「離絶」に関連した英語例文の一覧と使い方(77ページ目) - Weblio英語例文検索

複数の半導体素子等の電子部品を積層して搭載した積層型電子部品において、下段側の電子部品のボンディングワイヤと上段側の電子部品との接触に基づく絶縁不良やショート等を防止した上で、電子部品間の剥離不良や製造コストの増加等を抑制する。例文帳に追加

To prevent defective insulation or short circuit due to contact between a bonding wire of an electronic component at a lower stage side and an electronic component at an upper stage side, in addition, to suppress exfoliation defect among electronic components or increase in the production cost. - 特許庁

コルゲーションは、金具１との接合範囲内において、絶縁物本体３の端面６から離れるに従ってコルゲーション１０の直径を大きくし、又は金具１との接合範囲内において、中央部のコルゲーション１０の直径を大きくする。例文帳に追加

In the corrugations 10, the diameter becomes larger with the distance from the end surface 6 of the insulator 3 within a connecting range with the fitting 1, or the diameter of the midsection increases within a connecting range with the fitting 1. - 特許庁

無機絶縁基板上１に、密着性金属層２および拡散防止層３を順次積層するとともに、該拡散防止層３上にＡｕ層４と半導体素子接合用の金属ロウ材層５とを所定間隔を開けて分離させてそれぞれ設けて成る半導体素子搭載部を形成した。例文帳に追加

An adhesive metallic layer 2 and a diffusion prevention layer 3 are laminated in sequence on an inorganic insulation substrate 1, and an Au layer 4 and a metallic brazing material layer 5 for joining semiconductor elements are provided on the diffusion prevention layer 3 apart from each other with a specified interval of distance, thereby forming a semiconductor element mounting part. - 特許庁

加熱ローラを低熱容量化するために芯金を用いず、加熱ローラ１０を、非磁性かつ絶縁性の剛体支持層１３、導電発熱層１４および最外層の離型層１５を有する構造に構成し、導電発熱層を薄い層に形成した。例文帳に追加

A core metal is not used for making the heating roller low in thermal capacity and a heating roller 10 has a structure having nonmagnetic and insulating rigid support layer 13, an induction heating layer 14 and a mold release layer 15 as the outside layer and the induction heating layer is made thin. - 特許庁

このようにすれば、断面が非円形の導体線であっても、回転砥石１、２はその表面に沿って周方向へ自在な軌跡で公転して、与えられた弾性付勢力に応じた厚さ分だけ絶縁膜を剥離（研削）することができる。例文帳に追加

Thus, even if the a conductor has a non-circular cross-sectional shape the grinding wheels 1 and 2 revolve along the surface of the conductor, depicting a free locus in the circumferenital direction, and strips (shaves) the insulating film by an amount equivalent to the elastically energizing force exerted. - 特許庁

ＳＴＩ方式を用いた素子分離工程において、埋め込み絶縁膜の平坦化研磨時にフィールド層で発生する削りこみが、リーク電流発生や、ゲート電極マスクの細線化の原因となり、歩留まり低下や信頼性低下を招いている。例文帳に追加

To solve the problem that shavings occurring in a field layer during CMP process of an embedded dielectric in an element separation process using an STI method cause the occurrence of the leak current and the thinner line of a gate electrode mask, and thereby cause a decrease in yield and reliability. - 特許庁

システムサーバー５は、ゲーム装置９ａ〜９ｃの絶対位置から、ゲーム装置同志の距離と所定の１点から見た配置とを算出して、相対的な位置関係を判断し、この判断結果に基づいてゲーム装置９ａ〜９ｃに指示を送信する機能を有している。例文帳に追加

The system server 5 has the function of computing distances between the game devices from the absolute positions of the game devices 9a to 9c and their arrangement seen from one prescribed point, and determining the relative positional relation and sending an instruction to the game devices 9a to 9c on the basis of the result of the determination. - 特許庁

基板に支持された半導体層と、互いに離れて形成されたソースおよびドレインと、当該ソースおよびドレイン間に位置する半導体層部分の厚さ方向の両側の面にそれぞれ絶縁膜を介して形成され互いに対向する第１および第２ゲートとを有する。例文帳に追加

