「離絶」に関連した英語例文の一覧と使い方(83ページ目) - Weblio英語例文検索

トランジスタ活性領域１５５ｂ及びボディコンタクト活性領域１５５ａの間に存在するトランジスタの活性領域及びボディコンタクトの活性領域より薄い半導体残余物層がＳＯＩ基板の埋め込み絶縁層の上に配置され、しかも半導体残余物層は部分トレンチの素子分離層によって覆われる。例文帳に追加

In this SOI semiconductor integrated circuit, semiconductor residue layers which exist between transistor active regions 155b and a body- contact active region 155a and are smaller in thickness than those of the active regions 155b and 155a are arranged on the embedded insulating layer of an SOI substrate and covered with the element separating layers of partial trenches. - 特許庁

少なくとも商用電源と絶縁された電源を入力する電源入力部１０を有した制御部１１と、第１メス電極１４と第２メス電極１５を有したメス電極部１３とからなり、前記制御部１１とメス電極部１３とを分離した構成のコンセントと前記コンセントに接続するプラグとからなる構成とする。例文帳に追加

This device comprises at least a control part 11 having a power input part 10 for inputting power insulated from a commercial power supply, a female electrode part 13 having a first female electrode 14 and a second female electrode 15, a receptacle constituted by separating the control part 11 from the electrode part 13, and a plug connecting to the receptacle. - 特許庁

半導体基板上の集積回路部と、半導体基板上に集積回路部と電気的に連結されるように配された一つ以上の導電性パッドと、半導体基板上に一つ以上の導電性パッドと離隔されて配され、集積回路部と電気的に絶縁された複数のユニバーサル配線ラインと、を備える半導体チップである。例文帳に追加

The semiconductor chip is provided with an integrated circuit part on a semiconductor substrate, one or more conductive pads disposed on the semiconductor substrate so as to be electrically connected to the integrated circuit part, and a plurality of universal wiring lines which are disposed on the semiconductor substrate apart from the one or more conductive pads and are electrically insulated from the integrated circuit part. - 特許庁

トレッドゴム９は、シリカによって補強された絶縁性ゴム材からなる主トレッドゴム部９ａと、導電性ゴム材から形成されかつ主トレッドゴム部９ａとともに接地面をなし、しかも接地面の端縁からタイヤ軸方向外側へ接地巾ＴＷの４〜１５％の距離を隔てて終端する外導電部９ｂとを含む。例文帳に追加

Tread rubber includes a main treat rubber part made of insulating rubber material reinforced by silica, and outer conductive parts 9b formed by conductive rubber material forming a grounding surface in combination with the main treat rubber part, and ending at a distance of 4 to 15% of the contact width TW measured outwardly along the tire axis from the end edge of the grounding surface. - 特許庁

メッキ処理する箇所が、予め打抜かれた絶縁樹脂層と紫外線照射により密着力が低下する接着剤層からなるフィルムシートを、回路が形成されたフレキシブルプリント基板の回路面に貼り合わせ、メッキ処理した後紫外線照射してフィルムシートを剥離することを特徴とするフレキシブルプリント配線板の製造方法。例文帳に追加

In the method for manufacturing a flexible printed wiring board, a film sheet whose parts to be plated are made of an insulating resin layer previously punched, and an adhesive layer whose adhesion is to be decreased by ultraviolet radiation is adhered to a circuit surface of the flexible printed substrate on which the circuit is formed, is subjected to plating and is peeled after radiating ultraviolet rays. - 特許庁

互いに嵌合する雄端子１０と雌端子３０において、両端子を離脱させる際にアーク放電が発生するのを抑止するための構造であって、雄端子１０の例えばタブ１４の先端に、絶縁層１６ａ及び導電層１６ｂが順に積層された静電容量形成部１６が形成されたもの。例文帳に追加

A male terminal 10 and a female terminal 30 which mates with each other are designed to suppress arc discharge when the terminals are disconnected by arranging an electrostatic capacity formation section 16 with an insulating layer 16a and a conductive layer 16b laminated in turn at the tip of, for example, a tab 14 of the male terminal 10. - 特許庁

