「離絶」に関連した英語例文の一覧と使い方(80ページ目) - Weblio英語例文検索

この高耐電圧型コネクタの場合、位置決めガイド溝１ｄに嵌め込まれて２つの高圧端子収納孔１ａ内に収納された一対の高圧端子４を隔絶して所定の端子相互間沿面空間距離を確保する仕切壁２ａを一体的に有すると共に、係止部材挿入用孔に嵌め込まれて一対の高圧端子４に当接してこれらの高圧端子４を係止する二重係止部材２を備えている。例文帳に追加

This high withstand voltage type connector integrally has partitions 2a for isolating a pair of secondary terminals fitted in positioning guide grooves 1d and stored in two secondary terminal storing holes 1a to secure a fixed interterminal creeping space distance, and is equipped with a double lock member 2 fitted in a lock-member insertion hole and abutting on the pair of secondary terminals to lock the secondary terminals. - 特許庁

Ｈ.２６４における４×４整数近似逆離散コサイン変換及び４×４アダマール変換では被変換データ行列Ｃと定数行列Ｂ及び定数行列Ａの積ＣＢ及びＣＡを求めるが、行列Ｂと行列Ａとでは一部の成分の絶対値が1/2と1で異なっているだけである。例文帳に追加

As for 4×4 integer approximate inverse discrete cosine transformation and 4×4 Hadamard transformation in H.264, products CB and CA of a data matrix C to be transformed and a constant matrix B and a constant matrix A are calculated, and the absolute values of the partial components of the matrix B and the matrix A are made different only by 1/2 and 1. - 特許庁

第１、第２のコンタクトホール５、６を１つの横長の長方形状とした場合、第１、第２のコンタクトホール５、６の互いに対向する縁部５ａ、６ａの長さが大きくなり、この縁部５ａ、６ａの部分から、絶縁膜上に設けられた電源用上層入力端子２ｂが剥離することがある。例文帳に追加

When the first and second contact holes 5 and 6 are made into one shape of an oblong rectangle, opposite edges 5a and 6a of the first and second contact holes 5 and 6 become longer, sometimes the upper input terminals 2b for the power supply on the insulating film exfoliate from the parts of the edges 5a and 6a. - 特許庁

導電路と導電路に電気的に接続される回路素子とを有する第１の半導体装置と、導電路と導電路に電気的に接続される回路素子とを有する第２の半導体装置と、回路素子を有する一方側どうしが対向する第１の半導体装置と第２の半導体装置との間隙を所定距離をもって封止する絶縁性樹脂と、を備えたことを特徴とする半導体装置。例文帳に追加

The semiconductor apparatus comprises a first semiconductor apparatus having a conductive path and a circuit element connected electrically to the conductive path, a second semiconductor apparatus having the conductive path and the circuit element connected electrically to the conductive path, and an insulating resin for sealing a gap between the first semiconductor apparatus and the second semiconductor apparatus in which one sides having the circuit element are opposed to each other at a given distance. - 特許庁

絶縁分離トレンチにより、半導体基板において複数の素子形成領域が区分された半導体装置であって、対をなす電極が半導体基板の表面と該表面の裏面に分けて配置され、電極間に電流が流れる両面電極素子の形成領域として、半導体基板にｐｎコラム領域を設けた。例文帳に追加

In the semiconductor device having a plurality of element formation regions divided by isolation separation trenches on a semiconductor substrate, pairs of electrodes are arranged on the front and rear surfaces of the semiconductor substrate to be separated from each other, and a pn column region is provided on the semiconductor substrate as a region for forming dual-face electrode elements through which currents flow between the electrodes. - 特許庁

半導体基板に形成されたソース及びドレインと、半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを含み、ゲート電極の端部とドレインの端部とが離間して配置され、かつドレインの端部がゲート電極の下に位置していないＭＯＳトランジスタによってメモリセルが構成される。例文帳に追加