A semiconductor logic element 1 has a second front-side gate electrode 7 formed at a location which is on a front-side gate insulating film 5 and which is counterposed to a second back-side gate electrode 5. - 特許庁

半導体上層８と半導体基板１０との間に挟まれた絶縁層６を備えるシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）ウエハ４の特性を、一対の離間した導電体１８，２０を移動して、基板１０と反対の側に露出したウエハの表面に接触させることで決定する。例文帳に追加

Characteristics of a silicon on insulator (SOI) wafer 4 equipped with an insulating layer 6 sandwiched between a semiconductor upper layer 8 and a semiconductor substrate 10 are determined by moving a pair of spaced electric conductors 18, 20 into contact with a front surface of a wafer which is exposed at an opposite side of the substrate 10. - 特許庁

基板１０１と透明基板１０８とが平行に配置され、基板１０１の、透明基板１０８側の面上には、第１の透明電極１０５、電気絶縁性の分離層１２０および反射膜１０２が順次重ね合わせて形成されている。例文帳に追加

A substrate 101 and a transparent substrate 108 are arranged in parallel with each other, and a 1st transparent electrode 105, an electrically non-conductive separating layer 120, and a reflecting film 102 are formed by sequentially laminating them on the surface of the 1st transparent electrode 101 facing the transparent substrate 108 side. - 特許庁

端子ユニット８のユニット開閉器１やユニットケース１２の形状・大きさは開閉器１のケース２やカバー３と関係なく定められるので、開閉器本体を大形化することなく必要な絶縁距離を確保することができる。例文帳に追加

Since a shape and a size of the unit switch 1 or an unit case 12 of the terminal unit 8 are set regardless of a case 2 or cover 3 of the switch 1, a required insulation distance can be ensured without increasing a size of a switch main body. - 特許庁

脱塩処理部３の絶縁壁６の内側に原水を上向きに流し、電極７に印加された電圧によって形成される静電界により分離したイオン濃度の低い脱イオン水およびイオン濃縮水を、それぞれオーバーフローにより集水部４・５へ流出させる。例文帳に追加

The raw water is allowed to flow upward in the inside of the insulating wall 6 of the desalting part 3, the deionized water having low ion concentration and the ion-condensed water separated by the electrostatic field formed by a voltage applied to the electrodes 7 are allowed to flow out to the water collecting parts 4, 5 by overflowing the same respectively. - 特許庁

本発明による素子分離溝の形成方法は、シリコン基板１に形成した溝２ａの内壁に窒化シリコン膜ライナー１４を堆積した後、溝２ａの内部に充填した第１の埋め込み絶縁膜１７の上面を下方に後退させ、窒化シリコン膜ライナー１４の上端部を露出させる。例文帳に追加

In the method of forming the element isolation trench, the upper end of the liner 14 composed of the silicon nitride film is exposed by downwardly retreating the top surface of a first embedded insulating film 17 packed in a groove 2a formed into a silicon substrate 1, after the liner 14 is caused to deposit on the internal wall of the groove 2a. - 特許庁

有機ＴＦＴ１０は、プラスチック基板１２の上に、順次、ブロック層１４、ゲート電極１６、ゲート絶縁膜１８および有機半導体２０を有し、さらに、有機半導体２０の上に対向、離間してソース電極２２およびドレイン電極２４を有する。例文帳に追加

The organic TFT 10 is provided with a block layer 14, a gate electrode 16, a gate insulation film 18, and an organic semiconductor 20 that are formed in sequence on the plastic substrate 12, and it is also provided with a source electrode 22 and a drain electrode 24 that are apart from and opposite to each other on the organic semiconductor 20. - 特許庁

埋め込み絶縁膜からなるＳＴＩ２により素子分離されたトランジスタ１０、２０形成領域のソース・ドレイン領域４、５の直下に、ソース・ドレイン領域４、５と同一導電型の不純物領域からなるバリア層７を設ける。例文帳に追加

A barrier layer 7 comprising an impurity region of the same conductive type as source-drain regions 4 and 5 is provided, just under the source-drain regions 4 and 5 of transistor 10, 20 formation region subject to element separation by an STI2 comprising an embedded insulating film. - 特許庁

