「離絶」に関連した英語例文の一覧と使い方(76ページ目) - Weblio英語例文検索

製造方法は、負極集電体１０に対応する電極領域と、孔１０１に対応する絶縁領域とをパターン形成しためっき金型を使用して、電気めっきにより、電極領域に選択的にニッケルの薄膜を析出させたのち、薄膜をめっき金型からはく離する。例文帳に追加

In this manufacturing method, by using a plating die patterned with an electrode region corresponding to the negative electrode collector 10 and an insulation region corresponding to the holes 101, a thin film of nickel is selectively deposited on the electrode region by means of electroplating, and thereafter, the thin film is separated from the plating die. - 特許庁

ＳＴＩ構造の素子分離領域を形成する半導体装置の製造方法において、トレンチの上縁部に充分な丸み形状を形成でき、且つ、トレンチ内部への絶縁材料の埋込みに際してその付近での段差を抑制する。例文帳に追加

To form a sufficiently round shape at the upper edge of a trench and to suppress level difference in the vicinity of the trench when it is filled with an insulating material in the process for fabricating a semiconductor device forming an isolation region of STI structure. - 特許庁

上記導体３４の長さは、電極間の空間部分の領域上における長さが、電極間距離Ｌ１より短く、これにより、ランプ２の点灯前における電極２３，２４とトリガー部材３との間での絶縁破壊を抑制することができる。例文帳に追加

The length of the conductor 34, that is, the length on a region of space portion between the electrodes, is shorter than the length L1 between the electrodes;, and as a result of this, insulation breakdown between the electrodes 23, 24 and the trigger member 3 before lighting of the lamp 2 can be suppressed. - 特許庁

半導体装置の製造工程において、フッ素、ＨＦまたは低分子のフルオロカーボン類の脱離が少なく、上に積層する膜との密着性が優れた絶縁膜の形成方法、およびその形成方法を用いて形成された半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a formation method of an insulating film causing fluorine, HF, or low-molecular fluorocarbons to be eliminated less and having excellent adhesiveness with a film laminated on the insulating film in a manufacturing process of a semiconductor device, and to provide a semiconductor device formed by the formation method. - 特許庁

半導体装置の製造工程において、フッ素、ＨＦ、または、低分子のフルオロカーボン類の脱離が少なく、上に積層する膜との密着性が優れた絶縁膜の形成方法、およびその形成方法を用いて形成された半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a formation method of an insulating film causing fluorine, HF, or low-molecular fluorocarbons to be eliminated less and having excellent adhesiveness with a film laminated on the insulating film in a manufacturing process of a semiconductor device, and to provide a semiconductor device formed by the formation method. - 特許庁

提案されるアーキテクチャは、コプロセッサ１４０としてディジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）に組み込まれて、絶対差分の合計の計算，ダウンサンプリング（またはアップサンプリング）オプションを持つ対称行／列ＦＩＲ濾波，行／列離散ＤＣＴ／ＩＤＣＴおよび一般代数機能をアシストする。例文帳に追加

Proposed architecture is incorporated as a coprocessor 140 in a digital signal processor(DSP) and assists in the calculation of the total of absolute differences, symmetrical row/column FIR filtration having a down sampling (or up sampling) option, row/column discrete DCT/IDCT, and general algebraic functions. - 特許庁

半導体層31を覆って基板21上に形成したゲート絶縁膜32に、半導体層31上に位置する第１領域41と、半導体層31の外方に位置し基板21からの距離が第１領域41より大きい第２領域42とを連続して設ける。例文帳に追加

A first region 41 positioned above a semiconductor layer 31 and a second region 42 positioned outside the semiconductor layer 31 and having a distance from a substrate 21 longer than that of the first region 41 are continuously formed on a gate insulating film 32 formed on the substrate 21 so as to cover the semiconductor layer 31. - 特許庁

