「離絶」に関連した英語例文の一覧と使い方(78ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体基板１１の主表面上に形成された絶縁膜１２を介して形成されたパッド電極１を、ボンディングワイヤ２を接合する領域である平坦部２１と、性能測定の際のプローブ針の接地領域である窪み１６とに分離して形成する。例文帳に追加

A pad electrode 1 is formed on the principal plane of a semiconductor substrate 11 through an insulating film 12 so as to separately have a flat portion 21, a region for bonding a bonding wire 2, and a recessed portion 16 serving as a region for grounding a probe needle in measuring performances. - 特許庁

これによってバルクシリコンプロセスに使用した際には、ボディータイ用拡散層であった拡散層は、ＳＯＩデバイス上では絶縁酸化膜によりトランジスタ素子や基板と完全に分離されるため拡散抵抗として使用できるようになる。例文帳に追加

With it, when used in the bulk silicon process, the diffusion layer as the diffusion layer for body tie can be used as a diffusion resistance, because an insulating oxide film causes the diffusion layer to be isolated completely from a transistor element or a substrate on an SOI device. - 特許庁

埋め込みゲート絶縁膜界面に高濃度に不純物を再分布させ、ダブルゲートの位置合わせを自己整合的に行うと同時に、埋め込みゲート電極を各々電気的に完全に分離した高性能な超微細ダブルゲート型ＳＯＩＭＯＳ及びその製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a high performance, deep submicron double gate type SOIMOS, and its fabricating method, in which impurities are redistributed heavily on a buried gate insulation film interface, double gates are self-aligned and, at the same time, buried gate electrodes are electrically isolated completely from each other. - 特許庁

作業者が、何らかの原因で押圧操作中の復帰型押しボタンＳＷ２９から手を離してしまうと、それによって空気停止制御弁４７からＡＮＤ弁７５の他方の入口に対して送出されていた高圧の一次空気の供給が途絶える。例文帳に追加

When the worker leaves the hand from a returning type push button SW29 during pressing operation by any cause, feeding of primary air of high pressure fed out from an air stop control valve 47 to the other entrance of an AND valve 75 is stopped. - 特許庁

そして、コンタクト孔２５ａ内に露出する第１の側壁絶縁膜を剥離した状態で、第２の層間膜３５をマスクに、ＣＢハロー・Ｉ／Ｉにより、拡散層２３ａの拡散を防止するためのｐ導電型の拡散防止層３１を形成する構成となっている。例文帳に追加

Then, a p-type conductive diffusion preventing layer 31 for preventing the diffusion of a diffusion layer 23a is configured to be formed by CB Halo Ion Implantation process using the second interlayer film 35 as a mask while a first side wall insulation film exposed within the contact hole 25a is separated. - 特許庁

モータに電力を供給するインバータでは、インバータとモータ間の距離が長くなると、このケーブルのインダクタンスや容量のためにインバータの出力電圧が振動し、モータに過大な電圧が印加されて絶縁破壊が発生し、また放射電磁波が大きくなるという課題を解決する。例文帳に追加

To solve the problems that the output voltage of an inverter oscillates due to the inductance and capacitor of the cable, an excess voltage is applied to a motor, dielectric breakdown occurs, and radiation electromagnetic waves become large when a distance between the inverter and the motor is made long in the inverter for supplying power to the motor. - 特許庁

長時間過電流を流し続けても発熱状態を保持することができ、長時間高温雰囲気下に置いても、高分子マトリクスと電極体とが剥離せず、破壊又は劣化することなく安定した絶縁状態を保持できる過電流保護素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an overcurrent protecting element and its manufacturing method for keeping the generation of heat even if an overcurrent continues for a long time and holding an insulating state stably without causing damage or deterioration, while a high molecular macromolecule matrix and an electrode are not exfoliated even if it is left in a high temperature atmosphere for a long time. - 特許庁

電気的表示材料は、２つの対向する外面を有し、外面の少なくとも１つが、間に介在した絶縁性材料の領域を有する導電性材料を備える、複数の離間した電荷保持アイランドによって少なくとも部分的に覆われている。例文帳に追加

The electric display material has two opposing outer surfaces, wherein at least one of the outer surfaces is at least partially covered in a plurality of spaced charge-retaining islands consists of a conductive material with areas of the insulating material interposed therebetween. - 特許庁