すると、回路パターンが形成されない部分に露出した基板の母材である絶縁体１と透光性樹脂９とが密着界面を形成することによって密着強度が高まり、回路パターン２ａ、５ａと導電性接着剤６との界面剥離を抑制できる。例文帳に追加

Since an insulator 1, i.e. the base material of a substrate exposed to a part where the circuit pattern is not formed, and the translucent resin 9 form an adhesion interface, adhesion strength is enhanced and interfacial exfoliation of the circuit patterns 2a, 5a and a conductive adhesive 6 can be suppressed. - 特許庁

第１ゲート電極１８は、第１ゲート絶縁膜１９を介して第１の面１４ａに、第１ゲート電圧Ｖｇ１が印加されると生じる第１反転層２３の一側が第１不純物領域１５に接触し、他側が第２不純物領域１６から離間するように配設されている。例文帳に追加

A first gate electrode 18 is provided on the first surface 14a via a first gate insulating film 19 so that one side of a first inversion layer 23 induced by application of a first gate voltage Vg1 contacts the first impurity region 15, and the other side is spaced apart from the second impurity region 16. - 特許庁

少なくとも１つのＧＰＳ受信機においてＧＰＳ測位により算出される絶対位置情報と、少なくとも一つのＧＰＳ受信機において測定手段により測定される、少なくとも一つのＧＰＳ受信機とＩＣタグとの間の距離情報とに基づいて、ＩＣタグの位置を決定する。例文帳に追加

The position of the IC tag is determined on the basis of absolute position information calculated through GPS positioning in at least one GPS receiver, and distance information between at least one GPS receiver and the IC tag, the distance information being measured by the measurement means in at least one GPS receiver. - 特許庁

各電界効果型トランジスタセル２０は、ＭＯＳＦＥＴの構造を有し、ｐ形シリコン基板１の主表面側にドレイン領域２とソース領域３とが離間して形成され、両領域２，３間のチャネル部４上にゲート絶縁膜５を介してゲート電極１６が形成されている。例文帳に追加

Each of the field-effect transitor cells 20 has a structure of a MOSFET and a drain region 2 and a source region 3 are formed on the main surface of the P-type silicon substrate 1 with spacing and a gate electrode 16 is formed on the channel part 4 between both regions 2, 3 through a gate insulating film 5. - 特許庁

アモルファスシリコン感光体を用いた２００mm/sec以上のプロセススピードを有する高速画像形成装置においても感光体に対するピンホールなど絶縁破壊を生じることが無く、安定且つ十分な転写性と剥離性を持ち、最良の画像を得ることができる画像形成装置を提供する。例文帳に追加

To obtain a best image by not generating any damage to insulation such as a pin hole to a photoreceptor and providing a stable and sufficient transferring ability and separating ability even in a high speed image forming device provided with a processing speed of ≥200 mm/sec utilizing an amorphous silicon photoreceptor. - 特許庁

パッケージ１３内の気密封止された内部空間１４のベース１１上に接合保持された水晶振動片２，３の間には、水晶振動片２，３それぞれの周波数調整に係わる基板領域２８，３８を隔壁した絶縁性の分離板４が介在されている。例文帳に追加

An insulating separation board 4 that separates substrate regions 28 and 38 related to frequency adjustment of quartz resonators 2 and 3, is interposed between the quartz resonators 2 and 3 that are jointed and held on a base 11 in an internal space 14 sealed up airtight in a package 13. - 特許庁

絶縁性を有するフレキシブル基板上に、被検査回路を検査する検査回路と電気的に接続する配線部本体42a、および、配線部本体42aの表面の一部に凹凸状に形成した面積拡大部42bを備えた複数の配線部42を、互いに離間して配設する。例文帳に追加

On an insulative flexible substrate, the wiring part body 42a electrically connected to an inspection circuit for inspecting a circuit to be inspected and a plurality of wiring parts 42 containing an area enlarging part 42b formed in a patterned indented shape on one part of the surface of the wiring part body 42a are disposed with a distance. - 特許庁

素子分離絶縁膜４に取り囲まれた半導体層３領域には、ｐ型のチャネル領域６と、チャネル領域６に接続されたｐ型のボディ引き出し領域７と、ボディ引き出し領域７に接続されたｐ型の高濃度ボディコンタクト領域８とが形成されている。例文帳に追加