This semiconductor device contains a source and a drain that are formed on a semiconductor substrate, and a gate electrode that is formed via a gate insulation film on the semiconductor substrate, the end part of the gate electrode is separated from that of the drain, and the end part of the drain is not located under the gate electrode in a memory cell by a MOS transistor. - 特許庁

非磁性分離層３０５が第２磁極片１０２と書込みシールド層３０４の間に位置しており、少なくとも１個の強磁性スタッド３００，３０２が第１磁極片層１００と書込みシールド層３０４の間に磁気的に結合され、かつヘッド表面ＡＢＳと絶縁スタックの１１０間に位置している。例文帳に追加

A nonmagnetic isolation layer 305 is located between the second pole piece 102 and the write shield layer 304 and at least one ferromagnetic stud 300 and/or 302 is magnetically connected between a first pole piece layer 100 and the write shield layer 304 and is located between the head surface ABS and the insulation stack 110. - 特許庁

有機薄膜トランジスタは一般に、基板２０上に、ゲート電極３０、ソース電極５０およびドレイン電極６０、ゲート電極をソースおよびドレイン電極と分離する電気絶縁ゲート誘電体層４０、およびゲート誘電体層と接触し、ソースおよびドレイン電極を架橋する半導体層７０を含む。例文帳に追加

An organic thin film transistor generally comprises, on a substrate 20, a gate electrode 30, a source electrode 50, a drain electrode 60, an electrically insulating gate dielectric layer 40 which separates the gate electrode from the source and drain electrodes, and a semiconducting layer 70 which is in contact with the gate dielectric layer and bridges the source and drain electrodes. - 特許庁

水によって加水分解されやすいβ−アミノ酸エステルの自己加水分解を抑制し、単離取得が困難とされる光学活性Ｎ−置換−β−アミノ酸を、収率、選択性、操作性等が向上する、（Ｒ又はＳ）−Ｎ−置換−β−アミノ酸及び逆の立体絶対配置のエステル体の工業的な製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for industrial production of an (R or S)-N-substituted-β-amino acid and its ester having a reverse absolute steric configuration while suppressing autohydrolysis of a β-amino acid ester liable to be hydrolyzed with water, and improving yield, selectivity, operability, etc., of an optically active N-substituted-β-amino acid difficult to obtain in an isolated state. - 特許庁

絶縁被覆を局所的に除去して導体２９を露出させた少なくとも二つのフラットワイヤハーネス２５を平行に重ねてハウジング２７に保持させるとともに、このハウジング２７に設けられた尖頭状のガイド突起４５を二つのフラットワイヤハーネス２５の間に挟入させてフラットワイヤハーネス２５のそれぞれの端部を外側に離間させる。例文帳に追加

At least two flat wire harnesses 25, from which conductors 29 are exposed by partially removing insulating covers, are stacked in parallel and held against a housing 27, and a pointed guide projection 45 provided on the housing 27 is sandwiched between the two flat wire harnesses 25, to deflect the ends of the flat wire harnesses 25 outwards and away from each other. - 特許庁

ベース基板１と、赤外線を吸収するとともに該吸収による温度変化を検知する温度検知部３と、温度検知部３がベース基板１の一表面から離間して配置されるように温度検知部３を支持して温度検知部３とベース基板１とを熱絶縁する断熱部４とを備える。例文帳に追加

The infrared sensor comprises a base board 1, a temperature detection part 3 which absorbs infrared rays and detects a temperature change due to the absorption, and a heat insulation part 4 which supports the temperature detection part 3 so that the temperature detection part 3 is arranged spacing from one surface of the base board 1 and heat-insulates the temperature detection part 3 and the base board 1. - 特許庁

