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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 金拡散に関連した英語例文

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金拡散の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1956



例文

はんだ中のBiをX−Y合中に拡散させることによりBi偏析を防止する。例文帳に追加

Bi in the solder is diffused in the X-Y alloy to prevent Bi segregation. - 特許庁

モジュール基板2の表面の一部に複数の属製の熱拡散層6,7を設ける。例文帳に追加

A plurality of metal heat diffusion layers 6 and 7 are formed on part of the surface of the module substrate 2. - 特許庁

第1の拡散領域の表面の一部の領域に第1の属シリサイド膜が形成されている。例文帳に追加

A first metal silicide film is formed in a region of a part of the first diffusion region surface. - 特許庁

次に、微小凹凸面が形成された型1を用いて透明材に一軸拡散面を形成する。例文帳に追加

Next, the mold 1 having the fine uneven surface formed thereto is used to form the uniaxial diffusion surface on the transparent material. - 特許庁

例文

本発明の方法は、拡散バリア層と属膜との密着性の向上した基材を提供する。例文帳に追加

The present method provides a substrate improved in adhesion between the diffusion barrier layer and the metal film. - 特許庁


例文

拡散反射板、転写成形用積層体、及び転写成形用型加工法と加工装置例文帳に追加

DIFFUSE REFLECTING PLATE, LAMINATED BODY FOR TRANSFER MOLDING, PROCESSING METHOD OF METALLIC MOLD FOR TRANSFER MOLDING AND PROCESSING APPARATUS THEREFOR - 特許庁

薄膜シリコン・オン・インシュレータ二重拡散属酸化物半導体トランジスタ例文帳に追加

THIN SILICON-ON-INSULATOR DOUBLE-DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTOR - 特許庁

ヒータ20に通電し、基板W、合110および拡散原料120を加熱する。例文帳に追加

Electric power is supplied to a heater 20 to heat the substrate W, the alloy 110, and the diffusion stock 120. - 特許庁

属層間誘電体による拡散防止バリヤ層を有する集積回路およびその製造方法。例文帳に追加

INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING DIFFUSION-PREVENTIVE BARRIER LAYER WITH INTER-METAL LAYER 0, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

例文

第2の絶縁膜5は、第1の属の拡散を防止するバリア性を有している。例文帳に追加

The second insulation film 5 has barrier properties for preventing the diffusion of the first metal. - 特許庁

例文

これら砥粒層6は、Al、Cu、Sn、Znのうちのいずれかの属を用いて拡散接合する。例文帳に追加

These abrasive grain layers 6 are subjected to diffusion bonding using metal selected from Al, Cu, Sn and Zn. - 特許庁

属元素の外方拡散を抑制し易い高誘電率誘電体膜を提供する。例文帳に追加

To provide a dielectric film having a high dielectric constant in which the outward diffusion of a metal element can be suppressed easily. - 特許庁

共通拡散領域の表面上には属シリサイドからなる膜が配置されていない。例文帳に追加

A film composed of a metallic silicide is not arranged on the surface of the common diffusion region. - 特許庁

本発明は、耐酸化性、耐拡散性、高機械強度を有し、且つ離型が容易な型を提供する。例文帳に追加

To provide a mold which has oxidation resistance, diffusion resistance, and high mechanical strength and which is easy to release. - 特許庁

これにより、Snが焼結属に均一に拡散されるため、Snの偏析を防止できる。例文帳に追加

In the metal powders, Sn is diffused uniformly in the sintered metal, thereby preventing segregation of Sn. - 特許庁

上部層8は、所定の温度範囲で属被着物の核と相互拡散し得る。例文帳に追加

The metal of the top layer 8 and the nuclei of the deposited metal may interdiffuse in a predetermined range of the temperature. - 特許庁

本発明は、耐酸化性で、耐拡散性で、高機械強度を有し、且つ離型がし易い型を提供する。例文帳に追加

To provide a die having oxidation resistance, diffusion resistance and high mechanical strength, and being easily releasable. - 特許庁

不純物拡散領域は、主表面側に属シリサイド膜46を有している。例文帳に追加

The impurity diffusion region has a metal silicide film 46 on the major surface side. - 特許庁

前記巻線端末は固相拡散接合又は溶接で端子具20に接合される。例文帳に追加

The ends of the coils are connected to the terminal electrode 20 by solid phase diffusion welding or by welding. - 特許庁