A p channel region 6, a p body lead electrode 7 connected to the channel region 6, and a p high-concentration body contact region 8 connected to the body lead region 7 are made in the region of a semiconductor layer 3 surrounded by an element isolating insulating film 4. - 特許庁

絶縁性基板（１）上に設けた白金電極（２）上に順次、酵素を主成分としてアルブミンと親水性高分子物質とで固定された酵素層（３）及び高粘性多糖類と高粘性糖アルコールとを主成分とする血球分離層（４）を積層してなる酵素電極。例文帳に追加

The enzyme electrode is formed, by sequentially laminating the enzyme layer (3) with an enzyme as main component fixed by albumin and a hydrophilic high-molecular substance and the corpuscle separating layer (4), with high-viscous polysaccharide and high viscosity alcohol as the main components on a platinum electrode (2) provided on an insulating substrate (1). - 特許庁

絶縁層と導体パターンとの間の密着性の向上を図ることができ、しかも、金属薄層における層間剥離を防止することのできる、配線回路形成用基板、それが用いられる配線回路基板、その金属薄層を形成するための金属薄層の形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a substrate for wiring circuit formation capable of improving the adhesiveness between an insulating layer and a conductive pattern and preventing delamination in metal thin layer, and to provide a wiring circuit substrate for which the substrate is employed and a method of forming a metal thin layer for forming the metal thin layer. - 特許庁

単結晶Ｓｉ基板１０１にゲート酸化膜１０２を介してゲート電極１０３が設けられ、ゲート電極１０３の両側部に側壁絶縁膜１０５が設けられ、素子分離領域としてＬＯＣＯＳ酸化膜１０４が設けられている。例文帳に追加

A gate electrode 103 is provided on a monocrystal Si substrate 101 through the intermediary of a gate oxide film 102, a side wall insulating film 105 is provided on each side of the gate electrode 103, and a LOCOS oxide film 104 is provided as an element isolating region. - 特許庁

ここで、前記誘電体層２２の外縁は、分割された電極膜２３ｂ、２３ｄ間の離間領域２３ｃの内縁の真下またはそれよりも外側に位置し、分割された電極膜２３ｂ、２３ｄは互いに高周波に対して絶縁されている。例文帳に追加

The outer edge of the dielectric layer 22 is located directly under the inner edge of a separation region 23c between the divided electrode films 23b and 23d or on the outside thereof, and the divided electrode films 23b and 23d are insulated from each other against a high frequency. - 特許庁

前記絶縁ハウジングの両側にはシールドボードから離れる方向に湾曲して延出したラッチを備え、該ラッチの末端部には外方へ突出された係止ブロックを備え、かつ該係止ブロックはシールドボードの側面に対して傾斜した末端面を有する。例文帳に追加

Both sides of the insulation housing have latches each bendingly extending to a direction leaving from the shield board, an end part of the latch has a lock block projecting outward, and the lock block has an end face inclined relatively to a side face of the shield board. - 特許庁

シリコン基板１上に形成された素子分離絶縁膜２の上に配線により誘導性受動素子を形成する際、シリコン基板として２ｋΩｃｍ以上でかつ４ｋΩｃｍ以下の比抵抗値、望ましくは３ｋΩｃｍの比抵抗値を有する基板を用いる。例文帳に追加

When the inductive passive element is formed of a wire on an element separating and insulating film 2 formed on a silicon substrate 1, a substrate which has a 2 to 4 kΩcm specific resistance value, preferably, a 3 kΩcm specific resistance value is used as the silicon substrate. - 特許庁

分離絶縁膜１４の下のＳＯＩ層１３にまで達する第１のコンタクト４５ａと、活性領域２１の上面まで達する第１のコンタクト４２ａとを、それぞれ異なるパターンのマスクを用いた別々のエッチング工程により形成する。例文帳に追加

A first contact 45a which reaches an SOI layer 13 below an isolation insulation film 14 and a first contact 42a which reaches the top face of the active region 21 are formed by separate etching processes which each use a mask of a different pattern. - 特許庁

