「離絶」に関連した英語例文の一覧と使い方(81ページ目) - Weblio英語例文検索

上記の課題を解決するために、本発明に係る真空絶縁開閉器では、内部が真空で電流の投入・遮断を行う真空バルブ１と、該真空バルブ１内に配置される中間シールド５と、該中間シールド５と最近接の対向距離が略一定となる面を少なくとも一部有する真空測定端子１２を備えている。例文帳に追加

A vacuum insulated switch according to the present invention includes: a vacuum valve 1 closing and interrupting current while an inside of the vacuum valve is vacuum; an intermediate shield 5 arranged within the vacuum valve 1; and a vacuum measuring terminal 12 having at least a part of a face where a closest opposing distance relative to the intermediate shield 5 is approximately constant. - 特許庁

半導体のチャネル形成領域とゲート電極との間に介在するゲート絶縁膜内に平面的に離散化された電荷蓄積手段を含むメモリトランジスタに対し、その消去Ｖthの収束性向上ができる消去時のオペレーションとして、書き込み−消去、消去後に少なくとも１回の書き込み−消去、または複数回の書き込み−消去を行う。例文帳に追加

This erasing method performs writing and erasure and then writing and erasure at least once or several times, after the erasure as operation for erasure which can improves the convergence of an erasure Vth of a memory transistor, including charge storage means which are made discrete in plane in a gate insulating film interposed of a channel formation region and a gate electrode of a semiconductor. - 特許庁

光学基材等の絶縁性基材上に、コーティング等の工程を経ることなく、該基材上に良好な帯電防止性を付与する方法を提供することに加え、前記方法に好ましく使用することができる、透明性、再剥離性に優れる粘着シートを形成し得る帯電防止アクリル粘着剤を提供する。例文帳に追加

To provide a method for rendering an insulation substrate, such as an optical substrate, highly antistatic without subjecting it to a process such as coating and to provide an antistatic acrylic pressure-sensitive adhesive capable of forming a pressure-sensitive adhesive sheet desirably usable in the method and excellent in transparency and re-releasability. - 特許庁

本発明のセンサモジュール１０は、イオン交換樹脂の表面に複数の金属電極層が互いに電気絶縁的に分離されて形成された可撓性素子１３と、前記可撓性素子１３を内部に設ける筐体と、前記可撓性素子１３の変形によって生じる電気エネルギーを前記筐体外部に伝達するコネクタ部とを備えることを特徴とする。例文帳に追加

The sensor module 10 includes a flexible element 13 where a plurality of metal electrode layers are separated in electrical insulation and formed on a surface of ion-exchange resin, a case having the flexible element 13 inside, and a connector section for transmitting the electric energy generated by deformation of the flexible element 13 to the outside of the case. - 特許庁

追加埋込酸素を含まない封入層３１と酸素リッチな第２の封入層とを二重に積層してＭＴＪ積層構造を封じ込めることにより、外部からＭＴＪ接合を確実に絶縁分離できると共に、後工程で熱処理プロセスに曝されてもトンネル抵抗値の安定性が確保される。例文帳に追加

By laminating double the encapsulating layer 31 not including additionally embedded oxygen and the second encapsulating layer abundant in oxygen, and encapsulating an MTJ lamination structure, the MTJ junction is insulation separated from the outside without fail, and also the safety of the tunnel resistance value is secured even if subjected to a thermal treatment process in the post stage. - 特許庁

消弧性ガスで充たされた密閉容器１内に電気接点を配置し、通電時には電気接点を接触状態に保つことで通電を行ない、電流遮断時には電気接点を解離させて消弧性ガス中にアーク放電を発生させ、そのアーク８を消弧することで電流を遮断せしめるよう構成されたガス絶縁開閉器である。例文帳に追加

The gas insulating switch has an electrical contact point arranged inside a sealed container 1 filled with arc extinguishing gas, and is structured to electrify by keeping the electrical contact point in contact for electrical continuity, and to cut the current by separating the electrical contact point to generate arc discharge in the arc extinguishing gas and extinguishing the arc 8. - 特許庁

