate 11a and second plate 11b, and the diffusion layer occupies 10% or more of the overall thickness of the resistive element. - 特許庁

従来のようにセンサ部の上方の金属拡散防止膜を選択的に取り除くことなしに、配線層間膜と金属拡散防止膜との屈折率の違いによる光の反射を低減するとともに、半導体基板への金属配線の拡散を防止することができる固体撮像装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a solid imaging device and the manufacturing method thereof wherein the optical reflection caused by the difference between the refractive index of a wiring interlayer film and the one of a metal-diffusion preventing film is reduced, without the conventional selective removal of the metal-diffusion preventing film disposed above a sensor portion, and the diffusion of its metal wiring to its semiconductor substrate can be prevented. - 特許庁

ガス拡散電極のガス供給層側に多数の凹凸状溝付き金属板の銀材が存在する凸面を当接させ、ホットプレスにより前記溝付き金属板の凸面に存在する銀材部分と前記ガス拡散電極を接合し、前記金属板の凹溝部をガス通路として構成したことを特徴とするガス室一体型ガス拡散電極。例文帳に追加

On the side of a gas feeding layer 4 in a gas diffusion electrode 2, projecting faces in which silver materials 8 are present in a metallic sheet 6 with many rugged grooves are abutted, the silver material parts present at the projecting faces in the metallic sheet 6 with grooves and the gas diffusion electrode are joined by hot pressing, and the recessed groove parts in the metallic sheet are formed into gas passages. - 特許庁

本発明は、基板上若しくは回路素子上に設けられた第１の金属拡散防止膜上に、シード層の形成に続いて、フォトレジストマスクを用いて選択的に無電解メッキ法、又は電解メッキ法により、金属配線層を形成し、シード層及び第１の金属拡散防止膜の不要領域除去と、シード層及び金属配線層及び第１の金属拡散防止膜の側面を含む表面を覆うように無電解メッキ法による第２の金属拡散防止膜の選択的な形成と、により形成される配線及び電極及び、これらの形成方法である。例文帳に追加

Wirings, an electrode, and a method for forming the same are provided which comprises removing unwanted region of the seed layer and a first metal diffusion-preventing film, and selectively forming a second metal diffusion-preventing film, by the electroless plating method so as to cover the surfaces including the side surfaces of the seed layer, the metal wiring layer and the first metal diffusion-preventing film. - 特許庁

亜鉛が拡散されたニッケル合金コーティングの方法は、基材１２上にニッケルまたはニッケル合金の層１４を形成するステップ、ニッケルまたはニッケル合金の層１４の上に亜鉛層１８を施すステップ、および層１４内に亜鉛を熱拡散させるステップから構成される。例文帳に追加

The method for coating a nickel alloy in which zinc is diffused, comprises the step of forming a nickel or nickel-alloy layer 14 on a substrate 12, the step of applying a zinc layer 18 onto the nickel or nickel-alloy layer 14, and the step of thermally diffusing zinc into the layer 14. - 特許庁

このような銅配線は、シード層上に形成された銅配線層の中に、前記シード層を銅と銅以外の金属との合金により形成することにより、前記金属の原子を拡散添加させ、さらに前記銅配線の表面からシリコン原子を拡散添加することにより実現される。例文帳に追加

Such a copper wiring is realized by diffusion adding the metallic atom by forming a seed layer of an alloy of copper and a metal except the copper in the copper wiring layer formed on the seed layer, and diffusion adding the silicon atom from the surface of the copper wiring. - 特許庁

クロムに比べて拡散速度が遅いニッケルで下地金属層２０Ａ，２０Ｂが形成されるため、ニッケルが金で形成された電極層３０Ａ，３０Ｂへ拡散して下地金属層２０Ａ，２０Ｂが薄くなるという現象が低減される。例文帳に追加

Since the substrate metal layers 20A, 20B are formed of nickel having lower diffusion speed than chrome, a phenomenon is reduced, wherein nickel is diffused into the electrode layers 30A, 30B formed of gold and thereby the substrate metal layers 20A, 20B are thinned. - 特許庁

