「離絶」に関連した英語例文の一覧と使い方(79ページ目) - Weblio英語例文検索

複数の画像信号配線と、複数の走査信号配線とを絶縁膜を介して交差して設け、この画像信号配線と走査信号配線との交差部に、画素電極とこの画素電極に画像信号を供給するスイッチング素子とを設け、前記画素電極とこの画素電極に対向して設けられた対向電極との間に液晶材料が保持されている液晶表示装置において、前記画素電極の裏面側に前記絶縁膜を介して、前記画素電極よりも前記画像信号配線側に張り出し、各画素毎に分離された光反射性の帯状金属膜を設けた。例文帳に追加

A beltlike metal film having light reflectivity which projects toward the image signal wiring side of the pixel electrode and is separated for each pixel is formed on the rear side of the pixel electrode through an insulation layer. - 特許庁

基板上に、導電層、絶縁層、有機半導体層の少なくとも一層をインクジェットプロセスで成膜する工程を有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、 該導電層、該絶縁層及び該有機半導体層の少なくとも一層を成膜する際、１回のインクジェット吐出によって、該基板上に、分離された複数の薄膜を成膜する工程を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。例文帳に追加

The manufacturing method for the organic thin film transistor including a stage of forming at least one of a conductive layer, insulating layer and organic semiconductor layer on the substrate through an ink jet process comprises the stage of forming the plurality of separated thin films on the substrate through the single-time ink jet discharge when at least the one of the conductive layer, insulating layer and organic semiconductor layer is formed. - 特許庁

これにより、同半導体基板の表面には、同表面の不純物濃度を選択的に高めるコンタクト領域１３ａ〜１３ｅと、同基板内に磁気検出部ＨＰを区画形成するトレンチＴ２内の多結晶シリコン１４および絶縁膜の酸化シリコン膜１４ａと、当該ホール素子を他の素子と素子分離するトレンチＴ１内の多結晶シリコン１４および絶縁膜の酸化シリコン膜１４ａとが選択的に露出される。例文帳に追加

Consequently, contact regions 13a-13e for selectively increasing the dopant concentration in the surface, a polycrystalline silicon 14 and an oxide silicon film 14a, formed inside trenches T2 for demarcating magnetism detecting portions HP inside the substrate, and the silicon 14 and the silion film 14a formed inside trenches T1 for isolating the Hall element from other elements, are selectively exposed on the surface of the semiconductor substrate. - 特許庁

幅方向に互いに離隔して並列させられた複数の平型導体１２_１，１２_２と、前記複数の平型導体１２_１，１２_２をまとめて被覆する絶縁材１４とを備えたフレキシブルフラットケーブルにおいて、前記複数の平型導体１２_１，１２_２は、それぞれ、円形の断面形状を有する導体を圧延加工した平型導体であり、前記絶縁材１４は透明若しくは半透明であることを特徴とするフレキシブルフラットケーブル。例文帳に追加

With the flexible flat cable provided with a plurality of flat conductors 12_1, 12_2 and an insulating material 14 coating in bulk the plurality of the flat conductors 12_1, 12_2, the plurality of the conductors 12_1, 12_2 are ones made by rolling conductors having a circular cross section shape, and the insulating material 14 is either transparent or translucent. - 特許庁

本発明の横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタは、半導体基板から互いに絶縁分離されていて隣接した複数の単結晶シリコン領域に跨って形成されており、前記複数の単結晶シリコン領域の各主表面に形成した、ストライプ形状のコレクタが、該コレクタに対向して配置したストライプ形状のエミッタを挟み、単結晶シリコン領域の端部に配置したコレクタの数が４つ以上ある。例文帳に追加

In the horizontal insulated gate bipolar transistor, there are four or above stripe-like collectors which are insulated and separated from a semiconductor substrate, are formed by straddling a plurality of adjacent single crystal silicon regions, are formed on main surfaces of a plurality of the single crystal silicon regions, and are arranged in end parts of the single crystal silicone regions interposing stripe-like emitters arranged by making them face the collectors. - 特許庁

一族についても、次男の源義賢と孫の源義平の対立等内輪揉めが絶えず、前述の久安6年（1154年）年の解官・隠居で既に下野守などに任官した長男、源義朝が家督を次ぐとますます多くの源氏与党の人心は彼から離れ、才幹豊かな義朝に靡いてしまう。例文帳に追加

