「離絶」に関連した英語例文の一覧と使い方(74ページ目) - Weblio英語例文検索

その電圧の印加により、くぼみ１０２内において、極性液体１１９の絶縁膜１１７に対する濡れ性が変化し、無極性液体１１８と極性液体１１９の界面の湾曲率が変化し、液体レンズ１０１の焦点距離が変化する。例文帳に追加

This voltage application changes the wettability of a polar liquid 119 to an insulating film 117 in a cavity 102, so that the curvature of an interface between a non-polar liquid 118 and the polar liquid 119 is changed; then, the focal length of the liquid lens 101 is varied. - 特許庁

銅箔等の金属箔からなる導電層１と、ポリエチレンテレフタレートフィルム等の熱可塑性樹脂フィルムからなる絶縁層２とを、電離放射線硬化性樹脂の接着剤層３で接着・積層して金属箔積層シート１０とする。例文帳に追加

The metal foil laminated sheet 10 is obtained by bonding and laminating a conductive layer 1 made of the metal foil such as a copper foil or the like and an insulating layer 2 made of the thermoplastic resin film such as a polyethylene terephthalate film or the like by an adhesive layer made of an ionizing radiation curable resin. - 特許庁

記憶保持部５０２が形成される記憶保持部基板領域と、各書き込み部５０１−１〜５０１−ｍが形成される少なくとも一つの書き込み部基板領域と、各読み出し部５０３−１〜５０３−ｎが形成される少なくとも一つの読み出し部基板領域とが、基板上で絶縁分離されている。例文帳に追加

A storage part substrate area on which the storage part 502 is formed, at least one writing part substrate area on which each of the writing parts 501-1 to 501-m is formed and at least one reading part substrate area on which each of the reading parts 503-1 to 503-n is formed are mutually insulated and separated on the substrate. - 特許庁

第１の導電材層及び反強磁性層の積層（又は第１の導電材層の単層）に絶縁膜からなるハードマスク４０ａ，４０ｂを選択マスクとする選択エッチング処理を施して分離溝４４を形成し、磁気トンネル接合部に対応したＴＭＲ素子Ｔａ〜Ｔｃを得る。例文帳に追加

Laminated layers formed of the first conductive material layer and the antiferromagnetic layer (or a single layer of the first conductive material layer) are selectively etched by using hard masks 40a, 40b constituted of insulating films as selecting masks, an isolating trenches 44 are formed, and TMR elements Ta-Tc corresponding to the magnetic tunnel junction part are obtained. - 特許庁

研磨速度を低下させることなく、研磨傷の発生が抑制された化学機械研磨用水系分散体及び当該水系分散体を用いて微細化素子分離工程における余分の絶縁膜の除去を行う化学機械研磨方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an aqueous dispersing element for chemical machinery polishing in which the generation of polishing damage is suppressed without decelerating a polishing speed, and to provide a method of chemical machinery polishing having a step of removing an excess insulating film in a miniaturized element separating step by using the aqueous dispersing element. - 特許庁

従って、端子２の位置が隣接する仕切り板６よりも内側に引っ込んで仕切り板６がガイドの役割し、かつ巻線３の引き出しが端子２の真上からとなり、隣あう端子２に近づけずに巻線３を引き出せるため、絶縁距離を確実に確保できる。例文帳に追加

Therefore, the insulation distance can surely be ensured by allocating the terminal 2 at the internal side of the adjacent partitioning plate 6, to cause the partitioning plate 6 to play the role of a guide, guiding the coil 3 from directly above the terminal 2, and then also guiding the coil 3 without allocating it in the neighborhood of the adjacent terminal 2. - 特許庁

ＳＯＩ基板等の半導体基板に形成する素子間分離用のトレンチの傾斜角度を８８度、あるいは８９度に形成し、かつ減圧ＣＶＤ法によりＮＳＧまたはＨＴＯとＮＳＧとが積層された絶縁材料を成長してトレンチ内に埋設する。例文帳に追加

The angle of inclination of an element isolation trench provided to a semiconductor substrate such as an SOI substrate or the like is set at an angle of 88 degrees or 89 degrees, and an insulating material where NSG(non- doped silicate glass) or HTO(high-temperature oxide film) and NSG are laminated is grown and buried in the trench. - 特許庁