メモリセル１００は、シリコン基板１０と、シリコン基板１０上に互いに隣り合って配置されたゲート電極１２、１３と、シリコン基板１０とゲート電極１２間に形成された絶縁層３０と、シリコン基板１０とゲート電極１２間に形成された電荷蓄積層２６と、を備え、ゲート電極１２は、シリコン基板１０から離間するに従って少なくとも部分的に幅広になる。例文帳に追加

A memory cell 100 includes a silicon substrate 10, gate electrodes 12 and 13 arranged on the silicon substrate 10 while adjoining each other, an insulating layer 30 formed between the silicon substrate 10 and the gate electrode 12, and a charge storage layer 26 formed between the silicon substrate 10 and the gate electrode 12, wherein the gate electrode 12 becomes broad at least partially as it recedes from the silicon substrate 10. - 特許庁

高温ナトリウム二次電池は、液体ナトリウムを収納した負極室４と、正極活物質を収納した正極室５と、負極室４及び正極室５の間を分離した固体電解質袋管１と、負極室４内に設置され、内部に液体ナトリウム７を収納したナトリウム容器８と、固体電解質袋管１の端部近傍に設けられた絶縁リング６とを有する。例文帳に追加

The high-temperature secondary battery is provided with an anode chamber 4 containing liquid sodium, a cathode chamber 5 containing cathode active material, a solid electrolyte bag tube 1 separating the anode chamber 4 and the cathode chamber 5, a sodium vessel 8 fitted inside the anode chamber containing liquid sodium, and an insulation ring 6 fitted in the vicinity of an end part the solid electrolyte bag tube 1. - 特許庁

デジタル回路とアナログ回路が形成されているシリコン基板１のデジタル回路形成領域２とアナログ回路形成領域３との間に絶縁層を有する回路分離領域４のＬＯＣＯＳ６の下部のシリコン基板１に少なくとも一部が接触するようにＬＯＣＯＳ６の内部にクロストーク防止用の導電部５が形成されている。例文帳に追加

A conductive part 5 for preventing crosstalk is formed in a LOCOS 6 so that at least a part thereof comes in contact with a silicon substrate 1 at the lower part of the LOCOS 6 of a circuit isolating region 4 including an insulating layer between a digital circuit forming region 2 and an analog circuit forming region 3 of the silicon substrate 1 where a digital circuit and an analog circuit are formed. - 特許庁

下記（Ａ）〜（Ｃ）を必須成分として含む、熱硬化型の接着剤層を塗布した絶縁性プラスチックフィルム層および離型フィルム層の積層体より構成されるカバーレイフィルムの接着剤層において、エポキシ樹脂の少なくとも一部と硬化剤の少なくとも一部を予め反応させた硬化反応物に、その他成分を混合することを特徴とするカバーレイフィルム。例文帳に追加

This film improves the reliability of the flexible print substrate. - 特許庁

振動板を変形させてノズル孔から液滴を吐出させる液吐出ヘッドにおいて、振動板１０に電気的に互いに絶縁分離された導電性を有する構造体からなる複数の電極１４を設け、この電極１４を保護する第２基板（保護部材）２を有し、この第２基板（保護部材）２の電極１４に対応する部分が開口されている。例文帳に追加

In a liquid ejecting head for ejecting liquid droplets from a nozzle hole by deforming a diaphragm, a plurality of electrodes 14 comprising conductive structures electrically insulated with each other are provided in the diaphragm 10, and a second substrate (protection member) 2 for protecting the electrodes 14 is provided such that the part of the second substrate (protection member) 2 corresponding to the electrodes 14 is opened. - 特許庁

コイル部品における所定の位置に高い精度で絶縁被覆が剥離された導体の部分を配置させることができるコイル部品の製造方法、当該コイル部品の製造方法を実施するためのコイル部品の製造装置、及び当該コイル部品の製造方法により製造されたコイル部品の提供。例文帳に追加

