「鉄ガリウム」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

本発明の金属の回収方法は、インジウム、ガリウムまたはスズを含む金属含有物を、鉄還元細菌で処理することにより、インジウム、ガリウムまたはスズを回収する。例文帳に追加

The method for collecting the metal includes collecting indium, gallium or tin by treating the material containing metals including indium, gallium or tin, with iron-reducing bacteria. - 特許庁

この生成と共に、鉄含有反応物Ｇ_ＦｅＣｏｍｐ、窒素ソース１７からの窒素元素を含む第１の物質のガスＧ_Ｎおよびガリウム元素を含む第２の物質のガスＧ_Ｇａを反応管２１に供給して、鉄が添加された窒化ガリウム２３を基板１上に形成する。例文帳に追加

The iron-containing reactant gas G_FeComp, a nitrogen element-containing first substance gas G_N from a nitrogen source 17 and a gallium element-containing second substance gas G_Ga are supplied to a reaction tube 21 to form iron-added gallium nitride 23 on the substrate 1. - 特許庁

触媒は、セリウムとガリウムとマンガンと鉄とを含有し、該ガリウム、該マンガン及び該鉄から成る群より選ばれた少なくとも１種の少なくとも一部が該セリウムの一部と置換し、蛍石型構造を保っている固溶体からなるＣｅ−Ｇａ−Ｍｎ−Ｆｅ複合酸化物を含有する。例文帳に追加

The catalyst contains a Ce-Ga-Mn-Fe composite oxide comprising a solid solution keeping a fluorite type structure which contains cerium, gallium, manganese and iron, and in which at least a part of at least one selected from a group comprising the gallium, the manganese and the iron is replaced with a part of the cerium. - 特許庁

化合物半導体のウエハー製造工場、デバイス製造工場等から排出されるガリウム含有廃水を処理して、特に希少かつ有価金属であるガリウムを効率的に回収することができ、同時に共存するヒ素を、鉄を含んだ凝集汚泥を発生することなく除去し得るガリウム含有廃水の処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide equipment for the treatment of waste water containing gallium which treats waste water containing gallium discharged from manufacturing factories of compound semiconductor wafers, manufacturing factories of devices or the like and with which gallium being a rate and valuable metal can be efficiently collected and, coexistent arsenic can be removed without producing aggregated sludge containing iron. - 特許庁

化合物半導体のウエハー製造工場、デバイス製造工場等から排出されるガリウム含有廃水を処理して、特に希少かつ有価金属であるガリウムを余すことなく効率的に回収することができ、同時に共存するヒ素を、鉄を含んだ凝集汚泥を発生することなく除去し得るガリウム含有廃水の処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide equipment for the treatment of waste water containing gallium which treats waste water containing gallium discharged from manufacturing factories of compounds semiconductor wafers, manufacturing factories of devices or the like and with which gallium being a rare and valuable metal can be efficiently and completely collected and at the same time, coexistent arsenic can be removed without producing aggregated sludge containing iron. - 特許庁

化合物半導体のウエハー製造工場、デバイス製造工場等から排出されるガリウム含有廃水を処理して、特に希少かつ有価金属であるガリウムを水酸化物として高濃縮された状態で余すことなく効率的に回収することができ、同時に共存するヒ素を、鉄を含んだ凝集汚泥を発生することなく除去し得るガリウム含有廃水の処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide equipment for the treatment of waste water containing gallium which treats waste water containing gallium discharged from manufacturing factories of compound semiconductor wafers, manufacturing factories of devices or the like and with which gallium being a rare and valuable metal can be efficiently and completely collected as hydroxides in a highly concentrated state and at the same time, coexistent arsenic can be removed without producing aggregated sludge containing iron. - 特許庁

化合物半導体のウエハー製造工場、デバイス製造工場等から排出されるガリウム−ヒ素含有廃水を処理して、特に希少かつ有価金属であるガリウムを効率的に回収することができ、同時に共存するヒ素を、鉄を含んだ凝集汚泥を発生することなく除去し得るガリウム−ヒ素含有廃水の処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide equipment for the treatment of waste water containing gallium-arsenic which treats waste water containing gallium-arsenic discharged from manufacturing factories of compound semiconductor wafers, manufacturing factories of devices or the like and with which gallium being a rate and valuable metal can be efficiently and completely collected and at the same time, coexistent arsenic can be removed without producing aggregated sludge containing iron. - 特許庁