前面基板は絶縁性の層である上層リブ２８を有しており、下層リブ２９と上層リブ２８が重なっている領域があり、該領域に形成されている導電層２６は上層リブ２８によって下層リブ２９と離間されている。例文帳に追加

The front substrate has an upper rib 28 which is an isolating layer, a zone overlapped by the lower rib 29 and upper rib 28 is existed, and the conductive layer 26 formed in the zone is separated from the lower rib 29 by the upper rib 28. - 特許庁

これによって、相手方コネクタとのスライド接続の過程で、相手方コンタクトが絶縁ハウジングに接触することなく、多数回のスライド接続を行った場合でもメッキ剥離による接触信頼性の低下を抑制することができる。例文帳に追加

By this, in the process of slide connection with the counter connector, the reduction of contact reliability due to the peeling-off of plating can be restrained even if numerous slide connections are performed without the contact of the counter contact to contact with the insulation housing. - 特許庁

電池パックは、互いに平行な姿勢で隣接して配設されてなる複数の充電できる電池１と、この電池１の端部電極に溶接されて複数の電池１を直列又は並列に接続し、かつ互いに絶縁隙間５を設けて分離して配設されてなる複数のリード板３とを備える。例文帳に追加

The battery pack is provided with a plurality of chargeable batteries 1 which are arranged adjacently in mutually parallel posture, and a plurality of lead plates 3 which are welded to the end part electrode of the batteries 1 and connect the plurality of batteries 1 in series or parallel and are arranged separated mutually with an insulating gap 5. - 特許庁

ハートビート監視部５１１、５２１は、ＦＣ−ＡＬ４１、４２経由で送信されてくるハートビートコマンドが両ループで共に途絶えると、双方のループで異常が発生したとして、ＦＣ−ＡＬ４１、４２に接続された全てのディスク２１〜２Ｎを切り離し、ループ異常を解消する。例文帳に追加

Heart beat monitoring parts 511, 521 disconnect all disks 21-2N from the FC-ALs 41, 42 to avoid the failures of the loops by defining that both loops fail when heart beat commands transmitted via the FC-ALs 41, 42 lose contact with both loops. - 特許庁

器体１は、後面における電源端子部４２と信号端子部３８との間の位置に、スイッチボックス内において電源線を収納する空間と信号線を収納する空間とを隔離する板状の絶縁セパレータの前端部が嵌合する位置決め溝５３を有する。例文帳に追加

The unit body 1 includes a positioning groove 53 to which a front end of an isolation plate separator for isolating the space for containing the power lines from the space for containing the signal lines in the switch body is fitted at a position between the power terminal part 42 and the signal terminal part 38 on the rear side. - 特許庁

パワー素子と制御回路を１つのパッケージ収納した電力用半導体装置において放熱手段を取りつける場合の放熱手段と外部端子間の絶縁距離を十分に確保できる電力用半導体装置及び放熱器を提供する。例文帳に追加

To provide a power semiconductor device wherein an insulation distance can be secured fully between a heat-radiating means and an external terminal, when the heat radiating means is fitted as a power semiconductor device having a power element and a control circuit stored in a single package, and a heat radiator. - 特許庁

吐出要素１０４Ｂと、隣接する吐出要素１０４Ｃとにそれぞれ接続する駆動配線２０４Ｂと駆動配線２０４Ｃとは、絶縁体３０２でカバーされず圧電体３０４が表面を形成している補正用アクチュエータ３００で、一定距離にわたって平行に配置される。例文帳に追加

The driving wiring 204B and the driving wiring 204C respectively connected to the discharging element 104B and the adjacent discharging element 104C are arranged in parallel over a predetermined distance on the actuator 300 for correcting which is not covered by the insulator 302 and in which piezoelectric body 304 forms the surface. - 特許庁

複数の接続端子Ｈ１３０４のそれぞれに接する分離した複数の凸状部１１１によって絶縁部１１０を構成し、凸状部間には封止剤Ｈ１３０７の通過を許容するための溝１１２が形成されるようにする。例文帳に追加

