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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 金拡散に関連した英語例文

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金拡散の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1956



例文

混合溶融塩浴11を拡散したチタンイオンは、属チタンの析出電位に維持された陰極13上で属チタンとして析出する。例文帳に追加

The titanium ions diffused into the mixed molten salt bath 11 are deposited as metal titanium on the cathode 13 held at the deposition potential of the metal titanium. - 特許庁

拡散硬化処理性に優れた生体用コバルト・クロム基合鋳造基材、生体用摺動合部材および人工関節例文帳に追加

BIOMEDICAL CAST SUBSTRATE OF COBALT-CHROMIUM-BASED ALLOY SUPERIOR IN DIFFUSION HARDENING TREATABILITY, BIOMEDICAL SLIDING ALLOY MEMBER, AND ARTIFICIAL JOINT - 特許庁

各種属及び誘電体材料に対して良好な接着性を有する拡散バリア層を提供する。例文帳に追加

To provide a metal diffusion barrier layer having excellent bonding properties to metals and dielectric materials. - 特許庁

高温の条件でもニッケル(Ni)の拡散を防ぎ、(Au)層の表面状態を良好に保つことのできる属体の表面構造を提供する。例文帳に追加

To prevent the diffusion of nickel (Ni) even under high temperature conditions, and to satisfactorily maintain the surface condition of a gold (Au) layer. - 特許庁

例文

ニッケル系メッキ皮膜中に亜鉛を拡散させてなるニッケル−亜鉛系合皮膜を属基体上に有する耐熱部材を提供する。例文帳に追加

The heat resistant member has a nickel-zinc alloy film in which zinc is allowed to diffuse in a nickel-based plating film on a metallic substrate. - 特許庁


例文

当該属原子の拡散工程後、上記属酸化膜4がゲート絶縁膜3に対して選択的に除去される。例文帳に追加

After the process of diffusing the metal atoms, the metal oxide film 4 is removed selectively with respect to the gate insulating film 3. - 特許庁

重り材料のAgと下地属のAuとの属間拡散の影響を受けにくい重りの構造を有する圧電振動子を提供すること。例文帳に追加

To provide a piezoelectric vibrator with a structure of a weight hardly affected by intermetallic diffusion between Ag of a weight material and Au of a foundation metal. - 特許庁

原子の拡散を制御することによる属ナノワイヤの製造方法およびこの方法により製造する属ナノワイヤ例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF METAL NANOWIRE BY CONTROLLING DIFFUSION OF ATOM AND METAL NANOWIRE MANUFACTURED BY THE METHOD - 特許庁

その際、絶縁膜12Sの介在により、属膜14,16からゲート電極6,7への属原子の相互拡散は抑止される。例文帳に追加

In this case, since the insulating film 12S is interposed, metal atoms are restrained from being mutually diffused into the gate electrodes 6 and 7 from the metal films 14 and 16, respectively. - 特許庁

例文

重り材料のAgと下地属のAuとの属間拡散を防止することにより、周波数の長期安定性を確保すること。例文帳に追加

To secure long-term frequency stability by preventing intermetallic diffusion between a weight material Ag and a base metal Au. - 特許庁

例文

ニッケル系メッキ皮膜中にスズと亜鉛を拡散させてなるニッケル−スズ−亜鉛系合皮膜を属基体上に有する耐熱部材。例文帳に追加

In the heat resistant member, a metallic substrate is coated with a nickel-tin-zic based alloy film obtained by diffusing tin and zinc into a nickel based plating film. - 特許庁

ろう付け合を使用せずに、熱と圧力により超合表面は活性体の存在下で拡散接合する。例文帳に追加

The superalloy surface is diffusion-joined under existence of the active material with the heat and the pressure without using the brazing alloy. - 特許庁

ニッケル系メッキ皮膜中にスズを拡散させてなるニッケル−スズ系合皮膜を属基体上に有する耐熱部材。例文帳に追加

The heat resistant member has a nickel-tin-based alloy film, obtained by diffusing tin into a nickel-based plating film, on a metal base body. - 特許庁

その後、鍛造用型10に対して熱処理を行い、該鍛造用型10内に炭化物を拡散させる。例文帳に追加

Subsequently, the forging die 10 is heat-treated to diffuse the carbide into the forging die 10. - 特許庁

高電子移動度トランジスタにおけるゲート拡散層24の表面とゲート電極25としての属層とが合化している。例文帳に追加

The surface of the gate diffusion layer 24 and a metal layer as the gate electrode 25 in a high electron mobility transistor are made into an alloy. - 特許庁