四角形状中空属製部材の拡散接合・加熱アプセット接合用高周波加熱装置例文帳に追加

HIGH FREQUENCY HEATING DEVICE FOR DIFFUSION BONDING AND HEATED UPSET BONDING OF QUADRANGULAR HOLLOW METAL MEMBER - 特許庁

この状態で、母材を加熱することによってCuをZAS合中に拡散させる。例文帳に追加

In the state, the base metal is heated to diffuse Cu into the ZAS alloy. - 特許庁

拡散バリア層に原子層堆積によって属を被着させる方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for depositing a metal on diffusion barrier layers by atomic layer deposition. - 特許庁

したがって、障壁層は、誘電体層の属機構への拡散を阻止する傾向がある。例文帳に追加

Accordingly, the barrier layer has a trend of preventing a diffusion of the dielectric layer in the mechanism. - 特許庁

また、共晶接合または拡散接合によって属シール層45が形成されている。例文帳に追加

In addition, a metal seal layer 45 is formed by eutectic bonding or diffusion bonding. - 特許庁

属ビットラインは、ビットライン拡散部115に沿った電圧降下を制約する。例文帳に追加

The metal bit line restricts the voltage drop along the bit line diffused part 115. - 特許庁

透明電極の下層に絶縁膜を介して重畳された属の熱拡散部材を設ける。例文帳に追加

A metal heat dissipation member is disposed on the lower layer of the transparent electrode so as to be superposed thereon via an insulation film. - 特許庁

この拡散層により、属膜と多孔質絶縁膜との密着性を高くすることができる。例文帳に追加

The diffusion layer increases the adhesion property between the metal film and the porous insulating film. - 特許庁

その上に属薄膜4を形成し、正反射の無い拡散反射面とする。例文帳に追加

A metallic thin film 4 is formed thereon and is made a diffusion reflection surface without the specular reflection. - 特許庁

そして、第1属膜の形成中または形成後に、第2属膜の属原子が第1属膜の膜中および膜表面に拡散するような温度に雰囲気温度を保持する拡散工程を実施する。例文帳に追加

A diffusion process for keeping an ambient temperature at a temperature at which metal atoms of the second metal film are diffused into the first metal film and the surface thereof is executed during or after formation of the first metal film. - 特許庁

TiO_X層13は、貴属層14側に、貴属層14を構成する貴属の一部をTiO_X層13に拡散させることにより形成された貴拡散部13aを有する。例文帳に追加

The TiO_X layer 13 includes, on the noble metal layer 14 side, a noble metal diffusion part 13a formed by diffusing a part of noble metal constituting the noble metal layer 14 to the TiO_X layer 13. - 特許庁

この2種類の電極ランド21、22は、属バンプ3との属の拡散性が高い第1の電極ランド21と、属バンプ3との属の拡散性が低い第2の電極ランド22とからなる。例文帳に追加

The two kinds of the electrode lands 21 and 22 are composed of a first electrode land 21 for which the diffusion property of a metal with the metal bump 3 is high, and a second electrode land 22 for which the diffusion property of the metal with the metal bump 3 is low. - 特許庁

属シリサイド膜と銅コンタクトプラグ本体との間の拡散バリア層として、薄膜の酸化マンガンで構成された拡散バリア層を用いてはいるものの、属シリサイド膜への銅原子の拡散、侵入を確実に抑止することができるようにする。例文帳に追加

To surely suppress diffusion and penetration of copper atoms into a metal silicide film, while using a diffusion barrier layer composed of manganese oxide in the form of a thin film as a diffusion barrier layer between the metal silicide film and a copper contact plug body. - 特許庁

高誘電率絶縁膜13上に、高誘電率絶縁膜13中の属元素1の上層への拡散を防止する拡散防止膜10が形成されるため、高誘電率絶縁膜13中の属元素1の上層への拡散が防止される。例文帳に追加

Since a diffusion prevention film 10 for preventing diffusion of metal elements 1 in a high dielectric constant insulating film 13 to an upper layer is formed on the high dielectric constant insulating film 13, diffusion of the metal elements 1 in the high dielectric constant insulating film 13 to the upper layer is prevented. - 特許庁

接着剤層14を設けた光拡散シート12を型24内に配置した後に、ベース材16用の成型樹脂を型24内に射出することにより、光拡散シート12がベース材16に接合された光拡散カバー10を製造する。例文帳に追加