To provide a method of a manufacturing coil component by which a conductor whose insulating coating is delaminated can be arranged at a predetermined position of the coil component with high accuracy, and to provide an apparatus of manufacturing the coil component for implementing the method of manufacturing the coil component, and to provide the coil component manufactured by the method of manufacturing the coil component. - 特許庁

絶縁材料からなるセパレータ本体１２内のブローバイガス流通方向の上流側に、コロナ放電を発生させることにより、該ブローバイガス中のオイルミストを帯電させる放電電極３０を設ける一方、その下流側に、該帯電せしめられたオイルミストを、クーロン力により吸着して、該ブローバイガス中から分離する対極電極３４を設けて、構成した。例文帳に追加

This oil separator is constructed by providing an electric discharge electrode 30 charging oil mist in the blow-by gas by generating corona discharge at an upstream side in a blow-by gas flow direction in a separator body 12 made of insulation material, and also by providing a counter electrode 34 attracting the charged oil mist by Coulomb force and separating the same from the blow-by gas at a downstream side thereof. - 特許庁

モールドされる複数の半導体素子を切断刃で切断して分離できる間隔をおいて配設した絶縁基板をモールド装置の一つのキャビティ内に収容し、該キャビティ内にモールド材を加熱圧入し、一括してモールドされた複数の半導体装置からなるモールド体２５を切断刃５０にて個々の半導体装置に切断する。例文帳に追加

An insulating substrate wherein a plurality of molded semiconductor elements are cut by means of a cutting blade and are arranged at separable intervals is stored in a cavity of an apparatus for molding and a molding material is heated and pressed into the cavity and a molded body 25 consisting of a plurality of wholly molded semiconductor apparatus is cut into individual semiconductor apparatus by means of a cutting blade 50. - 特許庁

薄膜素子１３が剥離層１２を介して基礎基板１１上に形成される転写用薄膜素子基板であって、上記薄膜素子１３上に配置されかつ上記薄膜素子１３の導電部に対応する開口部１４ａが形成される絶縁層１４と、上記開口部１４ａ内に配置されかつ導電性微粒子１５によって形成される導電性微粒子層とを有する。例文帳に追加

A thin film element substrate for transfer wherein the thin film element 13 is formed on a base substrate 11 via a stripping layer 12 is provided with an insulation layer 14 arranged on the thin film element 13 and formed with an opening 14a corresponding to a conductive section of the thin film element 13, and a conductive particulate layer composed of conductive particulates 15 and arranged in the opening 14a. - 特許庁

導電性フレーム上に電解メッキ法によって導体配線層を形成し、半導体素子の実装、封止後に導電性フレームを除去する工程を含む半導体装置の製造方法において、導体配線層の溶解や剥離などの不具合をなくし、工程歩留まりの大幅な改善と回路間の絶縁信頼性の向上を提供する。例文帳に追加

To eliminate a failure like dissolution or flaking of a conductive wiring layer, improve a process yield greatly and enhance reliability in insulation between circuits in a manufacturing method, in which a conductive wiring layer is formed on a conductive frame in an electrolytic plating method and a frame is removed after the mounting and sealing of the semiconductor element. - 特許庁

パターニングされたレジスト層に基づいてロジック回路領域内の第１導電層をパターニングし、ロジック回路領域内に絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極を形成し、パターニングされたストッパ層に基づいてロジック回路領域内の素子分離領域の上方にダミーゲート層を形成する。例文帳に追加

Patterning is applied on the first conductive layer in the logical operation circuit area based on the resist layer processed by patterning while the gate electrode of an insulation gate electric field effect transistor is formed in the logical operation circuit area and a dummy layer is formed above the element separating area in the logical operation circuit area based on the stopper layer processed by patterning. - 特許庁

ノイズキャンセル回路は、ゲート絶縁膜３２を介してＮ型半導体層及び隣接する素子間分離領域Ｌ上に形成され、Ｎｃｈ−ＭＯＳＦＥＴ４のゲート電極Ｃに接続されるゲート電極Ｆと、出力配線Ｄに接続されるＰ型半導体層とを備えるノイズキャンセル素子２２を有している。例文帳に追加