そして、導体パターン５５を形成した転写シート６１を絶縁基材５１上へ貼り合わせた後、金属ベース材６２を被溶解金属層６４から分離する工程と、被溶解金属層６４を導体パターン５５に対して選択的に溶解除去する工程とを経て、転写シート６１を除去する。例文帳に追加

Then the transfer sheet 61 is removed through a process of separating the metal base material 62 from the dissolved metal layer 64 after sticking the transfer sheet 61 on which the conductor pattern 55 is laminated on a insulating base material 51 and a process of selectively dissolving the dissolved metal layer 64 away from the conductor pattern 55. - 特許庁

駆動基板５０には、半導体基板１の表面に互いに離間して設けられたドレインＤ１及びソースＳ１とこれらの間の領域に順次積層されたゲート絶縁膜４及びゲートＧ１とを有するスイッチング素子Ｔｒ１が形成されている。例文帳に追加

In the driving substrate 50, a switching element Tr1 is formed which includes a drain D1 and a source S1 provided apart from each other on a surface of a semiconductor substrate, and a gate insulating film 4 and a gate G1 laminated in order in a region between the drain and the source. - 特許庁

そして、Ｎ型シリコン基板上における左側のＰゲート拡散領域２３と右側のＰゲート拡散領域２３'との間であって、ＣＨ1とＣＨ2との間に、リンがドープされた酸素ドープ半絶縁多結晶シリコン膜３５aでなるチャネル分離領域２９が形成されている。例文帳に追加

A channel separation area 29 composed of an oxygen dope semi-insulating multicrystal silicon film 35a wherein phosphorous is doped, is formed between a left-side p gate diffusion area 23 and a right-side p gate diffusion area 23' on an n-type silicon substrate, and between the CH1 and the CH2. - 特許庁

対向絶縁層２２に第１の金属層３１ａが形成され、機能層のシリコンウエハから分離された枠体部１４に第２の金属層３２ａが形成され、第１の金属層３１ａと第２の金属層３２ａとが共晶接合または拡散接合で結合されている。例文帳に追加

A first metal layer 31a is formed on a counter insulation layer 22, a second metal layer 32a is formed on the frame body part 14 separated from the silicon wafer of a functional layer and the first metal layer 31a is bonded to the second metal layer 32a by eutectic bonding or diffusion bonding. - 特許庁

優れた高周波電気特性と耐熱性能を損なうことなく端末加工性の改善を図り、端末加工の際に中心導体に損傷を与えることなく、多孔質ＰＴＦＥ絶縁層を輪切り状に確実に剥離することのできる細径同軸ケーブル及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a small-diameter coaxial cable and its manufacturing method, realizing improvement of terminal machinability without damaging excellent high-frequency electrical characteristics and heat-resisting performance, and enabling a porous PTFE insulating layer to be surely peeled off in a ringed manner without damaging a center conductor at the time of machining a terminal. - 特許庁

絶縁性セラミックスと導電性セラミックスとの間の熱膨張率差が極めて小さく、この熱膨張差によるミスマッチが生じる虞がなく、破損やクラックや剥離や破壊等の不具合が生じる虞がないセラミック部材を提供する。例文帳に追加

To provide a ceramic member in which the difference between the coefficient of thermal expansion of an insulating ceramic and the coefficient of thermal expansion of a conductive ceramic is very small, and a mismatch by the thermal expansion difference and failures including breakage, cracking, peeling, and destruction can hardly occur. - 特許庁

固有情報を内燃機関用点火コイルの外部からリーダによって非接触にて読み取り可能としたＩＣタグ１０を、イグナイタ１を構成する一チップ４に集積した回路素子３の、ガラスなどの絶縁体層５により電気的に分離された区画に併設した。例文帳に追加

An IC tag 10 capable of reading unique information in a non-contact manner by a reader from outside of the ignition coil for internal combustion engine is attached in a section of a circuit element 3 integrated on one chip 4 composing the ignitor 1 that is electrically separated by an insulating layer 5 such as glass. - 特許庁

金属板で構成した抵抗体１１と、この抵抗体１１の下面に互いに離間するように設けられた一対の電極１２とを備え、前記抵抗体１１の端面および前記一対の電極１２の端面に絶縁層１３を形成したものである。例文帳に追加