属薄膜12表面に保護膜13を形成すると、属原子の有機薄膜14、15中への拡散を防止することができる。例文帳に追加

Forming a protecting film 13 on the surface of the metal thin film 12 prevents metal atoms from being diffused into organic thin films 14, 15. - 特許庁

その後、熱処理により、残る第2の属膜の不純物元素を下の第1の属膜に拡散させる(ステップS4)。例文帳に追加

Thereafter, the impurity elements added on the remaining second metal film are diffused over the first metal film at the underside through the thermal treatment (step S4). - 特許庁

これにより、バイアススパッタ銅含有属膜64に含まれる異種属がめっき銅膜62に均一に拡散する。例文帳に追加

Thus, different kinds of metals included in the metal film 64 containing bias sputter copper are uniformly diffused in the copper film 62. - 特許庁

なお、このCu拡散ZAS合においては、CuとZAS合との間に明確な界面は存在しない。例文帳に追加

In addition, the Cu-diffused ZAS alloy has no clear interface between Cu and the ZAS alloy. - 特許庁

したがって、完全に接合すると、属薄膜32の材料がバンプ電極21a,21b中に熱拡散し、開口窓30は色に見える。例文帳に追加

Consequently, the aperture window 30 appears gold in color after complete bonding, because the material of the metal thin film 32 thermally diffuses into the bump electrodes 21a, 21b. - 特許庁

その後、接着剤22を除去し、属被覆した繊維14、第一及び第二の属リングを圧密化し且つ、互いに拡散接合させる。例文帳に追加

Thereafter, the glue 22 is removed and the metal coated fibers 14 and first and second metal rings are consolidated and diffusion bonded together. - 特許庁

次に、プリズム142の特定の面に、遮光膜130の材料と異なる属または合の薄膜(拡散膜)144を形成する。例文帳に追加

Then, a membrane (diffusion film) 144 of a metal or an alloy different from the material of the shielding film 130 is formed on a specific face of a prism 142. - 特許庁

属膜のCMP等において、属不純物が半導体基板へ拡散し、デバイス特性を劣化させることを防止する。例文帳に追加

To prevent device characteristics from deteriorating due to the diffusion of metal impurities to a semiconductor substrate in CMP or the like of a material film. - 特許庁

そして、前記開口窓30には、よりも拡散速度が遅い材料で、属薄膜32を形成しておく。例文帳に追加

A metal thin film 32 is formed of a material, having diffusion rate lower than that of gold in the aperture window 30. - 特許庁

本発明は異種材料、特に銅又は銅合と非銅合との改善された液相拡散接合に関する。例文帳に追加

To provide improved liquid phase diffusion bonding of dissimilar metals, more particularly, of copper or a copper alloy to a non-copper alloy. - 特許庁

複数の拡散層106は、少なくともその上部に属層又は属のシリサイド層108を有している。例文帳に追加

The diffusion layers 106 have a metallic layer or a metallic silicide layer 108 at least on the layers 106. - 特許庁

その成形型に、光拡散パターンを設けるための凹凸を必要としないので型コストを低減できる。例文帳に追加

The mold does not require the unevenness for providing the light diffusion pattern, costs for the mold is reduced. - 特許庁

ビアホール3の上下開口部において,球状属1と電極層2とは拡散接合されている。例文帳に追加

The spherical metal 1 and the electrode layers 2 are metal diffusion bonded at the upper and lower openings of the via hole 3. - 特許庁

層からなる配線を用いながら、拡散を防止でき、腐食性も良好な半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which can prevent dispersion of gold and ensure corrosion-proof property, while using wires made of gold layer, and to provide a method of manufacturing the device. - 特許庁

半導体集積回路における銅属化プロセスにおいて、銅属層拡散を防止するためのバリア層としてTaCNを用いる。例文帳に追加

In a copper metallization process in a semiconductor integrated circuit, TaCN is used as a barrier layer in order to prevent the diffusion of a copper metal layer. - 特許庁

属電極1の表面部に、ペネトロン処理による属の拡散硬化層11が形成されてなる。例文帳に追加

The discharge electrode is a metal electrode 1 on a surface portion of which a diffusion-hardened layer of metal 11 is formed by a penetron treatment. - 特許庁

ガス拡散層14,15は、属セパレータ20が接する部分で属セパレータ20の張出し部21を包み込む形状をもっている。例文帳に追加

The gas diffusion layers 14, 15 each have shapes so that parts contacted with metal separator 20 wraps around an overhanging part 21 thereof. - 特許庁

属箔にスリット穴を形成することなく排気の拡散作用による浄化性能の向上を得ることができる属触媒担体の提供。例文帳に追加

To provide a metallic catalyst carrier which attains improvement in cleaning performance due to a diffusion action of the exhaust gas without forming a slit hole on a metallic foil sheet. - 特許庁