剥離帯電測定装置１００は、導電板３と、絶縁スペーサ４，５と、接地線６と、微小電流計７と、記録計８と、積分回路９と、表面電位計１０と、プローブ１１と、２軸ステージ１２，１４と、把持チャック１３と、制御回路１５と、レール１６とを備える。例文帳に追加

This separation charge measuring instrument 100 is provided with a conductive plate 3, insulating spacers 4, 5, a grounding conductor 6, a micro-ammeter 7, a recorder 8, an integration circuit 9, a surface potentiometer 10, a probe 11, biaxial stages 12, 14, a grasping chuck 13, a control circuit 15, and a rail 16. - 特許庁

そして前記金属製支持板には前記駆動回路の電流が流れる導体部(110)が形成されており、該導体部の一部または全体が、切欠き(112)によって、金属製支持板の該導体部が形成された以外の部分と電気的に絶縁もしくは分離されている。例文帳に追加

Then a conductor part (110) where currents of the drive circuits flow is formed on the metallic support plate, and a portion or the whole of the conductor part is electrically insulated or separated by a cut (112) from other parts of the metallic support plate where the conductor part is formed. - 特許庁

簡単な構成により高圧回路との接離動作を確実且つスムーズに行うことが可能であり、組立構造を軽減させ、誤操作及び誤動作を防止すると共に、確実な気密を保持を図って、信頼性・安全性を向上させたガス絶縁計器用変圧器を提供する。例文帳に追加

To provide a transformer for a gas insulation measuring instrument in which an approaching and separating action with a high voltage circuit can be executed steadily and smoothly, using a simple configuration, and malfunctions and misoperations can be prevented, while simplifying the assembling structure, and moreover, reliability and safety are improved by maintaining a fixed airtightness. - 特許庁

ホーン３８のアンビル３９と対向する対向面に、絶縁フィルムの搬送経路Ｐ上流側に位置して溶着用ホーン部４１を備えると共に、該溶着用ホーン部４１と搬送経路Ｐ下流側に離隔してカット用ホーン部４２を備える。例文帳に追加

On the surface of a horn 38, which is facing an anvil 39, a fusing horn section 41 is attached at the upstream side of a carrying path P of an insulated film and a separated horn section 42 for cutting is constructed at the downstream side of the carrying path P. - 特許庁

レイアウトルールの最小線幅で加工され、短距離引き回し配線である第２層配線Ｍ_2 および第３層配線Ｍ_3 では、隣接配線間の絶縁に比誘電率が約３. ０以下の有機ＳＯＧ膜６，１３を用いることによって、隣接配線間の層間容量を小さくする。例文帳に追加

Organic SOG films 6 and 13 of specific permittivity 3.0 or below are used for insulating the adjacent wirings from each other in a second wiring layer M2 and a third wiring layer M3 which are set minimum in line width and laid out short in length resting on a layout rule, by which the adjacent wiring layers can be lessened in interlayer capacitance between them. - 特許庁

そして、Ｎ型シリコン基板上における左側のＰゲート拡散領域２３と右側のＰゲート拡散領域２３'との間であって、ＣＨ1とＣＨ2との間に、リンがドープされた酸素ドープ半絶縁多結晶シリコン膜３５aでなるチャネル分離領域２９が形成されている。例文帳に追加

Between a p-gate diffusion region 23 on the left side and a p-gate diffusion region 23' on the right side on an n-type silicon substrate, and in between the CH1 and the CH2, a channel isolation region 29 is formed of an oxygen doped semi-insulating polycrystalline silicon film 35a doped with phosphorus. - 特許庁

画像処理装置１０の領域分離処理部１４は、入力階調補正部１３から与えられた画像データから注目画素を含む７×７の大きさの領域を抽出し、０°、９０°、４５°及び１３５°の４つの方向について、隣接する画素間での濃度の差の絶対値の総和を算出する。例文帳に追加

An area separation processing section 14 of an image processing unit 10 extracts an area in the size of 7×7 including a target pixel from image data given from an input gradation correction section 13 and calculates a total sum of absolute values of differences of density between adjacent pixels in four directions of 0°, 90°, 45° and 135°. - 特許庁