液晶表示器に関し、基板と、この基板の上に形成された金属層と、この金属層の上に形成されたカラー・フィルタ層と、感光材からなり、該金属層と該カラー・フィルタ層との間に形成されることにより、物理的にかつ電気的に該金属層及び該カラー・フィルタ層を隔離する絶縁膜と、該カラー・フィルタ層の上に形成された画素電極と、を備えてなる。例文帳に追加

The liquid crystal display comprises a substrate, a metal layer formed on the substrate, a color filter layer formed on the metal layer, and a photosensitive material and includes an insulating film which is formed between the metal layer and color filter to physically and electrically insulate the metal layer and color filter layer from each other and a pixel electrode formed on the color filter layer. - 特許庁

制御ゲート電極１３における第１の活性領域１２Ａと対応し且つ制御ゲート電極１３同士が互いに対向する側の側面には、トンネル絶縁膜を介在させた第１の浮遊ゲート電極１４Ａが素子分離領域１１の中心線を越えて第２の活性領域１２Ｂ側にまで延びるようにるように形成されている。例文帳に追加

On the side face of a control gate electrode 13 which corresponds to a first active region 12A, where the control gates 13 are facing each other, a first floating gate electrode 14A is formed through an interposed tunnel insulation film, extending over the center line of an isolation region 11 to the second active region 12B side. - 特許庁

個片状基板の寸法分類が不要となって、従来のような個片状基板の寸法ランクに応じてマスクを交換するという工程をなくすることができ、かつ実装時におけるテーピングの収納部からの取り出しも容易に行え、しかも狭ピッチで実装した場合においても、隣り合う抵抗器間の絶縁距離を確保できる抵抗器を提供することを目的とするものである。例文帳に追加

To provide a resistor capable of eliminating a dimensional classification of each substrate sliced to a piece and a mask exchange process conventionally required depending on each dimensional rank of the substrate sliced, facilitating drawing out a taping from a storage at the time of mounting thereof, and securing an insulating distance between adjacent resistors even if they are mounted at a narrow pitch. - 特許庁

ハーフトーン露光技術を用いて１回の写真食刻工程でチャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタの半導体層とソース・ドレイン配線を形成して製造工程数を削減した従来の製造方法では製造裕度（マージン）が小さくソース・ドレイン配線間の距離が短くなると歩留が低下する。例文帳に追加

To solve the problem that a manufacturing margin is small and when the distance between source/drain wiring is made short, yield is lowered, in the conventional manufacturing method wherein the number of manufacturing steps is reduced by forming a semiconductor layer and source/drain wiring of a channel etching type and insulating gate type transistor are formed in one photo etching step using a halftone exposure technique. - 特許庁

油槽１５内に静電場を形成させる電極網５が前記油槽１５内の熱管１５ａ上の支持網４に絶縁体７を介して設けられた静電場フライヤーにおいて、前記熱管１５ａと前記油槽１５の壁面上端との距離を広げ、食材が食用油に浸漬される十分な空間が前記電極網５の上側で形成させる。例文帳に追加

In the electrostatic frier obtained by fixing an electrode net 5 forming an electrostatic field in an oil tub 15 on a supporting net 4 on heat tubes 15a in the tub 15 through insulators 7, a distance between the tubes 15a and the upper end of the wall surface of the tub 15 is extended to form a space sufficient for soaking food material in edible oil over the net 5. - 特許庁

この構成では、転写紙へのトナー像の転写後に感光体５０１に残留した現像剤トナーをクリーニング装置５０７で引き剥がす際に、剥離放電による表面保護層の損傷によって、感光体の各層にかかる分圧の変化が生じた場合でも、電荷注入阻止層の絶縁破壊による画像欠陥が低減される。例文帳に追加

In the constitution, the image failure due to puncture of insulation of the charge injection preventing layer is reduced even when variation in divided voltage imparted to each layer of the photoreceptor is generated by damage to surface protective layer due to stripping discharge when stripping by a cleaning device 507 residue developer toner on the photoreceptor 501 after transferring of a toner image to transfer paper. - 特許庁

半導体装置１００は、表面に凹部が形成された基板（１０２）と、基板の凹部１０３に形成された第１の酸化膜１０６と第１の酸化膜１０６上に形成され、第１の酸化膜１０６と膜密度が異なる第２の酸化膜１０８とで構成された素子分離絶縁膜１０５と、を含む。例文帳に追加