The light diffusion sheet 12 provided with an adhesive layer 14 is disposed in a molding die 24, and a molding resin for a base material 16 is injected to the die 24, whereby the light diffusion cover 10 having the light diffusion sheet 12 bonded to the base material 16 is manufactured. - 特許庁

取付け用のネジ孔が形成されたプレート式のマイカヒータ2を、熱を拡散させる属製の拡散板5を介在させて加熱対象である型1にネジ13によって取付け、マイカヒータ2からの熱を、熱伝導率の良好な拡散板5によって拡散させて型1を均一に加熱するようにしている。例文帳に追加

The plate type mica heater 2 having a mounting screw hole is mounted to a metallic mold 1 as a heated target by a screw 13 while a metal-made dispersion plate 5 for dispersing heat is interposed therebetween, and the heat from the mica heater 2 is dispersed by the dispersion plate 5 having excellent heat conductivity, and the metallic mold 1 is uniformly heated. - 特許庁

光学パネル用型11に、拡散面3を形成するための拡散面形成用型部13と、鏡面2を形成するための鏡面形成用型部12とを形成するにあたって、先ず拡散面形成用型部13を形成するための第1の面13aに、形成しようとする拡散面形成用型部13の概略形状を形成し、鏡面形成用型部12を形成するための第2の面12aに、形成しようとする鏡面形成用型部12の概略形状を形成し、その後、第1の面13aにブラスト加工を施して拡散面形成用型部13を形成し、その後、第2の面12aを鏡面加工して鏡面形成用型部12を形成する。例文帳に追加

Next, the mold part 13 is formed by blast-finishing the first surface, and the mold part 12 is formed by mirror-processing the second surface 12a. - 特許庁

また、配線属層上に配線拡散抑止層を設けることにより、配線属の拡散を防止できるため、薄膜トランジスタの特性を改善できる。例文帳に追加

Furthermore, since diffusion of the wiring metal can be prevented by providing the wiring metal diffusion suppressing layer on the wiring metal layer, characteristics of the thin film transistor can be improved. - 特許庁

冷延鋼板を下地とし、ケース内面に相当する面に下層側から、Cu−Ni拡散層、Ni層、属Cr、又はCu層、Cu−Ni拡散層、Ni層、属Crを有する属外装ケース用素材。例文帳に追加

The metal exterior case material is based on a cold rolled steel sheet as a ground, and has a Cu-Ni diffusion layer, an Ni layer, a metal Cr or Cu layer, a Cu-Ni diffusion layer, an Ni layer, and a metal Cr layer from the lower layer side on the face corresponding to the case interior face. - 特許庁

これにより、ZAS合の表面からの深さが0.5mm以上の内部にまでCuが拡散し、かつCuの濃度がZAS合の表面から内部に指向して減少したCu拡散ZAS合が得られる。例文帳に追加

Thereby, the Cu-diffused ZAS alloy is obtained, in which Cu diffuses to a distance of 0.5 mm or deeper inside from the surface of the ZAS alloy, and the Cu concentration decreases toward the inside of the ZAS alloy from the surface. - 特許庁

次に、拡散層基材70に対して加熱処理を施し(ステップS230)、拡散層基材70を発泡させて、発泡属からなる属多孔体に変成させるとともに、属多孔体と流路壁部材60とを接合する。例文帳に追加

Next, the diffusion layer base material 70 is put under a heating treatment (step S230) to be foamed, and is transformed into a metal porous body made of foamed metal, and at the same time, the metal porous body is jointed with the flow channel wall members 60. - 特許庁

第1の拡散層に対するコンタクトホールの内壁には高融点属層を設け、第1の属配線と接続し、第2の拡散層は第2の属配線と直接接続する。例文帳に追加

A high fusing point metal layer is provided on inner walls of a contact hole for the first diffusion layer and connected with first metal wiring, and the second diffusion layer is directly connected with second metal wiring. - 特許庁

半導体装置において、高融点属シリサイドを形成しない第1の領域における高融点拡散防止膜の信頼性を向上し、高融点拡散を確実に防止して信頼性の向上を図る。例文帳に追加

To improve reliability in a high melt-point metal diffusion prevention film at a first region where no high melt-point metal silicides are formed, and to improve reliability by preventing the diffusion of a high melt-point metal reliably in a semiconductor device. - 特許庁