The noise cancelling circuit has a noise cancelling element 22 having a gate electrode F formed on an N-type semiconductor layer and an adjacent inter-element isolating region L via a gate insulting film 32 and connected to a gate electrode C of an N-ch MOSFET 4 and a P-type semiconductor layer connected to an output wire D. - 特許庁

脆弱であり、かつ、密着性に乏しくて剥離し易い多孔質状ｌｏｗ−ｋ材が絶縁膜として用いられた場合において、更にはチップ厚が１００μｍ以下と言った薄型タイプのものにおいて、チップ積重後のボンディングの際の衝撃力によるチップ破損を、簡単、かつ、正確に評価できるようにすることである。例文帳に追加

To easily and correctly estimate breakage of a chip due to impact force in bonding after stacking chips, when a fragile porous low-k material which has less bondability and is easily peeled is used as an insulating film and in a thin chip having a chip thickness of 100 μm or less. - 特許庁

検出用電極１１、１２は、絶縁基板１３上に形成した電極金属膜１１１、１２１と、その表面を微粒化した微粒化層１１２、１２２からなり、主金属成分に低融点金属成分を付着させて微粒化処理することにより、微粒子状物質ＰＭの剥離が生じにくい表面構造とする。例文帳に追加

The electrodes 11, 12 for detection comprise electrode metal films 111, 121 formed on an insulation substrate 13, and atomization layers 112, 122 atomizing the surface thereof, and obtain a surface structure which is hard to generate exfoliation of a particulate substance PM by performing atomization treatment after adhering a low melting point metal component to a main metal component. - 特許庁

インダクタンスの発生を抑制した状態で半導体装置の正側外部接続端子及び負側外部接続端子と、前記各外部接続端子に接合される外部電極との接合部の抵抗を小さくし、各外部接続端子間及び外部電極間の距離が近くても絶縁を確保した半導体装置及び半導体装置の外部接続端子と外部電極との接合方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device securing insulation even if the distance between external connection terminals and that between external electrodes is short by reducing the resistance of the bonding section between the positive side external connection terminal and negative side external connection terminal of the semiconductor device while the occurrence of inductance is being suppressed and the external electrode bonded to each external connection terminal. - 特許庁

製造プロセスが簡便で、ハロゲンガスのウェーハレスプラズマクリーニングの耐久性が高く、ウェーハ冷却能力が高く、冷媒温度やプロセス温度の変化に対し安定な吸着離脱特性を得る事ができ、電極と金属プレート間の電気絶縁の信頼性が高い等を同時に解決する事ができる静電チャックを提供する。例文帳に追加

To provide an electrostatic chuck capable of obtaining a stable suction and release characteristics against a change in a refrigerant temperature or process temperature, with a simple manufacturing process, having a high durability of a waferless plasma cleaning of halogen gas, and having a high wafer cooling capability and high reliability in electric insulation between an electrode and a metal plate. - 特許庁

半導体領域２と、コンタクト用拡散領域６と、分離拡散領域４と、フィールド絶縁膜１６と、コンタクト用拡散領域６と電気的に接続された金属電極２５と、フローティング状態で形成された複数のプレート電極１８ａ、１９ａとを備えた高耐圧半導体装置である。例文帳に追加

This semiconductor device having high dielectric strength comprises a semiconductor region 2, a diffusion region 6 for contact, a isolation diffusion region 4, a field insulation film 16, a metal electrode 25 electrically connected to the diffusion region 6 for contact and a plurality of plate electrodes 18a, 19a formed under the floating condition. - 特許庁