The resistor is provided with a resistor body 11 made of a metal plate; and a pair of electrodes 12 provided on the bottom surface of the resistor body 11 so as to be separated from each other, wherein an insulation layer 13 is formed on the end surface of the resistor body 11 and the end surface of the pair of electrodes 12. - 特許庁

ＣＰＵ２は実変化量Δθｎの絶対値｜Δθｎ｜が基準変化量Δθｋより小さくなったとき、ブレーキ操作が落ち着いた操作状態になったとして、車両Ｃの停止位置と制動距離を支援用ディスプレイ６に表示する。例文帳に追加

When an absolute value |Δθn| of the actual change quantity Δθn is smaller than reference change quantity Δθk, the CPU 2 displays the stop position and braking distance of a vehicle C at a display 6 for support by considering that a brake operation is put in a clam operating status. - 特許庁

高い精度を要求せずに製作でき、ブスバ配線時等、電極に上向きの応力がかかるおそれのある場合においても、絶縁基板と電極との接面の亀裂または剥離を防止可能とする電力用半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a power semiconductor device that can be manufactured without requiring any high accuracy and can prevent the cracking or peeling of the connecting surfaces of an insulating substrate and an electrode with each other, even when there is a possibility of an upward stress being applied to the electrode at the time of performing bus bar wiring etc. - 特許庁

キャリアが正孔の場合は、前記底部絶縁膜はその価電子帯頂面に関して該中間膜に接する側を該第１の半導体領域に接する側よりエネルギーの高い電子構造とすることにより、前記離散化したキャリア捕獲サイトからの正孔の放出を容易とする。例文帳に追加

When the carrier is a positive hole, an electronic structure is provided in which regarding a valence band top, the bottom insulating film has one side making contact with the intermediate film with higher energy than the other side making contact with the first semiconductor area, so that the positive hole is readily released from the discrete carrier trap site. - 特許庁

これにより、従来のオメガエネルギーフィルタやアルファエネルギーフィルタに比べて、ピームパスを長くし偏向角の絶対値の合計を大きくすると共に、入射窓面Ｉから出射スリット面Ｓまでの距離Ｄを短くし、コンパクトな形状を実現できる。例文帳に追加

Thereby the beam path can be made longer and the total of the absolute valve of deflecting angles can be made greater than a conventional omega energy filter or alpha energy filter, and the distance D from the incident aperture I to the emission slit plane S can be shortenerd to allow accomplishment of a compact configuration. - 特許庁

信号接続用電極はインダクティブ接続の場合、動作に必要な出力に応じた間隔以内になるよう距離を設定し、キャパシティブ接続の場合は静電容量が所定の値となるよう所定の誘電率の絶縁材料を所定の厚さだけ介在させる。例文帳に追加

A distance is set within an interval corresponding to an output required for an operation in the case of the inductive connection in the electrode for the signal connection, and an insulating material having a specified dielectric constant is interposed by a specified thickness so that an electrostatic capacity reaches a fixed value in the case of the capacitive connection. - 特許庁

また、漏出した塗料や溶剤を積極的にガン本体１０外へ排出するようにしたので、高電圧電流のリーク防止手段としてニードル２２及びガイド孔２３を長くして絶縁距離を稼ぐ必要がなく、ガン全体として小型化を図ることができる。例文帳に追加

Also, since the leaked coating material and solvent are positively discharged out of the gun body 10, these is not need to prolong a needle 22 and a guide hole 23 as leakage prevention means to get a long insulation distance and the gun as a whole can be miniaturized. - 特許庁

半導体チップを配線基板にフリップチップ実装する場合、半導体チップ内に低誘電率絶縁膜を使用してもフリップチップ接続時にバンプ電極下の界面で破壊や剥離を発生することのない半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which a damage or separation never occurs on an interface below bump electrodes at the time of flip-chip bonding even if a low dielectric constant insulating film is used in a semiconductor chip, when the semiconductor chip is flip-chip-mounted on a wiring substrate, and to provide a manufacturing method thereof. - 特許庁

電位差を生ずる複数の電極を固定支持する絶縁支持部材における当該電極間の沿面距離を大きくすると共に、三重接点近傍での電界強度を弱めることによって、耐電圧特性を改善した陰極線管用電子銃及び陰極線管を提供する。例文帳に追加

To provide an electron gun for a cathode-ray tube that has improved in the voltage resistance property by making longer the surface distance between the electrodes in the insulating support member that fixes and supports a plurality of electrodes making potential difference and by weakening the electric field strength in the vicinity of triple contact point, and a cathode ray-tube. - 特許庁