フッ酸とリン酸両方に対してエッチング耐性があり、フッ酸やリン酸の処理による素子分離絶縁膜の後退を防止することができる半導体装置及びその製造方法と、それに用いる酸窒化シリコン膜の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the same ensuring etching resistance for both hydrofluoric acid and phosphoric acid, and preventing withdrawal of an element isolating and insulating film due to the processes by hydrofluoric acid and phosphoric acid, and to provide a method for forming an oxynitrided silicon film used for the same device and method. - 特許庁

一定の距離を設けて電気的に絶縁状態にある検知端子部材５１、５２を備え、検知端子部材５１、５２が電位差を有し、かつ撮像装置の外装に配置された検知端子部５と、検知端子部５の出力と閾値電位を比較する比較部６とを備える。例文帳に追加

The imaging apparatus includes: a detection terminal part 5 including detection terminal members 51 and 52 which are electrically insulated at a certain distance from each other, have a potential difference and are arranged on the outer case of the imaging apparatus; and a comparison part 6 comparing threshold potential with output from the detection terminal part 5. - 特許庁

これら、可動電極５と絶縁基板２０は、シリコン接触部１４および凸部１３を介して接触し、シリコン接触部１４と凸部１３とは、それらが接触する点における法線の向きと点における離れる力の向きとが異なる。例文帳に追加

The movable electrode 5 and an insulation substrate 20 come into contact via the silicon contact parts 14 and the protrusions 13, and the silicon contact parts 14 and the protrusions 13 have different-directional normal lines and different-directional separating forces at the part where the both come into contact. - 特許庁

大形のケースを用いることなく、かつ温度センサとパワー素子との間の絶縁距離が不足する状態を生じさせることなく、温度センサをケースに取りつけることができるようにしたインバータ発電機用電気回路ユニットを提供する。例文帳に追加

To provide an electrical circuit unit for an inverter generator that allows a temperature sensor to be mounted to a case without using a large-sized case and without generating a state in which an insulating distance between the temperature sensor and a power element becomes insufficient. - 特許庁

また、ランド部１３は、絶縁性基材１１の一面１１ａ上において、間隙１６を介して互いに分離された複数の部分１３ａ，１３ｂを有し、これら複数の部分１３ａ，１３ｂが接合材１７を介して同一の電極部３に接続されている。例文帳に追加

Also, the land portion 13 includes a plurality of parts 13a, 13b separated each other across a space 16 on the one surface 11a of the insulating base material 11, and the plurality of parts 13a, 13b are connected to the same electrode portion 3 via the junction material 17. - 特許庁

車両用交流発電機の電圧制御装置８内の電源回路１０は逆流防止ダイオ−ド９を通じてバッテリ４から給電され、更に、この逆流防止ダイオ−ド９は電源回路とともに絶縁物分離集積回路素子に集積される。例文帳に追加

Power is supplied to a power supply circuit 10 in a voltage controller 8 of a vehicle alternator from a battery 4 through a reverse current preventing diode 9, and further, the reverse current preventive diode 9 is integrated in an insulation-isolated integrated circuit device, together with the power supply circuit. - 特許庁

使用状況表示機は、電源が“ＯＮ”の間は、一定の間隔で画像形成装置に対して絶えず省エネモードに移行しているかどうかの問い合わせをする（Ｓ１０）ため、リアルタイムで画像形成装置が省エネモードに移行しているかどうかを離れた場所から知ることができる。例文帳に追加

The inquiry whether the mode is shifted to the energy saving mode is always given by the using situation display machine to the image forming device at constant intervals as long as the power source is turned on (S10), then, whether the mode is shifted to the energy saving mode in the image forming device is confirmed from the remote position in real time. - 特許庁

リード線に対して外力が印加された場合においても、検出素子の電極端子部が剥離し難く、リード線の抜け落ちが生じ難く、各電流経路の絶縁性を維持できる金属端子部材、および金属端子部材を備えるセンサを提供する。例文帳に追加

To provide a metal terminal member in which electrode terminal parts of a detecting element hardly exfoliate and a lead wire hardly comes off even in the case that an external force is impressed on the lead wire and which is capable of maintaining the insulating property of each current path and to provide a sensor provided with the same. - 特許庁

複数のワード線５のうち、複数の第１の注入拡散層７ａに最も近いワード線５ｘの上面上から拡散ビット線２の第１の注入拡散層７ａ側の端部上及び素子分離領域８上に至る領域に絶縁膜１１が設けられている。例文帳に追加