特に、ピッチ幅を狭小化しても各導電層（配線）間の沿面距離を従来に比べて長くでき、耐マイグレーション性に優れるとともに、基材上に形成される各絶縁樹脂層の突出寸法を、簡単に変えることが出来る基板およびその製造方法と、前記基板を用いた回路基板およびその製造方法を提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide a substrate and a method of manufacturing the same wherein a surface distance among conductive layers (wirings) can be elongated even if a pitch width is narrowed, an excellent anti-migration property can be assured, the projection size of each insulating resin layer formed on the substrate can be changed easily, and also to provide a circuit board using the substrate and a manufacturing method of the same. - 特許庁

底蓋８０は、３枚の端子板１１０，１２０，１３０がモールド樹脂Ｍで絶縁分離されて成るインサート成形板であり、それら端子板１１０，１２０，１３０の凹状部１１１，１２１，１３１においてモールド樹脂Ｍの下面より下方に突出した外側面１１１ａ，１２１ａ，１３１ａが半田リフローのための基板接続用パターンとなっている。例文帳に追加

The bottom lid 80 is an insert molding plate formed by insulatingly separating three terminal boards 110, 120, 130 with mold resin M, and in recessed parts 111, 121, 131 of the terminal boards 110, 120, 130, outer faces 111a, 121a, 131a downward protruded downward from the lower face of the mold resin M form a substrate connection pattern for soldering reflow. - 特許庁

さらに、ハウジングＨには、ハウジングＨ内と密閉容器１１内との間の圧力を均等にするとともに、ハウジングＨ内の金属端子３１、配線３５の導電部及び端子接続部Ｓと、密閉容器１１との間の絶縁距離を延長する均圧ホース４０がハウジングＨ外へ延在している。例文帳に追加

Further, a pressure-equalization hose 40, which equalizes the pressure between the inside of the housing H and the inside of the airtight container 11 and extends an insulation distance between the airtight container 11 and the metal terminal 31, the conductive part of the wiring 35, and the terminal connection part S inside the housing H, is extended from the housing H toward the outside of the housing H. - 特許庁

ガラス４１上に絶縁性下地層４２ａと酸化亜鉛層４２ｂが順次積層された透明電極層に対し、Ｎｄ−ＹＶＯ4（ネオジウム・ワイ・ブイ・オー・フォアー）レーザーから出力される第二高調波（波長５３２ｎｍ）であり、ビーム断面の出力強度分布が均一化されかつビーム先端部が平らであるレーザービームで分離溝４３を形成する。例文帳に追加

An isolation groove 43 is formed in a transparent electrode layer in which an insulating ground layer 42a and a zinc oxide layer 42b are sequentially laminated on a glass 41 by a laser beam which is a second harmonic (with a wavelength of 532 nm) outputted from a Nd-YVO4 (neodymium-YVO4) laser, and whose cross sectional output intensity distribution is equalized and whose fore-end is flat. - 特許庁

保存安定性に優れ、かつ加熱によって速やかに硬化し、特に、積層された鋼板を用いた回転電機子をこの組成物で絶縁被覆するために使用する際に、被覆後の積層鋼板に浸透した間隙において分離未硬化物や回転軸の固結が発生しない、均一な液状酸無水物系一液型エポキシ樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a uniform liquid acid anhydride based one-pack type epoxy resin composition which excels in storage stability and, simultaneously, quickly cures by heating and generates neither separated uncured substances in a gap into which the composition has penetrated after coating nor the firm solidifying of the axis of rotation of a revolving armature particularly when used in the insulating coating of the revolving armature using a laminated steel sheet with this composition. - 特許庁

シリコン基板に形成され、複数の微細トレンチの側壁となる少なくとも一つのシリコン柱をトレンチの下部に含むトレンチと、前記複数の微細トレンチの内部に埋め込まれた素子分離絶縁膜とを備え、シリコン柱を含むことによりリーク電流発生を抑制し、微細トレンチに空洞を形成して素子のＲＣ遅延を減少させる。例文帳に追加