放射線画像記録媒体１０の第１の電極層１１の凸部が存在する電極層部分１１ａを絶縁膜３０を設けることにより他の電極層部分１１ｂと電気的に分離させ、記録の際に第１の電極層１１に印加される直流電圧が上記電極層部分１１ａには印加されないようにする。例文帳に追加

An electrode layer part 11a in which the height of a first electrode layer 11 exists on a radiation-image recording medium 10 is installed at an insulating film 30, it is electrically isolated from another electrode layer part 11b, and a DC voltage applied to the electrode layer 11 in a recording operation is not applied to the electrode layer part 11a. - 特許庁

クラスタ電極１の形状、サイズ、トンネル電極層１（クラスタ電極１）−トンネル電極層２間およびトンネル電極層１−トンネル電極層３間の距離、強制層、増感層、絶縁層および電極の位置、ならびに、スピンの方向を精密に制御することにより、トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）効果が大きく発現する素子を作製すること。例文帳に追加

To manufacture an element which produces a marked tunnel magnetoresistive effect by a method wherein the shape and size of a cluster electrode, the distance between a tunnel electrode layer (cluster electrode)-a tunnel electrode layer, the distance between tunnel electrode layer, the positions of a forcing layer, a sensitizing layer, and an electrode, and a direction of spin are precisely controller. - 特許庁

本願発明の課題とするところは、プローブ装置において列設されたコンタクトピンを信号系統毎に分離して配線することにより絶縁抵抗が解消でき、接続の安定性、コンタクトピン間の挟ピッチへの対応化及び配線パターンの簡略化が図れ、製造歩留まりも向上するプローブ装置を提供することである。例文帳に追加

To provide a probe device which can solve problems concerning insulation resistance, enhance the stability of connection, deal with the narrow pitch of contact pins, simplify their wiring pattern, and raise a manufacture yield rate by performing wiring of the contact pins arranged in a row in the probe device, separating them into each signal system. - 特許庁

半導体回路における、劈開分離のためのイオンのイオン残りを防止するとともに、ターゲット基板としてガラス基板等の、高温に耐えることができない絶縁基板を用いた場合でも、高温下での脱イオン処理によるシュリンク等のターゲット基板への影響を排除することができる回路基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a circuit substrate, preventing an ion residue problem of the ion for the cleavage separation in a semiconductor circuit and eliminating an effect, such as shrinking, on the target substrate by a deionizing process under a high temperature, even if an insulating substrate such as a glass substrate, which can not withstand the high temperature, is used as a target substrate. - 特許庁

主表面を有するシリコン基板１と、この基板１内に形成された溝２と、この溝２内に埋め込まれるとともに、前記主表面より突出する突出部４を有し、かつこの突出部４の頂部から基体の主表面にかけてスロ−プ状５ａ〜５ｃとなっている絶縁膜から成る素子分離領域を有する。例文帳に追加

The semiconductor device comprises a silicon substrate 1 having a major surface, a trench 2 made in the substrate 1, and an isolation region comprising an insulation film filling the trench 2 and having a part 4 projecting from the major surface where slopes 5a-5c are formed from the top of the projecting part 4 to the major surface of a basic body. - 特許庁

このようにして形成された絶縁層の水素濃度は６×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満であり、且つハロゲンの濃度は１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上であるので、酸化物半導体層に水素が拡散することを防ぐことができ、ハロゲンにより酸化物半導体層内に存在する水素を不活性化させ、または脱離させ、良好な電気特性を有する半導体装置を提供することできる。例文帳に追加

Accordingly, a semiconductor device with excellent electric characteristics can be provided. - 特許庁

ＺｎＯ系半導体１上に有機物電極２が、有機物電極２の上にはワイヤーボンディング用電極３が形成され、絶縁膜４からなる台座部が、前記ワイヤーボンディング用電極３の下側の領域で、かつ前記ＺｎＯ系半導体１上の一部の領域に配置されることで、前記ワイヤーボンディング用電極３の剥離を防止する。例文帳に追加