ゲート電極４およびソースまたはドレインとなる深い拡散層７が設けられたシリコン基板１の上に金属膜８を形成し、金属膜８に低温で加熱処理を施すことによって、ゲート電極４および深い拡散層７の上に金属シリサイド層９を形成する。例文帳に追加

A metal film 8 is formed on a silicon substrate 1 provided with a gate electrode 4 and a deep diffusion layer 7 becoming a source or a drain and heat treated at a low temperature to form a gate electrode 4 and a metal silicide layer 9 on the deep diffusion layer 7. - 特許庁

導電性の金属からなる外周部２と、前記金属を主成分とする合金からなる芯線１と、さらにその芯線と外周部の間に拡散層３を有し、前記拡散層が濃度勾配を有することを特徴とする半導体用ボンディングワイヤである。例文帳に追加

A bonding wire for semiconductor comprises an outer peripheral part 2 formed of a conductive metal, a core 1 made of an alloy formed mainly of the metal, and a diffusion layer 3 disposed between the core and the outer peripheral part, the diffusion layer having a concentration gradient. - 特許庁

ポリシリコンゲートと金属膜との反応によりデュアルゲートを形成する場合、ゲートの高さ方向以外に横方向にも金属膜の拡散及びシリサイド反応が生じるため、NMIS領域とPMIS領域とのPN境界に於いて金属原子の相互拡散が発生する。例文帳に追加

To provide a technology capable of restraining atoms contained in the described metal films (gate material) from being mutually diffused when a gate electrode is formed in both cases that a dual gate is formed of different metal silicides, and that a dual gate is formed of metal and metal alloy. - 特許庁

封着部は、第１および第２部材の少なくとも一方に堆積された金属薄膜により形成された下地層３１と、金属薄膜の金属成分の一部が一方の部材に拡散して形成された拡散層３５と、下地層上に設けられた封着材層３２とを有している。例文帳に追加

The sealing part has an under layer 31 formed by a metal thin film deposited on at least either one of the first and second members, a diffusion layer 35 formed by diffusing a part of the metal components of the metal thin film to one member, and a sealing material layer 32 provided on the under layer. - 特許庁

この拡散接合方法は、金属素材どうしを接合する方法であって、金属素材の接合表面に変態点低下元素を添加する工程と、金属素材の接合表面どうしを密着させ、低下した変態点以上の温度において加圧して、拡散接合させる工程とを有する。例文帳に追加

The diffusion bonding method for bonding metal stocks to each other comprises a step of adding a transformation temperature lowering element to bonding surfaces of the metal stocks, and a step of performing the diffusion bonding by tightly attaching the bonding surfaces of the metal stocks to each other and pressing the metal stocks at the temperature equal to or higher than the lowered transformation temperature. - 特許庁

このランド部２６が、配線層１６上のニッケル層２８と端子体１８に接する金層３２とを有し、両者間に、例えばＰｄ又はＰｄ合金からなり、Ｎｉが金層３２内に熱拡散するのを阻止する拡散阻止層３０が介在している。例文帳に追加

The land 26 is equipped with a nickel layer 28 on the wiring layer 16 and a gold layer 32 which comes into contact with the terminal 18, and a diffusion stop layer 30 which is formed of Pd or Pd alloy to stop Ni from being diffused into the gold layer 32 is interposed between the layer 28 and 32. - 特許庁

半導体デバイスは、少なくとも、導電性金属要素を含む半導体基板と、この導電性金属要素に接触して基板の少なくとも一部に付着された拡散障壁層であって、上面および下面および中央部分を有し、ケイ素、炭素、窒素、および水素から形成され、この窒素が拡散障壁層の全体にわたって不均一に分布している拡散障壁層とを含む。例文帳に追加

A semiconductor device includes a semiconductor substrate including a conductive metallic element and a diffused barrier layer in contact with the conductive metallic element is bonded to at least a part of the substrate, has upper/lower faces and a center part, formed of silicon, carbon, nitrogen and hydrogen and in which silicon is distributed nonuniformly over the whole diffused barrier layer. - 特許庁

