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「離絶」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 離絶に関連した英語例文

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離絶の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 4191



例文

この下部電極31には、電極間分のための縁膜30が形成されている。例文帳に追加

On this lower electrode 31, an insulating film 30 is formed for electrode-to-electrode separation. - 特許庁

その後、第1基板1をゲート縁膜9およびゲート電極7側から剥除去する。例文帳に追加

Then, the first substrate 1 is separated and removed from the sides of the gate insulating film 9 and the gate electrode 7. - 特許庁

縁材料は、ゴム、樹脂、液体あるいは気体を用いて、金属メッシュ床5から電気的に分する。例文帳に追加

The insulating material isolates electrically from the metal mesh floor 5 using rubber, resin, liquid or gas. - 特許庁

これらの機能によって、インシュレータ30は、縁分部としての機能を有する。例文帳に追加

With these functions, the insulator 30 has the function as an insulation separating portion. - 特許庁

例文

半導体装置用素子分離絶縁膜、これを用いた半導体装置およびその製造方法例文帳に追加

ELEMENT ISOLATION INSULATING FILM FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE PROVIDED WITH THE SAME, AND ITS MANUFACTURE - 特許庁


例文

複数の遊導体をエポキシ樹脂、好ましくは紛体エポキシ樹脂で相互に縁固定する。例文帳に追加

A plurality of free conductors are fixedly insulated from one another with an epoxy resin, preferably a powder epoxy resin. - 特許庁

型複水酸化物を使用した縁皮膜形成金属粉末及びその製造方法例文帳に追加

METALLIC POWDER HAVING INSULATION FILM FORMED THEREON BY USING PEELABLE DOUBLE HYDROXIDE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR - 特許庁

各画素の有機層10間の平坦化層7上に縁性の画素分膜11が形成される。例文帳に追加

A pixel separation film 11 is formed on a flattened layer 7 formed between the organic layers 10 of respective pixels. - 特許庁

半導体シリコン基板101の素子領域の周囲に素子分離絶縁膜102が形成されている。例文帳に追加

An element separation insulating film 102 is formed around the element region of a semiconductor silicon substrate 101. - 特許庁

例文

ポリシリコン膜10は、素子分離絶縁膜2の第1部分上に形成されている。例文帳に追加

The polysilicon films 10 are formed on first sections in element-isolation insulating films 2. - 特許庁

例文

縁基板(1)の表面に間して半導体チップ(3)、内部リード(4)をそれぞれ形成する。例文帳に追加

On a surface of the insulation substrate (1), a semiconductor chip (3) and an internal lead (4) are respectively formed with an interval. - 特許庁

1つ以上の縁体(16)が火花源を互いにかつ接地シェル導体(18)から隔する。例文帳に追加

One or more insulating bodies 16 isolate the spark sources each other and from the grounding shell conductor 18. - 特許庁

被覆電線5の先端は、縁被覆5aが剥され、内部の電線導体7が露出する。例文帳に追加

At a tip of a coated wire 5, an insulation coating 5a is exfoliated and an inner electric wire conductor 7 is exposed. - 特許庁

従って、金属基板16が縁性樹脂12から脱するのを防止することができる。例文帳に追加

Accordingly, the separation of the metal base board 16 from the insulating resin 12 can be prevented. - 特許庁

このことから、回路基板10が縁性樹脂16から脱するのを防止することができる。例文帳に追加

According to this method, the separation of the circuit base board 10 from the insulating resin 16 can be prevented. - 特許庁

レジスト3,3を剥すると,表裏間導電箇所を有する縁膜が得られる。例文帳に追加

When the resists 3 and 3 are stripped off, the insulating film having the conducting-through spots is obtained. - 特許庁

ビア124は、導電層を分する縁層を貫通するようにレーザーにより形成する。例文帳に追加

A viahole 124 is formed by laser in such a manner that it penetrates an insulator separating the conductive layers. - 特許庁

素子分構造体の形成されていない領域上に第1のゲート縁膜を形成する。例文帳に追加

A first gate insulation film is formed on an area where the element isolation structure is not formed. - 特許庁

銅線と縁被膜を導体径の許容差内に維持し、能率よくかつ確実に剥する。例文帳に追加

To efficiently and securely strip an insulating film while keeping a copper wire within the tolerance of a diameter of a conductor. - 特許庁

バリア層7が窒化膜を含んで素子分離絶縁膜4とブロック膜8との間に介在している。例文帳に追加

The barrier layer 7 is interposed between the element isolation insulating film 4 and the block film 8 while including the nitride film. - 特許庁

各素子分領域5および第1の電極層3上に第2の縁膜8を設ける。例文帳に追加

A second insulating film 8 is formed on respective element isolating regions 5 and on the first electrode layer 3. - 特許庁

予備電電極の屈曲部分が、屈曲した筒状の第2の縁管内に収容されている。例文帳に追加

The bent part of the preliminary ionization electrode is housed in a second insulation tube with a bent cylindrical shape. - 特許庁

また、トレンチ分離絶縁層121により、横方向における高周波信号の流れを遮断する。例文帳に追加

In addition, the flow of the high frequency signal in the horizontal direction is blocked by a trench separation insulation layer 121. - 特許庁

縁膜の剥やクラックの発生を抑制することが可能なレーザ加工装置を提供する。例文帳に追加

To provide a laser beam machining apparatus, which restrains peeling-off and cracking of an insulation film. - 特許庁