映像信号に描画データを多重化し、記録および再生する描画多重化装置において、電源が途絶えた後にも描画を保持する機能や、映像信号と描画データを記録媒体上に分離して記録する機能をもたせる。例文帳に追加

To maintain a function of storing a drawn image and a function of recording a video signal and drawn image data separately on a recoding medium even on the occurrence of a power failure for the drawn image multiplexer that multiplexes drawn image data on the video signal and records/ reproduces the multiplexed data. - 特許庁

ＳｉＯＦ膜を含む層間絶縁膜にダマシン法で埋め込み配線を形成する半導体集積回路装置において、埋め込み配線用の配線溝を形成する際に用いるエッチングストッパ層とＳｉＯＦ膜との界面剥離を防止する。例文帳に追加

To prevent interfacial delamination between an etching stopper layer and an SiOF film which are used when a wiring trench for buried wiring is formed, in a semiconductor integrated circuit device where the buried wiring is formed in an interlayer dielectric containing the SiOF film by a damascene process. - 特許庁

外科用装置は、シャフトに結合し電気的に絶縁された第１および第２電極を有する細長いシャフトを備え、第２電極の露出部分が細長いシャフトの周囲の一部のみに設けられ、第１電極から基端方向に離れた部分を備える。例文帳に追加

This surgical device includes an elongated shaft having first and second electrically isolated electrodes coupled to the shaft such that an exposed portion of the second electrode is disposed around only part of a circumference of the elongated shaft, and includes a portion that is spaced proximally from the first electrode. - 特許庁

半導体層４の残りの領域にバイポーラ型トランジスタ１０，１１を形成し、バイポーラ型トランジスタ１０，１１の形成領域の下層に絶縁体層１９を形成し、パイポーラ型トランジスタ１０，１１を電気的に半導体基板２から分離する。例文帳に追加

Bipolar transistors 10, 11 are formed in a remaining region of the semiconductor layer 4, and by forming an insulator layer 19 in the lower layer of a forming region of the bipolar transistors 10, 11, the bipolar type transistors 10, 11 are electrically separated from the semiconductor substrate 2. - 特許庁

回転電機本体４０を収容するケーシング４６の開口部７８から内部側に突出するように設けられた障害部材１３０と、電源端子９２が取り付けられる導電部材４５を保持する絶縁部材５６との間の間隔Ｃを、ボルト８２が通り抜けない距離とした。例文帳に追加

A distance C between a barrier member 130 provided so as to be protruded from an opening 78 of a casing 46 housing a rotary electric machine main body 40 toward an inner side, and an insulation member 56 holding a conductive member 45 to which a power supply terminal 92 is attached, is decided so that a bolt 82 cannot pass through. - 特許庁

更に、誘電体基板４の一対の主面と側面とに、入出力電極７、８と分離絶縁されるように且つ入出力電極７、８を含む所定形状の誘電体露出部１１、１２を有するように、アース導体９、１０、１３が形成される。例文帳に追加

Additionally, ground conductors 9, 10, and 13 are formed on a pair of main and side surfaces of the dielectric substrate 4, so that the earth conductors are separated and insulated form the I/O electrodes 7 and 8, and at the same time, are equipped with conductor exposure sections 11 and 12 in a specific shape that include the I/O electrodes 7 and 8. - 特許庁

開閉ユニットを取り付ける部材の構造が簡単であり、材料費、金型の費用及び製作時の不良率が低いとともに、開閉ユニットの取付け作業性が良好であり、電圧に応じて最適な相間距離を設定することができるガス絶縁開閉装置を提供する。例文帳に追加

To obtain a gas insulated switchgear in which the structure of a member on which a switching unit is mounted is simplified, material cost, the cost of a mold and a fraction defective in the case of manufacture are reduced, while workability on the installation of the switching unit is improved and an optimum interphase distance can be set in response to voltage. - 特許庁

トレンチ内部の絶縁体に埋め込まれるフィールドプレートの長さ（距離Ｌ）を短くして製造マージンを大きくした場合でも、高い耐圧と低いオン抵抗値を得ることができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of obtaining a high breakdown voltage and low on-resistance value even a length (a distance of L) of a field plate burried in an insulator within a trench is shortened to increase a manufacturing margin, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