接合するガス拡散電極構成材及び／又は銀板の接合金属面を粗面化して銀微粒子を塗布し、次いで銀板とガス拡散電極構成材とを重ね合わせ、温度２００℃から４００℃の範囲で５ｋｇ／ｃｍ^2 以上の圧力下でホットプレスすることを特徴とするガス拡散電極構成材と金属材との接合方法。例文帳に追加

The joint metal face of the gas diffusion electrode constituting material and/or the silver sheet to be joined is roughened and is coated with silver fine particles 8, next, the silver sheet and the gas diffusion electrode constituting material are superposed, and hot pressing is executed in the temp. range of 200 to 400°C under the pressure of ≥5 kg/cm2. - 特許庁

ＳｉＯＦ膜中のＦ原子が上層の金属配線へと拡散することを防止するＦ拡散防止膜を備えた半導体装置であって、上層の金属配線の形成時にＦ拡散防止膜がエッチングされない構造のものを実現し、またＳｉＯＦ膜を直接、ＣＭＰ法により研磨することのない半導体装置の製造方法を実現する。例文帳に追加

To provide the manufacture of a semiconductor device, which materializes one of such structures in which an F diffusion preventing film is not etched at formation of the metallic wiring of an upper layer and that an SiOF film is not polished directly by CMP method, in a semiconductor device equipped with an F diffusion preventing film for preventing the F atoms in the SiOF film from diffusing into the metallic wiring of an upper layer. - 特許庁

一　超塑性成形、拡散接合又は直圧式液圧プレスによる金属の加工用の工具（型を含む。）の設計に係る技術（プログラムを除く。）例文帳に追加

(i) The technology (excluding programs) pertaining to the design of tools (including molds) for processing metals by super-plastic molding, diffusion bonding or direct pressure hydraulic press  - 日本法令外国語訳データベースシステム

水素透過膜の金属間の拡散による水素透過特性の低下を低減させ、水素脆性を抑制する。例文帳に追加

To suppress hydrogen brittleness by reducing a deterioration in hydrogen permeable property due to diffusion between metals of a hydrogen permeable membrane. - 特許庁

この合金層１４は、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、コバルトまたはセラミックスの少なくとも１種を含有する真鍮拡散層を構成する。例文帳に追加

The alloy layer 14 constitutes a brass diffusion layer containing at least one kind from among iron, nickel, chromium, molybdenum, cobalt and ceramics. - 特許庁

無電解金属メッキ層は、無電解ニッケルメッキ層内のニッケル原子がハンダバンプ内へ拡散するのを防止する機能を果たす。例文帳に追加

The electroless metal plating layer presents a function of preventing nickel atoms within the electroless nickel plating layer from being diffused into the solder bump. - 特許庁

水素分子の解離反応および再結合反応を伴うことなく、水素透過膜における金属拡散を防止する。例文帳に追加

To prevent metal dispersion in a hydrogen permeable membrane without causing a dissociation reaction nor re-bonding reaction of hydrogen molecules. - 特許庁

アルミニウム含有層のＡｌ-Ｓｉ合金層によって銅をゲッタリングすることにより、銅の拡散を防止する。例文帳に追加

Gettering is performed with copper by an Al-Si alloy layer of the aluminum-containing layer, thus preventing diffusion of copper. - 特許庁

水素リッチガス中の一酸化炭素および水蒸気はゼオライト層内を拡散して触媒金属層に到達し、シフト反応に供される。例文帳に追加

Carbon monoxide and steam in the hydrogen-rich gas diffuse in the zeolite layer, reach the catalyst metal layer and are supplied to a shift reaction. - 特許庁

前処理を行うことなくアルミニウムやマグネシウム又はこれらの合金などの拡散接合を可能にすることを主な課題とする。例文帳に追加

To realize a diffusion bonding of aluminum, magnesium, or their alloys without performing a pre-processing. - 特許庁

水素透過膜内での金属拡散を抑制し、水素透過膜における水素透過性能の低下を防止する。例文帳に追加

To suppress metal diffusion in a hydrogen permeable membrane and to prevent reduction of hydrogen permeation performance in the hydrogen permeable membrane. - 特許庁