This structure is formed on a silicon substrate in a way that it is formed with a trench having at least one silicon pole in the lower part of the trench that forms side walls of multiple minute trenches, and device isolation insulating films embedded in these minute trenches so that the leak current can be prevented by the silicon pole and caves can be formed in the minute trenches to reduce a device RC delay. - 特許庁

電子ビームを用いた極微細パターンを形成する必要なく、簡単な方法で単結晶シリコンナノワイヤを形成し、基板から分離されたナノワイヤを他の酸化膜又は絶縁膜が形成されたシリコン基板などに転写させることで複雑なナノワイヤ位置合わせ工程やＳＯＩウエハーが不要な低コストの半導体ナノワイヤ素子を大量に製造することができる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a large quantity of semiconductor nano wire elements eliminating a complicated nano wire positioning step and an SOI wafer at a low cost, with no necessity of forming an extremely fine pattern using electronic beams, and by forming a single crystal silicon nano wire by an easy method, transferring the nano wire separated from a substrate onto an other oxide film or a silicon substrate formed with an insulating film. - 特許庁

シャロー・トレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のリセスＣＭＰ技術及び層間絶縁膜の平坦化ＣＭＰ技術において、酸化珪素膜、金属等の埋め込み膜の余分な成膜層の除去及び平坦化を効率的、高レベルに、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide an abrasive and a method of polishing a substrate, which can efficiently perform removal of an excessively formed film layer and planarization of a silicon oxide film and an embedded film of a metal or the like with high-level quality and with easy process control in a recess CMP technology such as for shallow trench isolation formation and for embedded metal wiring formation and in a planarization CMP technology for an interlayer insulation layer. - 特許庁

該上部冷却通電ブロックと接続された上部端子と該下部冷却通電ブロックと接続された下部端子の一部が露出するように、該パワー素子、該上部金属ブロック、該下部金属ブロック、該上部冷却通電ブロック、該下部冷却通電ブロックを該上部冷却通電ブロックと該下部冷却通電ブロックと所定間隔だけ離間して覆う絶縁ケースを備えたことを特徴とする。例文帳に追加

An insulating case is provided to cover the power element, the upper metal block, the lower metal block, the upper cooling conduction block and the lower cooling conduction block while spacing a predetermined distance from the upper cooling conduction block and lower cooling conduction block so that an upper terminal connected with the upper cooling conduction block and a lower terminal connected with the lower cooling conduction block are exposed partially. - 特許庁

基板１１に形成され、基板１１側から上方に向かって末広がり状に傾斜した側面を有する第１配線１３と、絶縁膜１４によって第１配線１３と分離され、上方から基板１１側に向かって末広がり状に傾斜した側面を有する第２配線１５と、を具備する。例文帳に追加

The semiconductor device includes first interconnections 13, which are formed on a substrate 11 and have a side face slanted, in such a manner as to be widened upwards from the substrate 11 side and second interconnections 15 which are separated from the first interconnections 13 by insulating films 14 and have a side face slanted, in such a manner as to widen toward the substrate 11 side from above. - 特許庁

金属箔は、スリットにより絶縁分離された一対の配線拡大部と、一対の外部電極接続部と、これらの間を接続する配線部が一体に形成され、かつ配線部よりもスリット方向の幅を拡大した配線拡大部は、ＬＥＤチップの長辺長さよりも幅広に構成する。例文帳に追加

In the metal foil, a pair of wiring enlarged parts insulated each other by a slit, a pair of external electrode connection parts, and a wiring part to interconnect therebetween are integrally formed, and the wiring enlarged part having a width in the slit direction being larger than that of the wiring part is configured that its width is wider than the length of the long side of an LED chip. - 特許庁

半導体装置は、半導体層（１０１）に形成された素子分離（１０２）、第１導電型の不純物層（１０４）、第１導電型のソース領域（１０６）、第１導電型のドレイン領域（１０７）、第２導電型のゲート領域（１０５）、絶縁膜（１０８）を介して形成された制御電極（１０９）を備える。例文帳に追加