半導体集積回路装置の最上の配線層の縁膜の剥を抑制または防止する。例文帳に追加

To suppress or prevent the separation of an insulation film in a mostupper wiring layer of a semiconductor integrated circuit device. - 特許庁

第1および第2のトレンチ2a,2bの中に、トレンチ分縁膜24が埋込まれている。例文帳に追加

A trench isolation insulating film 24 fills the trenches 2a and 2b. - 特許庁

半導体基板の表層部に形成された素子分離絶縁領域が活性領域を画定する。例文帳に追加

A device-isolation insulating region formed in a surface layer of a semiconductor substrate demarcates an active region. - 特許庁

加熱ローラ1は接地された芯金7と、縁性型層8を備える。例文帳に追加

A heating roller 1 comprises a grounded arbor 7 and an insulating release layer 8. - 特許庁

コンパクトでありながら、必要な縁距を確保できる大容量の接地開閉器を提供する。例文帳に追加

To provide a large-capacity grounded switch capable of securing a required insulation distance although it is compact. - 特許庁

簡易な構成で参照面と被検物との間の対距を高精度かつ高速に計測する。例文帳に追加

To measure the absolute distance between a reference surface and a specimen with high accuracy and at high speed by a simple configuration. - 特許庁

第3半導体層には縁層に到達しない第2素子分領域210を形成する。例文帳に追加

A second element separation region 210 not extending to the insulating layer is formed on the third semiconductor layer. - 特許庁

半導体装置のパッシベーション膜とその上の縁層とを剥しにくくする。例文帳に追加

To make the passivation film of a semiconductor device hard to peel from an insulation layer on the film. - 特許庁

周辺回路16の周囲を取り囲むように素子分離絶縁膜18が形成されている。例文帳に追加

An element isolation insulative film 18 is formed so as to surround the perimeter of a peripheral circuit 16. - 特許庁

縁膜ライナー18aが素子分トレンチの底面上及び側面上に形成される。例文帳に追加

Insulating-film liners 18a are formed on the bottom face and side faces of the isolation trench. - 特許庁

除去性層26は、十分に低い温度でベース縁層10を電子デバイス18から剥する。例文帳に追加

The removable layer 26 serves to peel the base insulating layer 10 from the electronic device 18 at sufficiently low temperature. - 特許庁

それぞれの心線縁部(1a,2a)の表面は、分剤からなるコーティング(3)を有している。例文帳に追加

The cable has coatings 3 formed of a release agent on the surfaces of the respective core insulating parts 1a and 2a. - 特許庁

この積層体と間した位置の縁体基板1上に薄膜陽極4が形成されている。例文帳に追加

In a position spaced apart from this layered body, a thin-film anode 4 is formed on the insulator substrate 1. - 特許庁

縁被覆が剥されて露出する電線導体7は、導体圧着部13により圧着される。例文帳に追加

The electric wire conductor 7 exposed by exfoliating the insulation coating is crimped by a conductor crimping part 13. - 特許庁

トレンチ縁分部50とトレンチ部60は、同一の製造工程を経て作製される。例文帳に追加

The trench insulated separation portion 50 and the trench portion 60 are formed in the same manufacturing process. - 特許庁

スクライブ領域に沿って配置される素子分離絶縁膜の段差を緩和する。例文帳に追加

To alleviate the level difference of an element isolation insulating film disposed along a scribing region. - 特許庁

層間縁膜と上層配線層との反応を抑制して、上層配線層の剥を抑制する。例文帳に追加

To suppress the separation of an upper wiring layer by suppressing reaction between an interlayer insulating film and the upper wiring layer. - 特許庁

内面に複数の溝を設けて沿面距を増大させる真空縁容器の製造を容易とする。例文帳に追加

To facilitate manufacturing a vacuum insulation container which has a plurality of grooves provided on the inner surface thereof to increase a creepage distance. - 特許庁

素子分能力を低下させることなく、膜厚の異なるゲート縁膜を形成する。例文帳に追加

To form gate insulating film of different film thickness without lowering element isolation. - 特許庁

素子分領域16は、CF_4 ガスプラズマに晒して縁化させることで形成した。例文帳に追加

The element isolation region 16 is formed through exposure to CF_4 gas plasma and insulating processing. - 特許庁

端子プレート端部と縁プレートとの隔を防止することができる二次電池を提供する。例文帳に追加

To provide a secondary battery which prevents separation between an end portion of a terminal plate and an insulation plate. - 特許庁

上層配線6は交差部4aで分離絶縁され、接続部3aで接触する。例文帳に追加

The upper layer interconnection 6 is separated and insulated by the intersection 4a, and contacts at the connection 3a. - 特許庁

トレンチ1a内の素子分離絶縁膜2を所定深さまでエッチバックする。例文帳に追加

Each element isolation insulating film 2 in each trench 1a is back-etched to a prescribed depth. - 特許庁

ゲート電極306はP型基板301の表面と縁体により分されている。例文帳に追加

The gate electrode 306 is separated from the surface of the P type substrate 301 by an insulator. - 特許庁

半導体基板の表面に、活性領域を画定する素子分離絶縁膜が形成されている。例文帳に追加

An element isolation insulating film for demarcating an active region is formed on a surface of a semiconductor substrate. - 特許庁

例文

素子分離絶縁層43の上面は、浮遊電極層42の上面と同じ高さに位置する。例文帳に追加

An upper face of the element isolation insulating layer 43 is positioned in the same level as an upper face of a floating electrode layer 42. - 特許庁

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