An insulating film 11 is provided in a region from the top face of a word line 5x which is the closest to a plurality of the first injection diffusion layers 7a among a plurality of the word lines 5 to the end of the first injection diffusion layer 7a side of the diffusion bit line 2 and the element isolation region 8. - 特許庁

２次巻線１０を多数のブロック巻線部１２ａ〜１２ｎに分割し、かつ層間絶縁距離を隔てて対向する電線間の１巻当たりの電圧を小さくすることで、巻線に蓄積する静電エネルギーを小さくすることにより、２次巻線全体の巻線容量を低減化する。例文帳に追加

The whole winding capacity of a secondary winding 10 is reduced by reducing the electrostatic energy stored in the winding 10 by dividing the winding 10 into many block winding sections 12a-12n, and making lower the voltage per one round across electric wires faced oppositely to each other through an interlayer insulating distance. - 特許庁

有機ＴＦＴ１０は、基板１２の上に、順次、ゲート電極１６、ゲート絶縁膜１８および有機半導体２０を有し、さらに、有機半導体２０の上に対向、離間してソース電極２２およびドレイン電極２４を有する。例文帳に追加

The organic TFT 10 is provided with a gate electrode 16, a gate insulation film 18, and an organic semiconductor 20 that are formed in sequence on a substrate 12, and it is also provided with a source electrode 22 and a drain electrode 24 that are apart from and opposite to each other on the organic semiconductor 20. - 特許庁

低耐圧なｎＭＯＳに、素子分離絶縁膜よりも深くまで形成されたレトログレードウェル３が備えられている場合に、チャネル領域１２よりも深く、かつレトログレードウェル３よりも浅くに、レトログレードウェル３と同じ導電型で構成されたパンチスルーストップ層１０を備える。例文帳に追加

When the retrograde well 3 is formed in an nMOS with a low dielectric strength deeper than an element separation insulating film, this semiconductor device has a punch-through top layer which is formed deeper than a channel region 12 and shallower than the retrograde well 3 into the same conduction type with the retrogade well 3. - 特許庁

連続的な移動が容易に出来ること、絶対位置を指示することと移動（相対距離）を指示することが両立されること、速度の変化の巾が大きく、しかも容易であること、そして往復運動の入力を容易にすることのできる入力装置（ポインティングデバイス）を提供する。例文帳に追加

To provide an input device (pointing device) that can continuously be moved with ease and also indicate both an absolute position and movement (relative position), has a wide width of a variation in speed, and is easy and capable of easily inputting reciprocal movement. - 特許庁

２つのビーム１１ｂ，１１ｃが互いに近づいたり離れたりする二次元的な弾性変形が可能にされた平板状のコンタクト１１を、絶縁ハウジング１０のコンタクト支持部１０ａに揺動できるように保持してフローティング構造とする。例文帳に追加

A tabular contact 11, in which two-dimensional elastic deformation is possible with which two beams 11b, 11c mutually approach or separate, is held swingingly by a contact support part 10a of an insulating housing 10 to form a floating structure. - 特許庁

高温における寸法安定性に優れた高品質の複合フィルムを提供することにあり、特に回路材料製造工程の工程離型材料や電気絶縁材料、建築物の床材、成形用、磁気記録媒体用および印刷部材などに好適である複合フィルムを提供することにある。例文帳に追加

To provide a highly qualified composite film which shows excellent dimensional stability at a high temperature, and is suitable particularly for a process mold releasing material and an electrical insulation material in a circuit material manufacturing process, a flooring material for a building, a molding, a magnetic recording medium, a print material and the like. - 特許庁

絶縁層に形成した貫通孔の底部から露出する導電層に接続されて貫通孔に充填された導電性物質を有する配線基板において、導電層と導電層性物質が剥離を生じない配線基板を提供する。例文帳に追加

To provide a wiring board, where a conductive layer is hardly separated from a conductive layer material, with the wiring board provided with a conductive material filled into a through-hole bored in an insulating film and connected to the conductive layer that is exposed out of the base of the through- hole. - 特許庁

なお、浮遊ゲート１２、絶縁膜１３、制御ゲート１４及びゲート上酸化膜１５の総膜厚１６が、後のＳＡＳエッチングにより除去する素子分離酸化膜の厚さよりも厚くなるように、ゲート上酸化膜１５の膜厚を設定する。例文帳に追加