The semiconductor device 100 includes a substrate (102) having recesses formed in the surface, and an element isolation insulating film 105 including a first oxide film 106 which is formed in the recess 103 of the substrate, and a second oxide film 108 which is formed on the first oxide film 106 and having film density different from that of the first oxide film 106. - 特許庁

さらに、ゲート絶縁膜３２を介してＰ型半導体層及び隣接する素子間分離領域Ｌ上に形成され、Ｐｃｈ−ＭＯＳＦＥＴ２のゲート電極Ｂと接続されるゲート電極Ｅと、出力配線Ｄに接続されるＮ型半導体層とを備えるノイズキャンセル素子２４を有している。例文帳に追加

The cancelling circuit further has a noise cancelling element 24 having a gate electrode E formed on a P-type semiconductor layer and an adjacent inter-element isolating region L via a gate insulating film 32 and connected to a gate electrode B of a P-ch MOSFET 2 and an N-type semiconductor layer connected to an output wire D. - 特許庁

金属粉末を、水中において可逆的に剥離するＭｇ−Ａｌ系層状複水酸化物を水に分散させた分散ゾルで被覆した後、乾燥および焼成を行い、該金属粉末の表面にＭｇ−Ａｌ系層状複水酸化物の焼成皮膜を形成させたことを特徴とする絶縁皮膜形成金属粉末およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

The metallic powder having the insulation film formed thereon is produced by coating the metallic powder with a dispersion sol in which a Mg-Al-based layered double hydroxide that is reversibly peelable in water is dispersed in water, and then drying and burning it to form a baked film of the Mg-Al-based layered double hydroxide on the surface of the metallic powder. - 特許庁

プラグコネクタ１６の周囲メタルシールド８６をリセプタクルコネクタ１４のＥＳＤシールド５８から電気的に分離するように、プラグコネクタ１６の周囲メタルシールド８６と上記リセプタクルコネクタ１４の絶縁ハウジングとの間に設けられた相補的な相互係合ラッチ手段１１４を備えている。例文帳に追加

A complementary mutual engaging latch means 114, disposed between the peripheral metal shield 86 of the plug connector 16 and an insulating housing of the receptacle connector 14, is provided so as to electrically separate the peripheral metal shield 86 of the plug connector 16 from the ESD shield 58 of the receptacle connector 14. - 特許庁

【解決手段】本発明の有機電界発光表示素子160は、基板上に形成された薄膜トランジスタアレー174と、該薄膜トランジスターに接続された第1電極200と、該第1電極を露出させると共にそれぞれの画素を分離するための少なくとも一つの絶縁膜180,182と、前記第1電極200に重なる有機発光層178と、該有機発光層上に形成された第2電極170を備えることを特徴とする。例文帳に追加

The organic electroluminescent display element 160 comprises a thin-film transistor array 174 formed on a substrate, a first electrode 200 connected to the thin-film transistor, at least one insulation film 180, 182 to expose the first electrode and partition pixels, an organic luminescent layer 178 overlapping the first electrode 200, and a second electrode 170 formed on the organic luminescent layer. - 特許庁

本発明は、絶縁基板を介して導電材料によって構成された配線パターン及び少なくとも１つのダミーパターンを複数積層し、層間の電気的接続はフィルドビアによって行う多層回路配線板であって、前記フィルドビアのパッドの外縁と前記ダミーパターンの外縁の距離が４０μｍ以下であることを特徴とする多層回路配線板であり、配線基板内部のフィルドビアへの応力集中を抑えることが出来る。例文帳に追加

In the multilayer circuit wiring board, a plurality of layers of wiring patterns composed of a conductive material via an insulating board and at least one dummy pattern are laminated, and the layers are connected by the field via electrically. - 特許庁

非対称シリサイド膜を有するＳＲＡＭは、所定形状の下部構造を有する半導体基板１００に、所定の間隔をおいて伝送トランジスター２０及び駆動トランジスター１０が離隔して形成され、前記伝送トランジスター２０及び駆動トランジスター１０のゲート絶縁膜１０５及びゲート電極１０６の側壁にはスペーサー１０７を各々形成する。例文帳に追加