不純物としての銅、鉄、鉛、錫およびインジウムの少なくとも１種とガリウムとを含むアルカリ性溶液中の遊離ＮａＯＨ濃度を１５０ｇ／Ｌ以下に調整し、その溶液を４０℃以下の温度に調整し、亜鉛末のような金属亜鉛と活性炭の混合物に接触させ、電解採取によってガリウムメタルを回収するためのガリウム電解液として使用する。例文帳に追加

The free NaOH concentration in an alkaline solution containing at least one kind of copper, iron, lead, tin, and indium, as impurities, and gallium is adjusted to ≤150 g/L and after the solution is adjusted to a temperature below 40°C, the solution is brought into contact with a mixture composed of metallic zinc like zinc powder and active carbon and is used as a gallium electrolyte for recovering gallium metal by electrowinning. - 特許庁

亜鉛、マグネシウム、ベリリウムから選択された金属原子を添加したｐ型窒化ガリウム又はｐ型窒化ガリウムインジウムに、酸化ルテニウム、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化鉄、酸化クロム、酸化ロジウム、酸化イリジウムから選択された助触媒を担持させることによって、光による水分解用触媒を構成する。例文帳に追加

The optical water decomposition catalyst is prepared by causing a promoter selected from ruthenium, nickel, cobalt, iron, chromium, rhodium and iridium oxides to be supported by a type-p potassium nitride or a type-p gallium indium nitride loaded with metal atoms selected from zinc, magnesium and beryllium. - 特許庁

本発明は、ファラデー回転子等に用いられるＢｉ置換希土類鉄ガーネット材料を液相エピタキシャル法により製造するための優れた品質を備えた大型のネオジウムガリウムガーネット単結晶基板及びそれを得るためのネオジウムガリウムガーネット単結晶育成方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a large size neodymium-gallium garnet single crystal substrate having high quality sufficient for producing a Bi-substituted rare earth-iron garnet material for a Faraday rotator by a liquid phase epitaxial method and to provide a method for growing a neodymium-gallium garnet single crystal for the substrate. - 特許庁

タングステンがドープされてなるタングステンドープ酸化チタン又はタングステンとガリウムとが共ドープされてなるタングステン・ガリウム共ドープ酸化チタンの表面に二価の銅塩及び／又は三価の鉄塩が担持されてなり、可視光活性を有する光触媒材料及びその製造方法である。例文帳に追加

There are provided the photocatalyst material having the visible light activity wherein a divalent copper salt and/or a trivalent iron salt are carried on the surface of a tungsten/gallium-codoped titanium oxide formed by codoping tungsten-doped titanium oxide formed by doping tungsten or by codoping tungsten and gallium, and the method for manufacturing the same. - 特許庁

触媒元素はボロン、カルシウム、シリコン、鉄、モリブデン、クロム、バナジウム、マグネシウム、マンガン、インジウム、ガリウム、タンタル、ハフニウム、及びトリウムからなる群から選ばれた少なくとも一種である。例文帳に追加

The catalyst element is at least one selected from a group consisting of boron, calcium, silicon, iron, molybdenum, chromium, vanadium, magnesium, manganese, indium, gallium, tantalum, hafnium and thorium. - 特許庁

触媒元素はボロン、カルシウム、シリコン、カリウム、鉄、モリブデン、クロム、バナジウム、マグネシウム、マンガン、インジウム、ガリウム、タンタル、ハフニウム、及びトリウムからなる群から選ばれた少なくとも一種である。例文帳に追加

The catalyst element is at least one selected from among boron, calcium, silicon, patassium, iron, molybdenum, chromium, vanadium, magnesium, manganese, indium, gallium, tantalum, hafnium and thorium. - 特許庁

第１の元素は、鉄，コバルト，マンガン，銅，亜鉛，アルミニウム，スズ，ホウ素，ガリウム，クロム，バナジウム，チタン，マグネシウム，カルシウムおよびストロンチウムからなる群のうちの少なくとも１種である。例文帳に追加

The first element is at least one kind from among a group comprising iron, cobalt, manganese, copper, zinc, aluminum, tin, boron, gallium, chromium, vanadium, titanium, magnesium, calcium, and strontium. - 特許庁

２価以上の金属として、ベリリウム，マグネシウム，ストロンチウム，亜鉛，カルシウム，バリウム，鉄，アルミニウム，クロム，コバルト，ガリウム，ジルコニウム，珪素，チタンのいずれかの金属を用いる。例文帳に追加