従って，小サイズの転写紙を用いた場合に，中間転写ベルト５８の両端部分に上記分離針６２からの電圧が直接的に印加されても，その部分へのダメージが抑制されるため，中間転写ベルト５８の絶縁破壊による画像不良の発生を防止できる。例文帳に追加

Thus, since the damage of both end parts of the intermediate transfer belt is suppressed even when the voltage is directly applied to both end parts from the separation needle 62 in the case of using a small-sized transfer paper, the both end parts is suppressed from being damaged to prevent the occurrence of defective image caused by the dielectric breakdown of the intermediate transfer belt. - 特許庁

また、延在部分１９（素子分離領域１６内の第２の導電層１８）の表面を露出して、第２の導電層１８上に第２の絶縁膜２０を介して第３の導電層２１が形成され、延在部分１９にコンタクト２３が接続されている。例文帳に追加

Moreover, the surface of the extension part 19 (the second conductive layer 18 within the element isolation region 16) is exposed, and a third conductive layer 21 is made through a second insulating film 20 on the second conductive layer 18, and a contact 23 is connected to the extension part 19. - 特許庁

絶縁性のパネル枠体１０の両面に電気的に分離独立した一方と他方の電磁波シールド部材１１，１２を備え，各電磁波シールド部材１１，１２の周囲の端部をパネル枠体１０の全体にわたって且つ端面に沿って曲折して二重シールドパネル１を得る。例文帳に追加

One and the other electromagnetic wave shield members 11, 12 which are electrically isolated and independent are provided to both surfaces of an insulating panel frame body 10, and a double shield panel 1 is obtained by bending the end of a circumference of each of the electromagnetic wave shield members 11, 12 all over the entire of the panel frame body 10 along an edge face. - 特許庁

基板２１０と、基板２１０上に相互に離隔して設けられ、半導体物質の積層により形成される少なくとも二つの発光セル２４０と、発光セル２４０の間に順次に積層された反射層２２０及び透明絶縁層２３０と、発光セル２４０を覆う透明電極２５０と、を備える。例文帳に追加

The device is provided with a substrate 210; at least two light-emitting cells 240, each provided mutually spaced on the substrate 210 and formed by laminating a semiconductor material; a reflection layer 220 and a transparent insulating layer 230, successively laminated between the light-emitting cells 240; and a transparent electrode 250 for covering the light-emitting cells 240. - 特許庁

絶縁性基材１１の配線パターン部１２とは離間した位置にある貫通孔に充填された導電性ペースト１８にアライメント用貫通孔１９をあけ、このアライメント用貫通孔１９にアライメントピン１０１を通して多層配線用基材１０を積層させる。例文帳に追加

Substrates 10 for multilayered wiring are laminated upon another by passing alignment pins 101 through through holes 19 for alignment formed in conductive paste 18 packed in through holes formed through the insulating substrates 11 at positions separated from the wiring pattern sections 12 of the substrates 11. - 特許庁

寸法精度が高い配線回路を狭小なピッチであっても浮き上がりや剥離が生じないように可撓性絶縁基材に埋設した回路基板及びそのような回路基板を容易に製造することができる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a circuit board which is embedded in a flexible insulating substrate so that no floating or peeling may occur even if a wiring circuit is designed to be highly accurate in dimension at a narrow pitch, and to provide a method to easily manufacture such a circuit board. - 特許庁

こうして、第一の埋め込み素子分離絶縁膜２２のアスペクト比を下げ、トレンチ溝の側壁部分に対しても十分に拡散層を形成できるようにすることで、ソース線ＳＬとなる、連続したＮ^+ 型ソース領域１９の形成を可能とする構成となっている。例文帳に追加

In such a constitution, the aspect ratio of the first insulating film 22 is reduced to make feasible formation of a sufficiently diffused layer on the sidewall part of a trench for setting a source line SL so that a continuos N+type source region 19 may be formed. - 特許庁

電気信号を送信する１次側コイル２と電気信号を受信する２次側コイル３とを電気的に絶縁分離した状態で対向配置してなる磁気結合素子１において、十分な性能を確保したうえで、比較的簡単かつ安価に製造できる構造とする。例文帳に追加