水素透過膜の金属間の拡散による水素透過特性の低下を低減させることのできる技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique capable of suppressing lowering of the hydrogen permeability of a hydrogen permeable membrane due to diffusion between metals. - 特許庁

極低温環境下でもリチウム遷移金属複合酸化物粒子間のリチウムイオンの拡散性が確保される。例文帳に追加

Diffusibility between lithium metal composite oxide particles is secured even under the very low temperature environment. - 特許庁

（３）貴金属イオンが、銀イオンあるいはパラジウムイオンである前記（１）または（２）に記載の銀拡散転写受像材料の製造方法。例文帳に追加

(3) In the manufacturing method for the silver diffusion transfer image receiving material described in the above (1) or (2), the noble metal ions are silver ions or palladium ions. - 特許庁

水素透過膜の水素透過性能および耐久性の低下を抑えつつ、水素透過膜における金属拡散を防止する。例文帳に追加

To prevent the diffusion of a metal in a hydrogen permeable membrane while suppressing the fall of hydrogen permeability and durability of the hydrogen permeable membrane. - 特許庁

これにより、ポリイミド等からフォトダイオード１内に拡散される金属によって生じる結晶欠陥を抑制し、白点低減効果を得る。例文帳に追加

This restrains crystal defects caused by metals diffused from polyimide or the like into the photodiode 1 to obtain white spot reduction effects. - 特許庁

高純度コバルトターゲットと銅合金製バッキングプレートとの拡散接合ターゲット組立体及びその製造方法例文帳に追加

DIFFUSEDLY JOINED TARGET ASSEMBLAGE OF HIGH PURITY COBALT TARGET WITH BACKING PLATE MADE OF COPPER ALLOY, AND ITS PRODUCTION METHOD - 特許庁

水素透過膜の金属拡散により、水素透過膜の水素透過特性が低下することを抑制する技術を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a technique for suppressing degradation in hydrogen permeation characteristic of a hydrogen permeable membrane due to metal diffusion in the hydrogen permeable membrane. - 特許庁

溶接材料の耐吸湿性を向上させ、溶接金属中の拡散性水素を低減することができる溶接用フラックス入りワイヤを提供する。例文帳に追加

To provide a flux cored wire for welding capable of improving the hygroscopicity resistance of a welding material and decreasing the diffusive hydrogen in weld metal. - 特許庁

物品は、超合金製の基体と、ケイ素基セラミック材料と熱安定ケイ素拡散障壁層とを含んでなる。例文帳に追加

This article contains a substrate made of a superalloy, a silicon base ceramic material and a thermally stable silicon diffusion barrier layer. - 特許庁

金属粉末をフーリエ変換赤外分光光度計用の拡散反射セルに挿入し、前記分光光度計内の試料室に設置する。例文帳に追加

The metal powder is inserted into a diffuse reflection cell for a Fourier transform infrared spectrophotometer and installed in a sample chamber in the spectrophotometer. - 特許庁

触媒金属の粒成長を抑制できるとともに十分なガス拡散性を確保できる触媒担体とする。例文帳に追加

To provide a catalyst support suppressing grain growth of a catalyst metal and fully securing gas diffusion property. - 特許庁

ガス拡散層７，８に面して、カーボンを担持体とする白金触媒と固体高分子電解質の混合層である触媒層９，１０を設ける。例文帳に追加

Catalyst layers 9 and 10 which are mixed layers of platinum catalyst and solid polymer electrolyte having carbon as a carrier are formed. - 特許庁

アルミニウム電極１ｂ及び金スタッドバンプ１ｆ間に、導電性を有する拡散防止層１ｄを介在させる構成を採用した。例文帳に追加

A dispersion prevention layer 1d having electrical conductivity is interposed between the aluminum electrode 1b and the gold stud bump 1f. - 特許庁

第１のＰｔ層は、Ｔｉ層１４のＴｉ原子が、Ａｕ電極層１２及びオーミック金属層１１へ拡散することを防止する。例文帳に追加

The first Pt layer prevents Ti atoms of the Ti layer 14 from being diffused to an Au electrode layer 12 and ohmic metal layer 11. - 特許庁