The SRAM having an asymmetric silicide film has a semiconductor substrate 100 that has a lower structure in a predetermined form on which a transmission transistor 20 and a drive transistor 10 are formed separately with a predetermined interval; and spacers 107 are formed on sidewalls of gate insulating-films 105 and gate electrodes 106 of the transmission transistor 20 and the drive transistor 10 respectively. - 特許庁

基板の能動領域内に溝を設け、この溝内にエピタキシャル層を成長させてこの溝を完全に充填するか、又は部分的に充填して、エピタキシャル層上及び溝内に絶縁材料を堆積して溝を完全に充填することにより、領域を互いに分離する方法及び装置をも提供する。例文帳に追加

There is also provided a method and structure for isolating the regions by providing a trench in an active area of a substrate, growing an epitaxial layer in the trench to completely fill the trench or to partially fill the trench, and depositing an insulating material over the epitaxial layer and within the trench, to completely fill the trench. - 特許庁

半導体装置１００は、シリコン基板１１０上に、離間して形成されたＮウェルソース領域１７０およびＮウェルドレイン領域１６０と、Ｎウェルソース領域１７０上からＮウェルドレイン領域１６０上にわたって形成されたゲート絶縁膜１３１を介して設けられたゲート電極１３０と、を備えている。例文帳に追加

The semiconductor device 100 has, on a silicon substrate 110, an N well source region 170 and an N well drain region 160 formed apart from each other, and a gate electrode 130 provided while a gate insulating film 131 formed from above the N well source region 170 toward on the N well drain region 160 is interposed therebetween. - 特許庁

１分子当たり２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、（ｂ）エポキシ樹脂用硬化剤、および（ｃ）層状粘土化合物を含むエポキシ樹脂組成物と、強化繊維材料を含み、層状粘土化合物が層剥離した状態で分散されていることを特徴とする六フッ化硫黄ガス絶縁機器用繊維強化複合材料。例文帳に追加

The fiber-reinforced composite material for sulfur hexafluoride gas-insulated apparatuses comprises an epoxy resin composition comprising (a) an epoxy resin bearing at least two epoxy groups in one molecule, (b) a curing agent for the epoxy resin and (c) a layered clay compound, and a fiber-reinforcing material, wherein the layered clay compound is dispersed in a delaminated state. - 特許庁

絶縁物２上に形成された第１の電極４と、第１の電極４の側面１３に形成された誘電体膜５と、素子分離領域２上に形成された第２の電極６であって、側面の１部が誘電体膜５を介して第１の電極４の側面１３と対向している第２の電極６とを少なくとも有する半導体装置である。例文帳に追加

A semiconductor device has at least a first electrode 4 formed on an insulator 2, a dielectric film 5 formed on the side face 13 of the electrode 4, and a second electrode 6 formed on an element separating area 2 and the side face of which is partially faced oppositely to the side face 13 of the electrode 4 through the dielectric film 5. - 特許庁

硬化収縮が少なく、耐クラック性に優れた熱硬化性樹脂組成物、及び無用剤もしくは微量の有機溶剤で液状化が可能であり、硬化物中に残存する揮発性化合物による層間剥離等がなく、絶縁信頼性や耐熱性等の特性に優れる熱硬化性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To obtain a thermosetting resin composition having little curing shrinkage and excellent in crack resistance and a thermosetting resin composition enabling liquefaction without using any solvent or by using a slight amount of organic solvent, free from interlaminar separation, or the like, by a volatile compound remaining in the cured material and excellent in characteristics such as reliability for insulation and heat resistance. - 特許庁

この被覆層がＭｎ−Ｚｎ系スピネル型フェライト相を有し、かつ、ＳｉおよびＣａを含んでいる軟磁性鉄基粉末を用いて焼結磁芯を製造することにより、各軟磁性鉄基粒子をそれぞれ分離被覆するように形成された絶縁層に、Ｓｉ，Ｃａを含む低融点の複合酸化物が偏析形成されて焼結後にも高い比抵抗を保持することができる。例文帳に追加

By manufacturing the sintered magnetic core using the soft magnetic iron-based powder of which a cover layer includes an Mn-Zn spinel ferrite phase and contains Si and Ca, a compound oxide of a low fusing point containing Si and Ca is eccentrically formed on an insulation layer formed to separately cover soft magnetic iron particles, thereby holding high specific resistance even after sintering. - 特許庁