第1の多孔質属板30は、アノードガス拡散層24に相対して配置され、属板40は、カソードガス拡散層25に相対して配置され、それぞれアノードガス拡散層24と接触する第1のガス流路32及びカソードガス拡散層25と接触する第2のガス流路42を形成し、また、それぞれエンドプレートとの間に冷却水流路31、41を形成する。例文帳に追加

The first porous metal plate 30 is arranged in opposition to the anode gas diffusion layer 24, and the metal plate 40 is arranged in opposition to the cathode gas diffusion layer 25, forming a first gas flow channel 32 in contact with the anode gas diffusion layer 24 and a second gas flow channel 42 in contact with the cathode gas diffusion layer 25, respectively, and forming cooling water flow channels 31, 41, respectively, against each end plate. - 特許庁

本発明の酸化物超電導導体用基材10は、属基材1上に、第1拡散防止層11と、第2拡散防止層12と、第3拡散防止層13と、イオンビームアシスト蒸着法により成膜された中間層4とがこの順に設けられてなり、第2拡散防止層12の表面粗さRaが、属基材1の表面粗さRaよりも低く設定されてなることを特徴とする。例文帳に追加

Surface roughness Ra of the second diffusion prevention layer 12 is set lower than surface roughness Ra of the metal base 1. - 特許庁

プレート線PL,/PLに接続されるメモリセルMCにおける強誘電体キャパシタFCの下部電極BEを、下部電極−拡散層間コンタクトを介して拡散層AAに接続し、上記拡散層は、拡散層−属配線間コンタクトcAA−M1を介して、属配線層で形成されるプレート線に接続した。例文帳に追加

A bottom electrode BE of a ferroelectric capacitor FC in a memory cell MC to be connected to plate lines PL, /PL is connected to an active area AA through a contact between the bottom electrode-active area, and the active area is connected to the plate line formed by the metal wiring layer through a contact cAA-M1 between the active area-metal wiring. - 特許庁

ガス拡散電極構成材と銀材を接合する際に、銀微粒子をガス拡散電極構成材及び/又は銀材の接合表面に付着させた後にホットプレスすることを特徴とするガス拡散電極構成材と属材との接合方法。例文帳に追加

At the time of joining a gas diffusion electrode constituting material and a silver material, silver fine particles 8 are deposited on the joint surface of the gas diffusion electrode constituting material and/or the silver material, and, after that, hot pressing is executed. - 特許庁

LED拡散レンズの製造に際して、型製作及び成形の後、レンズを取り出し易くするとともに、LED発散光をレンズの中心方向、周辺方向及び側方向に均一に拡散させるためのLED拡散レンズを提供する。例文帳に追加

To provide an LED diffusion lens for uniformly diffusing the LED divergent light in the central direction, the peripheral direction and the side direction of the lens, while easily taking out the lens after manufacture of a metal mold and molding, when manufacturing the LED diffusion lens. - 特許庁

熱アシスト記録用磁気媒体に用いられる熱拡散制御膜であって、高い熱伝導率を維持すると共に、高い熱拡散率、平滑な表面粗さ、および高い耐熱性の全てを兼ね備えたAg合拡散制御膜を提供する。例文帳に追加

To provide an Ag alloy thermal diffusion control film used in a magnetic medium for thermally assisted recording, which maintains a high heat conductivity and has all of a high thermal diffusivity, a smooth surface roughness and a high heat resistance. - 特許庁

液晶表示装置1が備える面状光源装置(直下型バックライト)は、所定のピッチで並べて配設された複数のランプ5と、当該ランプ5からの光を拡散する拡散板8と、拡散板8とランプ5の間に配設された属カバー12とを備える。例文帳に追加

The surface light source device (downlight backlight) provided on a liquid crystal display device 1 has a plurality of lamps 5 installed in a row with a prescribed pitch, a diffusion plate 8 to diffuse light from the lamps 5, and metal covers 12 arranged between the diffusion plate 8 and the lamps 5. - 特許庁

例文

その後、基板上に第2の層間絶縁膜147を堆積し、第2の層間絶縁膜147を貫通して応力緩和用属パッド152,P型拡散層上第1プラグ160pに到達するN型拡散層上第2プラグ170n,P型拡散層上第2プラグ170pを形成する。例文帳に追加

After that, a second interlayer insulating film 147 is deposited on the substrate; and the metal pad 152 for relaxing the stress, a second plug 170n on the N-type diffusion layer reaching a first plug 160p on a P-type diffusion layer, and a second plug 170p on the P-type diffusion layer are formed through the second interlayer insulating film 147. - 特許庁

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