The insulation part 110 is configured by a plurality of separate protrusion parts 111 each of which is brought into contact with each of the plurality of connection terminals H1304, and grooves 112 for permitting passage of the sealant H1307 are formed between the protrusion parts. - 特許庁

アルミ電線１の一端部の絶縁体３を剥離して露出させたアルミニウム製又はアルミニウム合金製の多数本の素線２から成る導線端部７の横断面形状を、端子４の圧着塑性変形後の横断面形状と略同一となるように予備成型する。例文帳に追加

The cross-sectional shape of a conductor end 7 exposed by peeling an insulating material 3 at one end of an aluminum wire 1 and formed of multiple strands 2 made of aluminum or an aluminum alloy is preliminarily formed to set it nearly equal to the cross-sectional surface shape of a terminal 4 after crimping and plastic deformation thereof. - 特許庁

小径化が進んだ容器であっても、その内面に粘着性塗料を剥離することなく確実に塗装でき、コンパクト化および低コスト化に寄与することが可能な絶縁信頼性の高い密閉型開閉装置、その塗装方法および同方法に用いる塗料カプセルを提供する。例文帳に追加

To provide a sealed type switching device having high insulation reliability in which its inner surface can be surely coated without separating an adhesive coating even if the container is reduced in diameter and which can contribute to a reduction in size and cost, and to provide its coating method and a coating capsule used for the method. - 特許庁

光ファイバの端面４ａより保護スリーブ３の先端が少なくとも０．３ｍｍ以上突き出し、先端チップ１と光ファイバ端面４ａとの間に熱絶縁距離Ｌ１を取り、熱伝導性の低い材質の保護スリーブ３を採用するものである。例文帳に追加

The top of the protection sleeve 3 protrudes from the end surface 4a of an optical fiber by at least 0.3 mm, with a heat insulating distance L1 between the tip 1 of the probe and the end surface 4a of the optical fiber. - 特許庁

、電機子コアの電磁鋼鈑の積層厚さのバラツキや、電機子コアに巻装するワイヤの延びに影響されることなく、ワイヤの絶縁被覆を剥離する部分を、常に巻終わり部の所定の位置に形成できる巻線方法を提供する。例文帳に追加

To provide a winding method wherein a wire portion with an insulating coating to be stripped can be constantly formed in a predetermined position at a winding end without being affected by of variations in the laminate thickness of magnetic steel sheets of an armature core or elongation in a wire wound on the armature core. - 特許庁

ウエハレベルＣＳＰ等の半導体パッケージ構造を有する半導体装置において、微細化が可能であると共に、絶縁樹脂層との界面で剥離が発生しにくい導電部を備え、導電部における良好な導電性が確保される半導体パッケージ構造を有する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device with the semiconductor package structure of a wafer level CSP, etc., including a conductive part which is finely dividable and hardly peeled on a surface boundary with an insulating resin layer, and securing excellent conductivity in the conductive part. - 特許庁

さらに、下部電極１２と対向するように、上部電極１７が形成された上部基板１８を配置すると共に、疎水性絶縁膜１３と上部電極１７との間に、互いに分離された状態を保つ極性液体１６および無極性液体１５を封入する。例文帳に追加

An upper substrate 18 formed with an upper electrode 17 is arranged further to be opposed to the lower electrode 12, and a polar liquid 16 and a nonpolar liquid 15 held under a state separated each other are sealed between the hydrophobic insulating film 13 and the upper electrode 17. - 特許庁

レーザ光を測定対象物に照射し測定対象物からの反射光を受光することにより測定対象物の３次元画像情報を取得する装置であって、測定対象物までの絶対的な距離とともに３次元画像を高速に取得する。例文帳に追加

To acquire a 3D image at a high speed together with an absolute distance to a measuring object with a device which acquires the 3D images of the object by irradiating the object with a laser beam and receiving the reflection light. - 特許庁