To achieve structure for relatively easily and inexpensively manufacturing a magnetic coupling element 1, where a primary side coil 2 for transmitting an electric signal and a secondary side coil 3 for receiving an electric signal are electrically insulated/separated and are arranged opposingly by securing sufficient performance. - 特許庁

プラスチックフイルムの片面に、少なくとも、離型層、保護層、スズ又はインジウムから成る絶縁性金属薄膜層、少なくともメラミン系樹脂を含む耐腐食性樹脂紙層、及び接着層を順次全面に形成した転写フイルムによって達成できる。例文帳に追加

For this insulation transfer film, at least a mold release layer, a protective layer, an insulation metal thin film layer consisting of tin or indium, a corrosion-resistant resin paper layer containing at least a melamine based resin, and a bonding layer are formed on the total surface in order on one surface of a plastic film. - 特許庁

本発明の電気集じん機の接地電極板５２Ｂは、金属の平板であり、接地電極板を固定するために支持金具を通す支持穴１と、放電極板５２Ａを固定するための支持金具との間に絶縁距離を確保するための貫通穴２が設けられている。例文帳に追加

Earth electrode plates 52B of the electric precipitator are of a flat metal plate and are provided with a support hole 1 passing support metal tools for fixing ground electrode plates and a through-holes 2 for maintaining an insulation distance between the support hole 1 and a support metal tool for fixing discharging electrode plates 52A. - 特許庁

印刷古紙の脱墨パルプの製造の際の脱インキ工程において、結晶性層状珪酸塩の無水物の懸濁液を、好ましくは絶乾パルプ質量に対して０．１〜１．５質量％添加し、ｐＨ７．０〜９．９でインキを剥離する。例文帳に追加

The method for producing the deinked pulp of printed waste paper includes adding a suspension of an anhydrous crystalline laminar silicate preferably in an amount of 0.1 to 1.5 mass% based on the mass of absolutely dry pulp and peeling an ink at pH 7.0 to 9.9, in a deinking process. - 特許庁

配線層２１ａをめっき電極にして、開口部６１に電解めっきを行い検査電極７１を形成し、レジストパターン４１ｂ及びレジストパターン５１ｂを剥離処理して、絶縁基材１１上に配線層２１ａ及び検査電極７１を有する検査治具を得る。例文帳に追加

Using the wiring layer 21a as a plating electrode, the aperture 61 is subjected to an electrolytic plating to form an inspection electrode 71, and the resist pattern 41b and the resist pattern 51b are subjected to releasing treatment to obtain the inspection tool having the wiring layer 21a and the inspection electrode 71 on the insulating substrate 11. - 特許庁

ボール径が小さいので、ボールピッチも、チップ／絶縁層間距離も大幅に短縮でき、従来よりも進歩した高密度実装パッケージへの期待が可能である上、自己インダクタンスの大幅な低減もすることができる半導体パッケージを提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor package, in which the pitch of a ball and a distance between a chip and a insulating layer can be reduced significantly, because the diameter of ball is small, a high-density mounting package being advanced than a conventional package can be expected, and self-inductance can be also decreased significantly. - 特許庁

ゲートパッド電極領域内であって、金属電極が絶縁膜を介して載置される高不純物濃度のｐ型領域が、複数の分離表面領域からのイオン注入と熱拡散とにより表面で相互に連結した構造にされている半導体装置とする。例文帳に追加

In the semiconductor device, p-type regions on which a metal electrode is placed via an insulating film and which has high impurity concentration in a gate pad electrode region, are formed into a structure in which the regions are mutually connected on a surface by ion implantation and thermal diffusion from a plurality of isolated surface regions. - 特許庁

窒化アルミニウムなどの高熱伝導性セラミック基板を用いたヒーター、静電チャック、ヒーターカバープレートなどのシリコンウェハ支持部材において、高温における絶縁性などを改善するために表面層に設けるＹＡＧ層が剥離し脱落することを防止する。例文帳に追加

To prevent a YAG layer provided on a surface layer from being released or dropped to improve insulation properties at a high temperature in a silicon wafer support member such as a heater, an electrostatic chuck, a heater cover plate or the like using high heat transferable ceramic board such as an aluminum nitride or the like. - 特許庁