電気絶縁性シートを、表面に誘電体層を有する対極ロールと接触させながら、前記シート表面に放電雰囲気を曝露する放電処理方法にあって、前記対極ロールからの剥離点から見て搬送方向の上流側および下流側のシート表面を除電する上流側除電および下流側除電を行なう。例文帳に追加

Upstream-side static elimination and downstream-side static elimination for eliminating static from the sheet surface on the upstream side and the downstream side in the carrying direction as viewed from the separation point from the counter electrode roll are executed. - 特許庁

柱上変圧器に使用された絶縁油など、有機ハロゲン化合物が混入した油を特別な分解処理装置を使用することなく簡易に短期間で無害化処理することができ、しかも、触媒を分離する手間が不要で、副反応生成物が生成する可能性の低い、有機ハロゲン化合物の分解処理方法及び分解システムを提供する。例文帳に追加

To provide a decomposition treatment method and a decomposition system for an organic halogen compound, which can easily detoxify an oil mixed with the organic halogen compound like an insulating oil used for a pole transformer without using a special decomposition treatment device in a short term, saves the trouble of removing a catalyst and unlikely to form side reaction products. - 特許庁

前記マスクを利用すると、セル領域にスレッショルド電圧調節不純物イオンを注入する段階と、高電圧領域の素子分離膜にチャネルスドーピング不純物イオンを注入する段階と、セル領域に低電圧ゲート導電膜と低電圧ゲート絶縁膜とを除去する段階などとを併合して進行することができる。例文帳に追加

If the mask is used, steps and others can be performed in parallel, the steps of implanting threshold voltage adjustment impurity ions into the cell region, implanting channels doping impurity ions into the device isolation film of the high voltage region, and removing a low voltage gate conductive film and a low voltage gate insulated film to the cell region. - 特許庁

接点間距離を短くでき、これによりリレー自体の小型化が可能であると共に、高電圧が印可された場合でも絶縁を十分に維持できるリレー及びその製造方法、このリレーを用いた小型化が可能な電気的治療装置（除細動器など）、及び安全に駆動することが可能な電気的治療装置の制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide a relay capable of shortening the distance between contacts and miniaturizing the relay itself, and sufficiently retaining insulation even when high voltage is applied, to provide a manufacturing method of the relay, to provide an electric therapeutic device (defibrillator or the like) using the relay, capable of miniaturizing, and to provide a control method of the electric therapeutic device capable of safely driving. - 特許庁

アルミニウム製又はアルミニウム合金製の多数本の素線２から成る導線部７を絶縁体３で被覆して成るアルミ電線１の一端部を剥離して露出させた露出導線部７ａの素線端部２ａと、端子４とを、接続した接続構造を有する端子付アルミ電線に於けるものである。例文帳に追加

The electric wire with a terminal has a structure where the strand-end part 2a of an exposed wire part 7a in which one end part of an aluminum wire 1, in which a wire part 7 made of a large number of strands 2 of aluminum or an aluminum alloy is coated by an insulator 3, is separated and exposed, and a terminal 4 are connected. - 特許庁

該共通電極と該第１共通電極信号供給線とが電気的に分離しているときにおける、該共通電極の該第１共通電極信号供給線と近接する第１端部での帯電量集中を抑制するように、該共通電極の該第１端部近傍で該共通電極と該第１共通電極信号供給線とが絶縁膜を介してオーバーラップする。例文帳に追加

The common electrode and the 1st common electrode signal supply line overlap each other in the neighborhood of the 1st end part of the common electrodes, so as to control concentration of charge amount at the 1st end part adjacent to the 1st common electrode signal supply line of the common electrode, when the common electrode is electrically separated from the 1st common electrode signal supply line. - 特許庁

そして、バスバーホルダ１２は、絶縁性の合成樹脂材料にて環状に形成されるとともにその軸方向の両端部にバスバー１３〜１６がそれぞれ配置され、弧状部１３ａ〜１６ａが同軸状となるように且つ軸方向に離間して並ぶように複数の当該弧状部１３ａ〜１６ａを収容している。例文帳に追加

The bus bar holder 12 is annularly formed of an insulative composite resin material and has bus bars 13-16 arranged on both ends on its axial direction, and houses a plurality of arc-like portions 13a-16a so that the arc-like portions 13a-16a may be formed coaxially and arranged so as to be spaced apart in the axial direction. - 特許庁