An example of the metal having a valence of two or more used here is beryllium, magnesium, strontium, zinc, calcium, barium, iron, aluminum, chrome, cobalt, gallium, zirconium, silicon, or titanium. - 特許庁

前記高抵抗材料において、窒化ガリウム結晶は、マンガンに加えて、鉄、クロム、カルシウムのうち、少なくとも１つの元素が共添加されていてもよい。例文帳に追加

In the high resistance material, the gallium nitride crystal may be co-added with at least one element among iron, chromium and calcium adding to manganese. - 特許庁

金属促進剤またはドーパントは、インジウム、ガリウム、錫、銀、ゲルマニウム、金、ニッケル、コバルト、銅、鉄、マンガン、モリブデン、クロム、セリウム、バナジウム、それらの酸化物およびそれらの組み合わせからなる群より選択される。例文帳に追加

The metallic accelerator or the dorpant is selected from the group consisting of indium, gallium, tin, silver, germanium, gold, nickel, cobalt, copper, iron, manganese, molybdenum, chromium, cerium, vanadium, its oxide and combination thereof. - 特許庁

銀と、金、白金、パラジウム、鉄、スズ、チタン、ガリウム、ニッケル、亜鉛およびアルミニウムからなる群より選択される元素の少なくとも１種とを含むことを特徴とする金属コロイド溶液を用いる。例文帳に追加

The colloidal metal solution comprises silver and at least one element selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, iron, tin, titanium, gallium, nickel, zinc, and aluminum. - 特許庁

本発明は、ケイ素と、アルミニウム、鉄、ガリウムおよびホウ素からなる群から選ばれる少なくとも１つの元素Ｔとを含む、少なくとも１つのＮＥＳ構造型ゼオライト、好ましくはＮＵ−８７を含む触媒を提供する。例文帳に追加

To provide a catalyst containing at least one element T selected from a group consisting of silicon, aluminum, iron, gallium and boron and containing at least one NES-structure zeolite, preferably NU-87. - 特許庁

正極活物質層７は、マンガン、鉄、銅、チタン、モリブデン、タングステン、クロム、バナジウム、ニオブ、タンタル、亜鉛、アルミニウム、ガリウム、インジウム、錫および鉛からなる群より選ばれた少なくとも一種を含む添加物と、コバルトと、リチウムとを含む。例文帳に追加

The positive electrode active material layer 7 comprises cobalt, lithium and an additive containing at least one kind selected from a group of manganese, iron, copper, titanium, molybdenum, tungsten, chromium, vanadium, niobium, tantalum, zinc, aluminum, gallium, indium, tin and lead. - 特許庁

ケイ素およびゲルマニウムから選ばれる少なくとも１つの元素Ｘと、アルミニウム、鉄、ガリウム、ホウ素、チタン、バナジウム、ジルコニウム、モリブデン、ヒ素、アンチモン、クロムおよびマンガンから選ばれる少なくとも１つの元素Ｔとを含むＭＴＴ構造型ゼオライト物質の合成方法である。例文帳に追加

To obtain the shortening of time, the acquisition of safety, and the saving in the cost of reactants on the synthesis of zeolite. - 特許庁

携帯電話等には銅、アルミ、鉄といった一般的な金 属の他にも金、銀、パラジウムなどの貴金属、希少金 属が使用されているほか、部品の一部には砒化ガリウ ムなどの有害物質も使用されており、不燃物として廃棄 されると環境に負荷を与えることになるため、適正な処 理を行う必要があります。例文帳に追加

Cell phones use rare metals such as gold, silver and palladium as well as general metals (copper, aluminum or iron).  - 経済産業省

半導体としてはチタン、スズ、亜鉛、鉄、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストロンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、タンタル、カドミウム、鉛、銀、アンチモン、ビスマス、モリブテン、アルミニウム、ガリウム、クロム、コバルト、ニッケルから選ばれる金属カルコゲニドを少なくとも１種含むことが好ましい。例文帳に追加

At least one kind of metal chalcogenide selected from titanium, tin, zinc, iron, tungsten, zirconium, hafnium, strontium, indium, cerium, yttrium, lanthanum, vanadium, niobium, tantalum, cadmium, lead, silver, antimony, bismuth, molybdenum, aluminum, gallium, chromium, cobalt and nickel is preferably included as the semiconductor. - 特許庁