The clan was incessantly beset by internal feuds like the one between his second son, MINAMOTO no Yoshikata, and his grandchild, MINAMOTO no Yoshihira, and once he was removed from office and forced to retire in 1154 (as stated earlier) and his first son, MINAMOTO no Yoshitomo, who had been appointed Governor of Shimotsuke Province, took over as the head of the family, other Minamoto clan leaders increasingly switched their support to the more capable and competent Yoshitomo.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

半導体微細加工技術を用いて装置を作製し、小孔を持つ絶縁膜に分離された二つの液溜めと、二つの液溜めのそれぞれに設置された二つの電極と、二つの液溜めに金属イオンを含む溶液が満たされ、前記二つの電極間に電圧を加えて小孔を通過する金属イオンによる電流を計測できる装置を備える。例文帳に追加

The apparatus is manufactured using semiconductor micromachining technology and comprises two liquid reservoirs separated by an insulation film having pores, two electrodes disposed in two liquid reservoirs, respectively, and a device for measuring a metal ion current passing through the pores when a voltage is applied between the two electrodes. - 特許庁

光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具備した固体撮像素子であって、前記電荷転送部の、隣接する前記電荷転送電極間が、前記電荷転送電極間から電荷転送部の表面全体を覆うように形成された電極間絶縁膜で分離されている。例文帳に追加

The adjacent charge transfer electrodes in the charge transfer are separated by an interelectrode insulating film formed so as to cover the entire surface of the charge transfer from between the charge transfer electrodes. - 特許庁

エレクトロルミネッセント素子と、前記エレクトロルミネッセント素子から出力される光を検出する光検出素子とを積層配置した発光装置であって、前記光検出素子が、薄膜トランジスタで構成され、前記薄膜トランジスタは、前記エレクトロルミネッセント素子の電極に対して絶縁分離して形成された制御ゲートを備えている。例文帳に追加

The optical detecting element is constituted with a thin film transistor and this thin film transistor is provided with a control gate formed as a gate isolated for electrical insulation from the electrode of the electro-luminescence element. - 特許庁

極性を有する充填剤、好ましくはアミノプロピルシラン、シアノプロピルシラン、２，３−ジヒドロキシプロキシプロピルシランから選ばれる１種または２種以上の混合物を担持した充填剤を利用して試料を対象にカラムクロマトグラフ操作を行うことにより、絶縁油試料中のＰＣＢとＰＣＢ分析の妨害成分とを分離して採取する。例文帳に追加

A column chromatograph operation is performed to a sample as an object by using a polar filler, preferably a filler carrying one kind or two or more kinds of mixtures selected from among aminopropyl silane, cyanopropyl silane, 2,3-dihydroxypropyl silane, to thereby collect separately PCB in an insulation oil sample and the interfering component for PCB analysis. - 特許庁

本発明の一様態による半導体ナノ線光センサは、少なくとも上部が絶縁体からなる基板と、上記基板上に所定間隔で分離され形成された２つの電極と、上記各電極上に形成された金属触媒層と、上記各電極上の金属触媒層から成長された可視光帯域の半導体ナノ線を含む。例文帳に追加

The semiconductor nanowire-based photosensor includes a substrate at least the upper part of which is formed of an insulator, two electrodes separated with a prescribed interval kept therebetween and formed on the substrate, a metal catalyst layer disposed on each of the electrodes, and visible-range semiconductor nanowires grown from the metal catalyst layer on each electrode. - 特許庁

柱上変圧器に使用された絶縁油など有機ハロゲン化合物が混入した油を、簡易に短期間で無害化処理することができ、しかも、触媒を分離する手間が不要で、副反応生成物が生成する可能性が低い、有機ハロゲン化合物の分解処理方法及び分解処理システムを提供する。例文帳に追加

To provide a decomposition treatment method and a decomposition treatment system of an organic halogen compound which can easily detoxify an oil mixed with the organic halogen compound like an insulating oil used for a pole transformer in a short time, saves the trouble of removing a catalyst and is unlikely to form side reaction products. - 特許庁

素子分離にシャロートレンチ構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタを有する半導体装置において、ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのドレイン領域上には、薄い絶縁膜を介して前記外部接続端子からの信号を受ける電極が形成されている半導体装置とする。例文帳に追加