素子分離用絶縁膜２ｂの上に第１のポリシリコン層からなる下部電極Ｓ１ｂが形成され、下部電極Ｓ１ｂの上に誘電膜６が形成され、誘電膜６の上に第１のポリシリコン層よりシート抵抗の高い第２のポリシリコン層からなる上部電極Ｓ２ｂが形成され、容量Ｙ１が形成される。例文帳に追加

A lower electrode S1b formed of a first polysilicon layer is formed on an element isolation insulating film 2b, a dielectric film 6 is formed on the lower electrode S1b, an upper electrode S2b formed of a second polysilicon layer, whose sheet resistance is higher than that of the first polysilicon layer, is formed on the dielectric film 6 and a capacitance Y1 is formed. - 特許庁

トレンチ内に絶縁膜が形成された素子分離領域を備える半導体装置を製造する方法において、ウェルを形成するための不純物を活性化するアニール処理の前洗浄としてのフッ化水素酸処理によって半導体基板にピットが発生することや、半導体基板から不純物がアウトディフュージョンすることを防止または抑制する。例文帳に追加

To prevent or to suppress an occurrence of pits on a semiconductor substrate caused by hydrofluoric acid processing as preliminary cleaning of an annealing process for activating impurities for well formations, or out diffusions of impurities from a semiconductor substrate in a method for manufacturing a semiconductor device including an element isolation region in which an insulating film is formed in a trench. - 特許庁

そのため、接着用フィルム４０に応力緩衝機構を持たすことができるとともに、支持体７は多孔質であるので、はんだリフロー時接着層に含まれる揮発成分を解放することができ、熱膨張等によって絶縁フィルム５と接着用フィルムとの界面に剥離を生じることを防止することができる。例文帳に追加

Since the bonding film 40 can be imparted with a stress buffering mechanism and the support 7 is porous, volatile components contained in the bonding layer can be released at the time of solder reflow and stripping due to thermal expansion, or the like, can be prevented on the interface of the insulating film 5 and the bonding film. - 特許庁

ゲート絶縁膜１７を介してゲート電極１９と対向し、内部にチャネル層が形成される半導体基板のチャネル形成領域と、当該チャネル形成領域と逆の導電型を有し、チャネル形成領域に各々接し互いに離れて形成されているソース・ドレイン領域１０と、を有する。例文帳に追加

The insulated gate field effect transistor has a channel forming region of a semiconductor substrate for internally forming a channel layer and opposing a gate electrode 19 through a gate insulating film 17, and a source-drain region 10 having a conductivity type reverse to that of the channel forming region and formed separately in contact with the channel forming region. - 特許庁

貼り合わせ基板を噴流の液体で分離する際、キャビテーションの崩壊（空洞現象）が発生することでその際の衝撃圧力が基板表面に影響を与えることが有り、これが最終的にＥＬＴＲＡＮ（登録商標）品質の劣化（絶縁層上に単結晶Ｓｉ層に欠陥を形成）を招く要因となることが有る。例文帳に追加

To solve the problem wherein the collapse (cavity phenomenon) of cavitation occurs, the impact pressure at that time may influence a substrate surface, and hence ELTRAN(R) quality may deteriorate finally (defects are formed on a single-crystal Si layer on an insulating layer), when separating a laminated substrate by a jet liquid. - 特許庁

本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板１に、側面が傾斜している溝１ａを形成する工程と、溝１ａに絶縁膜を埋め込むことにより素子分離膜４ａを形成する工程と、半導体基板１を熱酸化することにより、トランジスタのゲート酸化膜を形成する工程とを具備する。例文帳に追加

The method of manufacturing the semiconductor device comprises steps of forming a groove 1a whose side view inclines on a semiconductor substrate 1, forming an element isolation film 4a by embedding an insulating film in the groove 1a, and forming a gate oxide film of a transistor by carrying out the thermal oxidation of the semiconductor substrate 1. - 特許庁

半導体基板上の所定の領域にトレンチを形成した後、絶縁膜を埋め込むことにより、アクティブ領域とフィールド領域を画定する素子分離膜を形成する段階と、前記アクティブ領域の半導体基板を所定の深さにエッチングするが、表面が曲面となるようにエッチングする段階とを含む。例文帳に追加