An organic substance electrode 2 is formed on a ZnO-based semiconductor 1, a wire bonding electrode 3 is formed on the organic substance electrode 2, and a pedestal constituted of an insulating film 4 is disposed in a region which is situated under the wire bonding electrode 3 and defines a part of a region on the ZnO-based semiconductor 1 to prevent peeling of the wire bonding electrode 3. - 特許庁

ベース基板１と、赤外線を吸収するとともに該吸収による温度変化を検知する温度検知部３と、温度検知部３がベース基板１の一表面から離間して配置されるように温度検知部３を支持して温度検知部３とベース基板１とを熱絶縁する断熱部４とを備える。例文帳に追加

The infrared sensor includes a base substrate 1, a temperature detection part 3 absorbing infrared rays and detecting temperature variation by the absorption, and a heat insulation part 4 supporting the temperature detection part 3 so that the temperature detection part 3 is separated from one surface of the base substrate 1 and performing heat insulation between the temperature detection part 3 and the base substrate 1. - 特許庁

基体１上のメタモルフィックバッファ層２０を、素子間分離溝４１を挟んで半導体素子の形成部の外側に、メタモルフィックバッファ層２０の延在領域２０Ｒを形成して、半導体素子部と、これに隣接する他部との実質的段差の緩和を図って、この段差に基づく絶縁層、配線等の信頼性の向上を図るものである。例文帳に追加

The metamorphic buffer layer 20 on a base body 1 has its extension area 20R formed outside a formation part for a semiconductor element across an inter-element separation groove 41 to reduce a substantial step between the semiconductor element and another part adjacent thereto, thereby improving reliability of an insulating layer, a wire, etc., against the stepping. - 特許庁

熱可塑性樹脂からなる絶縁基材２３を介して複数の導体パターン２２を積層するとともに、基板領域内にその導体パターン２２を積層する層数が増減可能な多層プリント基板１において、一部の領域から積層方向に分離して一体延出され、アース接地される接地部ＡＰを備えている。例文帳に追加

The multilayer printed board 1 in which a plurality of conductor patterns 22 are laminated via an insulating base 23 made of a thermoplastic resin, and the number of layers for stacking a conductor pattern 22 in a substrate region can be increased or decreased, includes an earthing part AP which is integrally extended separately from a partial region in a laminating direction and is grounded. - 特許庁

ＮＲＯＭ型メモリアレイをメモリブロック毎に分割し、各メモリブロックの境界領域に電気的に各メモリブロックを絶縁するための分離部を設けることにより、同時に読み出すあるいは書込むデータ数を各メモリブロック内では１つに限れば、データ読出あるいは書込みした場合に貫通電流パスの生成を阻止することができる。例文帳に追加

Generation of a through current path can be blocked at the time of reading or writing data by dividing an NROM type memory array for each memory block and providing a part for isolating each memory block electrically in the boundary region thereof thereby limiting the number of data being read out or written in simultaneously to only one. - 特許庁

本発明の電子基板は、複数の半導体素子３００、３０２が搭載される電子基板であって、半導体素子３００に電気的に接続される第１導電部材３０４と、半導体素子３０２に電気的に接続される第２導電部材３０６と、第２導電部材３０６を第１導電部材３０４から電気的に分離する絶縁層３０８とを備えている。例文帳に追加

This electronic board, on which two semiconductor devices 300 and 302 are mounted, has a first conductive member 304 electrically connected to the semiconductor device 300, a second conductive member 306 electrically connected to the semiconductor device 302, and an insulating layer 308 electrically separating the second conductive member 306 from the first conductive member 304. - 特許庁

外乱光の影響がある場合においても車室内の絶対温度分布を精度よく測定でき、これにより人の表面温度を正確に測定するとともに、空調の吹き出し口から人までの距離も正確に推定でき、より快適な空調制御を行うことができる車両用温度測定装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a temperature measuring device of a vehicle capable of precisely measuring an absolute temperature distribution in a vehicle compartment even if disturbance light affects and thereby precisely measuring a surface temperature of a human, and therewith precisely estimating a distance from an air outlet of air conditioning to the human, to perform a comfortable air-conditioning control. - 特許庁

基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、および有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ装置であって、有機半導体層を挟む支持部と、該支持部による支持によって有機半導体層に対して空間を介して離隔配置されている保護層と、を備える。例文帳に追加