インダクタンス素子のコイル先端部の絶縁被膜の剥離作業性、仕上がり寸法管理を容易にできると共に、引き出し位置精度を高めて実装性を向上し、更に耐電圧性能も維持できるインダクタンス素子を提供することである。例文帳に追加

To provide an inductance element which has an insulating film in a coil front end part easily managed with respect to peeling workability and finished dimensions, has improved mountability by enhancing drawing position precision and can maintain breakdown voltage performance. - 特許庁

絶縁距離が一定である埋め込み印刷回路基板を具現することにより、印刷回路基板の電気的特性を一定に維持し、歪み問題を改善して、内蔵密集度が向上された埋め込み印刷回路基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for an embedded printed circuit board with improved density by realizing an embedded printed circuit board with a constant insulation distance for keeping the electrical characteristics of the printed circuit board constant and solving a distortion problem. - 特許庁

半導体記憶装置の製造方法に関し、ミラーフラッシュメモリとして優れた性能を実現させるアルミナを用いた多層ゲート絶縁膜でありながら、ゲートを微細化した場合でも、ソース側及びドレイン側に電荷を確実に分離してトラップすることが可能であるようにする。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor storage device for realizing a multilayer gate insulating film capable of surely separating electric charges to a source and a drain, and trapping the electric charges even when adopting a micro-processed gate although the multilayer gate insulating film employs alumina for realizing excellent performance as a mirror flash memory. - 特許庁

絶縁膜形成工程を新たに追加することなく、素子分離領域における短絡不良やリーク電流の発生を抑制しながら、レーザ発振の横モードの安定性を向上させることが可能な半導体レーザ素子を容易に製造し得る半導体レーザ素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor laser device, which easily manufactures the semiconductor laser device capable of improving the stability of the lateral mode of the laser oscillation without adding any insulating film forming process newly while suppressing short-circuit defects or leak currents in an element separating region. - 特許庁

導電部としての複数列の金属フレームと、前記金属フレームを挟むようにして前記金属フレームの周囲を覆う第１樹脂部と第２樹脂部とを有する樹脂成形配線板において、金属フレーム間の絶縁距離を大きくしたり、樹脂部の厚みを厚くしたりしないで、信頼性、コスト、小型化を改善する。例文帳に追加

To secure insulation performance of a mold wiring board and at the same time improve reliability, due to improvement in strength with respect to external force or the like. - 特許庁

層内マイクロレンズと半導体基板に形成された受光部との間の距離を、集光効率を考慮した設計上の値に作り込むとともに周辺回路部の層間絶縁膜を厚く保ち、周辺回路部の動作特性を維持する。例文帳に追加

To maintain operating characteristic of a peripheral circuit by a method wherein distance between an intralayer micro lens and a light receiving part formed in a semiconductor substrate is reflected on value on design in which condensing efficiency is considered, and the interlayer dielectric of the peripheral circuit is kept thick. - 特許庁

少なくとも繊維を含有する絶縁性樹脂層と、導電性物質が樹脂中に混合分散されその両端部に一対の給電用電極を有する発熱層と、離型層とが順次積層されていることを特徴とする発熱定着ベルト。例文帳に追加

A heat fixing belt is formed by sequentially laminating: an insulating resin layer that contains at least fiber; a heating layer in which a conductive substance is mixed and dispersed in a resin, and has a pair of power supply electrodes on both ends thereof; and a release layer. - 特許庁

検査電極を被検査体に押圧して繰り返し導通検査を行っても、検査電極及び配線層の一部が絶縁基板より離脱することなく、良好な電気的導通が得られ、信頼性の高い導通検査ができる検査治具を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an inspecting jig which can obtain superior electrical continuity and perform continuity with high reliability, without the separation of an inspection electrode and a wiring layer, even if continuity inspection is repeatedly performed by pressing the inspection electrode against a body to be inspected. - 特許庁