半導体はチタン、スズ、亜鉛、鉄、銅、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストロンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、タンタル、カドミウム、鉛、銀、アンチモン、ビスマス、モリブデン、アルミニウム、ガリウム、クロム、コバルト、ニッケルから選ばれる金属カルコゲニドを少なくとも一種以上含むことが好ましい。例文帳に追加

It is preferable for the semiconductor to contain at least one kind of metal chalcogenide chosen from titanium, tin, zinc, iron, copper, tungsten, zirconium, hafnium, strontium, indium, cerium, yttrium, lanthanum, vanadium, niobium, tantalum, cadmium, lead, silver, antimony, bismuth, molybdenum, aluminum, gallium, chromium, cobalt, and nickel. - 特許庁

本発明の熱反応型レジスト材料は、リチウム、ナトリウム、マグネシウム、カルシウム、チタン、鉄、コバルト、亜鉛、ガリウム、シリコン、ゲルマニウム、鉛、ビスマス、及びテルル、並びにその酸化物、塩化物、フッ化物、及び炭酸化物からなる群から選択された少なくとも１つの再酸化防止剤と、酸化銅（Ｉ）と、を含むことを特徴とする。例文帳に追加

A thermal reaction type resist material of this invention is characterized by including copper(I) oxide and at least one reoxidation inhibitor selected from a group consisting of lithium, sodium, magnesium, calcium, titanium, iron, cobalt, zinc, gallium, silicon, germanium, lead, bismuth and tellurium and their oxide, chloride, fluoride and carbonate. - 特許庁

本発明の熱反応型レジスト材料は、リチウム、ナトリウム、マグネシウム、カルシウム、チタン、鉄、コバルト、亜鉛、ガリウム、シリコン、ゲルマニウム、鉛、ビスマス、及びテルル並びにその酸化物、塩化物、フッ化物、及び炭酸化物からなる群から選択された少なくとも１つの再酸化防止剤と、酸化銅（ＩＩ）と、を含有することを特徴とする。例文帳に追加

A thermal reaction type resist material of this invention is characterized by including copper(II) oxide and at least one reoxidation inhibitor selected from a group consisting of lithium, sodium, magnesium, calcium, titanium, iron, cobalt, zinc, gallium, silicon, germanium, lead, bismuth and tellurium and their oxide, chloride, fluoride and carbonate. - 特許庁

エチルベンゼンを二酸化炭素含有ガスの存在下、（１）酸化鉄、（２）酸化アルミニウム及び（３）マグネシウム、ストロンチウム、バリウム、ガリウム、亜鉛、銅、ジルコニウム、クロム、ランタン、セリウム、ニッケル、コバルト、マンガン、イットリウム、ニオブ、チタン及びホウ素中から選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物を含む触媒に接触させる。例文帳に追加

Ethylbenzene is brought into contact with a catalyst containing (1) iron oxide, (2) aluminum oxide and (3) an oxide of at least one kind of element selected from magnesium, strontium, barium, gallium, zinc, copper, zirconium, chrome, lanthanum, cerium, nickel, cobalt, manganese, yttrium, niobium, titanium and boron in the presence of a carbon dioxide-containing gas. - 特許庁

ケイ素およびゲルマニウムから選択される少なくとも１つの元素Ｘと、アルミニウム、鉄、ガリウム、ホウ素、チタン、バナジウム、ジルコニウム、モリブデン、ヒ素、アンチモン、クロムおよびマンガンから選択される少なくとも１つの元素Ｔとを含むＥＵＯ構造型ゼオライトにおいて、５〜５０のＸ／Ｔ比と０．０１０〜０．０６５のＮ／Ｘ比とを有することを特徴とするゼオライトである。例文帳に追加

This EUO-structural-type zeolite includes at least one element X selected from among silicon and germanium, and at least one element T selected from among aluminum, iron, gallium, boron, titanium, vanadium, zirconium, molybdenum, arsenic, antimony, chromium and manganese, and is characterized in that a X/T ratio is 5-50 and a N/X ratio is 0.010-0.065. - 特許庁

錫、ガリウム、鉄、ハフニウム、アルミニウム、ジルコニウム、チタンからなる群より選択される少なくとも１種類の元素の塩又はアルコキサイドをケイ素からなる担体に担持し、塩基性物質と接触した後、焼成することにより複合酸化物とする石油樹脂製造用ルイス酸性固体酸触媒の製造方法。例文帳に追加