The organic thin-film transistor device, having at least a gate electrode, a gate insulating film, a source electrode, a drain electrode and an organic semiconductor layer on a substrate, is equipped with supporting units which pinch the organic semiconductor layer and the protective layer arranged separately from the organic semiconductor layer with a space by the support of the supporting units. - 特許庁

ＭｏＳｉ_２を主成分とする棒状ヒーターの炉壁への取付けに際し、炉壁断熱材とヒーター発熱部との間に耐高温酸化性および耐熱性に優れた絶縁材料からなるスペーサーを設置して炉壁断熱材とヒーター発熱部との間を離間させることを特徴とするＭｏＳｉ_２を主成分とするヒーターの取付け方法。例文帳に追加

In installation of the bar heater mainly composed of MoSi2 on the furnace wall, a spacer made of an insulating material having high temperature oxidization resistance and thermal resistance is provided between the furnace wall insulation material and the heater exothermic portion, and the space between the furnace wall insulating material and the heater exothermic portion are separated. - 特許庁

第１導電型の半導体基板に、前記第１導電型の第１ウェルと、前記第１ウェルを前記半導体基板と電気的に絶縁分離するように取り囲む第２導電型の第２ウェルを形成してなる多重ウェル構造を有する半導体装置において、半導体基板上のピット形成を無くすことのできる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a semiconductor device capable of eliminating the formation of pits on a semiconductor substrate, in the semiconductor device having a multiplex well structure constituted of a first conductive type first well and a second conductive type second well, surrounding the first well so as to insulate and isolate the first well electrically from the semiconductor substrate. - 特許庁

次に、前記半導体基板１１を熱処理して前記半導体基板１１と反対の導電型の不純物および同一の導電型の不純物を前記半導体基板１１内に拡散させた後、前記絶縁膜１９および前記シリコン酸化膜１７を順次剥離して、プレート電極となるプレート２０を形成する。例文帳に追加

Then, after the semiconductor substrate 11 is heat treated and the impurity of the conductivity type opposite to that of the semiconductor substrate 11 and an impurity of the conductivity type same as the substrate 11 are diffused in the substrate 11, the insulating film 19 and the silicon oxide film 17 are successively exfoliated to form a plate 20 to be a plate electrode. - 特許庁

貼り合わせ基板を噴流の液体で分離する際、キャビテーションの崩壊（空洞現象）が発生することでその際の衝撃圧力が基板表面に影響を与えることが有り、これが最終的にＥＬＴＲＡＮ（登録商標）品質の劣化（絶縁層上に単結晶Ｓｉ層に欠陥を形成）を招く要因となることが有る。例文帳に追加

To provide a treatment method without any deterioration of quality in a sample in the process by achieving treatment without giving large pressure due to the collapse of cavitation to the sample in the separation process of the sample, such as a laminated substrate. - 特許庁

コンタクト層30を介して高移動度チャネル13に電気的に導通する一方で、量子細線13の長さ方向に沿って互いには離間したソース電極42、ドレイン電極43と、ソース電極42とドレイン電極43の間に設けられ、絶縁層を介するかショットキ接合を介して低移動度チャネル20に臨むゲート電極41を設ける。例文帳に追加

A source electrode 42 and a drain electrode 43 isolated from each other along a length direction of the quantum wire 13 electrically conducted with the high mobility channel via a contact layer 30, and a gate electrode 41 opposed to the channel 20 via a Schottky junction interposed via an insulating layer between the electrode 42 and the electrode 43 are provided. - 特許庁

ＳＡＲ画像を多重解像度解析して、少なくともウェーブレット展開係数を求め、得られたウェーブレット展開係数を、その絶対値が大きいもの順に並べ替え、所定の閾値以下のウェーブレット展開係数を０に置き換えた後、逆離散ウェーブレット変換をして、ＳＡＲ画像の再構成を行う。例文帳に追加

The SAR image is multiplex-resolution-analyzed to find at least wavelet development coefficients, the obtained wavelet development coefficients are rearranged in order according to levels of absolute values thereof, the wavelet development coefficients of a prescribed threshold value or less are substituted with zero to be reverse-discrete-wavelet-converted, and the SAR image is thereby reconstituted. - 特許庁