本発明は、電着法によりグラファイトシートの表面に有機高分子薄膜を設けることにより、厚さが均一であり、電気的絶縁性、柔軟性に優れ、グラファイト粉末が脱離しにくく、熱抵抗が小さいといった特性を持つ良品質のグラファイトシ−トを提供することができる。例文帳に追加

The surface of the graphite sheet is provided with an organic polymer thin film by an electrodeposition method, by which the graphite sheet of good quality having such characteristics, as a uniform thickness, the excellent electrical insulatability and pliability, the lower tendency of the graphite powder to desorption and the small thermal resistance may be provided. - 特許庁

巻芯に線材を巻回してコイルを製造する巻線装置において、線材の絶縁被膜の剥離作業を行う際に計算上の位置と実際の位置との位置ずれが生じにくく、またコイルの排出作業を合理的に行いうるものを提供する。例文帳に追加

To rationally perform ejection of a coil, while making it hardly deviate from the calculated position and a real position, when performing the release of the insulating coating of a wire concerning a winding device for producing the coil by winding the wire around a winding core. - 特許庁

フローティングゲート電極として利用できる導電膜を素子分離絶縁膜を利用して自己整合的に形成すると同時に、ダイオード素子等の半導体素子として利用できる導電膜を形成することが可能な技術を提供する。例文帳に追加

To form a conductive film in self-matching manner that can be used as a floating gate electrode by using an element separation insulating film, and to provide a technology capable of forming a conductive film that can be used as a semiconductor element such as a diode element. - 特許庁

そして、エピタキシャル層２の表面であって、低濃度のドレイン層９と絶縁分離層１２との間に、それらの層に隣接してＮ型不純物から成る高濃度拡散層１３及び電極取り出し層１４が形成されている。例文帳に追加

On the surface of the epitaxial layer 2, a high-concentration diffusion layer 13 made of an N-type impurity and an electrode extraction layer 14 are so formed between a low-concentration drain layer 9 and the insulating isolation layer 12 as to be adjacent to the layers 9 and 12. - 特許庁

その後、少なくともゲート電極の膜厚よりも厚く、かつ、ゲート電極の膜厚と分離絶縁膜のエッチング膜厚とを合計した膜厚よりも薄いシリコン酸化膜を形成し、このシリコン酸化膜上に、エッチングストッパ膜を形成する。例文帳に追加

Then, a silicon oxide film is formed that is at least thicker than the film thickness of the gate electrode and thinner than the film thickness totalling the film thickness of the gate electrode and the thickness of the etched isolation insulating film, and an etching stopper film is formed on top of the silicon oxide film. - 特許庁

半導体発光装置の製造方法は、半導体基板１０１上に、複数の柱状部１１０を有する半導体堆積層１５０を形成する工程、柱状部の周囲に樹脂系の材料からなる埋込み絶縁層１２０を形成する工程、および、ウェハを分離してチップを形成する工程、を含む。例文帳に追加

The method for manufacturing a semiconductor light-emitting device includes the steps of forming a semiconductor deposition layer 150 having a plurality of columnar parts 110 on a semiconductor substrate 101, forming a buried insulating layer 120, made of resin-based material around the columnar parts, and forming a chip separated from the wafer. - 特許庁

画素電極９は、互いに平面分離された複数の島状部２９を備えており、各島状部２９と前記スイッチング素子３０とは、それぞれ前記絶縁層に形成されたコンタクトホールＣを介して電気的に接続されている。例文帳に追加

The pixel electrode 9 is provided with a plurality of island like parts 29 two-dimensionally separated from each other and each island like part 29 and the switching element 30 are electrically connected to each other via the contact hole C formed in the insulating layer. - 特許庁

絶縁層よりなる電荷蓄積層に電荷を蓄積することにより情報を記憶する不揮発性半導体記憶装置に関し、電荷保持特性を改善して２ビット動作時における蓄積電荷の分離を確実にしうる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile semiconductor memory device that surely separates accumulated charges in a 2-bit operation by improving a charge holding characteristic, regarding the nonvolatile semiconductor memory device for storing information by accumulating charges in a charge accumulation layer made of an insulation layer, and a method of manufacturing the same. - 特許庁