In the semiconductor device including the N-type MOS transistor for ESD protection having the shallow trench isolation structure for element isolation, an electrode configured to receive a signal from an external connection terminal is formed on a drain region of the N-type MOS transistor for ESD protection via a thin insulating film. - 特許庁

互いに離間配置される一対のセパレータおよび前記セパレータ間に配置されて燃料ガス等の流体をシールするガスケットを有する燃料電池セルにおいて、前記セパレータが変形したときにセパレータ周縁部同士が接触して電気的短絡を生じないよう前記セパレータ周縁部に絶縁体を有する。例文帳に追加

In a fuel battery cell having a pair of separators arranged separated from each other and a gasket arranged between the separators and sealing fluid such as fuel gas, the separator peripheral edges contain insulators so as not to generate short circuits due to contacting of the separator peripheral edges with one another at deformation of the separators. - 特許庁

基板上に、単結晶半導体層をチャネル形成領域に有する第１のトランジスタと、当該第１のトランジスタと絶縁層を介して分離され、酸化物半導体層をチャネル形成領域に有する第２のトランジスタと、当該単結晶半導体層及び酸化物半導体層を有するダイオードを有する半導体装置、及び、その作製方法に関する。例文帳に追加

A semiconductor device comprises, on a substrate, a first transistor including a single crystal semiconductor layer in a channel formation region, a second transistor separated from the first transistor via an insulation layer and including an oxide semiconductor layer in a channel formation region, and a diode including the single crystal semiconductor layer and the oxide semiconductor layer, and its manufacturing method is provided. - 特許庁

異方性エッチングで形成したＶ字形の溝のテーパー面に沿って形成される分離層を有する逆阻止型ＩＧＢＴを製造する際に、高信頼性の逆耐圧を確保し逆バイアス時のリーク電流を抑えることが可能な逆阻止型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a reverse block-type insulated gate bipolar transistor capable of securing highly-reliable reverse voltage resistance, and suppressing a leakage current in reverse biasing when manufacturing a reverse block-type IGBT having a separation layer formed along a tapered surface of a V-shaped groove formed by anisotropic etching. - 特許庁

正常状態における確実で良好な電気的接続と、故障した過電圧制限素子の確実な切り離しを保証するするとともに、過電圧保護素子によってできるだけ大きなパルス電流を排出することができるように、過電圧保護素子のサイズをできるだけ小さくした場合でも、できるだけ高い耐絶縁性と耐電流漏洩性を達成する。例文帳に追加

To secure assured and superior electrical connection in a normal state and assured separation of a broken overvoltage limiting element, and to achieve the highest possible insulation resistance and current-resistance leakage property to discharge the largest possible pulse current by an overvoltage protection element, even when the size of the overvoltage protection element is made as small as possible. - 特許庁

回転機１は、スロットＳｏを有する固定子コア３０と、スロットＳｏ内に配置され１又は複数の導線３３を含む第１群導線３３ａおよび第２群導線３３ｂと、第１群導線３３ａと第２群導線３３ｂとを隔離する位置に配置される絶縁シート３２とにより固定子３を構成する。例文帳に追加

The stator 3 of the rotating machine 1 includes a stator core 30 having slots So, first group conductors 33a and second group conductors 33b arranged in the slots So and including one or more conductors 33, and insulating sheets 32 arranged in positions so as to isolate the first group conductors 33a and the second group conductors 33b from each other. - 特許庁

絶縁樹脂層と配線層とを有するフレキシブル回路基板部５が塑性変形可能な板状基材４の片面を覆うように積層され、フレキシブル回路基板部５の互いに離隔した複数箇所に電子部品３を実装するための電極部が設けられている曲げ変形可能配線基板２。例文帳に追加

The flexible wiring board 2 includes a flexible circuit board 5 having an insulation resin layer and a wiring layer, a plastically deformable plate base material 4 on which the flexible circuit board 5 is laminated as to cover one surface of the plastically deformable plate base material 4, and electrode parts respectively disposed at a plurality of separated positions on the flexible circuit board 5 for mounting electronic components 3. - 特許庁

発光素子パッケージ１００は、キャビティー１１５を有する透光性の胴体１１０と、上記キャビティー内に配置された複数のリード電極１２１，１２３と、上記複数のリード電極の間を絶縁させる分離部１１２と、上記キャビティー内で上記複数のリード電極に電気的に連結された発光素子１２５と、上記発光素子の上にモールディング部材１３０と、を含む。例文帳に追加