半導体基板１１の一部分として形成されたダイアフラム１５と、絶縁性部材１３上にダイアフラムと対向して設けられた電極膜１７との間の静電容量変化を検出する静電容量型圧力センサであって、半導体基板にそれぞれ離間して設けられた第１及び第２拡散配線層２１及び２３を具える。例文帳に追加

The capacitive pressure sensor detects the variation of capacitance between a diaphragm 15 formed as a part of a semiconductor substrate 11 and an electrode film 17 formed on an insulating member 13 so as to be disposed opposite the diaphragm, and includes first and second diffusion wiring layers 21 and 23 separately provided on the semiconductor substrate. - 特許庁

パワー半導体装置１０は、チャネル領域を含むボディ領域７０と、チャネル領域の上にゲート絶縁膜５０を介して形成されたゲート電極６０と、ボディ領域に取り囲まれた領域に形成されたＮ型のソース領域１３０と、ゲート電極６０から離間して形成されたドレイン領域１４０とを備える。例文帳に追加

A power semiconductor device 10 includes: a body area 70 including a channel area; a gate electrode 60 formed on the channel area via a gate insulating film 50; an N-type source area 130 formed in an area surrounded by the body area; and a drain area 140 formed so as to separated from the gate electrode 60. - 特許庁

これにより、可動コンタクト２２が固定コンタクト１８に接離するときにアーク放電が生じることによってできる炭化物を含む導電性のあるグリスがインシュレータ１６の表面部を引きずられることが避けられ、可動コンタクト２２の移動位置間の絶縁性を良好に確保することができる。例文帳に追加

Thereby, conductive grease containing carbide produced by the generation of arc discharge, when the movable contact 22 is connected to and disconnected from the fixed contact 18, is prevented from being trailed on the surface part of the insulator 16, so that the insulation performance between the moving positions of the movable contact 22 can be secured properly. - 特許庁

本発明における光半導体集積回路装置では、ＮＰＮトランジスタ２１および縦型ＰＮＰトランジスタ２２において、ほぼノンドープである第２のエピタキシャル層２６を介して発生する寄生容量を低減するために、寄生容量の絶縁層幅Ｗ１、Ｗ２を一定の距離をもって形成する。例文帳に追加

In the optical semiconductor integrated circuit device, the widths W1 and W2 of insulating layers for parasitic capacitance are formed with a fixed distance between them in the NPN transistor 21 and vertical PNP transistor 22 so as to reduce the parasitic capacitance which occur through almost a non-doped second epitaxial layer 26. - 特許庁

直流電圧に交流電圧が重畳されたＡＣ重畳バイアスが印加される被印加部材を備えたトナー像形成ユニットを複数備えた画像形成装置に関し、部品コストを抑え、基板の実装面積を小さくしつつ電圧の干渉や絶縁距離不足といった問題の発生を防止する。例文帳に追加

To prevent the occurrence of problems such as the interference of voltage and the shortness of insulation distance while reducing cost of components and reducing the packaging area of a board in an image forming device provided with a plurality of toner image forming units each having a member, to which an AC-superimposed bias superimposed with AC voltage on DC voltage is applied. - 特許庁

例えばフィルムキャリアを折り曲げることにより絶縁不良が引き起こされる可能性があるような、配線間に延出する突起間の距離が比較的長い配線パターンまで、放電破壊による外観不良を生じることなく判別可能な電子部品実装用フィルムキャリアテープの電気検査方法および電気検査装置ならびにコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供する。例文帳に追加

To provide an electrical inspection method of a film carrier tape for mounting determinable electronic components, without generating external appearance defects due to discharge breakage until a distance between projections extended between pieces of wiring is a comparatively long wiring pattern so that the insulation fault can be caused by folding a film carrier, and to provide an electrical device and a computer-readable recording medium. - 特許庁