酸素の遮断性能に優れ、かつ拡散による変質が起りにくい合皮膜が形成されたニオブ基合耐熱材料を提供する。例文帳に追加

To provide a niobium-based alloy heat-resistant material having an alloy film formed thereon which exhibits excellent intercepting performance to oxygen and is less susceptible to modification owing to diffusion. - 特許庁

このようにして形成された属付着層(10)は、ろう付加熱によって前記属が基材(2a)の表層部に拡散して犠牲腐食層となる。例文帳に追加

In the metal-adhered layer (10) formed in this way, the metal is diffused in the surface layer portion of the substrate (2a) by the brazing heating to form a sacrificial corrosive layer. - 特許庁

液相拡散接合を適用する属製機械部品分割製造方法とそれにより製造した属製機械部品例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD FOR METALLIC MACHINE COMPONENT USING LIQUID PHASE DIFFUSION WELDING AND ITS METALLIC MACHINE COMPONENT - 特許庁

属電極は、Crと、Siの拡散係数がCrよりも高い属元素αと、を含有してなる。例文帳に追加

The metal electrode contains Cr and a metallic element α having a diffusion coefficient of silica higher than that of Cr. - 特許庁

拡散率が高く、耐摩耗性に優れる超硬合、この超硬合からなる基材を具える切削工具を提供する。例文帳に追加

To provide a cemented carbide which has high thermal diffusivity, and has excellent wear resistance, and to provide a cutting tool provided with a base material made of the cemented carbide. - 特許庁

鉄基属材料の液相拡散接合方法及びその方法により接合した鉄基属材料接合体例文帳に追加

LIQUID-PHASE DIFFUSION BONDING FOR IRON-BASE METALLIC MATERIAL AND IRON-BASE METALLIC MATERIAL BONDED BODY BONDED BY THIS METHOD - 特許庁

各種反応性ガスに反応せず、属の外方拡散の遮断が可能な膜を属部品の表面に形成する。例文帳に追加

To form a film that allows shielding of outward diffusion of metal without reacting to various reactive gas on the top surface of a metal component. - 特許庁

極めて薄い状態で属の拡散防止と属との密着性を保持したバリアメタル膜23を作成する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a metal film capable of producing a barrier metal film preserving diffusion prevention of a metal and adhesiveness with the metal under an extremely thin state. - 特許庁

層からなる配線を用いながら、拡散を防止でき、腐食性も良好な半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which prevents diffusion of gold though wiring composed of a gold layer is used and has an excellent anticorrosiveness, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

この拡散で、属層16の微細空孔を満たすように原子が移動することによって、属層16が強固になる。例文帳に追加

The diffusion consolidates the metallic layer 16 through atomic transport to fill microvoids in the metallic layer 16. - 特許庁

型の成形製品に接する型表面の温度を効率よく調節すると共に、型板への熱拡散を低減する。例文帳に追加

To provide a structure for controlling temperature of mold for injection molding capable of efficiently controlling the temperature on the surface of a mold contacting with a molded product in the mold and, at the same time, reducing thermal diffusion to mold plates. - 特許庁

活物質粒子中にLiと合化しない属元素が拡散分布していることを特徴としている。例文帳に追加

This active material particle of the electrode has a diffusively distributed metallic element which does not alloy with Li. - 特許庁

そして、第1の接続属層41と第2の接続属層31とが共晶接合又は拡散接合される。例文帳に追加

The first connection metal layer 41 and the second connection metal layer 31 are subjected to eutectic bonding or diffusion bonding. - 特許庁

各種反応性ガスに反応せず、属の外方拡散の遮断が可能な膜を属部品の表面に形成する。例文帳に追加

To form a film which does not react with various types of reactive gases, and can block the outward diffusion of metal on the surface of a metallic component. - 特許庁

処理チャンバ内部に拡散された属成分に起因するウェハの属汚染の発生が抑制される半導体製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor manufacturing device in which the generation of the metallic contamination of a wafer due metallic components diffused inside a treatment chamber can be suppressed. - 特許庁

加熱により第1属成分中に第2属成分が拡散して融点が261℃〜1100℃となる。例文帳に追加

The second metal component is diffused into the first metal component by heating, by which the melting metal is regulated to 261 to 1,100°C. - 特許庁

例文

ここで、第1属層19は、第2属層20を介した半導体基板12の表面領域への、Pdの熱拡散により形成される。例文帳に追加

In this case, the first metallic layer 19 is formed by the thermal diffusion of the Pd to the surface area of the semiconductor substrate 12 through the second metallic layer 20. - 特許庁

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