This light emitting element package 100 includes: a translucent body 110 including a cavity 115; a plurality of lead electrodes 121, 123 arranged in the cavity; an isolation part 112 for insulating the plurality of lead electrodes from each other; a light emitting element 125 electrically connected to the plurality of lead electrodes in the cavity; and a molding member 130 on the light emitting element. - 特許庁

スイッチゲート電極ＳＧとメモリゲート電極ＦＧとを離間して配置し、スイッチゲート電極ＳＧのドレイン領域Ｄｒｍ側の片側面およびメモリゲート電極ＦＧのソース領域Ｓｒｍ側の片側面にそれぞれサイドウォール１４を形成し、スイッチゲート電極ＳＧとメモリゲート電極ＦＧとの間は絶縁膜１４ａにより埋め込む。例文帳に追加

A switch gate electrode SG and a memory gate electrode FG are disposed separately, sidewalls 14 are formed on one side surface of a drain region Drm in the switch gate electrode SG and on one side surface of a source region Srm in the memory gate electrode FG, and an area between the switch gate electrode SG and the memory gate electrode FG is embedded with an insulation film 14a. - 特許庁

半導体層１０の主面１０ａに形成され、第１開口部３８Ｎと第２開口部３８Ｐとを有する素子分離絶縁膜３０と、第１開口部の内側に設けられたｎ型ＭＯＳＦＥＴ１０１Ｎと、第２開口部の内側に設けられたｐ型ＭＯＳＦＥＴ１０１Ｐと、を備えた半導体装置を提供する。例文帳に追加

The semiconductor device includes: an element-isolation insulating film 30 formed on a major surface 10a of a semiconductor layer 10, and having a first opening 38N and a second opening 38P; an n-type MOSFET 101N provided in the first opening; and a p-type MOSFET 101P provided in the second opening. - 特許庁

主回路部の部品がエポキシモールドで一体形成され製造が容易になり、組立誤差を防止し、主回路部が駆動部に対して対称配置され配電盤と回路部間の絶縁距離を確保し、配電盤の設置環境に応じて左又は右配列を容易に実現する真空遮断器を提供する。例文帳に追加

To provide a vacuum circuit breaker whose manufacture is facilitated by integrally molding components of a main circuit from an epoxy mold, while preventing assembly errors, securing an insulation distance between a distribution board and a circuit as the main circuit is arranged in symmetry with respect to the drive unit, and easily achieving right or left alignment depending on the installation atmosphere of the distribution board. - 特許庁

チャック装置は、コンタクトピンを把持する一対のチャック片と、該チャック片を相寄り相離れる第１の方向へ移動させる移動装置であって、支持装置に支持された移動装置と、前記チャック片の間に配置されて、両チャック片が電気的に短絡することを防止する電気絶縁部材とを備える。例文帳に追加

The chuck device includes: a pair of chuck blocks to hold the contact pin; a moving unit to move the chuck blocks in a first direction in which the chuck blocks move close to or apart from each other, the moving unit being supported by the support device; and an electrical insulation member provided between the chuck blocks for preventing electrical short-circuit between the chuck blocks. - 特許庁

特に高速伝送特性に優れた薄型の配線構造体を有する配線基板及びこの配線基板を用いた半導体装置において、埋設される電極の側面と絶縁樹脂層とが離れ、電極側面にも半田との接続を設けることで信頼性の高い配線基板、配線基板を用いた半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a wiring board high in reliability by separating a side face of an embedded electrode from an insulation resin layer, and arranging connection to solder in the electrode side face as well, a semiconductor device using the same, and a method of manufacturing the same, in a wiring board having a thin wiring structure excelling particularly in a fast transmission characteristic, and a semiconductor device using the wiring board. - 特許庁

半導体装置１００は、ゲート幅方向に断続的に深さが変化するように形成されたｎ個のトレンチ１６２を有するトランジスタであって、ｎ＝１の第１のトランジスタ２００とｎ＝２以上の第２のトランジスタ２０２と、各トランジスタが形成された領域の周囲に形成されて当該トランジスタが形成された領域を区分けする素子分離絶縁膜１１０と、を含む。例文帳に追加