電力分割容器１１１内の複数の導体線路１１３は、電力分割容器１１１の出口１１６において電力分割容器１１１の壁面と電気的に絶縁され、導体線路１１３の表面と電力分割容器１１１の壁面との最短距離をｄ[ｍｍ]、その間の比誘電率をε１としたときにε１/ｄ≦２．５の関係を満たす。例文帳に追加

The plurality of conductor lines 113 in the power divider container 111 are electrically insulated from the wall of the container 111 at its exit 116, satisfying the relation of ε1/d≤2.5 assuming that the shortest distance between the surface of the conductor lines 113 and the wall of the power divider container 111 is d (mm) and that the relative permittivity in-between is ε1. - 特許庁

航空機ターボファンジェットエンジンに於いて離陸着時の野鳥の追突、いわゆるバードストライクによるエンジン停止、強いては大惨事の発生が後を絶たない為、航空機業界に安全安心を提供しバードストライクによるエンジン損傷、停止を防止し人命尊重の航空機を可能にする装置の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a device for enabling an aircraft with respect for human life, by preventing engine breakage or stop due to bird strike by providing safety and ease to the aviation industry, since there is no end of an engine stop due to the collision of birds, so-called bird strike during takeoff and landing for an aircraft turbo fan jet engine, or occurrence of a worst disaster. - 特許庁

重くドープした半導体基体２０１と、この基体上に第１導電型にドープしたＮ−エピタキシャル層２０２と第２導電型にドープしたウエル層２１５からなる上側層内に、絶縁層２１２で分離された深いトレンチゲート２１３とを設け、トレンチゲート２１３の下に強導電性ドレイン領域２１１を設ける。例文帳に追加

A power trench MOS gate device is provided with a heavily- doped semiconductor substrate 201, a deep trench gate 213 separated by an insulating layer 212 in an upper layer composed of an N-epitaxial layer 202, doped to a first conductivity-type and well layers 215 doped to a second conductivity-type, and a strongly conductive drain region 211 below the trench gate 213. - 特許庁

この高誘電率ゲート絶縁膜３は、半導体基板１から離隔しつつソース層６側の端からチャネル領域２上方まで区画された第１領域３ａとこの第１領域３ａ以外の第２領域３ｂとを有し、第１領域３ａ内の金属元素の原子濃度が、第２領域３ｂ内の金属元素の原子濃度よりも高い。例文帳に追加

The high dielectric constant gate insulating film 3 has a first region 3a sectioned from the source layer 6 side end to the upper part of the channel region 2 while spaced apart from the semiconductor substrate 1, and a second region 3b other than the first region 3a wherein the atomic density of metal element in the first region 3a is higher than that in the second region 3b. - 特許庁

また、ＳＯＦＣサブモジュール１０を管１８に平行に複数並べ、隣り合う導電性マニホールド１２、１５間を電気的に接続した複数の電池列を、互い違い又は同一方向に一定間隔離して配置し、対向する導電性マニホールド１２、１５間を絶縁性の管体２４、２９で連通する構成を含むＳＯＦＣモジュールとする。例文帳に追加

The SOFC module includes a structure in which a plurality of battery strings consisting of a plurality of SOFC sub-modules 10 arranged in parallel to the tube 18 to electrically connect the adjacent manifold 12 and 15 are arranged alternately or in the same direction with a fixed spacing, and the opposed conductive manifolds 12 and 15 are allowed to communicate with each other by insulating tube bodies 24 and 29. - 特許庁

予め位置合わせ用溝４に堆積した酸化膜５のみをフォトレジストをマスクとして選択的に薄くすることにより、その後の平坦化加工においても、位置合わせ用溝４の領域が平坦になることはなく、素子絶縁分離工程に続く工程の目合わせ用マークとして有効に機能させることができる。例文帳に追加

Merely an oxide film 5 that is deposited, in advance, in a groove 4 for alignment is selectively thinned with photo resist as a mask, thus preventing the region of the groove 4 for alignment from being flattened even in a flattening machining after that, and hence achieving an effective function as the mark for positioning of a process following after an element insulation and isolation process. - 特許庁