The method for producing the Lewis-acidic solid acid catalyst for producing the petroleum resin is characterized by supporting the salt or alkoxide of at least one element selected from the group consisting of tin, gallium, iron, hafnium, aluminum, zirconium and titanium on a support comprising silicon, bringing it into contact with a basic substance, and then firing the resulting material to produce a complex oxide. - 特許庁

半導体は、チタン、スズ、亜鉛、鉄、銅、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストトンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、タンタル、カドミウム、鉛、銀、アンチモン、ビスマス、モリブデン、アルミニウム、ガリウム、クロム、コバルト、ニッケルから選ばれる金属カルコゲニドを少なくとも１種含むことが好ましい。例文帳に追加

It is preferrable that the semi-conductor contains at least one type of metallic chalcogenide which is selected from Titanium, Tin, Zinc, Fe, Copper, Tungsten, Zirconium, Hafnium, Strontium, Indium, Cerium, Yttrium, Lanthium, Vanadium, Niobium, Tantalum, Cadmium, Lead, Silver, Antimony, Bismuth, Molybdenum, Aluminum, Galium, Chromium, Cobalt and Nickel. - 特許庁

アルミナに銀を含有する触媒粒子(A)と、アルミナ粒子及び／又はガリウム、タングステン、インジウム、コバルト、鉄よりなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を含有するアルミナ粒子(B)を物理的に混合した、水蒸気と過剰の酸素が存在する酸化雰囲気中で、還元剤を使用して、窒素酸化物を選択的に還元除去するための触媒。例文帳に追加

The catalyst for selectively reducing and removing nitrogen oxide by using a reducing agent in an oxygen environment containing water vapor and excessive oxygen is prepared by physically mixing: catalyst particles (A) comprising alumina which contains silver; and alumina particles and/or alumina particles (B) containing at least one kind metal selected from a group consisting of gallium, tungsten, indium, cobalt and iron. - 特許庁

．３２０ｎｍから４５０ｎｍを主波長とした沃化鉄、あるいは沃化ガリウムを添加物として封入し、有効発光長を４ｃｍ以下とし、負荷をｌｃｍ当たり３０Ｗから５０Ｗ／ｃｍとし、さらに発光管３内壁面当たり１０から２０Ｗ／ｃｍ^2 としたメタルハライドランプ１により構成した直管型の紫外線放電灯。例文帳に追加

This ultraviolet-ray discharge lamp 1 is constituted of a metal halide lamp 1 sealed with an iron iodide having a main wavelength of 320 nm-450 nm or gallium iodide as an additive, and having an effective light emission length of 4 cm or under and a load of 30 w-50 w/cm per cm and 10-20 w/cm2 per inner wall surface of an arc tube 3. - 特許庁

開示されるのは、スカンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム、アルミニウム、ガリウム、インジウム、マンガン、アンチモン、ビスマスを含む一群の三価金属錯体、及びマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、マンガン、コバルト、鉄、ニッケル、ルテニウム、銅、亜鉛、カジウムを含む一群の二価金属錯体である。例文帳に追加

There are disclosed families of trivalent metal complexes including scandium, yttrium, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, lutetium, aluminum, gallium, indium, manganese, antimony, bismuth; and of divalent metal complexes including magnesium, calcium, strontium, barium, manganese, cobalt, iron, nickel, ruthenium, copper, zinc, cadium. - 特許庁

式(1) のＭｏ_1Ｖ_aＳｂ_bＮｂ_cＺ_dＯ_n・・(1) （式中、Ｚはタングステン、クロム、チタン、アルミ、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、マンガン、鉄、ルテニウム、コバルト、ロジウム、ニッケル、パラジウム、白金、亜鉛、硼素、インジウム、ゲルマニウム、スズ、鉛、ビスマス、イットリウム、ガリウム、希土類元素、アルカリ土類金属の１種以上の元素を表し、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｎはＭｏに対するＶ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｚ、Ｏの原子比を表し、０．１≦ａ＜０．４、０．１＜ｂ≦０．４、０．０１≦ｃ≦０．３、０≦ｄ≦１であり、但し、ａ＜ｂであり、ｎは他の元素の原子価によって決まる数である。）で表される組成を含む、プロパン又はイソブタンの気相接触酸化反応または気相接触アンモ酸化反応に用いる酸化物触媒。例文帳に追加

To provide an oxide catalyst which can exhibit a high selectivity for especially (meth)acrylic acid and (meth)acrylonitrile and can persist in that property. - 特許庁