This semiconductor device 100 includes: a first transistor 200 of n=1 and a second transistor 202 of n=2 or more each of which is a transistor having n trench(es) 162 each formed so that the depth discontinuously changes in a gate width direction; and an element isolation insulation film 110 formed around regions where the respective transistors are formed and isolating the regions where the transistors are formed. - 特許庁

この構成により、導電性シールド材５が円筒型巻線（３）と静電結合することで円筒型巻線（３）の等価静電容量を増加して電位振動を抑制するとともに、導電性シールド材５と電位差のある部材（２，４）との電位差を小さくして、円筒型巻線（３）との間の絶縁距離増加を抑制することができる。例文帳に追加

With this configuration, the conductive shield material 5 electrostatically couples with the cylindrical winding (3) to increase the equivalent electrostatic capacity of the cylindrical winding (3) and thereby suppress potential vibration, and potential differences between the conductive shield material 5 and the members (2, 4) having the potential difference are made small to suppress an increase in insulation distance to the cylindrical winding (3). - 特許庁

例えばＳＯＩ基板のような支持基板部（絶縁体層）の上にシリコン層を設けた半導体基板に対し、シリコン基板（表面）側から光電変換素子層、素子分離層としての酸素イオン注入層、画素トランジスタ等の回路層を順次形成し、その後、シリコン層上に配線層を形成する。例文帳に追加

A photoelectric conversion element layer, an oxygen ion implantation layer acting as an element isolation layer, and a circuit layer such as pixel transistor are sequentially formed, from a silicon substrate (surface) side, on the semiconductor substrate, for example, such as an SOI substrate in which a silicon layer is provided on a support substrate part (insulator layer), and then, a wiring layer is formed on the silicon layer. - 特許庁

オン電圧特性とターンオフ損失とのトレードオフを回避できる１５０μｍ以下の薄いウェハ（半導体基板）の場合でも問題となる一チップあたりの分離領域の占有面積比率を小さくすることができ、拡散時間の短縮も図れる逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a method of fabricating a reverse-blocking insulated gate bipolar transistor which can reduce the occupation area ratio of an isolation region per chip, which becomes a problem even in the case of a thin wafer (semiconductor substrate) having a thickness of ≤150 μm, which can avoid the tradeoff between an on-voltage characteristic and turn-off loss, and also can reduce diffusion time. - 特許庁

ＲＦは、ミラー１５０または金属製バッキング材に接続されてもよく、この場合、適切な導電性材料製で且つアース電位に接続された暗シールドが、コレクタミラー１５０の背面を覆って形成されてよく、これは絶縁体（空気ギャップ）および電圧（ミラー１５０にも接続されたＤＣ電源２２０からのＤＣ）によってミラーから分離される。例文帳に追加

The RF may be connected to the mirror 150 or the metallic backing material, and in this case, a dark shield made of an appropriate conductive material and connected to the earth potential may be formed by covering the back face of the collector mirror 150, and is separated from the mirror by an insulator (air gap) and a voltage (DC from the DC power source 220 connected to the mirror 150 as well). - 特許庁

放電装置は、第１電極（２１０）と、第１電極と対向するように離間して配置される第２電極（２２０）と、第１電極の少なくとも第２電極と対向する放電面を覆うと共に、放電面において第１電極を部分的に露出させる開口部（３１０）を有する絶縁体（３２０）と、第１電極及び第２電極間に電圧を印加する電圧印加手段（１００）とを備える。例文帳に追加

The discharge device includes: a first electrode (210); a second electrode (220) separately arranged so as to face the first electrode; an insulation member (320) covering at least a discharge face of the first electrode that faces the second electrode and having an opening (310) partially exposing the first electrode at the discharge face; and a voltage application means (100) applying voltage to the first and second electrodes. - 特許庁

スクロール圧縮機では、耐圧性確保の為ガラス絶縁端末を上部シェル中央部に配置するため、吐出管を中央部以外に配置する必要が生じるが、気液分離が不十分となり、潤滑油流失による冷凍性能低下、圧縮機内部での潤滑油不足等の問題が生じる。例文帳に追加

To solve a problem that in a scroll compressor, a glass insulation terminal is disposed in the central part of an upper shell for securing pressure resistance, and thus a discharge pipe has to be disposed at a position other than the central part, resulting in insufficient gas-liquid separation, thereby causing problems such as cooling performance deterioration due to leakage of lubricant and shortage of lubricant inside the compressor. - 特許庁