分離絶縁膜上の配線と、この配線の側面上に形成されたサイドウォールと、配線と活性領域上の不純物拡散とを接続するシェアードコンタクトを備えた半導体装置であっても、シェアードコンタクから半導体基板へのリーク電流の発生を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein the generation of its leakage current can be prevented from a shared contact into a substrate, even though it has a wiring present on a separative insulating film, side walls formed on the side surfaces of the wiring, and the shared contact whereby the wiring and an impurity diffusion layer are connected on an active region. - 特許庁

並びに上記層状珪酸塩を前記樹脂中に微分散する工程において、層状珪酸塩を、広角Ｘ線回折測定法により測定した（００１）面の平均層間距離が３ｎｍ以上であり、かつ、少なくとも一部が５層以下になるよう樹脂中に微分散させることを特徴とする絶縁基板材料の製造方法。例文帳に追加

The production process of the insulating base plate material includes micro-dispersion of the above lamellar silicate in the above resin so as to keep an average distance of 3 nm or over between the lamellars determined by a wide X-ray diffraction determination method (001) and so as to partially micro-disperse to give at least 5 lamellars or less. - 特許庁

ＩＯ回路用のユニット内配電線と内部回路用のユニット内配電線とは絶縁分離されており、かつＩＯ回路用のユニット内配電線及び内部回路用のユニット内配電線のそれぞれには、それらの配電線に対して外部から給電するために、各配電線毎に独立した給電端が設けられている。例文帳に追加

A distribution line within an unit for IO circuit and a distribution line within a unit for internal circuit are insulation separated, and each of the distribution line within an unit for IO circuit and the distribution line within a unit for internal circuit, includes a feeder end that is independent for each distribution line, for feeding these distribution lines from the outside. - 特許庁

前記拡散抵抗領域３は第二トレンチ６および一導電型の不純物領域により電気的に分離される構成を有し、さらに、前記第二トレンチ６の側壁に絶縁膜７を介して設けられている導電性ポリシリコン５が、前記拡散抵抗領域３のいずれかの端部４ａと短絡接続されている半導体装置とする。例文帳に追加

In the semiconductor device, the diffusion resistance region 3 has a constitution which is electrically separated by a second trench 6 and an impurity region of one conductivity type, and a conductive polysilicon 5 provided at a sidewall of the second trench 6 via an insulating film 7 is short-circuited and connected to either of ends 4a of the diffusion resistance region 3. - 特許庁

本発明は、絶縁線と導電線を組み合わせてなる四重極電極により形成される中空キャピラリーに試料を含有する液体を流し、当該四重極電極による交流電場を印加することによる同心円状に作用する誘電泳動力と、キャピラリー内の流速分布の複合効果により、液体中の試料を選別、計測又は分離する方法、そのための装置、それに用いる中空キャピラリー、及びその製造方法に関する。例文帳に追加

To achieve this, the required apparatuses, the hollow capillary used therefor and a production method therefor are provided. - 特許庁

ハーフトーン露光技術を用いて１回の写真食刻工程でチャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタの半導体層とソース・ドレイン配線を形成して製造工程数を削減した従来の製造方法では製造裕度（マージン）が小さくソース・ドレイン配線間の距離が短くなると歩留が低下する。例文帳に追加

To solve the problem that a manufacturing margin is small and when the distance between source/drain wiring is made short, yield is lowered, in the conventional manufacturing method wherein the number of manufacturing steps is reduced by forming a semiconductor layer and the source/drain wiring of a channel etching type and insulating gate type transistor are formed in one photo etching step using a halftone exposure technique. - 特許庁

静電容量型センサ１０は、検知対象物との間の静電容量を検知する検知電極１１と、検知電極１１の所定方向の検知をシールドするシールド電極１２と、これらの電極１１，１２を所定間隔Ｌだけ離間配置した状態で覆うとともに、ドア２の縁部２ａに取り付けられる絶縁性の被覆部材１３とを備える。例文帳に追加

A capacitance type sensor 10 includes: a sensing electrode 11 for sensing a capacitance between the electrode and an object to be sensed; a shield electrode 12 for shielding sensing of the sensing electrode 11 in a predetermined direction; and an insulative covering member 13 that covers these electrodes 11, 12 separated with a predetermined interval L and are mounted on an edge 2a of a door 2. - 特許庁