This method comprises a step for forming an element separating film which demarcates the active region and the field region by forming a trench in a specified region on a semiconductor substrate, and then burying an insulating film; and a step for etching the semiconductor substrate in the active region into a specified depth, so that the surface becomes a curved surface. - 特許庁

超電導線を高分子フィルムで被覆することにより、隣接超電導線間の電気絶縁性を向上させることができ、隣接超電導線間距離を大幅に短縮した小型のコイルを容易に作製することができるフィルム被覆超電導線およびその製造方法ならびにこのフィルム被覆超電導線を用いた超電導コイルを提供する。例文帳に追加

To provide a film-coated superconducting wire and its manufacturing method and a superconducting coil using the film-coated superconducting wire, with an electric insulation property improved between adjacent superconducting wires by coating superconducting wires with polymer films, and capable of easily making compact coils with an interval between adjacent superconducting wires greatly shortened. - 特許庁

少なくともキャリア、結着樹脂及び着色剤からなる母体トナーに、添加剤として少なくともシリカ及びチタニアを添加してなるトナーを含む電子写真用現像剤において、超音波振動法によって測定した、該トナーに対するチタニアの遊離率が５〜２２％であり、該トナーの帯電が絶対値で２０〜４０μＣ／ｇであることを特徴とする電子写真用現像剤。例文帳に追加

The electrophotographic developer contains at least the carrier and the toner obtained by adding at least silica and titania as additives to a base toner comprising a binder resin and a colorant, wherein a rate of free titania released from the toner determined by a ultrasonic vibration method is 5-22% and a charge quantity of the toner is 20-40 μC/g in absolute value. - 特許庁

つぎに、所定領域が開口された保護酸化シリコン膜２および窒化シリコン膜３をマスクとして半導体基板１をエッチングすることにより半導体基板１に素子分離用の溝を形成し、溝の側壁面および底面に沿うように電磁波を吸収する絶縁性の遮光膜４０２を形成する。例文帳に追加

A trench for element isolation area is formed in the semiconductor substrate 1 by etching the semiconductor substrate 1 with the protective silicon oxide film 2 and the silicon nitride film 3 with the predetermined areas each opened as the masks, and an insulative shielding film 402 absorbing electromagnetic wave is formed so as to be along the side wall surface and bottom of the trench. - 特許庁

電池セル１は、電解液を使用し、イオン透過性であって絶縁性の多孔性セパレータ４と、セパレータ４により分離された電極層２，３と、電極層２，３の周辺部を保持する非導電性ガスケット５と、電極層２，３および非導電性ガスケット５を挟持する集電体６より構成される。例文帳に追加

The battery cell 1 comprises the electrolyte, an ion-permeable insulating porous separator 4, electrode layers 2 and 3 isolated by the separator 4, a noncnductive gasket 5 for holding peripheral parts of the layers 2 and 3, and a current collector 6 for holding the layers 2 and 3 and the gasket 5. - 特許庁

第１シート３の一面に固定接点４を形成し、第１シート３の一面に対向する第２シート６の一面に、空間を介して固定接点４に接離可能に対向する可撓性可動接点７を形成し、可撓性可動接点上であってその押圧部を除く位置に絶縁体を設けた。例文帳に追加

A fixed contact 4 is formed on one face of a first sheet 3 and a flexible movable contact 7 which is opposed to the fixed contact 4 capable of contacting and separating through a spacing is formed on one face of a second sheet 6 opposed to the one face of the first sheet 3, and an insulator is installed on the flexible movable contact and at the location excluding the pressing part. - 特許庁

焼結体４の研磨工程において、研磨材を含んだ研磨液のｐＨ値を４〜１１の範囲で制御して研磨を行う構成としたものであり、これにより、焼結体４を研磨した後、外部電極５、６を形成する際に内部電極２とセラミック層３との層間剥離やクラック等の発生を防止し、絶縁不良や外観不良を防止できる。例文帳に追加

In a polishing process of the sintering body 4, the pH value of polishing liquid containing a polishing material is controller to be within a range of 4 to 11 for polishing, thus preventing interlayer from peeling between the internal electrode 2 and the ceramic layer 3, generation of cracks or the like, and insulation and appearance failures, when the sintering body 4 is polished for forming external electrodes 5 and 6. - 特許庁