薄型でしかも低損失であり、また、電気絶縁薄膜層と保護遮蔽層との間の剥離発生に起因する保護遮蔽層の形崩れを防止でき、保護遮蔽層の一方の端縁部と他方の端縁部との重ね合わせ部における開口発生に起因する遮蔽効果の低下をも抑止する信号伝送用フラットケーブルを提供する。例文帳に追加

To provide a thin-shaped and low-loss type flat cable for signal transmission, capable of preventing a protection shielding layer from losing form/shape caused by peelings generated between an electric insulation thin-film layer and the protection shielding layer, and also capable of suppressing deterioration of a shielding effect caused by opening generated in a superposed area of one edge on the other edge of the protection shielding layer. - 特許庁

ビルドアップ配線基板のセミアディティブ工法による製造工程における、ドライフィルムレジストを剥離する工程において、高周波電流を流すための絶縁被覆された導体６１が、上搬送ロール７１と下搬送ロール７２の芯を何度も往復するようにビルドアップ配線基板５１の搬送部を囲う電磁誘導コイルを形成する。例文帳に追加

At a step of separating the dry film resists in the process of manufacturing a buildup wiring substrate according to a semi-additive method, an electromagnetic induction coil for enclosing a transfer portion of a buildup wiring substrate 51 is formed to ensure that an insulating-coated conductor 61 for flowing high-frequency current reciprocates for many times between cores of an upper transfer roll 71 and a lower transfer roll 72. - 特許庁

配線部材１９は、電気絶縁層１９ｂに設けた貫通孔１９ｂ１を介して、導体層１９ｃと配線接続部１５ａ１との間を導通接続する導通部１９ｃ１と、導通部１９ｃ１に連なる導電性基材層１９ａの部分を電気的に隔離形成した島状端子部１９ａ１とを有する。例文帳に追加

The wiring member 19 has a conductive part 19c1 for electrically connecting the conductive layer 19c with a wiring connection part 15a1 through a through-hole 19b1 disposed in the electrical insulation layer 19b, and an island-shaped terminal part 19a1 that is formed by electrically isolating the part of the conductive base material layer 19a that continues to the conductive part 19c1. - 特許庁

正極活物質を有する正極１２と、負極活物質を有する負極１５と、これらの間を隔離する多孔質絶縁体１３と、非水電解質とを備えた非水電解質電池において、正極活物質および負極活物質のいずれか一方に、ホウ酸鉄と酸化鉄（III）との共晶体を含む非水電解質電池用活物質を用いる。例文帳に追加

In the nonaqueous electrolyte battery including: a positive electrode 12 having a positive electrode active material; a negative electrode 15 having a negative electrode active material; a porous insulator 13 to separate between them; and nonaqueous electrolyte, for either the positive electrode active material or the negative electrode active material, the active material for the nonaqueous electrolyte battery to contain an eutectic of iron borate and iron oxide (III) is used. - 特許庁

加工硬化による上側電極３と下側電極４との距離の変化を低減するとともに、絶縁基体１が破損する可能性を低減することができ、外部の圧力を長期間にわたって精度良く検出することができる信頼性に優れた圧力検出装置用基体および圧力検出装置となる。例文帳に追加

This constitution makes it possible to reduce the possibility of change in a distance between the upper-side electrode 3 and the lower-side electrode 4 due to work curing and also to reduce the possibility of damage of an insulated substrate 1, and thus the substrate for the pressure detector, and the pressure detector, capable of accurately detecting the external pressure for a long period and are superior in reliability are achieved. - 特許庁

ロジック部と複数のフォトダイオードを有する受光部とからなるイメージセンサにおいて、前記受光部に隣接するフォトダイオード間の領域は、半導体基板表面の下部に形成されたフィールドイオン注入領域２０と前記半導体基板の上部に形成された絶縁膜３０とによって前記フォトダイオードが分離されている。例文帳に追加

The image sensor comprises a logic unit, and a photoreceptor unit having a plurality of photodiodes, wherein the photodiode regions adjacent to the photoreceptor unit are isolated from each other by a field ion-implantation region 20 formed under the surface of a semiconductor substrate, and a dielectric 30 formed on the upper part of the semiconductor substrate. - 特許庁