開口、該開口を開閉する開閉部材のうちの一方に設けられ、導電性を有する外部電極と、該外部電極と離間し、前記外部電極に沿って設けられ、前記外部電極と電気的に絶縁された内部電極とを有したセンサに関し、省スペースのセンサを提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a space-saving sensor including an aperture, an external electrode arranged on one of opening/closing members for opening/closing the aperture and having conductivity, and an internal electrode separated from the external electrode, arranged along the external electrode and electrically insulated from the external electrode. - 特許庁

各ナノワイヤが、２つの同軸の枝路により構成される熱電対を形成しており、前記２つの同軸の枝路が、異なる種類の材料から形成され、電気絶縁材料の層により分離され、前記ナノワイヤの自由端に個別的に電気接続されている。例文帳に追加

Each nanowire forms a thermocouple composed of two coaxial branches made from materials of different natures separated by a layer of electrically insulating material and electrically connected individually to the free end of the nanowire. - 特許庁

内視鏡をもちいた外科手術の施術用器具にて、加熱凝固、切離、切除、およびその前段階の、狙った部位を挟むという機能を兼備した使い勝手のよい器具の提供、および電気エネルギー発熱部を有する前記器具の絶縁構造に関する製造法の提供。例文帳に追加

To provide a handy device for an operation using an endoscope having functions of coagulating by heat, parting, excision and holding the aimed region as a preceding stage, and a production method of an insulation construction of the above device which has a heat generating section by electric energy. - 特許庁

放電電極を備えた上部箱体と下部箱体とに用いられる、誘電体や容器の厚さを薄くするとともに、導電体電極から容器の内面までの絶縁距離を短くし、軽量化と小型化と低コスト化とを実現したガスレーザ発振器を得ることである。例文帳に追加

To obtain a gas laser oscillator where a dielectric and a container to be used for an upper box body and a lower box body each having a discharge electrode are thinned, an insulating distance between a conductive electrode and the inside of the container is shortened, and weight reduction, miniaturization, and cost reduction are obtained. - 特許庁

ソース２７と、素子分離絶縁膜２６との間の基板表面には、Ｐエピタキシャル層２２に達するＮウエル２４ａが形成されており、ドレイン２９の直下には同様にＰエピタキシャル層２２に達するＮウエル２４ｂがドレイン２９と接して形成されている。例文帳に追加

On a surface of a substrate between the source 27 and an element isolation insulated film 26, an N well 24a reaching a P epitaxial layer 22 is formed, and an N well 24b reaching the P epitaxial layer 22 is similarly formed just beneath the drain 29 so as to be contiguous to the drain 29. - 特許庁

素子分離酸化膜１２に囲まれた半導体基板１１上における所定のチャネル領域１３上にゲート酸化膜１４を介してゲート電極１５、その両側の基板上にはソース／ドレイン拡散層１６が形成されゲート電極１５は絶縁膜１７で覆われている。例文帳に追加

A gate electrode 15 is formed via a gate oxidized film 14 on a prescribed channel region 13 on a semiconductor substrate 11 enclosed with an element isolation oxide film 12, and a source/drain diffusion layer 16 is formed on the both-side substrates, and the gate electrode 15 is coated with dielectric 17. - 特許庁

連続的な移動が容易に出来ること、絶対位置を指示することと移動(相対距離)を指示することが両立されること、速度の変化の巾が大きく、しかも容易であること、そして往復運動の入力を容易にすることのできる入力装置(ポインティングデバイス)を提供する。例文帳に追加

To provide an input device (pointing device) with which continuous transfer is easily performed, an instruction of an absolute position and an instruction of transfer (relative distance) are made compatible, in which width of speed change is large and easy and input of reciprocal motions is facilitated. - 特許庁