Besides, the thickness of the on-gate oxide film 15 is set up so that the whole film thickness of the floating gate 12, the insulating film 13, the control gate 14 and the on-gate oxide film 15 may exceed the thickness of an element separating oxide film to be removed by later SAS etching step. - 特許庁

汚防性、非粘着性、離型性、滑り性、耐磨耗性、耐蝕性、電気絶縁性、反射防止特性、難燃性、帯電防止特性、耐薬品性、耐候性などに優れ、さらに両親媒性、クリーニング性も有する、皮膜などとして有用な新たな重合体を提供する。例文帳に追加

To provide a new polymer useful for a film etc. excellent in antifouling properties, non-adhesive performance, mold release characteristics, slip performance, abrasion resistance, corrosion resistance, electric insulation properties, antireflection performance, flame retardancy, antistatic properties, chemical resistance and weather resistance etc., and also having amphipatic properties and cleaning characteristics. - 特許庁

製造方法については、仮基体を利用して各配線層及び絶縁層の形成、配線層と搭載部品５，６との接続、並びにモールド樹脂９の形成を行い、モールド樹脂形成後は、仮基体を剥離するという構成にする。例文帳に追加

The manufacturing method comprises a step of forming the respective wiring layers and the insulating layers by using a temporary base, a step of connecting the wiring layers and the mounting components 5, 6, a step of forming the molding resin 9, and a step of peeling off the temporary base after forming the molding resin. - 特許庁

内臓された分圧用抵抗器の、ネック部内壁側の絶縁被膜面上であって、分圧抵抗器の中間電圧端子と放電抑制金属線との間で、この金属線から少なくとも１ｍｍ以上離間した位置に１ｍｍ以上の幅の金属薄膜を設ける。例文帳に追加

In a built-in voltage dividing resistor, a metallic thin film having width not less than 1 mm is placed on the dielectric tapetum face of inner wall side of the neck part, between the middle voltage terminal of the voltage dividing resistor and the discharge control metallic line, and in at least not less than 1 mm from the metallic line. - 特許庁

基板１０から突出した第１絶縁壁１７が、高圧端子Ｔ＋と高圧端子Ｔ−との間に挟まれ、かつ、高圧端子Ｔ＋及び高圧端子Ｔ−の突出部よりもコネクタハウジング１１から離れた側に突出するように、設けられている。例文帳に追加

First insulating walls 17 each protruding from a substrate 10 are provided so as to be sandwiched between a high-voltage terminal T+ and a high voltage terminal T- and protrude to a side spaced from a connector housing 11 rather than the protruding portions of the high-voltage terminals T+ and T-. - 特許庁

積層数を増大させた場合であっても、基板の反りが生じ難く、コイル導体や層間絶縁層の剥離や基板の割れが生じ難く、生産工程を簡略化することができ、かつ製造コストを低減し得るチップインダクタを提供する。例文帳に追加

To provide a chip inductor, where a board is hardly warped, a coil conductor and interlayer insulating layers are hardly separated, cracking hardly occurs in the board, a production process can be simplified, and a manufacturing cost can be reduced even if the laminated layers are increased in number. - 特許庁

非磁性絶縁層３をエッチングしてトレンチ３３を設け、ここに磁性層３５を形成することで主磁極２１を形成するにあたり、下地層となる磁気分離層４と発光特性が異なるような終点検出層３１を、主磁極２１の微細なパターンに対応する位置に設ける。例文帳に追加

When a main magnetic pole 21 is formed by etching a non-magnetic insulating layer 3 to form a trench 33 and forming a magnetic layer 35 in the trench, an endpoint detecting layer 31 having light emitting characteristics different from those of a magnetic separation layer 4 as an underlayer is provided in a position corresponding to the fine pattern of the main magnetic pole 21. - 特許庁

メモリセルと周辺トランジスタが積層ゲート構造を持つ不揮発性半導体メモリにおいて、浮遊ゲート層をパターンニングする際に素子分離用絶縁膜の側面での浮遊ゲート層のエッチング残りを抑え、ゲート同士のショートを防ぐ。例文帳に追加