本発明の線状光源は、絶縁性の長尺基板と、前記長尺基板上の長手方向にそれぞれ離間して実装された複数の発光素子チップと、前記複数の発光素子チップを一体的に覆う透光性封止部材と、を有する線状光源であって、前記透光性封止部材は、前記長尺基板の短手方向の全周を覆っていることを特徴とする。例文帳に追加

The linear light source includes a long insulation substrate, a plurality of light-emitting element chips mounted in a long-side direction of the long substrate separated from each other, and a translucent sealing member integrally covering the plurality of light-emitting element chips. - 特許庁

下記（Ａ）〜（Ｄ）を必須成分として含む熱硬化型の接着剤層を塗布した絶縁性プラスチックフィルム層および離型フィルム層の積層体より構成されることを特徴とするカバーレイフィルムにおいて、（Ｂ）のカルボキシル基の１０％以上が一般式（１）で表わされる形態でブロック化されていることを特徴とするカバーレイフィルム及びフレキシブル印刷回路基板。例文帳に追加

Related to a cover-lay film comprising a laminated body comprising an insulating plastic film layer on which the adhesive layer is coated and a separation film, at least 10% of carboxyl group of the carboxyl group-containing acrylonitrile butadience rubber is made into a block in a form which is expressed with an equation (1). - 特許庁

素子分離絶縁膜３ａに囲まれた領域の表面に、３個のＮ^+拡散層４ａ、４ｂ及び４ｃが形成されており、Ｎ^+拡散層４ａはＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１ａのソース拡散層となり、Ｎ^+拡散層４ｃはＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１ｂのソース拡散層となり、Ｎ^+拡散層４ｂはＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１ａ及び１１ｂのドレイン拡散層となっている。例文帳に追加

Three N+ diffusion layers 4a, 4b, and 4c are formed on a surface of a region surrounded by an element isolating insulating film 3a. - 特許庁

そして、両面電極素子を構成する各素子形成領域がｐｎコラム領域を構成するｐ導電型半導体領域とｎ導電型半導体領域を含むように絶縁分離トレンチを形成し、両面電極素子がｐ導電型半導体領域又はｎ導電型半導体領域をドリフト領域とするようにした。例文帳に追加

The isolation separation trenches are formed so that each element formation region forming the dual-face electrode element includes a p-conductivity type semiconductor region and an n-conductivity type semiconductor region forming the pn column region, and the dual-face electrode elements are formed to use the p- or n-conductivity type semiconductor region as a drift region. - 特許庁

表面が被検査体に接触する検査電極１３と、検査電極から離間して設けられる中継電極１４と、検査電極の裏面と中継電極とを電気的に接続するワイヤ１５と、前記ワイヤを含むように被覆する弾性絶縁体１８とからなることを特徴とする半導体検査治具。例文帳に追加

A semiconductor inspection is constituted of an inspecting electrode 13 to come into contact with a body to be inspected at its surface, a relay electrode 14 provided at a distance from the inspecting electrode 13, a wire 15 to connect the back surface of the inspecting electrode 13 electrically to the relay electrode 14, and an elastic insulator 18 to perform coating so as to include the wire 15. - 特許庁

そして、埋込絶縁膜２側を支持基板１に貼り合せたのち、加熱処理することでイオン注入層２１の場所でシリコン基板２０の一部をスマートカット法にて剥離させることで活性層３を形成し、さらに加熱処理することでアモルファス層２１を多結晶化させてゲッタリングサイトとして機能する多結晶シリコン層４を形成する。例文帳に追加

After bonding the buried insulating film 2 side to a supporting substrate 1, a part of the silicon substrate 20 is peeled off at the place of the ion implantation layer 21 by heat-treating, to form the active layer 3, and the amorphous layer 22 is turned polycrystalline by further heat-treating, to form a polycrystalline silicon layer 4 functioning as a gettering site. - 特許庁

コネクタ１１は、ＩＣカード１００を収納するための収納部２２を有する絶縁性のハウジング１３と、収納部２２内に収納されたＩＣカード１００を覆蓋可能な覆蓋位置と該覆蓋位置から離間した非覆蓋位置との間を個別に回動変位自在に設けられた２つのカバー１４とを備えている。例文帳に追加

The connector 11 is provided with a housing 13 of an insulating property having a container part 22 for containing the IC card 100 and two covers 14 freely moving and displacing separately between a lid-covered position capable of covering the IC card 100 contained in the container part 22 and a non-covered position separated from the lid-covered position. - 特許庁