下部電極または画素分離絶縁膜と有機層との位置ズレを小さくすることが可能な表示装置の製造方法、および、接続孔での短絡を抑えると共に開口率を向上させることが可能な表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a display device capable of reducing displacement between a lower electrode or a pixel separation insulating film and an organic layer, and to provide the display device capable of restraining short circuit on a connection hole and improving an opening ratio. - 特許庁

本発明はプラズマ化学気相堆積装置の定期的なクリーニング直後に、基板を設置しない薄い堆積でもって、膜の剥離防止とともに、その後に作製するゲート絶縁膜、非晶質シリコン半導体層の膜質を安定化。例文帳に追加

To prevent peeling of a film deposited just after periodical cleaning of a plasma chemical vapor deposition apparatus without loading a substrate by making the deposition thin, and to stabilize film quality of gate insulating film and an amorphous silicon semiconductor film, which are deposited subsequently after the deposition of the film. - 特許庁

受動光ロケータは、当該受動光ロケータに関連する地理的位置を示す情報と、ターゲットまでの距離を示す情報と、光軸の方位角及び仰角を示す情報とを使用して、ターゲットに関連する絶対位置を示す情報を決定する。例文帳に追加

The passive optical locator determines the information indicating the absolute position related to the target, using information indicating a geographic position related to the passive optical locator, the information indicating the distance up to the target, and the information indicating the azimuth and the elevation angle of the optical axis. - 特許庁

特に素子分離を要する各種電極ならびにセンサへの応用、あるいは半導体およびその部材に適した、すなわち絶縁性の下地に高品質かつ導電性ダイヤモンド層を具備するダイヤモンド積層基板、電気化学素子およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a diamond-laminated substrate which is suitably applied to various electrodes and sensors specially requiring element separation or suitable to a semiconductor and its member, namely, has a conductive diamond layer of high quality on an insulating base, an electrochemical element, and a manufacturing method therefor. - 特許庁

炭化珪素層は、ゲート絶縁膜８を介してゲート電極９と対向しかつ第１導電型を有するボディ領域３と、ボディ領域３によって互いに分離されかつ第２導電型を有する１対の領域２、４とを含む。例文帳に追加

The silicon carbide layer includes a body region 3 that faces a gate electrode 9 via the gate insulating film 8 and has a first conductivity type and a pair of regions 2 and 4 that is separated from each other by the body region 3 and has a second conductivity type. - 特許庁

フィラーの含有量が多くても、触刻酸化されて得られる樹脂層上の粗化面の表面粗度が十分小さく、さらに、無電解メッキ膜との密着性（剥離強度）の低下のないプリント配線基板用の絶縁材料を提供すること例文帳に追加

To provide an insulating material for printed wiring board having satisficing small surface roughness wherein the surface is obtained by oxidative etching of the resin layer, even when the resin contains much filler, and free from reduction of adhesiveness (stripping strength) between electroless plating membrane and the surface. - 特許庁

第三百四十二条　事業者は、電路又はその支持物の敷設、点検、修理、塗装等の電気工事の作業を行なう場合において、当該作業に従事する労働者が高圧の充電電路に接触し、又は当該充電電路に対して頭上距離が三十センチメートル以内又は躯側距離若しくは足下距離が六十センチメートル以内に接近することにより感電の危険が生ずるおそれのあるときは、当該充電電路に絶縁用防具を装着しなければならない。ただし、当該作業に従事する労働者に絶縁用保護具を着用させて作業を行なう場合において、当該絶縁用保護具を着用する身体の部分以外の部分が当該充電電路に接触し、又は接近することにより感電の危険が生ずるおそれのないときは、この限りでない。例文帳に追加

Article 342 (1) The employer shall, in the case where carrying out the electric work installing, inspecting, repairing, painting, etc., of an electrical circuit or its supports, and when it is liable to cause danger of electric shock to the worker engaging in the said work due to contacting a high-voltage charged circuit, or approaching the said electrical circuit within 30 cm above the head or within 60 cm from the side of the body or below the feet, install an insulating device for the said charged circuit. However, this shall not apply to the case of having the worker engaging in the said work wear personal insulating protective equipment, and when it is unlikely to cause danger of electric shock to the parts of the body other than those wearing the said personal insulating protective equipment due to contact or approach the said charged electrical circuits.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射することにより単結晶半導体基板中に脆化領域を形成する工程と、絶縁層を介して単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせる工程と、脆化領域において単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に絶縁層を介して単結晶半導体層を形成する工程とを有し、単結晶半導体基板へのイオンの照射は、イオンドーピング法を用い且つ単結晶半導体基板を冷却しながら行う。例文帳に追加