To restrain an un-etched part from being left on a floating gate layer at the side of an element isolation insulating film when the floating gate layer is patterned so as to prevent a short circuit from occurring between gates, in a nonvolatile semiconductor memory equipped with memory cells and peripheral transistors having a laminated gate structure. - 特許庁

下面が第１半導体領域の上面と接し側面が第２半導体領域の側面と接するように、導電体との距離が絶縁膜の膜厚以上であるように、基板の表面を含むように基板に第１導電型の第３半導体領域を設ける。例文帳に追加

A first conductive type of a third semiconductor region, such that a back plane contacts to an upper plane of the first semiconductor field and a side plane contacts to a side plane of the second semiconductor field, and such that a distance from the conductor is larger than a film thickness of the insulating film on the substrate including the surface of the substrate. - 特許庁

モジュール基板と押え部材の接触部に配線パターン２６が近付くように発光モジュールが最大に移動された状態で、接触部と配線パターン２６との間に所定の絶縁距離Ｆが確保されるようにモジュール基板及び凹部の大きさを規定する。例文帳に追加

Sizes of the module substrate and the recess part are determined so that a predetermined insulating distance F between a contact part and the wiring pattern 26 can be ensured in a state where the light emitting module is moved to the maximum so that the wiring pattern 26 closes to the contact part that the module substrate comes into contact with the holding member. - 特許庁

フラットケーブル端末部において隣接する各導体２１ａ〜２１ｈの間に切り込み２２ａ〜２２ｇをいれて分離した後、接続するコネクタ端子の間隔に整合する位置２５ａ〜２５ｈで横方向に折り曲げて、絶縁フィルム１４で固定する。例文帳に追加

After separation by having notches 22a to 22g between respective neighboring conductors 21a to 21h in the flat cable terminal part, the conductors are bent in the lateral direction at positions 25a to 25h collated with spacings of the connector terminals to be connected, and fixed by an insulating film 14. - 特許庁

絶縁部１１の一面１１ａには、第一導電部１２に直接接しないように、第一導電部１２に対して離間して形成された第二導電部１３と、第一導電部１２および第二導電部１３を電気的に接続する第三導電部１４とが形成されている。例文帳に追加

On the one-side surface 11a of the insulation part 11, a second conductive part 13 formed separately from the first conductive parts 12 so as not to directly contact the first conductive parts 12, and third conductive parts 14 electrically connecting the first conductive parts 12 to the second conductive part 13 are formed. - 特許庁

Ｐ^＋ソース層１１は、素子分離領域とＰ^＋ソース層９の間にＰ^＋ソース層９と接するように、Ｐ^＋ソース層９の両側に設けられ、端部がゲート絶縁膜とオーバーラップするように素子形成領域２０の中央端部に設けられる。例文帳に追加

The P^+ source layer 11 is provided on both sides of the P^+ source layer 9 so as to come into contact with the P^+ source layer 9 between the element isolation region and the P^+ source layer 9, and the end part is provided at the center end part of the element formation region 20 so as to overlap the gate insulating film. - 特許庁

電荷結合素子１５０は、絶縁層６０によって、第２導電型のウェル１７０または基板１８０内の第１導電型の埋込みチャンネル１６０から分離された３相以上の相から成るゲート（Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４）と、電荷結合素子１５０から電荷を転送させるクロックドライバとを備える。例文帳に追加

The charge coupled device 150 is provided with gates (V1, V2, V3, V4), consisting of 3 phases and more separated from a second conductivity type of well 170 or a first conductivity type of buried channel 160 in a substrate 180 by an insulating layer 60, and a clock driver to transfer a charge through the charge coupled device 150. - 特許庁

各偏平導体列２３ａ〜２３ｃには、それぞれ例えば３個ずつのＬＥＤ２７を取り付けるために、正極導体２１、負極導体２２には表面側の絶縁層１３が剥離され、正極導体２１、負極導体２２が部分的に露出された一対の接続部２４ａ、２４ｂが形成されている。例文帳に追加

In order to mount, for instance, three pieces each of LEDs 27 on each flat conductor row 23a to 23c, an insulation layer 13 on the surface side of the cathode conductor 21 and the anode conductor 22 is peeled off, and a pair of connecting parts 24a, 24b with the cathode conductor 21 and the anode conductor 22 partially exposed are formed. - 特許庁