A semiconductor device comprises: an element isolation (102) formed in a semiconductor layer (101); a first-conductivity-type impurity layer (104); a first-conductivity-type source region (106); a first-conductivity-type drain region (107); a second-conductivity-type gate region (105); and a control electrode (109) formed via an insulating film (108). - 特許庁

よって、各画素領域内において、反射膜は、絶縁層中に島状に設けられることになり、周囲の反射膜とは離隔されることになり、カラーフィルタ層にピンホールなどの欠陥が存在したり、金属などの導電性の異物が混入し、反射膜と透明電極との間が電気的に導通した場合でも、その影響は当該画素領域のみに抑制することができる。例文帳に追加

Therefore, in each pixel region, the reflecting film is provided in the insulating layer in an island shape so as to be separated from adjacent reflecting films and isolated form circumferential reflecting film, thereby limiting influences to only the pixel region even if the color filter layer has a defect such as a pinhole or conductive foreign matter such as metal is mixed to electrically connect the reflecting film and transparent electrode to each other. - 特許庁

この撮像装置（ＣＭＯＳイメージセンサ）は、ｐ型シリコン基板１０と、ゲート絶縁膜１１と、１つの転送ゲート電極１２、１つの増倍ゲート電極１３および１つの読出ゲート電極１４の３つのゲート電極と、フォトダイオード部（ＰＤ）１５と、ｎ型不純物領域からなるフローティングディフュージョン領域１６と、素子分離領域１７とにより構成されている。例文帳に追加

The imaging apparatus (CMOS image sensor) comprises: a p-type silicon substrate 10; a gate insulating film 11; three gate electrodes, that is, a transfer gate electrode 12, a multiplication gate electrode 13 and a read-out gate electrode 14; a photodiode portion (PD) 15; a floating diffusion region 16 made of an n-type impurity region; and an element isolation region 17. - 特許庁

プラズマトーチ（１０）内で、電極（８０）に冷却液を供給する電極冷却液通路（６０、８４、８５、８６および６４）と、ノズル（８８）に冷却液を供給するノズル冷却液水通路（５６、７０、９２、７２および６８）とが、並列つまり独立な水路として分離され、互いに電気的に絶縁されている。例文帳に追加

Within the plasma torch (10), an electrode coolant liquid passage (60, 84, 85, 86 and 64) which supplies coolant liquid to an electrode (80), and a nozzle coolant liquid passage (56, 70, 92, 72 and 68) which supplies coolant liquid to the nozzle (88), are provided separately as parallel or independent coolant liquid passages and are mutually electrically insulated from one another. - 特許庁

樹脂製筐体と４００Ｖを超える高電圧部が配置された回路基板とを備えるテレビ等の電子機器において、高電圧が印加され潜在着火源とみなされる高電圧部領域と樹脂製筐体の底面との隙間がＥＮ６００６５規格に定める所定の絶縁距離を確保することが困難な場合でも、火災予防に優れた電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide an electronic apparatus which is improved in fire prevention even if a high voltage is applied and it becomes difficult to ensure a predetermined insulation distance, determined in the EN60065 standard, for the interval between a high voltage portion area regarded as a latent ignition source and the bottom surface of a resin case. - 特許庁

配線パターンの形成された配線基板との基板同士の接続に用いられる板間接続用チップ部品であって、相対向する第１および第２の面が平坦面を構成し、前記第１および第２の面には複数の導電性領域が、絶縁性領域を介して配列され、前記導電性領域は、前記第１の面から、前記第２の面に接続する複数の導電路を構成するように、分離形成される。例文帳に追加

A plurality of conductive regions 31 are arranged on the first and the second surface via an insulating region, and the conductive regions are formed separate so that a plurality of conductive paths for connecting from the first surface to the second surface are constituted. - 特許庁