The irradiation of the single-crystal semiconductor substrate with the ions is carried out by using an ion doping method while cooling the single-crystal semiconductor substrate. - 特許庁

単結晶半導体基板にイオンを照射して、前記単結晶半導体基板中に脆化領域を形成する工程と、絶縁膜を介して前記単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせる工程と、前記脆化領域において前記単結晶半導体基板と前記ベース基板とを分離して、前記ベース基板上に前記絶縁膜を介して半導体層を形成する工程とを有することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法である。例文帳に追加

A method for manufacturing an SOI substrate includes the steps of irradiating a single crystal semiconductor substrate with ions to form an embrittled region in the single crystal semiconductor substrate, bonding the single crystal semiconductor substrate to a base substrate with an insulating film therebetween, and separating the single crystal semiconductor substrate and the base substrate at the embrittled region to form a semiconductor layer over the base substrate with the insulating film therebetween. - 特許庁

固定子コネクタＣＲは、固定子の環状中心部分に重畳され固定される環状キャリア構造体１４を備え、この環状キャリア構造体１４は、Ｎ個の導通部材Ａ，Ｂ，Ｃのグループに電気絶縁プラスチック材料をオーバーモールドさせたもので製造され、それら導通部材Ａ，Ｂ，Ｃは、そのプラスチック材料により互いに分離され電気的絶縁されると共に、一般的に弧状である。例文帳に追加

A stator connector CR includes an annular carrier structure 14 superposed on and fixed to an annular center part of a stator, the annular carrier structure 14 is manufactured from a substance over-molding an electrically insulating plastic material onto a group of N pieces of conductive members A, B and C, and the conductive members A, B and C are separated from each other and electrically insulated by the plastic material and have a generally arcuate shape. - 特許庁

絶縁油及び難分解性ハロゲン化合物を含む混合物中の難分解性ハロゲン化合物含有量をクロマトグラフィーの手法により測定する方法であって、前記混合物中の難分解性ハロゲン化合物の含有量を測定する前に、吸着剤を充填してなるカラムを用いて、前記混合物から絶縁油と難分解性ハロゲン化合物とを分離する工程を設けたことを特徴とする難分解性ハロゲン化合物含有量の測定方法。例文帳に追加

In the method for measuring the content of the hardly decomposable halogen compound in the mixture containing the insulating oil and the hardly decomposable halogen compound by a chromatography technique, a column filled with an adsorbent is used before the content of the hardly decomposable halogen compound in the mixture is measured to separate the insulating oil and the hardly decomposable halogen compound from the mixture. - 特許庁

薄膜トランジスタ１は、互いに分離して設けられたソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂと、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂ間に介在する有機半導体層３０と、有機半導体層３０とゲート電極５０との間に位置するゲート絶縁層４０とを有する構造をしており、さらに基板１０上に搭載されており、ゲート絶縁層４０は、金属イオンを補足し得るイオン捕捉物質４１を含有している。例文帳に追加

The thin film transistor 1 mounted on a substrate 10 includes a source electrode 20a and drain electrode 20b separately disposed each other, an organic semiconductor layer 30 disposed between the source electrode 20a and drain electrode 20b, a gate insulating layer 40 disposed between the organic semiconductor layer 30 and gate electrode 50. - 特許庁

受光素子と該受光素子の信号処理回路とが同一半導体基板上に絶縁分離して形成された受光素子内蔵半導体装置において、第１の受光素子を備える第１の半導体層と、光の波長により反射率が変わり、かつ光透過性を有する所定の膜厚の絶縁層と、第２の受光素子及び信号処理回路を備える第２の半導体層とが、順に半導体基板上に積層して形成されていることを特徴とする。例文帳に追加

The photodetector incorporated semiconductor device having a photodetector and a signal processing circuit for the insulated and separated photodetector formed on the same semiconductor is constituted by laminating a 1st semiconductor layer having a 1st photodetector; an insulating layer which varies in reflection factor with the wavelength of light, transmits light, and has a specified film thickness; a 2nd photodetector; and the signal processing circuit in order on the semiconductor substrate. - 特許庁